專利名稱：用于使經(jīng)切分的半導(dǎo)體裸片與裸片貼膠帶分離的系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施例涉及一種用于使切分的半導(dǎo)體裸片與裸片貼膠帶分離的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
對便攜式消費型電子器件的需求的迅猛增長正在驅(qū)動對高容量存儲裝置的需要。 例如快閃存儲器存儲卡等非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置正變得廣泛用于滿足對數(shù)字信息存 儲和交換的不斷增長的需求。非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置的便攜性、通用性和堅固的設(shè)計 以及其高可靠性和大容量已使得此些存儲器裝置在各種各樣的電子裝置(包含例如數(shù)碼 相機(jī)、數(shù)字音樂播放器、視頻游戲控制臺、PDA和蜂窩式電話)中使用是理想的。雖然已知各種各樣的封裝配置，但一般可將快閃存儲器存儲卡制造成封裝內(nèi)系統(tǒng) (SiP)或多芯片模塊(MCM)，其中將多個裸片以所謂的三維堆疊配置安裝在襯底上?，F(xiàn)有技 術(shù)圖1中展示常規(guī)半導(dǎo)體封裝20 (無模制化合物)的邊緣圖。典型的封裝包含安裝到襯底 26的多個半導(dǎo)體裸片22、24。盡管圖1中未展示，但所述半導(dǎo)體裸片形成有位于裸片的上 表面上的裸片接合墊。襯底沈可由夾在上部導(dǎo)電層與下部導(dǎo)電層之間的電絕緣核心形成。 所述上部和/或下部導(dǎo)電層可經(jīng)蝕刻以形成包含電引線和接觸墊的傳導(dǎo)圖案。接合線30 焊接在半導(dǎo)體裸片22J4的裸片接合墊與襯底沈的接觸墊之間，以便將半導(dǎo)體裸片電耦合 到襯底。襯底上的電引線又提供裸片與主機(jī)裝置之間的電路徑。一旦形成裸片與襯底之間 的電連接，接著通常就將組合件裝入模制化合物中以提供保護(hù)性封裝。為了形成半導(dǎo)體封裝，執(zhí)行裸片接合工藝，其中從晶片切分半導(dǎo)體裸片、從粘附帶 拾取半導(dǎo)體裸片并將其接合到襯底?，F(xiàn)有技術(shù)圖2展示晶片40，其包含多個半導(dǎo)體裸片 (例如裸片22)(圖2中僅對其中的一些半導(dǎo)體裸片進(jìn)行編號)。晶片40上的每一半導(dǎo)體 裸片22已經(jīng)過處理而包含此項技術(shù)中已知的能夠執(zhí)行指定電子功能的集成電路。在測試 裸片22以找出不良裸片之后，可將晶片放置在粘附膜(稱為裸片貼附膜(DAF)帶)上，且 接著用鋸或激光對其進(jìn)行切分。切分工藝將晶片分離成個別半導(dǎo)體裸片22，其仍然附著到 DAF帶。圖2展示附著到DAF帶44的晶片40。為了將個別裸片分開，將晶片和DAF帶定位在加工機(jī)床中，現(xiàn)有技術(shù)圖3中展示了 所述加工機(jī)床的若干部分。圖3展示裸片頂出機(jī)床50，其包含真空卡盤52，在其上支撐著 晶片40和DAF帶44?？ūP52包含中央小孔54，待頂出的裸片22定位在所述中央小孔M 上。機(jī)床50進(jìn)一步包含頂針組合件56，用于促使許多頂針58向上穿過小孔M并與DAF帶 44的背側(cè)接觸。如下文所闡釋，針58將裸片22向上推動，使得其與DAF帶分開。DAF帶可 由粘附到帶的裸片貼附膜形成，且在使裸片與帶分離后，所述膜可仍附著到裸片的底面。進(jìn) 一步提供拾取臂60以抓緊裸片22并完成裸片22的分開。所述拾取機(jī)床接著輸送裸片22 以貼附到襯底或?qū)⑵漭斔偷狡渌恢谩，F(xiàn)有技術(shù)中已實施了各種卡盤與針組合件來使裸片與粘附帶分開?，F(xiàn)有技術(shù)圖4 中展示一種此配置，現(xiàn)有技術(shù)圖4展示真空卡盤52的俯視圖。真空卡盤52包含多個開口 62(圖4中僅對其中的一些開口進(jìn)行編號)。開口 62連接到負(fù)壓以將真空傳送到卡盤52的上表面，以便將DAF帶44牢固地固持在卡盤52上。