專利名稱：半導(dǎo)體器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及采用了應(yīng)變記憶技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制 造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件、尤其MOS器件中，提高場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開關(guān)頻率的一種主要 方法是提高驅(qū)動(dòng)電流，而提高驅(qū)動(dòng)電流的主要途徑是提高載流子遷移率?，F(xiàn)有一種提高 場(chǎng)效應(yīng)晶體管載流子遷移率的技術(shù)是應(yīng)變記憶技術(shù)(Stress Memorization Technique,簡(jiǎn)稱 SMT)，通過(guò)在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)域形成穩(wěn)定應(yīng)力，提高溝道中的載流子遷移率。通 常拉伸應(yīng)力可以使得溝道區(qū)域中的分子排列更加疏松，從而提高電子的遷移率，適用于 NMOS晶體管；而壓縮應(yīng)力使得溝道區(qū)域內(nèi)的分子排布更加緊密，有助于提高空穴的遷 移率，適用于PMOS晶體管。所述應(yīng)變記憶技術(shù)具體包括采用S/D退火工藝，使得應(yīng)力層(Activation Capping Layer,簡(jiǎn)稱ACL)底部的多晶硅柵極再結(jié)晶，使得應(yīng)力層所誘發(fā)的應(yīng)力記憶于MOS器件 中，致使MOS器件的電性能改善6 % 10 %。而針對(duì)PMOS晶體管以及NMOS晶體管 對(duì)不同應(yīng)力的要求，還可以在MOS器件上進(jìn)行選擇性的局部應(yīng)變，達(dá)到提高M(jìn)OS器件 的電性能的目的。見Chien-Hao Chen 等人發(fā)表的論文 “ Stress Memorization Technique (SMT) by Selectively Strained-Nitride Capping for Sub-65nm High-performance Strained-Si Device Application” (出 自 2004 年"Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers")，介紹了一種典型的應(yīng)變記憶作用的半導(dǎo)體器件的制造工藝，剖面示意圖如圖 1至圖6所示。如圖1所示，首先提供半導(dǎo)體基底10，在半導(dǎo)體基底10上形成NMOS晶體管 Ml以及PMOS晶體管M2，且NMOS晶體管Ml與PMOS晶體管M2之間通過(guò)淺溝槽11
相隔離。如圖2所示，在所述NMOS晶體管Ml以及PMOS晶體管M2的表面形成阻擋 層101，所述阻擋層101的材質(zhì)可以為SiO2,可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝或者高溫?zé)嵫趸?沉積工藝形成。如圖3所示，在所述阻擋層101的表面形成應(yīng)力層102，所述應(yīng)力層102的材質(zhì) 可以為SiO2,可以通過(guò)熱驅(qū)動(dòng)化學(xué)氣相沉積工藝(Thermally-Driven CVD，TDCVD)或者 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝(Plasma Enhance CVD，PECVD)形成。通過(guò)改變所述化
學(xué)氣相沉積的參數(shù)，可以調(diào)節(jié)所述應(yīng)力層102對(duì)底部晶體管所誘發(fā)的應(yīng)力類型以及應(yīng)力 大小。假設(shè)，所述應(yīng)力層102提供拉伸應(yīng)力，從而對(duì)NMOS晶體管Ml產(chǎn)生有益效果。如圖4所示，使用掩膜進(jìn)行刻蝕，選擇性地去除所述PMOS晶體管M2表面的應(yīng) 力層102，而保留位于NMOS晶體管Ml表面的部分應(yīng)力層102;然后對(duì)晶體管的柵極以 及源/漏區(qū)域進(jìn)行熱退火。
如圖5所示，去除應(yīng)力層102，對(duì)NMOS晶體管Ml以及PMOS晶體管M2進(jìn)行
后端硅化工藝，形成金屬硅化物層103，用于后續(xù)工藝形成接觸孔并引出互連線，降低接 觸電阻。如圖6所示，在NMOS晶體管Ml以及PMOS晶體管M2的表面形成刻蝕阻擋 層104。所述刻蝕阻擋層104的材質(zhì)也可以為SiN，可以通過(guò)熱驅(qū)動(dòng)化學(xué)氣相沉積或者等 離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積形成。如圖7所示，在所述刻蝕阻擋層104的表面形成金屬前介質(zhì)層104。后續(xù)工藝 中，在金屬前介質(zhì)層105中形成接觸孔106，引出半導(dǎo)體器件的有源區(qū)互連線?，F(xiàn)有技術(shù)中存在如下問(wèn)題由于所述阻擋層101中分子排列相對(duì)比較疏松，因 此在進(jìn)行熱退火過(guò)程中，所述阻擋層101中的氫離子會(huì)促使有源區(qū)中的摻雜離子(例如 PMOS晶體管中的硼離子)向外擴(kuò)散。這樣，不僅使得所述阻擋層101因包含有摻雜離 子而降低自身的絕緣能力，還使得所述阻擋層101中離子的摻雜濃度降低，影響MOS晶 體管的性能。