專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板及其制備方法，屬于有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)
領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
當(dāng)今，隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展和信息社會(huì)的來(lái)臨，對(duì)平板顯示器性能的要求越 來(lái)越高。近年來(lái)新出現(xiàn)了三種顯示技術(shù)等離子顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器和有機(jī)電致發(fā)光 顯示器，均在一定程度上彌補(bǔ)了陰極射線管和液晶顯示器的不足。其中，有機(jī)電致發(fā)光 顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)， 與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度 可達(dá)液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，有機(jī)電 致發(fā)光顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，被看作極賦競(jìng)爭(zhēng)力的未來(lái)平板顯示技術(shù)之一 。
有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Devices,簡(jiǎn)稱OLED)的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)是第
一電極(陽(yáng)極y多層有機(jī)層/第二電極(陰極)。常用的陽(yáng)極材料多為透明的導(dǎo)電金屬氧化
物，如銦錫氧化物(ITO)。常用低電阻金屬作為陰極材料，如Mg:Ag合金、Al等。在有 機(jī)電致發(fā)光顯示基板中，通常列引線為陽(yáng)極引線并連接到陽(yáng)極、行引線為陰極引線并連 接到陰極，各引線又連接到器件發(fā)光區(qū)域外部的驅(qū)動(dòng)芯片以提供器件所需的顯示信號(hào)。
目前有機(jī)電致發(fā)光顯示基板中的陰極引線和陽(yáng)極引線均為上下雙層結(jié)構(gòu)，下層 為主電極引線，材料通常是銦錫氧化物(ITO);上層為輔助電極，材料通常是金屬。在主 電極引線上加設(shè)輔助電極是為了減少引線電阻，從而降低屏體功耗和驅(qū)動(dòng)電壓。在實(shí)際 制備工藝中主電極引線和輔助電極引線都需要刻蝕形成，由于二者位置上下層疊，受刻 蝕對(duì)位精度的限制使輔助電極的寬度要小于主電極引線的寬度，引線寬度減小將導(dǎo)致其 電阻值增大，對(duì)于寬度屬于微米級(jí)的電極引線而言，這種寬度減小對(duì)阻值的影響是不可 忽略的。因此，現(xiàn)有技術(shù)中，用于降低屏體功耗和驅(qū)動(dòng)電壓的輔助電極并未充分發(fā)揮其 作用，有待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能有效減小電極引線阻值的有機(jī)電致發(fā)光顯示基 板。 本發(fā)明的另一目的在于提供一種制備上述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的預(yù)刻蝕基 板。 本發(fā)明的又一 目的在于提供一種制備上述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的方法。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 —種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板，包括基底，陽(yáng)極，陽(yáng)極引線和陰極引線，所述陰
極引線為直接配置在基底上的金屬或合金。 上述陰極引線的兩端分別對(duì)應(yīng)于基底的兩相鄰側(cè)邊。
上述陰極引線的兩端對(duì)應(yīng)于基底的同一側(cè)邊。
上述陽(yáng)極引線為銦錫氧化物。
上述陽(yáng)極引線上覆蓋有輔助電極。 上述陰極引線為單層的金屬或合金。單層的金屬選自銀、銅、鉻、鉬。單層的 合金選自銅銀合金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金。
上述陰極引線為多層的金屬或合金。
上述多層的金屬為鉬鋁鉬。 —種制備上述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的預(yù)刻蝕基板，包括基底，配置于基底上 的預(yù)刻蝕層，所述預(yù)刻蝕層由具有不同材料的區(qū)域拼接而成。 上述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)為金屬或合金，其他區(qū)域?yàn)殂熷a氧化物。
上述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)為單層的金屬或合金。單層的金屬選自銀、 銅、鉻、鉬。單層的合金選自銅銀合金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金。
上述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)為多層的金屬或合金。
上述多層的金屬為鉬鋁鉬。 上述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的金屬或合金的厚度為1500 7000埃，其他區(qū) 域銦錫氧化物的厚度為1000 3000埃。 —種制備上述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的方法，包括以下步驟
(1)刻蝕覆蓋有銦錫氧化物層的基板形成陽(yáng)極和陽(yáng)極引線；
(2)在步驟(1)形成的基板上制備金屬層；
(3)刻蝕金屬層形成陰極引線。 本發(fā)明通過(guò)以上技術(shù)方案提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板及其制備方法，以 及用于制備該顯示基板的預(yù)刻蝕基板，本技術(shù)能夠有效減小電極引線的電阻值尤其是陰 極引線的電阻值，從而降低屏體功耗和驅(qū)動(dòng)電壓。