圖4的俯視圖還展示小孔54，可通過 其看到頂針58?，F(xiàn)有技術(shù)圖5是穿過圖4的線A-A的橫截面圖，且現(xiàn)有技術(shù)圖6是穿過圖 4的線B-B的橫截而圖。提供圖5和圖6是為了展示，在常規(guī)裸片頂出機(jī)床中，小孔M由垂 直邊緣界定。即，小孔M的側(cè)壁64垂直于真空卡盤52的上表面66。現(xiàn)有技術(shù)圖7到圖9說明在機(jī)床50中使半導(dǎo)體裸片22從DAF帶44分開的過程。 卡盤平移，直到給定裸片22位于小孔M上為止。接著針組合件56促使頂針58向上，使得 針將帶44和裸片22向上推動。針在帶的背側(cè)上的占用面積小于半導(dǎo)體裸片的長度和寬度， 使得當(dāng)針將帶和裸片向上推動時，裸片和膜與帶分層。當(dāng)裸片22大部分從帶44分開時，拾 取臂60可(例如)通過其表面處的真空來抓住裸片并攜帶裸片離開。頂針58可全部一齊上升。或者，已知提供(例如)在標(biāo)題為“預(yù)剝離裸片頂出設(shè) 備，，("Pre-Peel Die Ejector Apparatus”)的第4，850，780號美國專利中說明的多級頂 出。如所述專利中所示，卡盤可包含伸縮式頂出器，使得外部頂出器將DAF帶和裸片向上推 動以開始分開過程。接下來，外部頂出器保持固定，而從外部頂出器徑向向內(nèi)定位的內(nèi)部頂 出器繼續(xù)向上，以進(jìn)一步使裸片與DAF帶分開。雖然上述頂出器方法在過去足夠有效，但裸片厚度現(xiàn)在已減小到100 μ m和更薄。 在這些厚度下，上述工藝施加在裸片上的相反的力可能使裸片斷裂。舉例來說，如現(xiàn)有技術(shù) 圖8所示，當(dāng)裸片22被向上推動時，DAF帶44的粘附力在裸片的邊緣上施加向下的力。對 于薄裸片，這些相反的力可能足以如圖所示致使裸片22的邊緣2 破裂或斷裂。此外或替 代地，如現(xiàn)有技術(shù)圖9所示，相反的力類似地被施加在鄰近于正被頂出的裸片的半導(dǎo)體裸 片上。位于鄰近裸片下方的帶44被固持在真空卡盤52上，而正被向上推動的帶在鄰近裸 片的邊緣上施加向上的力。對于薄裸片，這些相反的力可能足以如圖所示致使鄰近裸片22 的邊緣2 破裂或斷裂。


圖1是常規(guī)半導(dǎo)體裝置的現(xiàn)有技術(shù)端視圖。圖2是安裝在DAF帶上的半導(dǎo)體晶片的現(xiàn)有技術(shù)視圖。圖3是用于使晶片上的半導(dǎo)體裸片與DAF帶分離的常規(guī)頂出機(jī)床的現(xiàn)有技術(shù)側(cè)視 圖。圖4是圖3的頂出機(jī)床中的常規(guī)真空卡盤的現(xiàn)有技術(shù)俯視圖。圖5是穿過圖4的線A-A的橫截面圖。圖6是穿過圖4的線B-B的橫截面圖。圖7是展示正通過常規(guī)頂出機(jī)床與DAF帶分離的半導(dǎo)體裸片的放大現(xiàn)有技術(shù)視 圖。圖8是展示在正通過常規(guī)頂出機(jī)床與DAF帶分離時裂開的半導(dǎo)體裸片的邊緣的放 大現(xiàn)有技術(shù)視圖。圖9是展示在半導(dǎo)體裸片正通過常規(guī)頂出機(jī)床與DAF帶分離時裂開的鄰近半導(dǎo)體 裸片的邊緣的放大現(xiàn)有技術(shù)視圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的實施例的頂出機(jī)床的支撐臺的俯視圖。圖11是圖10所示的支撐臺的一部分的俯視圖。
圖12是穿過圖11的線C-C的橫截面圖。圖13是穿過圖11的線D-D的橫截面圖。圖14是展示本發(fā)明的系統(tǒng)的替代實施例的穿過圖11的線D-D的橫截面圖。圖15是根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的實施例的用于使半導(dǎo)體裸片與DAF帶分離的流程圖。圖16是根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的實施例的位于頂出機(jī)床上的晶片和DAF帶的側(cè)視圖。