專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Diode ，以下簡稱 OLED)，尤其涉及一種OLED顯示器件或OLED光源的第二電極與其引線的連接方式。
背景技術(shù)：
OLED是一種利用載流子在電場作用下由第一電極(通常為陽極)、第二電極(通 常為陰極)進(jìn)入有機(jī)功能層復(fù)合而發(fā)光的現(xiàn)象制成的顯示器件。與LCD相比，OLED具 有全固態(tài)、無需背光源、高對比度、超薄、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)。OLED可以做成點(diǎn) 陣屏動(dòng)態(tài)顯示圖像，也可以成為光源。 對于OLED顯示器件，發(fā)光區(qū)有第一電極、有機(jī)功能層和第二電極，在電場作 用下，載流子由第一電極、第二電極進(jìn)入有機(jī)功能層復(fù)合而發(fā)光，作為顯示器件時(shí)，發(fā) 光區(qū)被絕緣層分割為多個(gè)發(fā)光像素。電極引線包括第一電極引線和第二電極引線，電極 引線在邦定區(qū)105與驅(qū)動(dòng)芯片或驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行邦定，實(shí)現(xiàn)對發(fā)光區(qū)的發(fā)光像素的控制。 第一電極引線與第一電極直接相連，且與第一電極材料相同，通常為氧化銦錫(以下簡稱 ITO)，在一次光刻工藝中同時(shí)制備出來。第二電極引線可以與第一電極為同樣的材料， 在一次光刻工藝中形成；也可以是低電阻金屬，如鉻、鉬、鉬/鋁/鉬三層、銀、銅；也 可以是ITO與低電阻金屬層的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 絕緣層的區(qū)域?yàn)?04所示，絕緣層是光刻工藝形成的，材料通常為聚酰亞胺、 聚四氟乙烯、聚酰亞胺與聚四氟乙烯的混合物或其他光刻膠。位于發(fā)光區(qū)101的絕緣 層起到分割像素的作用。位于第二電極引線區(qū)102的絕緣層起到限定搭接范圍的作用 因?yàn)榈诙姌O是用蒸鍍的方法制備的，如果沒有絕緣層作為限制，那么第二電極與相應(yīng) 的電極引線搭接的區(qū)域?qū)⑹侨我獾?，每條電極引線與第二電極的搭接區(qū)面積可能是不同 的；受蒸鍍角度的影響，通孔的斜坡上第二電極材料的厚度也是不同的。這樣會(huì)造成電 阻不均，進(jìn)而導(dǎo)致像素點(diǎn)的亮度不均。 發(fā)光區(qū)101的第二電極與第二電極引線區(qū)102的第二電極是在一次蒸鍍工藝中形 成，且是相連的，發(fā)光區(qū)101的第二電極通過絕緣層材料之間的通孔與第二電極引線搭 接。103為第二電極材料覆蓋區(qū)域。 根據(jù)與芯片邦定方式的不同，即電極引線與芯片在器件的一側(cè)或多側(cè)進(jìn)行連 接，將OLED器件分為單邊邦定、雙邊邦定、三邊邦定等。以單邊邦定的OLED顯示器 件為例，如圖1所示，發(fā)光區(qū)左側(cè)的引線為奇數(shù)行第二電極引線；右側(cè)的引線為偶數(shù)行 第二電極引線；發(fā)光區(qū)下方的引線為第一電極引線。每條第二電極引線與第二電極搭接 的通孔通常為一個(gè)，如圖3所示的通孔1、通孔2、通孔3。如圖5和圖6所示，通孔四周 因光刻出的絕緣層圖形而形成斜坡a、 b、 c、 d，蒸發(fā)源7位于發(fā)光區(qū)的正下方，對于發(fā) 光區(qū)右側(cè)的偶數(shù)行第二電極引線上的通孔來說，蒸發(fā)源7對各斜坡的蒸鍍角度不同，因 而造成各斜坡上的第二電極材料的厚度不同。因此，這些斜坡是搭接區(qū)域的薄弱地帶， 在電流過大的情況下，斜坡區(qū)域易被熔斷，造成通孔內(nèi)的第二電極材料與周圍的第二電極材料間隔開，從而造成斷路，產(chǎn)生行暗線。 對于OLED光源，由于電流較大，通常為O.l 1A甚至更大，更容易因斜坡上的薄弱區(qū)域被燒毀而產(chǎn)生斷路，從而使整個(gè)光源無法發(fā)光。 如果通過增加第二電極材料的厚度來防止薄弱區(qū)域被熔斷，那么需要耗費(fèi)更多的材料和蒸鍍時(shí)間，增加了成本。本發(fā)明將搭接區(qū)域改為多個(gè)通孔，能很好地提高OLED顯示器件或OLED光源的熔斷電壓，并且不增加成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種在第二電極膜厚一定的情況下，承受較大的熔斷電壓；或在熔斷電壓一定的情況下，第二電極膜厚較小的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。
