專(zhuān)利名稱(chēng)：非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，閃存(flash memory)作為一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器得到了廣 泛的應(yīng)用。閃存在傳統(tǒng)的MOS晶體管結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上增加了一個(gè)浮柵和一層隧穿氧化層，并利 用浮柵來(lái)存儲(chǔ)電荷，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)內(nèi)容的非揮發(fā)性。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，特別是音視頻處理 等多媒體技術(shù)的不斷進(jìn)步，要求閃存的存儲(chǔ)容量日益增大。為了提高閃存的存儲(chǔ)容量，研究 人員提出了一種三維堆疊式閃存(3D stack flash)結(jié)構(gòu)，在制造過(guò)程中將多層器件堆疊在 同一晶圓上，大幅提高了集成度。圖1給出了所述三維堆疊式閃存的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，主要包括襯底100 ； 多晶硅疊層101 ；摻雜的硅柱110。所述多晶硅疊層101由多個(gè)多晶硅層構(gòu)成，彼此之間形 成有介質(zhì)層(圖中未示出)作為隔離，所述介質(zhì)層的材料一般為氧化硅。所述多晶硅疊層 101構(gòu)成了控制柵；所述多晶硅疊層101和介質(zhì)層上形成有孔洞，摻雜的硅柱110填充所述 孔洞，構(gòu)成有源區(qū)(active area) 0由于所述多晶硅疊層101為多層結(jié)構(gòu)，每一層多晶硅就 對(duì)應(yīng)一層存儲(chǔ)單元，因此，通過(guò)增加所述多晶硅疊層101的層數(shù)，就可以顯著提高集成度， 增大存儲(chǔ)容量。所述三維堆疊式閃存的形成過(guò)程主要包括在襯底上形成多晶硅和氧化硅的疊層 結(jié)構(gòu)；對(duì)所述多晶硅和氧化硅的疊層結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，形成孔洞；在所述孔洞中填充摻雜的 硅柱，形成有源區(qū)。實(shí)際上，為了得到晶體特性更好的多晶硅，所述多晶硅和非晶硅的疊層 結(jié)構(gòu)的形成過(guò)程包括首先形成非晶硅氧化硅的疊層結(jié)構(gòu)；之后通過(guò)熱處理，將非晶硅轉(zhuǎn) 化為多晶硅。申請(qǐng)?zhí)枮?00710094108. 1的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中公開(kāi)了一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu) 的形成方法，主要包括沉積形成第一非晶硅層；通入氧氣，將所述非晶硅層氧化形成二氧 化硅層；之后在形成的二氧化硅層上淀積形成第二層非晶硅層。上述方法通過(guò)非晶硅層的 氧化來(lái)形成二氧化硅層，但是，氧化過(guò)程的精度比較難以控制，使得形成的不同的非晶硅層 的厚度不均勻，影響器件性能的一致性?，F(xiàn)有技術(shù)還公開(kāi)了一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，使用化學(xué)氣相沉積 (CVD)分別形成非晶硅層和氧化硅層，通過(guò)控制沉積速率和反應(yīng)時(shí)間來(lái)控制形成的非晶硅 層和氧化硅層的厚度。所述非晶硅層形成過(guò)程的主要反應(yīng)物為硅烷(SiH4)；所述氧化硅層 形成過(guò)程的主要反應(yīng)物為硅烷和氧化氮(NOj2O)。但是，對(duì)于65nm工藝下的三維堆疊式閃 存，非晶硅層和氧化硅層的目標(biāo)厚度一般都為250nm，由于上述非晶硅和氧化硅形成方法的 沉積速率較低，形成單層非晶硅和氧化硅需要數(shù)小時(shí)，對(duì)于多層非晶硅和單晶硅的疊層結(jié) 構(gòu)，如8層、16層和32層，其時(shí)間消耗將變得非常巨大，為數(shù)十小時(shí)，嚴(yán)重影響產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，降低時(shí)間消 耗，提高產(chǎn)能。本發(fā)明提供了一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，包括使用化學(xué)氣相沉積形成氧化硅層，反應(yīng)物為氯代硅烷和氧自由基?？蛇x的，所述反應(yīng)物為六氯乙硅烷(Si2Cl6)和氧自由基。可選的，所述形成方法還包括在形成氧化硅層之前或者之后使用化學(xué)氣相沉積形 成非晶硅層步驟，生成非晶硅的反應(yīng)物為硅烷(SiH4)。