圖17是正通過根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的實施例的頂出機(jī)床與DAF帶分離的半導(dǎo)體裸 片的側(cè)視圖。圖18是包含通過本發(fā)明的系統(tǒng)的方法形成的半導(dǎo)體裸片的完成的半導(dǎo)體封裝的 側(cè)視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參看圖10到圖18描述實施例，所述圖涉及使半導(dǎo)體裸片與粘附帶分離的 系統(tǒng)和方法，以及用此分離裸片形成的半導(dǎo)體封裝。應(yīng)理解，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置可以許多 不同形式體現(xiàn)，且不應(yīng)被解釋為限于本文所陳述的實施例。術(shù)語“頂部”和“底部”以及“上 部”和“下部”以及這些術(shù)語的派生詞在本文中僅出于方便和說明性目的而使用，且無意限 制對半導(dǎo)體裝置的描述，因為所參考的項目在位置上可調(diào)換。一般來說，實施例涉及用于將半導(dǎo)體裸片從粘附帶頂出的頂出機(jī)床。實施例特別 涉及頂出機(jī)床的支撐臺中的小孔的配置，粘附帶和晶片支撐在所述支撐臺上。雖然下文中 描述特定的支撐臺，但應(yīng)理解，本發(fā)明的系統(tǒng)的小孔可用于各種各樣的卡盤、臺、套爪和頂 出機(jī)床中所使用的其它支撐臺中。類似地，雖然下文中描述特定的粘附帶，但應(yīng)理解，任何 用于將經(jīng)切分的半導(dǎo)體晶片一起固持在頂出機(jī)床中的帶均可使用。圖10是根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的實施例的支撐臺100的俯視圖。所述支撐臺100可為 背景技術(shù)部分中所描述的頂出機(jī)床的真空卡盤，區(qū)別在于支撐臺100包含如下所述具有削 邊的小孔102。圖11是圖10所示的支撐臺100的一部分，且圖12和圖13是穿過圖11中 的線C-C和D-D的橫截面。如圖所示，支撐臺100包含由削邊104到110界定的小孔102。 支撐臺100可包含如下文所闡釋用于支撐帶和晶片的上表面112。在支撐臺100的圍繞小 孔102的區(qū)域中，支撐臺可具有0. 2mm與0. 6mm之間且更確切地說是0. 4mm的厚度，但在進(jìn) 一步實施例中小孔周圍的支撐臺厚度可在此范圍之外變動。在實施例中，小孔102可為具有半導(dǎo)體裸片122的相同縱橫比的矩形。應(yīng)理解，小 孔的形狀無需是矩形，且長度與寬度的縱橫比可不同于半導(dǎo)體裸片122的縱橫比。雖然圖 10和圖11中將小孔展示為完全敞開的孔，但應(yīng)理解，小孔102可部分地填充有材料，前提是 所述材料具有允許頂針130 (下文所述)向上延伸穿過小孔而與帶IM接觸的開口，且前提 是小孔中的任何此材料不會阻止帶1 如下所述圍繞削邊從半導(dǎo)體裸片的一個或一個以 上邊緣被吸掉。在實施例中，每一削角面104到110可與上表面112形成角θ，其在10°與60° 之間，且在進(jìn)一步實施例中，在30°與45°之間。這些角范圍是作為實例的，且在進(jìn)一步實 施例中與上表面112形成的角可在這些范圍以外變動。相應(yīng)邊緣104到110每一者可被削 去相同的角度，但在進(jìn)一步實施例中，邊緣104到110中的一者或一者以上可被削去不同的 角度。進(jìn)一步預(yù)期，小孔周圍的邊緣中的一者、兩者或三者可不具有削角面，以便與上表面112形成直角。此外，削角面可如圖所示沿整個邊緣(S卩，在上表面112與相對的表面之間) 延伸。然而，在圖14所示的替代實施例中，邊緣中的一者或一者以上可僅包含局部削角面 (圖14的實例中的邊緣104和/或108)。此實施例中的削角面將如圖所示從上表面局部 地向下到達(dá)相對的表面?，F(xiàn)在將參看圖15的流程圖以及圖16和圖17的側(cè)視圖來描述本發(fā)明的系統(tǒng)的實 施例的操作。在步驟200中在晶片上形成半導(dǎo)體裸片并對其進(jìn)行測試。