專利名稱：Cmos圖像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別是CMOS圖像傳感器。
背景技術(shù)：
電荷耦合器件(CXD)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件是兩種常見(jiàn)的基于半 導(dǎo)體的圖像成像器。CCD經(jīng)常用于圖像采集，特別是用于小尺寸成像應(yīng)用，其也能夠處理小 像素尺寸的大型格式以及采用低噪聲電荷域處理技術(shù)。然而，CCD圖像成像器也存在多種 缺點(diǎn)。例如，CCD圖像成像器易受輻射損壞的影響；隨著時(shí)間表現(xiàn)出破壞性讀出；需要良好 的光遮蔽以避免圖像拖尾(smear)，并且它們具有高功率耗散。此外，CCD陣列盡管提供高 性能，但是由于部分采取了不同的處理技術(shù)以及具有高電容，從而難以與CMOS處理集成， 這使片上驅(qū)動(dòng)和信號(hào)處理電子器件與CXD陣列的集成復(fù)雜化。盡管已經(jīng)存在一些將片上信 號(hào)處理與CXD陣列集成的嘗試，但是這些嘗試尚未完全地成功。由于CXD通過(guò)從像素到像 素的線電荷轉(zhuǎn)移來(lái)轉(zhuǎn)移圖像，因此在存取和處理單個(gè)像素或者多組像素之前，需要將整個(gè) 陣列讀取到存儲(chǔ)器中，存在時(shí)間延遲，而且在電荷轉(zhuǎn)移期間，從像素到像素的不完整電荷轉(zhuǎn) 移也會(huì)造成圖像拖尾。基于CXD技術(shù)中的固有限制，CMOS圖像傳感器已經(jīng)獲得廣泛接受以及作為低成本 的成像器件得以應(yīng)用。全兼容的CMOS傳感器技術(shù)使得圖像陣列與關(guān)聯(lián)的處理電路能夠高 度集成，有益于許多數(shù)字應(yīng)用，例如相機(jī)、掃描儀、機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)、交通工具導(dǎo)航系統(tǒng)、視頻 電話、計(jì)算機(jī)輸入設(shè)備、監(jiān)視系統(tǒng)、自動(dòng)聚焦系統(tǒng)、星象跟蹤儀、運(yùn)動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)、圖像穩(wěn)定系 統(tǒng)和用于高分辨率電視的數(shù)據(jù)壓縮系統(tǒng)。CMOS圖像傳感器較CXD成像器而言，其優(yōu)點(diǎn)在于CM0S傳感器具有低電壓工作和 低功率消耗；CMOS圖像傳感器兼容于集成的片上電子器件，例如控制邏輯和定時(shí)、圖像處 理以及信號(hào)調(diào)節(jié)如A/D轉(zhuǎn)換等；CMOS圖像傳感器允許對(duì)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行隨機(jī)存??；由于可以 使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理技術(shù)，CMOS圖像傳感器與傳統(tǒng)的CXD相比具有更低的制作成本。此外， 由于在讀出期間一次僅需要一行像素為有源并且在圖像采集期間沒(méi)有從像素到像素的電 荷轉(zhuǎn)移以及關(guān)聯(lián)的切換。CMOS圖像傳感器實(shí)現(xiàn)了低功率消耗。電子器件的片上集成使得在 數(shù)字領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)許多信號(hào)調(diào)節(jié)功能以及實(shí)現(xiàn)減少系統(tǒng)尺寸和成本成為可能。CMOS圖像傳感器電路包括像素單元的焦平面陣列、讀出電路和成像器。其中，每個(gè) 像素單元包括在襯底上方且用于積累襯底的下部的光生電荷的光電管(Photogate)、光電 導(dǎo)體或者光電二極管；讀出電路用于連接到各像素單元，至少包括形成于襯底中的輸出場(chǎng) 效應(yīng)晶體管和形成于襯底上且與光電管、光電導(dǎo)體或者光電二極管相鄰的電荷轉(zhuǎn)移部分， 該電荷轉(zhuǎn)移部分具有連接到輸出晶體管的柵極的感測(cè)節(jié)點(diǎn)，所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)通常是浮動(dòng)擴(kuò)散 (FD)節(jié)點(diǎn)；成像器可以包括用于將電荷從襯底的下部轉(zhuǎn)移到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)的至少一個(gè)電 子器件，例如晶體管，和用于在電荷轉(zhuǎn)移之前將節(jié)點(diǎn)重置為預(yù)定電勢(shì)電平的一個(gè)器件，通常 也是晶體管。