本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn) —種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括發(fā)光區(qū)(101)、第二電極引線區(qū)(102)和邦定區(qū)(105);發(fā)光區(qū)(101)包括第一電極、有機(jī)功能層和第二電極；第二電極引線區(qū)(102)包括第二電極、絕緣層和第二電極引線，第二電極引線通過絕緣層材料之間的通孔與第二電極搭接；至少一條第二電極引線與第二電極搭接的通孔多于1個(gè)。 第二電極引線可以與第一電極的材料相同，優(yōu)選為氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫鋅、金、銅、銀；也可以是低電阻金屬層，優(yōu)選為鉻、鉬、銀、銅、鉬/鋁/鉬、銅銀合金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金；還可以是第一電極材料與低電阻金屬層的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 絕緣層為聚酰亞胺、聚四氟乙烯或聚酰亞胺與聚四氟乙烯的混合物。
第二電極引線與第二電極搭接的通孔為矩形、圓形或橢圓形。 本發(fā)明還提供一種在第二電極膜厚一定的情況下，承受較大的熔斷電壓；或在熔斷電壓一定的情況下，第二電極膜厚較小的有機(jī)電致發(fā)光光源。
本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn) —種有機(jī)電致發(fā)光光源，包括發(fā)光區(qū)(201)、第一電極引線區(qū)(202)、第二電極引線區(qū)(203);發(fā)光區(qū)(201)包括第一電極、有機(jī)功能層和第二電極；第二電極引線區(qū)(203)包括第二電極引線、絕緣層和第二電極，第二電極引線通過絕緣層材料之間的通孔與第二電極搭接；至少一條第二電極引線與第二電極搭接的通孔多于1個(gè)。
第二電極引線可以與第一電極的材料相同，優(yōu)選為氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫鋅、金、銅、銀；也可以是低電阻金屬層，優(yōu)選為鉻、鉬、銀、銅、鉬/鋁/鉬、銅銀合金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金；還可以是第一電極材料與低電阻金屬層的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 絕緣層為聚酰亞胺、聚四氟乙烯或聚酰亞胺與聚四氟乙烯的混合物。 第二電極引線與第二電極搭接的通孔為矩形、圓形或橢圓形。 如圖5和圖6所示，e為絕緣層梯形的角度，e為蒸發(fā)角度。與蒸鍍方向相同
的斜坡b上第二電極材料比通孔內(nèi)的第二電極材料要薄，近似等于其附近水平方向上厚
度的(ctg e -tge )/sin e倍(o。 < e + e《90° );而與蒸鍍方向相對的斜坡d上第二電極材料比通孔內(nèi)的第二電極材料要厚，近似等于其附近水平方向上厚度的(ctge +tgeysine
倍(0° < e+|3《90° )。絕緣層的厚度為0.5 5微米，因此其厚度引起的蒸鍍角度的變化可以忽略不計(jì)。而當(dāng)9 > e時(shí)，通孔斜坡上材料的厚度依次為d > a = c > b，斜坡 b上蒸鍍上的第二電極材料會(huì)很少，從而形成薄弱地帶。 本發(fā)明將第二電極與第二電極引線的通孔由一個(gè)改為多個(gè)，這樣一來，如果一