接著在步驟202中 將晶片安裝在粘附帶(例如具有已知設(shè)計的DAF帶)上，且接著將晶片切分成個別半導(dǎo)體 裸片。在一個實例中，可從晶片120切分裸片122以便具有12. 96mm的長度、9. 28mm的寬度 和56μπι的厚度。應(yīng)理解，這些尺寸只是作為實例，且在替代實施例中可變動。DAF帶可具有已知構(gòu)造，且可含有(例如)由與粘附裸片貼附膜層壓的聚酯或類似 材料形成的帶層?？墒褂玫腄AF帶的一個實例是總部設(shè)在日本大阪的日東電工公司(Nitto Denko Corporation)出品的EM-310VJ-P WEF0在將晶片附著到DAF帶之后，可使用各種已 知的切分技術(shù)(例如鋸切或激光切割)將晶片切割成個別半導(dǎo)體裸片。典型的切分工藝會 在鄰近的裸片安裝在帶上之后在所述裸片之間留下小切口。接著在步驟204中將帶和晶片轉(zhuǎn)移到頂出機(jī)床以移除個別裸片。所述頂出機(jī)床 可類似于背景技術(shù)部分中所描述的頂出機(jī)床，或類似于任何其它已知的用于將切分的半導(dǎo) 體裸片從粘附帶移除的機(jī)床，區(qū)別在于所述機(jī)床包含如上所述具有經(jīng)削角的小孔的支撐臺 100。圖16展示包含貼附到粘附帶124的多個半導(dǎo)體裸片122的晶片120的側(cè)視圖。帶 IM包含基底層12 和裸片貼附膜層124b。裸片122和帶IM位于支撐臺100上，其中基 底層12 抵靠著支撐臺100的上表面112。盡管未圖示，但頂出機(jī)床可進(jìn)一步包含如上所 述且如此項技術(shù)中已知的拾取臂，用于如下文所闡釋完成半導(dǎo)體裸片122與帶IM的分開， 且攜帶半導(dǎo)體裸片離開。如所指示，支撐臺100可為包含開口 1 的真空卡盤，其連接到真空源126以將帶 IM穩(wěn)固地固持到上表面112。用于在上表面112處形成負(fù)壓的開口的數(shù)目和配置在不同 實施例中可變動。所述機(jī)床可進(jìn)一步包含頂針組合件，其包含多個頂針130。所述頂針可為 任何已知類型的頂針，其可全部一起延伸或以多個級延伸?？商娲厥褂靡圆煌壯由斓?伸縮型頂出器。針130可首先縮回，且接著其可在帶IM和晶片120支撐在支撐臺100上 之后在步驟208中由頂針組合件移動以與基底層12 的背側(cè)嚙合(或接近嚙合)。頂表面112處的小孔102的長度和寬度的大小經(jīng)設(shè)計以大于中心在小孔102上的 裸片122的長度和寬度。在裸片122的大小如上文所指示而設(shè)計的一個實施例中，頂表面 112處的小孔的長度和寬度可分別為13. 31mm和9. 63mm。這些數(shù)字只是作為實例，且在替 代實施例中可與彼此和/或半導(dǎo)體裸片122成比例或不成比例地變動。在實施例中，可將 頂表面112處的小孔102的長度和寬度提供為大于中心在小孔102上的半導(dǎo)體裸片122的 長度和寬度。上表面112處的小孔102的邊界可下伏在半導(dǎo)體裸片下，在中心位于小孔102 上的裸片上方、下方、左方和/或右方。在進(jìn)一步實施例中，可將小孔102的長度和寬度提 供為下伏在中心裸片與鄰近于其的裸片之間的切口縫隙下。在裸片122的大小如上文所指示而設(shè)計的一個實施例中，臺100的底表面(相對 表面112)處的小孔的長度和寬度可分別為12. 51mm和8. 83mm。這些數(shù)字只是作為實例，且 在替代實施例中可與彼此和/或半導(dǎo)體裸片122成比例或不成比例地變動。在實施例中，可將底表面處的小孔102的長度和寬度提供為小于中心在小孔102上的半導(dǎo)體裸片122的 長度和寬度。在實施例中，支撐臺100的厚度可為0. 4mm，但在進(jìn)一步實施例中，臺100可比 這厚或薄。在步驟210中，激活支撐臺100下方的負(fù)壓源，使得負(fù)壓形成于開口 128內(nèi)以將帶 124固定到支撐臺100。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)，還將負(fù)壓傳送到小孔102以在小孔102內(nèi)形 成低壓區(qū)域。