在CMOS圖像傳感器中，像素單元的有源元件能夠?qū)崿F(xiàn)以下一些必要功能(1)光子到電 荷的轉(zhuǎn)換；(2)積累圖像電荷；(3)在將電荷轉(zhuǎn)移到浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)之前將浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié) 點(diǎn)重置為已知狀態(tài)；(4)選擇用于讀出的像素；以及(5)輸出和放大表示像素電荷的信號(hào)。 在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)處的電荷，通常由源極跟隨器輸出晶體管轉(zhuǎn)換成像素輸出電壓。CMOS圖像 傳感器像素的光敏元件通常是耗盡型p-n結(jié)光電二極管或者在光電管之下的場(chǎng)致耗盡區(qū) (field induced depletion region)。對(duì)于光電二極管，可以通過(guò)在讀出時(shí)完全地耗盡光 電二極管來(lái)消除圖像滯后。在通過(guò)引用而結(jié)合于此的美國(guó)專利第6，654，057號(hào)中提供了對(duì) CMOS圖像傳感器的更詳細(xì)的描述。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例顯著地減少暗噪聲并且提高CMOS圖像傳感器的總信噪比。該實(shí) 施簡(jiǎn)單并且需要對(duì)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝最少的修改而且沒(méi)有造成單元尺寸的增加。在一個(gè)實(shí)施例中，一種CMOS圖像傳感器件包括光電二極管，用于將所接收的光 信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)；轉(zhuǎn)移電荷單元，用于與所述光電二極管耦接；浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)，用于通過(guò)所 述轉(zhuǎn)移電荷單元與所述光電二極管相連接；重置晶體管和源極跟隨器晶體管，分別連接至 所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)?？蛇x的，所述CMOS圖像傳感器件還包括行選擇晶體管，耦合于所述源極跟隨器 晶體管，用于選通對(duì)應(yīng)像素進(jìn)行輸出?？蛇x的，所述CMOS圖像傳感器至少包括四個(gè)晶體管，所述轉(zhuǎn)移電荷單元為轉(zhuǎn)移晶體管。可選的，所述轉(zhuǎn)移晶體管耦合所述源極跟隨器晶體管的柵極和所述光電二極管?？蛇x的，所述CMOS圖像傳感器至少包括三個(gè)晶體管，其中所述轉(zhuǎn)移電荷單元是電容器?？蛇x的，所述轉(zhuǎn)移電荷單元包括在所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)上方的電介質(zhì)層和在所述電介 質(zhì)層上方的傳導(dǎo)層。可選的，所述轉(zhuǎn)移電荷單元還包括耦合到所述傳導(dǎo)層的金屬，所述金屬耦合所述 光電二極管和所述源極跟隨器晶體管的柵極。可選的，所述傳導(dǎo)層是多晶硅?？蛇x的，所述電介質(zhì)層是氧化物、氮化硅或有機(jī)材料。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明避免了光電二極管與浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的直接接觸，減少了對(duì) 硅襯底的損傷，減少了暗電流。


通過(guò)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說(shuō)明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按 實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖IA圖示了現(xiàn)有技術(shù)基于三個(gè)晶體管的設(shè)計(jì)的CMOS圖像傳感器示意圖；圖IB圖示了與圖IA的傳感器相對(duì)應(yīng)的等效電路示意圖；圖IC圖示了圖IA的傳感器的橫截面示意圖；圖2圖示了本發(fā)明一種實(shí)施方式中基于四個(gè)晶體管的設(shè)計(jì)的CMOS圖像傳感器示意圖；圖3圖 示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的CMOS圖像傳感器的橫截面示意圖；圖4圖示了與根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的傳感器相對(duì)應(yīng)的等效電路示意圖。