個(gè)通孔的邊緣被熔斷，無法實(shí)現(xiàn)搭接的話，其他的通孔還是導(dǎo)通的，因此，減小了斷路 的幾率，提高了產(chǎn)品良率。 另外，由于蒸鍍角度等原因，OLED各行的第二電極與第二電極引線之間的搭 接電阻可能不一致，會(huì)導(dǎo)致行的亮度不一致。將每條第二電極引線上的通孔改為多個(gè)以 后，通孔斜坡上的導(dǎo)電性增加，搭接電阻的不一致性能得到有效改善。
特別對于OLED光源這種電流較大的器件來說，效果更加明顯。


圖1為單邊邦定的OLED顯示器件結(jié)構(gòu)的平面示意圖； 圖2為OLED顯示器件第二電極引線平面示意圖； 圖3為OLED顯示器件現(xiàn)有搭接區(qū)的絕緣層平面示意圖； 圖4為OLED顯示器件第二電極與其引線搭接的示意圖； 圖5為通孔1剖面示意圖； 圖6為通孔1的俯視圖； 圖7為本發(fā)明實(shí)施例1搭接區(qū)的絕緣層平面示意圖； 圖8為本發(fā)明實(shí)施例2搭接區(qū)的絕緣層平面示意圖； 圖9為本發(fā)明實(shí)施例3搭接區(qū)的絕緣層平面示意圖； 圖10為OLED發(fā)光區(qū)的剖面示意圖； 圖11為OLED光源的基板的示意圖； 圖12為OLED光源的現(xiàn)有搭接區(qū)的絕緣層平面示意圖； 圖13為OLED光源第二電極與其引線搭接的示意圖； 圖14為實(shí)施例4搭接區(qū)的絕緣層平面示意圖； 圖15為實(shí)施例4第二電極與其引線搭接的示意圖； 圖16為實(shí)施例5第二電極與其引線搭接的示意圖。 其中，附圖標(biāo)記說明如下 1， 2， 3， la， lb， 2a， 2b， 3a， 3b， 4a， 5a， 6a， 7a， 8a-通孑L ; a， b， c，
d-斜坡；4-基板；5-ITO; 6-鉻；7-第一電極；8-第一電極引線；9-空穴注入層；10-空
穴傳輸層；ll-發(fā)光層；12-電子傳輸層；13-第二電極；14-有機(jī)功能層；101， 201-發(fā) 光區(qū)；102， 203， 303-第二電極引線區(qū)；202， 302-第一電極引線區(qū)；105-邦定區(qū)； 103， 204， 304-第二電極材料覆蓋區(qū)域；104-絕緣層材料覆蓋區(qū)域。
具體實(shí)施方式

實(shí)施例1 實(shí)施例1為一種OLED顯示器件，其制備方法如下 (1)在玻璃基板4上濺射整層IT05。光刻后的ITO的圖形一部分作為發(fā)光區(qū)101 的第一電極7和第一電極引線8，另一部分作為第二電極引線區(qū)102的第二電極引線。
6[OO46] (2)通過光刻的方法制備出絕緣層和隔離柱(未示出)，這是實(shí)現(xiàn)RGB彩色的必經(jīng)工藝，將不同的像素間隔開，實(shí)現(xiàn)像素陣列。絕緣層材料覆蓋區(qū)域?yàn)?04，位于搭接區(qū)的絕緣層材料之間形成矩形通孔la， lb， 2a， 2b， 3a， 3b等。(3)真空蒸鍍法沉積有機(jī)電致發(fā)光材料形成有機(jī)功能層14，包括空穴注入層9、空穴傳輸層10、發(fā)光層11、電子傳輸層12等。 (4)再用真空蒸鍍法沉積第二電極13，覆蓋在發(fā)光區(qū)和第二電極引線區(qū)等區(qū)域，在la， lb， 2a， 2b， 3a， 3b等通孔區(qū)域，第二電極實(shí)現(xiàn)與其引線的搭接。
(5)將貼附了干燥片的帶有凹槽的玻璃片(未示出)與基板壓合在一起，實(shí)現(xiàn)封裝，減少水氧氣成分對器件的破壞。(6)電極引線從OLED的密封部延伸到外部，與驅(qū)動(dòng)芯片或驅(qū)動(dòng)電路連接。
對比例1 對比例1與實(shí)施例1的區(qū)別在于步驟(2):通過光刻的方法制備絕緣層和隔離柱(未示出)。光刻時(shí)與實(shí)施例1使用的掩模板(photo mask)不同，因此，光刻出的搭接區(qū)的絕緣層圖形不同，如圖3所示，每條第二電極引線與第二電極通過絕緣層材料之間的l個(gè)矩形通孔進(jìn)行搭接。