相對于帶和晶片上方的壓力來控制小孔102內(nèi)的低壓區(qū)域，使得超過基底層 124a與裸片貼附膜124b之間的力(剝離強(qiáng)度)但小于裸片貼附膜124b與半導(dǎo)體120的背 側(cè)之間的剝離強(qiáng)度的力被施加在基底層12 上。結(jié)果是基底層12 在削邊104到110的 區(qū)域中被從粘附膜124b拉開。如圖17所示，基底層12 被拉到由削邊104到110形成的 空間中。膜124b保留在裸片122上。在具有上文所陳述的尺寸的一個實施例中，真空可沿基底層12 的長度側(cè)形成 0. 32N的吸力。基底層12 與膜124b之間沿帶124的長度維度的剝離強(qiáng)度可為0. 033N。 且膜124b與半導(dǎo)體裸片122之間沿帶124的長度的剝離強(qiáng)度可為12. 25N。因此，通過這 些相應(yīng)的力，一旦支撐臺100中的真空源被激活，基底層12 便將被從裸片貼附膜124b拉 開，裸片貼附膜124b保留在裸片122的背側(cè)。應(yīng)理解，上文所論述的力可在替代實施例中 變動，前提是真空力至少像將基底層12 從薄膜124b拉開或?qū)⒒讓?2 和薄膜124b 兩者從半導(dǎo)體裸片122的背部拉開所必要的力的一樣大。在上述實施例中，帶IM包含兩個層。在進(jìn)一步實施例中，帶1 可為能夠直接粘 附到半導(dǎo)體裸片122的單個層。在此實施例中，支撐臺的真空力將超過帶對裸片的剝離強(qiáng) 度，使得在激活真空源126后，帶將如上所述在削邊周圍被從裸片拉開。再次參看圖16和圖17的實施例，在給定削角面相對于中心在小孔102上的半導(dǎo) 體裸片122的尺寸的尺寸的情況下，在所述削角面周圍將基底層12 從膜124b拉開會將 基底層從居中的半導(dǎo)體裸片的邊緣拉開。因此，有效地將基底層從待頂出的居中半導(dǎo)體裸 片122的邊緣拉開，而無需在半導(dǎo)體裸片的下表面上施加向上的機(jī)械力的針。此后，針130 可在步驟214中使居中半導(dǎo)體裸片122升高。在此點或在裸片定位在支撐臺100上之后的 任何時間，拾取臂可下降而與待頂出的半導(dǎo)體裸片的上表面接觸。一旦針已使半導(dǎo)體裸片 升高，拾取臂便可抓緊居中半導(dǎo)體裸片122。一旦頂針已到達(dá)其上限，裸片122便被拾取臂 固持，同時僅被支撐在頂針130的尖端上。在此位置，裸片122大體上與帶IM分離。拾取 臂接著可向上抬升以完成半導(dǎo)體裸片的分開，并將裸片攜帶到下一加工臺。在裸片122與切分帶IM完全分開之后，頂針130下降回支撐臺100下面(步驟 216)，且切斷施加到真空開口 1 的真空吸力(步驟220)。接著帶IM可在步驟222中重 新定位以將下一裸片移動到小孔102上，使得所述過程可重復(fù)。使用此在使裸片升高之前首先將帶從半導(dǎo)體裸片邊緣拉開的方法，裸片邊緣破裂 或斷裂的危險大幅降低。在實際生產(chǎn)試驗中，使用上述方法使合格率提高到3%。還預(yù) 期，可使用如圖17所示的上述方法來將帶IM從鄰近于正被頂出的裸片的一個或一個以上 裸片的邊緣拉開。然而，在實施例中，在裸片的中心位于經(jīng)削角的小孔102上之前，無需將 帶從裸片拉開。圖18說明使用通過上述方法頂出的半導(dǎo)體裸片組裝的半導(dǎo)體封裝170。半導(dǎo)體封 裝170包含多個半導(dǎo)體裸片，其包含一個或一個以上裸片122。這些裸片可為(例如)與控制器裸片174(例如ASIC)耦合的非易失性存儲器。預(yù)期其它類型的裸片。裸片(例如) 經(jīng)由接合線178電耦合到襯底176。無源組件(未圖示)可進(jìn)一步安裝在襯底176上。封 裝170可(例如)為接點柵格陣列(LGA)封裝，其可以可移除的方式插入到主機(jī)裝置中和 從主機(jī)裝置中移除。在此實施例中，襯底可包含位于封裝的下表面上以用于與主機(jī)裝置中 的端子配合的接觸指180?？蓪⒎庋b囊封在模制化合物182中以保護(hù)半導(dǎo)體裸片和其它組 件免受沖擊和濕氣的損害?？偟膩碚f，本發(fā)明的技術(shù)可涉及用于使半導(dǎo)體裸片與具有第一和第二層的帶的至 少一個層分離的機(jī)床。