具體實(shí)施例方式在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。本發(fā)明涉及結(jié)泄漏減少并且信噪比提高的CMOS圖像傳感器。圖IA圖示了現(xiàn)有技術(shù)中基于三個(gè)晶體管設(shè)計(jì)的CMOS圖像傳感器。傳感器100包 括光電二極管102、重置晶體管104、連接光電二極管102和重置晶體管104的浮動(dòng)擴(kuò)散 區(qū)103、源極跟隨器晶體管106和行選擇晶體管108 ；其中，傳導(dǎo)層115分別與光電二極管 102和源極跟隨器晶體管106通過(guò)位于傳導(dǎo)層115下方的接觸部114實(shí)現(xiàn)耦接；光電二極 管102、重置晶體管104和源極跟隨器晶體管106通過(guò)傳導(dǎo)層115耦接；行選擇晶體管108 用于選通對(duì)應(yīng)像素進(jìn)行輸出。圖IB圖示了與圖IA所示傳感器100相對(duì)應(yīng)的等效電路。電路至少包括光電二 極管152、重置晶體管154、源極跟隨器晶體管156和行選擇晶體管158。節(jié)點(diǎn)160耦合光電 二極管152、重置晶體管154和源極跟隨器晶體管156，光電二極管152的輸出端連接至重 置晶體管154的漏極及源極跟隨器晶體管156的柵極，光電二極管152、重置晶體管154和 源極跟隨器晶體管156的耦合點(diǎn)為節(jié)點(diǎn)160 ；重置晶體管154的源極和源極跟隨器晶體管 156的源極相連接并接收電源電壓；源極跟隨器晶體管156的漏極與行選擇晶體管158的 源極相連接。通常，浮動(dòng)擴(kuò)散(FD)區(qū)域中的接觸由于與接觸信息關(guān)聯(lián)的損壞而成為主要暗電 流源。為了提供接觸，通常在作為接觸的區(qū)域通過(guò)重度注入η-型摻雜物來(lái)形成η+浮動(dòng)擴(kuò) 散區(qū)，但是，通過(guò)重度離子注入工藝以形成η+摻雜的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)，有可能會(huì)形成明顯的晶 體缺陷，對(duì)襯底的硅晶體造成嚴(yán)重地破壞。例如，參考圖1C，在ρ型襯底141上提供η-區(qū) 142、位于η-區(qū)142上的ρ+區(qū)143以及η+區(qū)144，其中，由于η+區(qū)144與金屬接觸孔140 直接接觸，導(dǎo)致存在晶體缺陷150。此外，為了得到更好的接觸，也可通過(guò)采用等離子體蝕刻工藝進(jìn)行過(guò)度蝕刻，用以 制作作為接觸的通路開(kāi)口，然而，該工藝會(huì)對(duì)硅晶體造成損壞。上述這兩種工藝，都會(huì)使硅 晶體受到明顯的晶體缺陷，增加了結(jié)泄漏。如果結(jié)泄漏量大，則即使在黑暗中，電荷也將損 失，嚴(yán)重地影響了信噪比(SNR)。因此，在現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器中，在形成作為接觸區(qū)域的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域的 過(guò)程中會(huì)對(duì)襯底的硅晶體產(chǎn)生損傷，使得所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域成為主要的暗電流來(lái)源。參考圖2所示，本發(fā)明的一種實(shí)施方式提供了基于四個(gè)晶體管的設(shè)計(jì)的CMOS圖 像傳感器200。傳感器200包括光電二極管202，用于將所接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào) ’轉(zhuǎn)移晶體管204、重置晶體管206、源極跟隨器晶體管208、行選擇晶體管210、η+浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)203、傳導(dǎo)層205和接觸部207 ；其中，光電二極管202和η+浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)203通過(guò)轉(zhuǎn)移晶體 管204相連接；η+浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)203用于連接轉(zhuǎn)移晶體管204和重置晶體管206，并通過(guò)傳導(dǎo) 層205耦接源極跟隨器晶體管208，傳導(dǎo)層205分別與η+浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)203和源極跟隨器晶 體管208通過(guò)位于傳導(dǎo)層205下方的接觸部207實(shí)現(xiàn)耦接。與傳感器100不同，傳感器200通過(guò)對(duì)轉(zhuǎn)移晶體管204的使用，實(shí)現(xiàn)了光電二極管 與浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的分離，避免了光電二極管202與傳導(dǎo)層中接觸部的耦接，從而能減少暗噪 聲，具有更好的性能。