圖l-a現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光顯示基板結(jié)構(gòu)示意圖； 圖l-b圖l-a中AA'截面剖視圖； 圖2本發(fā)明實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3本發(fā)明實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4-a本發(fā)明實(shí)施例10結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4-b圖4-a中AA'截面剖視圖； 圖5本發(fā)明實(shí)施例19結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。 圖l-a和圖l-b為現(xiàn)有技術(shù)示意圖，如圖l-a所示，陰極引線1-1由主電極引線 l-2和輔助電極l-3組成，如圖l-b所示，由于主電極引線l-2和輔助電極l-3二者位置上 下層疊，受刻蝕對(duì)位精度所限，輔助電極l-3的寬度要小于主電極引線l-2的寬度，使引 線整體寬度減小，從而導(dǎo)致其電阻值增大，對(duì)于寬度屬于微米級(jí)的電極引線而言，這種
5寬度減小對(duì)阻值的影響是不可忽略的，不利于充分發(fā)揮輔助電極降低屏體功耗和驅(qū)動(dòng)電
壓的作用。 實(shí)施例1 圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示， 一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板， 包括基底2-l，陽(yáng)極2-2，陰極引線2-3和陽(yáng)極引線2-4。 陰極引線2-3直接固定于基底2-l之上，其材料為銀。每條陰極引線2-3的兩端
2- 5和2-6分別對(duì)應(yīng)于基底2-1的兩相鄰側(cè)邊2-7和2-8 ;陽(yáng)極引線2-4的材料為銦錫氧化 物。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明去除了原有的ITO主電極引線，變雙層結(jié)構(gòu)為單層結(jié) 構(gòu)，這樣就不需要再考慮雙層結(jié)構(gòu)中由于受刻蝕對(duì)位精度所限而導(dǎo)致的對(duì)引線寬度的限 制，從而可以克服現(xiàn)有技術(shù)中陰極引線下寬上窄的缺陷，使陰極引線上下寬度一致，進(jìn) 而使陰極引線電阻隨著引線整體寬度的增加(現(xiàn)有技術(shù)中輔助電極所在上層對(duì)應(yīng)的引線寬 度得以加寬)而降低。
實(shí)施例2 圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示， 一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板， 包括基底3-l，陽(yáng)極3-2，陰極引線3-3和陽(yáng)極引線3-4，陰極引線3-3為直接固定于基底
3- l上的銅引線，每條陰極引線3-3的兩端3-5和3-6對(duì)應(yīng)于基底3-l的同一側(cè)邊3-8，陽(yáng) 極引線3-4為ITO引線，其上覆蓋有輔助電極3-7。 實(shí)施例3 實(shí)施例3同實(shí)施例1相比，陰極引線為直接固定于基底上的鉻引線，其他同實(shí)施 例1。

例1。

實(shí)施例4
實(shí)施例4同實(shí)施例l相比，
陰極引線為直接固定于基底上的鉬引線，其他同實(shí)施
實(shí)施例5
實(shí)施例5同實(shí)施例1相比， 同實(shí)施例1。
實(shí)施例6
實(shí)施例6同實(shí)施例1相比， 同實(shí)施例1。
實(shí)施例7
實(shí)施例7同實(shí)施例1相比，
同實(shí)施例1。 實(shí)施例8 實(shí)施例8同實(shí)施例1相比，
他同實(shí)施例1。 實(shí)施例9 實(shí)施例9同實(shí)施例1相比，
他同實(shí)施例1。
陰極引線為直接固定于基底上的銅銀合金引線，其他
陰極引線為直接固定于基底上的銀鋅合金引線，其他
陰極引線為直接固定于基底上的銀鎂合金引線，其他
陰極引線為直接固定于基底上的銀鉛銅合金引線，其
陰極引線為直接固定于基底上的鉬鋁鉬三層引線，其
實(shí)施例10 圖4為本發(fā)明實(shí)施例IO的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4-a和4-b所示， 一種制備上述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的預(yù)刻蝕基板，包括基底4-l和分布于基底上的預(yù)刻蝕層4-2，預(yù)刻蝕層由具有不同材料的區(qū)域拼接而成。預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)4-3的材料為金屬銀，厚度為5000埃，其他區(qū)域4-4為ITO，厚度為1500埃。對(duì)預(yù)刻蝕基板進(jìn)行刻蝕，首先用陽(yáng)極對(duì)應(yīng)掩膜板對(duì)ITO區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成陽(yáng)極和陽(yáng)極引線，然后再用陰極引線對(duì)應(yīng)掩膜板對(duì)金屬銀層進(jìn)行刻蝕，形成陰極引線，即可制備得到實(shí)施例l所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板。
實(shí)施例11
實(shí)施例11同實(shí)施例10相比為1500埃。ITO厚度度為1000埃。
實(shí)施例12
實(shí)施例12同實(shí)施例10相比為7500埃。ITO厚度度為3000埃。
實(shí)施例13
實(shí)施例13同實(shí)施例10相比同實(shí)施例10。
實(shí)施例14
實(shí)施例14同實(shí)施例10相比他同實(shí)施例10。
實(shí)施例15
實(shí)施例15同實(shí)施例10相比他同實(shí)施例10。
實(shí)施例16
實(shí)施例16同實(shí)施例10相比他同實(shí)施例10。
實(shí)施例17
實(shí)施例17同實(shí)施例10相比其他同實(shí)施例10。
實(shí)施例18
實(shí)施例18同實(shí)施例10相比
屬，其他同實(shí)施例io。 實(shí)施例19 圖5為本發(fā)明實(shí)施例19的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示， 一種制備實(shí)施例l所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的方法，包括以下步驟 (1)利用陽(yáng)極對(duì)應(yīng)掩膜板刻蝕覆蓋有銦錫氧化物層的基板5-1形成陽(yáng)極5-2和陽(yáng)極引線5-3 ; (2)在步驟(1)形成的基板上濺射金屬銀層5-4 ;厚度5000埃； (3)利用陰極引線對(duì)應(yīng)掩膜板刻蝕金屬銀層5-4形成陰極引線5-5，完成實(shí)施例1