以特定剝離強(qiáng)度將第一和第二層固持在一起。所述機(jī)床包含具有用 于支撐帶和半導(dǎo)體裸片的上表面的支撐臺。所述支撐臺進(jìn)一步包含位于上表面中的具有至 少一個經(jīng)削角側(cè)壁的小孔，提供所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁以使得與所述支撐臺的與所述上 表面相對的下表面處的相同尺寸相比，所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁與同所述至少一個經(jīng)削角 側(cè)壁相對的壁之間的距離在所述支撐臺的上表面處較大。所述機(jī)床進(jìn)一步包含用于將帶的 第一層固持到支撐臺的真空源。將真空源傳送到小孔，且真空源在帶的第一層上施加超過 將帶的第一和第二層固持在一起的剝離強(qiáng)度的力。這導(dǎo)致帶的第一層被從第二層拉開，并 拉入由削角面形成的空間中。本發(fā)明的技術(shù)還涉及使半導(dǎo)體裸片與具有第一和第二層的帶的至少一個層分離 的方法，其中以給定的剝離強(qiáng)度將第一和第二層固持在一起。所述方法包含第一步驟將帶 和半導(dǎo)體裸片定位在支撐臺上，其中待分離的參考半導(dǎo)體裸片的中心在包含至少一個經(jīng)削 角側(cè)壁的小孔上。所述方法進(jìn)一步包含第二步驟在支撐臺的上表面與支撐在支撐臺上的 帶的第一層之間的界面處產(chǎn)生吸力，所述吸力超過剝離強(qiáng)度，以將帶的第一層從參考半導(dǎo) 體裸片的位于至少一個經(jīng)削角側(cè)壁上的至少一個邊緣拉開。本發(fā)明的技術(shù)進(jìn)一步涉及包含襯底和至少一個半導(dǎo)體裸片的半導(dǎo)體封裝，其中所 述至少一個半導(dǎo)體裸片通過特定方法與晶片分離。此方法包含第一步驟將至少一個半導(dǎo) 體裸片連同晶片上的其它半導(dǎo)體裸片安裝在帶上。所述帶包含以特定剝離強(qiáng)度附著到彼此 的第一和第二層。所述方法包含第二步驟將至少一個半導(dǎo)體裸片從其它半導(dǎo)體裸片切分。 所述方法進(jìn)一步包含第三步驟將帶和晶片的至少一個半導(dǎo)體裸片定位在支撐臺上，其中 所述至少一個半導(dǎo)體裸片的中心在包含至少一個經(jīng)削角側(cè)壁的小孔上。而且所述方法包含 第四步驟在支撐臺的上表面與支撐在支撐臺上的帶的第一層之間的界面處產(chǎn)生吸力。第 四步驟中所產(chǎn)生的吸力超過第一層與第二層之間的剝離強(qiáng)度，以將帶的第一層從至少一個 半導(dǎo)體裸片的位于至少一個經(jīng)削角側(cè)壁上的至少一個邊緣拉開。已出于說明和描述的目的而呈現(xiàn)了前面的詳細(xì)描述。并不希望前面的詳細(xì)描述是 無遺漏的或?qū)⑺雒枋鱿拗朴谒沂镜木_形式。鑒于以上教示，許多修改和變動是可能 的。選擇所描述的實施例是為了最好地闡釋所主張系統(tǒng)的原理及其實際應(yīng)用，從而使所屬 領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在各種實施例中且用適合于所預(yù)期的特定用途的各種修改來最好地 利用所主張的系統(tǒng)。希望本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書界定。
權(quán)利要求
1.一種用于使半導(dǎo)體裸片與具有第一和第二層的帶的至少一個層分離的機(jī)床，所述第 一和第二層以剝離強(qiáng)度固持在一起，所述機(jī)床包括支撐臺，其包含用于支撐所述帶和半導(dǎo)體裸片的上表面，所述支撐臺進(jìn)一步包含位于 所述上表面中的具有至少一個經(jīng)削角側(cè)壁的小孔，提供所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁以使得與 所述支撐臺的與所述上表面相對的下表面處的相同尺寸相比，所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁與 