也就是說(shuō)，具有四個(gè)晶體管的設(shè)計(jì)的傳感器200通過(guò)避免在光電二極 管202上直接形成用于與轉(zhuǎn)移晶體管、重置晶體管、源極跟隨器晶體管以及行選擇晶體管 等晶體管中的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行連接的接觸區(qū)域，從而避免了在形成所述接觸區(qū)域的郭形成 中在所述光電二極管上所造成的結(jié)泄漏等損傷。圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的CMOS圖像傳感器300的橫截剖面示意圖。傳 感器300具有轉(zhuǎn)移電荷單元302，轉(zhuǎn)移電荷單元302避免了有源像素結(jié)構(gòu)與浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域形 成直接的歐姆接觸。其中，轉(zhuǎn)移電荷單元302在本實(shí)施例中是電容器。具體來(lái)說(shuō)，傳感器300至少包括p型襯底301、位于襯底301上的η型摻雜區(qū)305， 以及位于η型摻雜區(qū)305上的轉(zhuǎn)移電荷單元302 ；其中，轉(zhuǎn)移電荷單元302至少包括η型摻 雜區(qū)304，在η型摻雜區(qū)304上方的電介質(zhì)層311 (例如氧化物)和在電介質(zhì)層311上方的 傳導(dǎo)層308，η型摻雜區(qū)304用于連接電介質(zhì)層311和傳導(dǎo)層308。具體來(lái)說(shuō)，η型摻雜區(qū) 305由于注入較深，無(wú)法和電介質(zhì)層311以及傳導(dǎo)層308形成較好的連接，因此通過(guò)在η型 摻雜區(qū)305上，形成相較于η型摻雜區(qū)305摻雜濃度較高的η型摻雜區(qū)304，以實(shí)現(xiàn)連接。 在本實(shí)施例中，傳導(dǎo)層308可為多晶硅。金屬接觸310連接到多晶硅層308的頂部。上述 這些結(jié)構(gòu)構(gòu)成了轉(zhuǎn)移電荷單元302。金屬310被耦合或者連接到傳導(dǎo)層308并且沒(méi)有直接地接觸襯底或者摻雜FD區(qū)。 由于傳感器300使用非直接接觸的轉(zhuǎn)移電荷單元302，所以傳感器300不像在傳感器100中 那樣需要用于歐姆接觸的η+區(qū)。根據(jù)設(shè)計(jì)需要，傳感器300可包括三個(gè)晶體管或者四個(gè)晶體管。與直接接觸相關(guān)的三個(gè)主要結(jié)泄漏源包括1)η+摻雜、2)接觸蝕刻、3)金屬沉積 和退火。具體來(lái)說(shuō)，用于形成η+摻雜區(qū)的重度注入可能造成非激活的摻雜物和由于對(duì)晶格 的損壞而產(chǎn)生的中間能階(midgap)缺陷；過(guò)度蝕刻也會(huì)對(duì)硅表面和硅表面以下的區(qū)域造 成損傷；而直接在硅襯底上的金屬沉積和對(duì)金屬進(jìn)行退火可能損壞硅。通過(guò)非直接接觸的 轉(zhuǎn)移電荷單元302能夠避免上述問(wèn)題的產(chǎn)生。繼續(xù)參考圖3，在如圖所示的本發(fā)明具體實(shí)施例中，η區(qū)304(或者輕度摻雜區(qū))可 具有IO15-IO18個(gè)離子/立方厘米的摻雜濃度，其中，η區(qū)304的摻雜濃度高于ρ型襯底301 中的摻雜濃度，但是仍少于摻雜濃度通常多于102°個(gè)離子/立方厘米的常規(guī)η型重?fù)诫s。 轉(zhuǎn)移電荷單元302設(shè)置于η區(qū)304上。此外，轉(zhuǎn)移電荷單元302中的電介質(zhì)層311的厚度 還可以根據(jù)應(yīng)用進(jìn)行調(diào)整。例如，電介質(zhì)層311可以具有與三個(gè)晶體管的柵極氧化物或者 其它晶體管的其它柵極氧化物相同的厚度。圖4圖示了與根據(jù)如圖3所示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的傳感器300相對(duì)應(yīng)的等效電 路，其中，轉(zhuǎn)移電荷單元302即為電容404。電路400包括光電二極管402、電容404、重置晶體管406、源極跟隨器晶體管408和選擇晶體管410。其中，光電二極管402的輸出端連 接至重置晶體管406的漏極及電容404的一端，電容404的另一端連接源極跟隨器晶體管 408的柵極；重置晶體管406的源極和源極跟隨器晶體管408的源極相連接并接收電源電 壓；源極跟隨器晶體管408的漏極與選擇晶體管410的源極相連接。 一并參考圖3和圖4，在一種實(shí)施方式中，傳感器300的多晶硅層308可以延伸以 與源極跟隨器晶體管408連接。在其它實(shí)施方式中，還可在多晶硅層308上制造接觸部件， 例如金屬線等，用于將電容404相連接到源極跟隨器晶體管408。在上述實(shí)施方式中，由于避免了形成通向光電二極管硅表面通路(或者接觸開(kāi) 口)的等離子體蝕刻步驟，并通過(guò)例如熱生長(zhǎng)氧化物以形成電介質(zhì)層等方式避免對(duì)晶體表 面損傷的破壞，從而避免了由于光電二極管硅表面損傷將帶來(lái)的暗電流。