，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為金屬銅，厚度其他同實(shí)施例10。
，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為金屬鉻，厚度其他同實(shí)施例10。
，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為金屬鉬，其他，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為銅銀合金，其，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為銀鋅合金，其，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為銀鎂合金，其，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為銀鉛銅合金，，預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng)區(qū)的材料為鉬鋁鉬三層金
7所述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的制備。 雖然本發(fā)明已以比較佳實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以申請(qǐng)的專利范圍所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示基板，包括基底，陽(yáng)極，陽(yáng)極引線和陰極引線，其特征在于，所述陰極引線為直接配置在基底上的金屬或合金。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 分別對(duì)應(yīng)于基底的兩相鄰側(cè)邊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 對(duì)應(yīng)于基底的同一側(cè)邊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 氧化物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 有輔助電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 的金屬或合金。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 銀、銅、鉻、鉬。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 銅銀合金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板 的金屬或合金。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板，其特征在于，所述多層的金屬為 鉬鋁鉬。
11. 一種制備權(quán)利要求l所述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的預(yù)刻蝕基板，包括基底，配置 于基底上的預(yù)刻蝕層，其特征在于，所述預(yù)刻蝕層由具有不同材料的區(qū)域拼接而成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的預(yù)刻蝕基板，其特征在于，所述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng) 區(qū)為金屬或合金，其他區(qū)域?yàn)殂熷a氧化物。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的預(yù)刻蝕基板，其特征在于，所述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng) 區(qū)為單層的金屬或合金。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的預(yù)刻蝕基板，其特征在于，所述單層的金屬選自銀、銅、 鉻、鉬。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的預(yù)刻蝕基板，其特征在于，所述單層的合金選自銅銀合 金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的預(yù)刻蝕基板，其特征在于，所述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì)應(yīng) 區(qū)為多層的金屬或合金。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的預(yù)刻蝕基板，其特征在于，所述多層的金屬為鉬鋁鉬。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的預(yù)刻蝕基板，其特征在于，所述預(yù)刻蝕層中陰極引線對(duì) 應(yīng)區(qū)的金屬或合金的厚度為1500 7000埃，其他區(qū)域銦錫氧化物的厚度為1000 3000 埃。
19. 一種制備權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的方法，包括以下步驟(1) 刻蝕覆蓋有銦錫氧化物層的基板形成陽(yáng)極和陽(yáng)極引線；(2) 在步驟(1)形成的基板上制備金屬層； ，其特征在于，所述陰極引線的兩端 ，其特征在于，所述陰極引線的兩端 ，其特征在于，所述陽(yáng)極引線為銦錫 ，其特征在于，所述陽(yáng)極引線上覆蓋 ，其特征在于，所述陰極引線為單層 ，其特征在于，所述單層的金屬選自 ，其特征在于，所述單層的合金選自 ，其特征在于，所述陰極引線為多層(3)刻蝕金屬層形成陰極引線。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種能有效減小電極引線阻值的有機(jī)電致發(fā)光顯示基板及其制備方法，以及一種用于制備上述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板的預(yù)刻蝕基板。本發(fā)明所述有機(jī)電致發(fā)光顯示基板，包括基底，陽(yáng)極，陽(yáng)極引線和陰極引線，所述陰極引線為直接配置在基底上的金屬或合金。本發(fā)明技術(shù)能夠有效減小電極引線的電阻值尤其是陰極引線的電阻值，從而降低屏體功耗和驅(qū)動(dòng)電壓。
文檔編號(hào)H01L27/28GK101692483SQ200910182609
公開(kāi)日2010年4月7日 申請(qǐng)日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者孫劍, 邱勇, 高裕弟 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司