同所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁相對的壁之間的距離在所述支撐臺的所述上表面處較大；以及真空源，其用于將所述帶的所述第一層固持到所述支撐臺，所述真空源被傳送到所述 小孔，且在所述帶的所述第一層上施加超過所述剝離強(qiáng)度的力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)床，所述小孔是矩形的，且包含四個經(jīng)削角側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)床，所述小孔是矩形的，且包含兩個彼此相對的經(jīng)削角側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)床，所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁具有相對于所述支撐臺的所 述上表面以10°與60°之間的角度傾斜的側(cè)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)床，所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁界定所述第一層可被從所述 半導(dǎo)體裸片的至少一個邊緣吸開并吸入的空間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)床，其進(jìn)一步包括至少一個頂出器，用于從所述支撐臺的 所述下表面延伸穿過所述小孔，所述頂出器能夠在所述第一層已被從所述半導(dǎo)體裸片的至 少一個邊緣吸開后將所述半導(dǎo)體裸片向上抬升。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)床，其中所述小孔是矩形的，且其大小經(jīng)設(shè)計以在所述上 表面處具有比所述半導(dǎo)體裸片的長度和寬度大的長度和寬度，且其中所述小孔的大小經(jīng)設(shè) 計以在所述下表面處具有比所述半導(dǎo)體裸片的所述長度和寬度小的長度和寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的機(jī)床，其中所述帶的所述第一層在所述真空源激活后被從所 述半導(dǎo)體裸片的至少一個邊緣且抵靠著所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁吸開。
9.一種使半導(dǎo)體裸片與具有第一和第二層的帶的至少一個層分離的方法，以剝離強(qiáng)度 將所述第一和第二層固持在一起，所述方法包括以下步驟(a)將所述帶和半導(dǎo)體裸片定位在支撐臺上，其中待分離的參考半導(dǎo)體裸片的中心在 包含至少一個經(jīng)削角側(cè)壁的小孔上；以及(b)在所述支撐臺的上表面與支撐在所述支撐臺上的帶的所述第一層之間的界面處產(chǎn) 生吸力，所述吸力超過所述剝離強(qiáng)度，以將帶的所述第一層從所述參考半導(dǎo)體裸片的位于 所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁上的至少一個邊緣拉開。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟(c)在所述將帶的所述第一 層從所述參考半導(dǎo)體裸片的至少一個邊緣拉開的步驟(b)期間，使所述參考半導(dǎo)體裸片的 一部分支撐在從所述支撐臺下方延伸穿過所述小孔的頂針上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟(d)在所述將帶的所述第一 層從所述參考半導(dǎo)體裸片的至少一個邊緣拉開的步驟(b)之后，向上推動所述參考半導(dǎo)體 裸片。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟(e)抓取在所述步驟(c)中 升高的所述參考半導(dǎo)體裸片并攜帶其離開所述支撐臺。