實(shí)施例2 實(shí)施例2與對比例1的區(qū)別在于步驟(1)和(2): (1)在玻璃基板4上濺射整層IT05和鉻6。先刻蝕出鉻的圖形，再刻蝕出ITO的圖形。光刻出的ITO和鉻的圖形一部分作為發(fā)光區(qū)101的第一電極和第一電極引線，另一部分作為第二電極引線區(qū)102的電極引線。 (2)通過光刻的方法制備絕緣層和隔離柱(未示出)。如圖8所示，每條第二電極引線與第二電極通過絕緣層之間的4個(gè)矩形通孔進(jìn)行搭接。
實(shí)施例3 實(shí)施例3與對比例1的區(qū)別在于步驟(1)和(2): (1)在玻璃基板上發(fā)光區(qū)位置濺射IT05。在第二電極引線區(qū)依次濺射鉬、鋁、鉬材料，形成鉬/鋁/鉬的三層結(jié)構(gòu)。先刻蝕出發(fā)光區(qū)101的ITO圖形，作為第一電極和第一電極引線；再刻蝕出第二電極引線區(qū)102鉬/鋁/鉬的圖形作為第二電極引線。[OOSO] (2)通過光刻的方法制備絕緣層和隔離柱(未示出)。如圖9所示，每條第二電極引線與第二電極通過絕緣層之間的2個(gè)圓形通孔進(jìn)行搭接。
實(shí)施例4 實(shí)施例4為一種2.7英寸的OLED光源，其制備方法如下 (1)在玻璃基板4上濺射整層IT05和鉻6，作為第一電極(即發(fā)光區(qū)201區(qū)域內(nèi))、第一電極引線202和第二電極引線203。 (2)通過光刻的方法在第二電極引線上制備出絕緣層，如圖14所示，第二電極引線上的的絕緣層材料之間形成矩形通孔5a， 6a， 7a， 8a等。 (3)真空蒸鍍法在發(fā)光區(qū)201沉積有機(jī)電致發(fā)光材料形成有機(jī)功能層14，包括空穴注入層9、空穴傳輸層10、發(fā)光層11、電子傳輸層12等。 (4)再用真空蒸鍍法沉積第二電極13，覆蓋區(qū)域?yàn)?04，在通孔5a， 6a， 7a， 8a等區(qū)域，第二電極實(shí)現(xiàn)與其引線的搭接。
(5)將貼附了干燥片的帶有凹槽的玻璃片(未示出)與基板壓合在一起，實(shí)現(xiàn)封 裝，減少水氧氣成分對器件的破壞。
對比例2 對比例2與實(shí)施例4的OLED光源的尺寸、發(fā)光層材料等都相同，區(qū)別在于步驟
(2):通過光刻的方法制備絕緣層。光刻時(shí)與實(shí)施例4使用的掩模板(photo mask)不同，
因此，光刻出的搭接區(qū)的絕緣層圖形不同，如圖12所示， 一條第二電極引線與第二電極
通過絕緣層材料之間的1個(gè)矩形通孔4a進(jìn)行搭接。 實(shí)施例4與對比例2的OLED光源性能如下表所示
第二電極厚度熔斷電壓亮度不均勻性
實(shí)施例4200腦10v10%
對比例2200腦7v25% 實(shí)施例5 實(shí)施例5同樣為一個(gè)2.7英寸的光源。工藝方法與實(shí)施例4所述步驟基本相同。 如圖16所示，與實(shí)施例4的區(qū)別在于，基板的一側(cè)作為第一電極引線區(qū)302，另一側(cè)作為 第二電極引線區(qū)303，第二電極引線上光刻后的絕緣層材料之間形成6個(gè)橢圓形通孔，通 過這些通孔，后續(xù)蒸鍍上的第二電極與第二電極引線實(shí)現(xiàn)搭接，304為第二電極材料覆蓋 區(qū)域。
8
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括發(fā)光區(qū)(101)、第二電極引線區(qū)(102)和邦定區(qū)(105)；發(fā)光區(qū)(101)包括第一電極、有機(jī)功能層和第二電極；第二電極引線區(qū)(102)包括第二電極、絕緣層和第二電極引線，第二電極引線通過絕緣層材料之間的通孔與第二電極搭接。其特征在于，至少一條第二電極引線與第二電極搭接的通孔多于1個(gè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，第一電極的材料相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件， 自氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫鋅、金、銅、銀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件， 還包括低電阻金屬層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件， 鉻、鉬、銀、銅、鉬/鋁/鉬、銅銀合金、銀鋅合金、