可選的，所述非晶硅層和氧化硅層的形成過(guò)程是在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中 進(jìn)行的?？蛇x的，所述非晶硅層和氧化硅層形成過(guò)程的反應(yīng)溫度都為480至580°C?？蛇x的，在形成所述非晶硅層之后、形成所述氧化硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通 入氮?dú)饣蚨栊詺怏w進(jìn)行凈化。可選的，所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s?？蛇x的，形成所述氧化硅層之后、形成所述非晶硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通入 氫氣或氨氣進(jìn)行凈化?？蛇x的，所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s?？蛇x的，所述反應(yīng)物為二氯硅烷(SiH2Cl2)和氧自由基?？蛇x的，所述形成方法還包括在形成氧化硅層之前或者之后使用化學(xué)氣相沉積形 成非晶硅層步驟，生成非晶硅的反應(yīng)物為乙硅烷(Si2H6)?？蛇x的，所述非晶硅層和氧化硅層的形成過(guò)程是在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中 進(jìn)行的。可選的，所述非晶硅層和氧化硅層形成過(guò)程的反應(yīng)溫度都為430至460°C?？蛇x的，在形成所述非晶硅層之后、形成所述氧化硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通 入氮?dú)饣蚨栊詺怏w進(jìn)行凈化?？蛇x的，所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s?？蛇x的，形成所述氧化硅層之后、形成所述非晶硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通入 氫氣或氨氣進(jìn)行凈化?？蛇x的，所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s。上述公開(kāi)的技術(shù)方案中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過(guò)優(yōu)化氧化硅層和非晶硅層形成過(guò) 程的反應(yīng)物，將非晶硅層和氧化硅層的形成過(guò)程整合在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中進(jìn)行， 減少了工藝過(guò)程的時(shí)間消耗，提高了產(chǎn)能。


圖1是三維堆疊式閃存的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)非晶硅層形成過(guò)程中半導(dǎo)體基底的溫度變化示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)氧化硅層形成過(guò)程中半導(dǎo)體基底的溫度變化示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)中非晶硅層的沉積過(guò)程使用的反應(yīng)物為硅烷，反應(yīng)溫度為560°C左右； 而氧化硅層的沉積過(guò)程使用的反應(yīng)物為硅烷與氧化氮，反應(yīng)溫度為720°C左右，由于其反應(yīng) 溫度不同，因此非晶硅層和氧化硅層是在不同的沉積設(shè)備中分別進(jìn)行的。半導(dǎo)體基底在兩 個(gè)沉積設(shè)備之間反復(fù)轉(zhuǎn)移，在其上交替形成非晶硅層和氧化硅層。圖2和圖3分別給出了非晶硅層和氧化硅層形成過(guò)程中半導(dǎo)體基底的溫度與時(shí)間 的關(guān)系。如圖2所示，所述非晶硅層的形成過(guò)程主要分為三個(gè)階段階段I、階段II和階段 III，在階段I，所述半導(dǎo)體基底被加熱到560°C;在階段II，沉積形成非晶硅層；在階段III， 將所述半導(dǎo)體基底降溫至400°C以下，所述降溫過(guò)程的原因是由于之后需要將所述半導(dǎo) 體基底轉(zhuǎn)移至另一沉積設(shè)備中進(jìn)行氧化硅層的形成過(guò)程，將半導(dǎo)體基底的溫度降至400°C 以下，可以有效防止轉(zhuǎn)移過(guò)程中已經(jīng)形成的膜層發(fā)生熱氧化。如圖3所示，所述氧化硅層的 形成過(guò)程主要分為三個(gè)階段在階段IV，將所述半導(dǎo)體基底加熱升溫至720°C;在階段V，沉 積形成氧化硅層；在階段VI，將所述半導(dǎo)體基底降溫至400°C以下，降溫的原因與前述的階 段III的原因類(lèi)似。