此外，由于形成輕 度摻雜η區(qū)304，而不是η+重?fù)诫s區(qū)，也進(jìn)一步地減少了對(duì)硅襯底的損壞。在具體工作過(guò)程中，如圖4中所示，首先，脈沖被發(fā)送到重置晶體管406并且使光 電二極管402被反向偏置。光電二極管402在ηρ結(jié)中存儲(chǔ)電荷，所述電荷包括η區(qū)所致電 荷，并將通過(guò)電容404進(jìn)行傳遞，最終在源極跟隨器晶體管408累積，以形成源極跟隨器晶 體管408兩端的電壓。通過(guò)感測(cè)電路(未示出)對(duì)所述電壓進(jìn)行放大和檢測(cè)，從而獲得檢 測(cè)結(jié)果。雖然本發(fā)明已通過(guò)較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，但這些較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā) 明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各 種改正和補(bǔ)充，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器，包括光電二極管，用于將所接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)；轉(zhuǎn)移電荷單元，用于與所述光電二極管耦接；浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)，用于通過(guò)所述轉(zhuǎn)移電荷單元與所述光電二極管相連接；重置晶體管和源極跟隨器晶體管，分別連接至所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，還包括行選擇晶體管，耦合于所述源極 跟隨器晶體管，用于選通對(duì)應(yīng)像素進(jìn)行輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器，所述CMOS圖像傳感器至少包括四個(gè)晶體 管，所述轉(zhuǎn)移電荷單元為轉(zhuǎn)移晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器，所述轉(zhuǎn)移晶體管耦合所述源極跟隨器晶體 管的柵極和所述光電二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器，CMOS圖像傳感器至少包括三個(gè)晶體管，其 中所述轉(zhuǎn)移電荷單元是電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，所述轉(zhuǎn)移電荷單元包括在所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū) 上方的電介質(zhì)層和在所述電介質(zhì)層上方的傳導(dǎo)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器，所述轉(zhuǎn)移電荷單元還包括耦合到所述傳導(dǎo) 層的金屬，所述金屬耦合所述光電二極管和所述源極跟隨器晶體管的柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的CMOS圖像傳感器，所述傳導(dǎo)層是多晶硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器，所述電介質(zhì)層是氧化物、氮化硅或有機(jī)材料。
全文摘要
一種CMOS圖像感測(cè)器件包括光電二極管，用于將所接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，至少包括具有不同摻雜類型的兩個(gè)摻雜區(qū)；轉(zhuǎn)移電荷單元，用于與所述光電二極管耦接；浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)，用于通過(guò)所述轉(zhuǎn)移電荷單元與所述光電二極管相連接；重置晶體管和源極跟隨器晶體管，分別連接至所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。本發(fā)明避免了光電二極管與浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的直接接觸，減少了對(duì)硅襯底的損傷，減少了暗電流。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102044548SQ200910197450
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月20日
發(fā)明者冷江華, 吳立維, 徐錦心, 朱虹, 楊建平, 辛春艷 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司