因此迫切需要改進(jìn)現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件制造方法，解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體器件制造方法，能夠減少或防止有源區(qū)中 的摻雜離子向外擴(kuò)散，以確保半導(dǎo)體器件的電性能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括提供半導(dǎo)體 基底，在所述半導(dǎo)體基底上形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管；在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的表面形成阻擋 層；利用紫外線，照射所述阻擋層；在所述阻擋層的表面形成應(yīng)力層；對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng) 晶體管的有源區(qū)進(jìn)行熱退火；去除所述應(yīng)力層；在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成刻蝕阻擋 層；在所述刻蝕阻擋層的表面形成金屬前介質(zhì)層，在所述金屬前介質(zhì)層以及所述刻蝕阻 擋層中制作接觸孔，引出有源區(qū)互連線。可選地，所述阻擋層包含氧化物材料，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝或者高溫?zé)嵫趸?沉積工藝形成?？蛇x地，所述氧化物材料為SiO2?？蛇x地，所述阻擋層的厚度范圍為50A~200 A。可選地，所述利用紫外線照射所述阻擋層的工藝參數(shù)為采用波長(zhǎng)范圍為 320nm 400nm的紫外線，照射溫度為350°C 480°C，照射時(shí)間為2min 7min?？蛇x地，所述應(yīng)力層包含氮化物材料，通過(guò)熱驅(qū)動(dòng)化學(xué)氣相沉積工藝或者等離 子增強(qiáng)氣相沉積工藝形成?？蛇x地，所述氮化物材料為SiN。可選地，在對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源區(qū)進(jìn)行熱退火前還包括根據(jù)應(yīng)力類型選 擇性地去除場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面的應(yīng)力層的步驟?？蛇x地，在所述形成刻蝕阻擋層前還包括進(jìn)行后端硅化工藝以在所述場(chǎng)效應(yīng)晶 體管的有源區(qū)表面形成金屬硅化物層的步驟。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)使用紫外線照射所述阻擋層來(lái)增強(qiáng)其致密性，從 而能夠減少或防止有源區(qū)中的摻雜離子向外擴(kuò)散，確保所述阻擋層能夠具有較佳的絕緣 性能。


圖1至圖7是現(xiàn)有的應(yīng)變記憶作用的半導(dǎo)體器件制造工藝示意圖；圖8是本發(fā)明所述半導(dǎo)體器件制造方法流程圖；圖9至圖19是本發(fā)明所述應(yīng)變記憶作用的半導(dǎo)體器件制造工藝一個(gè)具體實(shí)施例 示意圖。
具體實(shí)施例方式從背景技術(shù)可知，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在半導(dǎo)體器件制造工藝中，晶體管表面 形成的包含有氧化物材料的阻擋層，在進(jìn)行熱退火過(guò)程中，容易使得有源區(qū)中的摻雜離 子向外擴(kuò)散至阻擋層中并進(jìn)而降低所述阻擋層的絕緣性能，影響半導(dǎo)體器件的電性能。本發(fā)明的發(fā)明人創(chuàng)造性地發(fā)現(xiàn)，通過(guò)對(duì)包含有氧化物材料的介質(zhì)層進(jìn)行紫外線 照射后其分子排列會(huì)更致密，提高了其密度。因此在半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中，設(shè)想到可以對(duì)半導(dǎo)體器件的阻擋層進(jìn)行紫外線 照射，使得所述阻擋層的組織結(jié)構(gòu)更致密，進(jìn)而能夠減少或防止有源區(qū)中的摻雜離子向 外擴(kuò)散，確保所述阻擋層能夠具有較佳的絕緣性能，使其符合預(yù)期。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明?；谏鲜隹紤]，在具體實(shí)施方式
的以下內(nèi)容中，提供一種半導(dǎo)體器件制造方 法，如圖8所示，包括步驟S101，提供半導(dǎo)體基底，在半導(dǎo)體基底上形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管；S102，在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的表面形成阻擋層；S103，利用紫外線，照射所述阻擋層；S104，在所述阻擋層的表面形成應(yīng)力層；S105，根據(jù)應(yīng)力類型選擇性地去除場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面的應(yīng)力層；S106,對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源區(qū)進(jìn)行熱退火；S107,去除剩余的應(yīng)力層；S108,進(jìn)行后端硅化工藝以在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源區(qū)表面形成金屬硅化物 層；S109,在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成刻蝕阻擋層；S110，在所述刻蝕阻擋層的表面形成金屬前介質(zhì)層，在所述金屬前介質(zhì)層以及 所述刻蝕阻擋層中制作接觸孔，引出有源區(qū)互連線。