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件， 低電阻金屬層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件， 鉻、鉬、銀、銅、鉬/鋁/鉬、銅銀合金、銀鋅合金、
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件， 胺、聚四氟乙烯或聚酰亞胺與聚四氟乙烯的混合物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l-8所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述通孔為矩形、 圓形或橢圓形。
10. —種有機(jī)電致發(fā)光光源，包括發(fā)光區(qū)(201)、第一電極引線區(qū)(202)、第二電極引 線區(qū)(203);發(fā)光區(qū)(201)包括第一電極、有機(jī)功能層和第二電極；第二電極引線區(qū)(203)包括第二電極引線、絕緣層和第二電極，第二電極引線通過絕 緣層材料之間的通孔與第二電極搭接；其特征在于，至少一條第二電極引線與第二電極搭接的通孔多于1個(gè)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，所述第二電極引線與第 一電極的材料相同。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，其特征在于，所述第二 電極引線選自氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫鋅、金、銅、銀。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，所述第二電極引線上還 包括低電阻金屬層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，所述低電阻金屬選自 鉻、鉬、銀、銅、鉬/鋁/鉬、銅銀合金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，所述第二電極引線為低 電阻金屬層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，所述低電阻金屬選自2其特征在于，所述第二電極引線與其特征在于，所述第二電極引線選其特征在于，所述第二電極引線上其特征在于，所述低電阻金屬選自 銀鎂合金或銀鉛銅合金。 其特征在于，所述第二電極引線為其特征在于，所述低電阻金屬選自 銀鎂合金或銀鉛銅合金。 其特征在于，所述絕緣層為聚酰亞鉻、鉬、銀、銅、鉬/鋁/鉬、銅銀合金、銀鋅合金、銀鎂合金或銀鉛銅合金。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，所述絕緣層為聚酰亞胺、聚四氟乙烯或聚酰亞胺與聚四氟乙烯的混合物。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10-17所述的有機(jī)電致發(fā)光光源，其特征在于，所述通孔為矩形、圓形或橢圓形。
全文摘要
本發(fā)明為一種有機(jī)電致發(fā)光器件，涉及OLED顯示器件和OLED光源，尤其涉及OLED顯示器件和OLED光源的第二電極與其引線的連接方式。現(xiàn)有的每條第二電極引線與第二電極搭接的通孔為一個(gè)，因?yàn)檎翦兘嵌鹊葐栴}，通孔四周斜坡上的第二電極材料較少，易被燒斷，從而出現(xiàn)暗線。本發(fā)明將通孔改為多個(gè)，形狀可以是矩形、圓形、橢圓形等常見形狀。由于搭接區(qū)域增加，減小了被熔斷的幾率；通孔的導(dǎo)電性增加，電阻不一致性得到改善，整個(gè)屏體發(fā)光更均勻。
文檔編號H01L51/50GK101692458SQ200910182610
公開日2010年4月7日 申請日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者李旺生, 邱勇 申請人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司