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述步驟(b)進(jìn)一步包括以下步驟在所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁處將帶的所述第一層從鄰近于所述參考半導(dǎo)體裸片的至少一個半導(dǎo)體裸片拉 開。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述步驟(a)包括以下步驟將所述小孔和至少一個 經(jīng)削角側(cè)壁的大小定為在所述上表面處具有比所述參考半導(dǎo)體裸片的長度和寬度大的長 度和寬度，且將所述小孔和至少一個經(jīng)削角側(cè)壁的大小定為在所述下表面處具有比所述半 導(dǎo)體裸片的所述長度和寬度小的長度和寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述步驟(b)包括以下步驟將所述吸力傳送到所述 小孔且傳送到所述支撐臺上的圍繞所述小孔的區(qū)域。
16.一種半導(dǎo)體封裝，其包括襯底；以及至少一個半導(dǎo)體裸片，其附著到所述襯底或所述至少一個半導(dǎo)體裸片中的另一者，所 述至少一個半導(dǎo)體裸片通過以下步驟與晶片分離(a)將所述至少一個半導(dǎo)體裸片連同所述晶片上的所述另一半導(dǎo)體裸片安裝在帶上， 所述帶包含以剝離強(qiáng)度附著到彼此的第一和第二層；(b)將所述至少一個半導(dǎo)體裸片從所述另一半導(dǎo)體裸片切分；(c)將所述帶和所述晶片的至少一個半導(dǎo)體裸片定位在支撐臺上，其中所述至少一個 半導(dǎo)體裸片的中心在包含至少一個經(jīng)削角側(cè)壁的小孔上；以及(d)在所述支撐臺的上表面與支撐在所述支撐臺上的帶的所述第一層之間的界面處產(chǎn) 生吸力，所述吸力超過所述剝離強(qiáng)度，以將帶的所述第一層從所述至少一個半導(dǎo)體裸片的 位于所述至少一個經(jīng)削角側(cè)壁上的至少一個邊緣拉開。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述封裝包括接點柵格陣列半導(dǎo)體封裝。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述封裝包括快閃存儲器。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，所述至少一個裸片通過以下進(jìn)一步步驟與所 述晶片分離(d)在所述將帶的所述第一層從所述參考半導(dǎo)體裸片的至少一個邊緣拉開的步驟(d)之后，向上推動所述參考半導(dǎo)體裸片；以及(e)抓取在所述步驟(c)中升高的所述參考半導(dǎo)體裸片并攜帶其離開所述支撐臺。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，所述步驟(d)進(jìn)一步包括以下步驟使所述 帶的所述第二層保持附著到所述至少一個半導(dǎo)體裸片。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種用于將半導(dǎo)體裸片從所述裸片在晶片切分過程中所附著到的帶頂出的系統(tǒng)。在實施例中，所述系統(tǒng)包含頂出機(jī)床，所述頂出機(jī)床包含支撐臺、頂針和拾取臂。所述支撐臺連接到真空源，用于在所述帶與支撐臺之間的界面處形成負(fù)壓。所述支撐臺進(jìn)一步包含具有一個或一個以上經(jīng)削角側(cè)壁的小孔。所述真空源連接到所述小孔，使得在將所述帶放置在所述支撐臺上且裸片的中心在所述小孔上后，所述真空源將所述帶的在所述半導(dǎo)體裸片的邊緣周圍的部分從所述裸片拉開并拉入由所述削邊形成的空間中。
文檔編號H01L25/00GK102044404SQ20091017984
公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月12日
發(fā)明者張簡榮杰, 梁行志, 王麗, 王偉利, 錦富·翁, 馬士才 申請人:桑迪士克股份有限公司