下面結(jié)合附圖對(duì)上述步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖9至圖19為本發(fā)明所述半導(dǎo)體器件 制造方法一個(gè)具體實(shí)施例的工藝示意圖。首先執(zhí)行步驟S101，提供半導(dǎo)體基底20，在半導(dǎo)體基底上形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 形成如圖9所示的結(jié)構(gòu)。所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括NMOS晶體管Ml和PMOS晶體管M2， 所述NMOS晶體管Ml與PMOS晶體管M2之間通過(guò)淺溝槽21相隔離，其中所述NMOS 晶體管Ml的柵極和PMOS晶體管M2的柵極之間的間距不小于1000 A。對(duì)于NMOS晶體 管，在其源/漏區(qū)中摻入的離子可以為磷離子或砷離子。當(dāng)注入離子是砷離子時(shí)，離子 注入能量為2KeV至5KeV，離子注入劑量為5X IO1Vcm2至2X 1015/cm2 ；當(dāng)注入離子是
5磷離子時(shí)，離子注入能量為IKeV至3KeV，離子注入劑量為5X IO1Vcm2至2X 1015/cm2。 而對(duì)于PMOS晶體管，在其源/漏區(qū)中摻入的離子可以為二氟化硼離子、硼離子或銦離 子。當(dāng)注入離子是硼離子時(shí)，離子注入能量為0.5KeV至2KeV，離子注入劑量為5X IO14/ cm2至2X1015/cm2;當(dāng)注入離子是二氟化硼離子時(shí)，離子注入能量為IKeV至4KeV，離 子注入劑量為5X IO1Vcm2至2X 1015/cm2。具體形成工藝與現(xiàn)有技術(shù)相同，可以采用常規(guī)的CMOS工藝制作圖9所示的器 件結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，僅以形成一個(gè)NMOS晶體管Ml以及一個(gè)PMOS晶體管M2為 例，并非對(duì)本發(fā)明所述制造方法中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)做出限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)可 以將本發(fā)明所述制造方法推及并應(yīng)用至其他結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件制造工藝中，特此說(shuō)明。接著執(zhí)行步驟S102，在所述NMOS晶體管Ml以及PMOS晶體管M2的表面形 成阻擋層201，形成如圖10所示的結(jié)構(gòu)。所述阻擋層201的材質(zhì)可以為SiO2,并可以通 過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝或者高溫?zé)嵫趸üに囆纬?。在本?shí)施例中，所述阻擋層201采用化學(xué)氣相沉積工藝形成，材質(zhì)為SiO2,厚度 不大于200 A,優(yōu)選范圍為50 A-200 A。接著執(zhí)行步驟S103，利用紫外線，照射所述阻擋層201，如圖11所示。具體 來(lái)講，在本實(shí)施例中，采用波長(zhǎng)范圍為紫外波段(IOOnm 400nm)的光束照射阻擋層 201，優(yōu)選的，采用波長(zhǎng)范圍為320nm 400nm的長(zhǎng)波紫外線，照射時(shí)溫度升至350°C 480照射時(shí)間為2min 7min。通過(guò)所述紫外線對(duì)所述阻擋層201進(jìn)行照射，可以使 得所述阻擋層201的分子排列更加致密，從而能夠減少或防止所述阻擋層201覆蓋下的有 源區(qū)(包括柵極和源/漏區(qū))中的摻雜離子(例如NMOS晶體管中的磷離子或砷離子， PMOS晶體管中的硼離子或銦離子)向外擴(kuò)散，避免所述有源區(qū)中摻雜離子的濃度發(fā)生下 降，并確保了所述阻擋層能夠具有較佳的絕緣性能。值得注意的是，在實(shí)際應(yīng)用中，為保護(hù)NMOS晶體管Ml以及PMOS晶體管 M2,尤其保護(hù)其中的柵極不受紫外線照射損傷，所述紫外線照射的溫度及時(shí)間可以根據(jù) 所述阻擋層201的構(gòu)成及其厚度等因素而適時(shí)調(diào)整。接著執(zhí)行步驟S104，在所述阻擋層201的表面形成應(yīng)力層202，形成如圖12所 示的結(jié)構(gòu)。所述應(yīng)力層202可以通過(guò)熱驅(qū)動(dòng)化學(xué)氣相沉積工藝或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相 沉積工藝形成。通過(guò)改變所述化學(xué)氣相沉積的參數(shù)，可以調(diào)節(jié)應(yīng)力層202對(duì)底部晶體管 所誘發(fā)的應(yīng)力類型以及應(yīng)力大小。