由于非晶硅層和氧化硅層的是在不同沉積設(shè)備中形成的，其反應(yīng)溫度不同，因此 需要將半導(dǎo)體基底進(jìn)行反復(fù)的升溫和降溫，這部分的時(shí)間消耗并不是必要的，如圖2和圖3 所示，對(duì)于目標(biāo)厚度為250nm的非晶硅層和氧化硅層，階段I、階段III、階段IV和階段VI 中升溫和降溫的過(guò)程消耗的時(shí)間約占總時(shí)間的40%左右。如果將所述發(fā)非晶硅層和氧化硅 層的形成過(guò)程整合在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中進(jìn)行，就可以顯著減少工藝過(guò)程的時(shí)間 消耗，提高產(chǎn)能。本發(fā)明提供了一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，將非晶硅層和氧化硅層的 形成過(guò)程整合在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中進(jìn)行，減少工藝過(guò)程的時(shí)間消耗，提高產(chǎn)能。為使本發(fā)明的方法、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具 體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)形成方法的流程示意圖。如圖4所示，執(zhí)行步驟Si，提供半導(dǎo)體基底。所述半導(dǎo)體基底的材質(zhì)可以是單晶硅、多晶硅、非晶硅中的一種，所述半導(dǎo)體基底 的材質(zhì)也可以是硅鍺化合物。如圖4所示，執(zhí)行步驟S2，在所述半導(dǎo)體基底上沉積形成氧化硅層，反應(yīng)物為氯代
硅烷和氧自由基。所述氧化硅層的形成方法為化學(xué)氣相沉積，其主要反應(yīng)物為氯代硅烷和氧自由 基，所述氯代硅烷的化學(xué)式為SixHyClz,其中，y+z = 2Xx+2。本實(shí)施例中，所述氯代硅烷的 化學(xué)式中，χ = 2，y = 0，ζ = 6，所述反應(yīng)物優(yōu)選為Si2Cl6和氧自由基，反應(yīng)溫度為480至 580°C。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于氯代硅烷(本實(shí)施例中為Si2Cl6)的化學(xué)鍵能低于SiH4的化 學(xué)鍵能，而且氧自由基的氧化性強(qiáng)于氧化氮的氧化性，因此，二者可以在較低溫度下發(fā)生反 應(yīng)生成氧化硅，從而有可能與非晶硅層的形成過(guò)程整合在一起，避免反應(yīng)溫度反復(fù)上升和 下降過(guò)程中的時(shí)間消耗。本實(shí)施例中，將氧氣等離子化后生成含有氧自由基的等離子氣氛， 將其通入沉積設(shè)備中，與Si2Cl6反應(yīng)生成氧化硅，沉積在所述半導(dǎo)體基底上形成氧化硅層。 本實(shí)施例優(yōu)選的反應(yīng)溫度為560°C。
如圖4所示，執(zhí)行步驟S3，在沉積設(shè)備中通入氫氣或者氨氣進(jìn)行凈化。在形成所述氧化硅層之后，沉積設(shè)備中有殘留的反應(yīng)物Si2Cl6和氧自由基，殘留 的氧自由基會(huì)對(duì)之后形成的非晶硅層造成氧化。因此，在沉積設(shè)備中通入氫氣或氨氣，與殘 留的氧自由基發(fā)生反應(yīng)生成水汽排出，從而達(dá)到凈化的目的。另外，在所述凈化過(guò)程中，沉 積設(shè)備的溫度仍然保持在480至580°C，本實(shí)施例中為560°C，與所述氧化硅層的形成過(guò)程 為同一溫度。由于溫度較高，而且有水汽生成，相當(dāng)于是一個(gè)水汽退火(steam annealing) 的過(guò)程，有利于改善已經(jīng)形成的膜層的質(zhì)量。所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s，本實(shí)施例中優(yōu)選的時(shí)間為100s。如圖4所示，執(zhí)行步驟S4，在所述氧化硅層上沉積形成非晶硅層。在本實(shí)施例中，本步驟與所述氧化硅層的形成過(guò)程在同一溫度下、同一沉積設(shè)備 中進(jìn)行。所述非晶硅層的形成方法為化學(xué)氣相沉積，其主要反應(yīng)物為SiH4，反應(yīng)溫度與 所述氧化硅層的形成過(guò)程為同一溫度，為480至580°C，本實(shí)施例中優(yōu)選的溫度仍然保持 560°C。本實(shí)施例中非晶硅層的形成方法與現(xiàn)有技術(shù)相同。由于在形成氧化硅層之后對(duì)所述沉積設(shè)備進(jìn)行了凈化，因此，形成氧化硅層之后 殘留的氧自由基并不會(huì)對(duì)本步驟的反應(yīng)過(guò)程造成污染。如圖4所示，執(zhí)行步驟S5，在沉積設(shè)備中通入氮?dú)饣蚨栊詺怏w進(jìn)行凈化。