本實(shí)施例中，所述應(yīng)力層202的材質(zhì)為SiN，采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝 形成，厚度不小于400 A，優(yōu)選范圍為400 Λ 1000 Α，所述應(yīng)力層202所誘發(fā)的應(yīng)力類型 為拉伸應(yīng)力，因此能夠提高NMOS晶體管Ml中溝道區(qū)的載流子遷移率。接著執(zhí)行步驟S105，根據(jù)應(yīng)力類型選擇性地去除場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面的應(yīng)力層， 形成如圖13所示的結(jié)構(gòu)。如上所述，在本實(shí)施例中，由于應(yīng)力層202誘發(fā)應(yīng)力類型為拉 伸應(yīng)力，僅對(duì)NMOS晶體管Ml起到提高載流子遷移率的有益作用，因此所述選擇性刻 蝕具體為去除PMOS晶體管Μ2表面的應(yīng)力層202，而保留位于NMOS晶體管Ml表 面的部分應(yīng)力層202 ；所述退火的參數(shù)為溫度升至950°C 1100°C、退火時(shí)間1.5s 2.5s。接著執(zhí)行步驟S106，對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源區(qū)進(jìn)行熱退火。具體來(lái)講，在本實(shí)施例中，對(duì)NMOS晶體管Ml以及PMOS晶體管M2的有源區(qū)，即柵極以及源/漏 區(qū)進(jìn)行熱退火。所述熱退火將使得應(yīng)力層202所誘發(fā)的應(yīng)力被記憶至相應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體 管中，以提高溝道區(qū)的載流子遷移率。接著執(zhí)行步驟S107，去除剩余的應(yīng)力層202，形成如圖14所示的結(jié)構(gòu)。在本實(shí) 施例中，如圖13，所述應(yīng)力層202僅剩NMOS晶體管Ml表面的部分，材質(zhì)為SiN，而 在NMOS晶體管Ml和PMOS晶體管M2的表面還存在有阻擋層201，且所述阻擋層201 的材質(zhì)為SiO2,因此可以采用熱磷酸進(jìn)行選擇性濕法刻蝕，去除所述應(yīng)力層202，而利用 所述阻擋層201保護(hù)其下的場(chǎng)效應(yīng)晶體管不被腐蝕。接著執(zhí)行步驟S108，去除阻擋層201，并進(jìn)行后端硅化工藝，在NMOS晶體管 Ml以及PMOS晶體管M2的有源區(qū)，如柵極以及源/漏區(qū)的表面形成金屬硅化物層203， 形成如圖15所示的結(jié)構(gòu)。所述金屬硅化物層203的材質(zhì)可以是硅化鎢WSix,可以采用 等離子摻雜形成。值得注意的是，在其他實(shí)施例中，所述阻擋層201也可以保留部分，起到將各 有源區(qū)表面隔離絕緣的作用。接著執(zhí)行步驟S109，在已進(jìn)行后端硅化工藝的NMOS晶體管以及PMOS晶體管 的表面形成刻蝕阻擋層204，形成如圖16所示的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述刻蝕阻擋層 204也起到誘發(fā)應(yīng)力的作用，且應(yīng)力類型與應(yīng)力層202相同，可以通過(guò)熱驅(qū)動(dòng)化學(xué)氣相沉 積工藝或者等離子增強(qiáng)氣相沉積工藝形成，并通過(guò)調(diào)節(jié)沉積的工藝參數(shù)調(diào)整刻蝕阻擋層 204的誘發(fā)應(yīng)力類型以及應(yīng)力大小。本實(shí)施例中，所述刻蝕阻擋層204的材質(zhì)為SiN，通過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 形成，厚度不小于300 A,優(yōu)選范圍為300人 800 A,使得NMOS晶體管Ml與PMOS晶 體管M2的柵極之間保留150 A 300 A的間距，誘發(fā)應(yīng)力類型為拉伸應(yīng)力。執(zhí)行步驟S110，在所述刻蝕阻擋層204的表面形成金屬前介質(zhì)層205，形成如圖 17所示的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，所述金屬前介質(zhì)層205的材質(zhì)可以是SiO2,可以通過(guò)熱驅(qū)動(dòng)化 學(xué)氣相沉積工藝或者等離子增強(qiáng)氣相沉積工藝形成，由于NMOS晶體管Ml與PMOS 晶體管M2的柵極之間已保留足夠間距，因此進(jìn)一步降低了在NMOS晶體管Ml與 PMOS晶體管M2的柵極之間形成空隙的可能性，所述金屬前介質(zhì)層205的厚度范圍為 2000 A 3 000 A。接著繼續(xù)執(zhí)行步驟S110，刻蝕所述金屬前介質(zhì)層205直至露出刻蝕阻擋層204， 形成接觸孔206，所述接觸孔206對(duì)準(zhǔn)各有源區(qū)表面的金屬硅化物層203，形成如圖18所 示的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，刻蝕接觸孔206底部的刻蝕阻擋層204直至露出金屬硅化物層203， 然后向接觸孔206中填充互連金屬，形成互連線。，形成如圖19所示的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述刻蝕阻擋層204為SiN，而所述金屬前介質(zhì)層205為SiO2, 故采用熱磷酸刻蝕接觸孔206底部的刻蝕阻擋層204，所述互連線材質(zhì)可以是Cu或者 Al，可以用化學(xué)氣相沉積或者電鍍形成。在上述實(shí)施例中，僅以在應(yīng)變記憶作用的半導(dǎo)體器件表面形成拉伸應(yīng)力，提高 NMOS晶體管Ml中載流子遷移率為例進(jìn)行說(shuō)明的，但并不以此為限，在其他實(shí)施例中，
7如果需要形成壓縮應(yīng)力以提高PMOS晶體管M2中載流子遷移率，其工藝制程僅需要改變 應(yīng)力層202以及刻蝕阻擋層204的應(yīng)力類型即可，具體的制造流程類似，本發(fā)明領(lǐng)域技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)容易推得，此處不再贅述。進(jìn)一步地，將上述不同應(yīng)力類型的工藝制程相結(jié)合，對(duì)半導(dǎo)體器件上不同類型 的場(chǎng)效應(yīng)晶體管進(jìn)行局部的應(yīng)變記憶制程，然后再進(jìn)行后端硅化工藝，制作互連線，便 可以提升半導(dǎo)體器件的整體電性能。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng) 域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā) 明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管；在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的表面形成阻擋層；利用紫外線，照射所述阻擋層；在所述阻擋層的表面形成應(yīng)力層；對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源區(qū)進(jìn)行熱退火；去除所述應(yīng)力層；在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層的表面形成金屬前介質(zhì)層，在所述金屬前介質(zhì)層以及所述刻蝕阻 擋層中制作接觸孔，引出有源區(qū)互連線。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述阻擋層包含氧化物材 料，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝或者高溫?zé)嵫趸练e工藝形成。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述氧化物材料為Si02。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度范 圍為50人~200 A。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述利用紫外線照射所述 阻擋層的工藝參數(shù)為采用波長(zhǎng)范圍為320nm 400nm的紫外線，照射溫度為350°C 480 "C，照射時(shí)間為2min 7min。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述應(yīng)力層包含氮化物材 料，通過(guò)熱驅(qū)動(dòng)化學(xué)氣相沉積工藝或者等離子增強(qiáng)氣相沉積工藝形成。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述氮化物材料為SiN。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，在對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的 有源區(qū)進(jìn)行熱退火前還包括根據(jù)應(yīng)力類型選擇性地去除場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面的應(yīng)力層的步 驟。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，在所述形成刻蝕阻擋層 前還包括進(jìn)行后端硅化工藝以在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源區(qū)表面形成金屬硅化物層的步驟。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括提供半導(dǎo)體基底，在所述半導(dǎo)體基底上形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管；在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的表面形成阻擋層；利用紫外線，照射所述阻擋層；在所述阻擋層的表面形成應(yīng)力層；對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源區(qū)進(jìn)行熱退火；去除所述應(yīng)力層；在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層的表面形成金屬前介質(zhì)層，在所述金屬前介質(zhì)層以及所述刻蝕阻擋層中制作接觸孔，引出有源區(qū)互連線。本發(fā)明使用紫外線照射所述阻擋層，使得所述阻擋層的組織結(jié)構(gòu)致密性，能夠減少或防止有源區(qū)中的摻雜離子向外擴(kuò)散，確保所述阻擋層能夠具有較佳的絕緣性能。
文檔編號(hào)H01L21/8238GK102024760SQ200910195978
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者周鳴, 王禎貞 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司