在形成所述非晶硅層之后，為了防止殘留的反應(yīng)物SiH4對(duì)之后形成氧化硅層的過(guò) 程造成污染，通入氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w將殘留SiH4的排出沉積設(shè)備，從而實(shí)現(xiàn)沉積設(shè)備的 凈化。所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s，本實(shí)施例中優(yōu)選的時(shí)間為100s。至此，本實(shí)施例已經(jīng)形成一層氧化硅層和一層非晶硅層的疊層結(jié)構(gòu)，由于對(duì)于不 同特征尺寸的工藝，所述氧化硅層和非晶硅層的目標(biāo)厚度不同，可以為幾十埃至幾百埃，因 此本實(shí)施例中對(duì)厚度并沒(méi)有做特別的限定，在實(shí)際生產(chǎn)工藝中，可以通過(guò)調(diào)整化學(xué)氣相沉 積的反應(yīng)時(shí)間來(lái)形成所需厚度的非晶硅層和氧化硅層。另外，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用，在之后還可以 形成更多層的氧化硅層和多晶硅層，如對(duì)于8層結(jié)構(gòu)的三維堆疊式閃存，重復(fù)所述步驟S2 至S5，直至形成8層非晶硅層和8層氧化硅層的疊層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例通過(guò)選擇化學(xué)鍵能較低的氯代硅烷以及氧化性更強(qiáng)的氧自由基，使得氧 化硅層形成過(guò)程的反應(yīng)溫度下降，與非晶硅的形成過(guò)程落入同一反應(yīng)溫度范圍內(nèi)。由于所 述非晶硅層和多晶硅層是在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中沉積形成的，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不 需要對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行反復(fù)的升溫和降溫過(guò)程，大幅降低了時(shí)間消耗。上述實(shí)施例中，所述氧化硅層的反應(yīng)物為Si2Cl6和氧自由基，所述非晶硅層和氧 化硅層都是在480至580°C的溫度范圍下進(jìn)行的，為了進(jìn)一步降低反應(yīng)溫度，本發(fā)明提供了 另一實(shí)施例。其中，所述非晶硅層的形成方法為化學(xué)氣相沉積，其主要反應(yīng)物為Si2H6，反應(yīng)溫度 為430至460°C，本實(shí)施例中優(yōu)選為450°C。在形成所述非晶硅層之后，在沉積設(shè)備中通入氮?dú)饣蚨栊詺怏w進(jìn)行凈化，防止殘 留的反應(yīng)物對(duì)之后氧化硅的沉積過(guò)程造成污染。所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s， 本實(shí)施例中優(yōu)選的時(shí)間為100s。
在所述凈化過(guò)程之后，繼續(xù)形成氧化硅層，所述氧化硅層的形成方法為化學(xué)氣相 沉積，主要反應(yīng)物為氯代硅烷和氧自由基，所述氯代硅烷的化學(xué)式SixHyClz中，χ = 1，y = 2，ζ = 2，即主要反應(yīng)物為SiH2Cl2和氧自由基，反應(yīng)溫度為430至460°C。所述氧化硅層與 所述非晶硅層是在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中進(jìn)行的，因此，本實(shí)施中優(yōu)選的反應(yīng)溫度仍 然保持為450°C。類(lèi)似的，在形成所述氧化硅層之后，在沉積設(shè)備中通入氫氣和氨氣進(jìn)行凈化，防止 殘留的氧自由基對(duì)之后非晶硅層的沉積過(guò)程造成影響。所述凈化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至 120s，本實(shí)施例中優(yōu)選的時(shí)間為100s。與之前所述的實(shí)施例相比，本實(shí)施例通過(guò)調(diào)整沉積過(guò)程的反應(yīng)物，使用的反應(yīng)物 的化學(xué)鍵能進(jìn)一步降低，從而將反應(yīng)溫度進(jìn)一步降低，使得所述氧化硅層和非晶硅層仍然 是在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中形成的，消除了半導(dǎo)體基底反復(fù)升溫和降溫的過(guò)程，節(jié)省 了時(shí)間，提高了產(chǎn)能。綜上，本發(fā)明提供了一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本 發(fā)明將非晶硅層和氧化硅層的形成過(guò)程整合在了同一溫度、同一沉積設(shè)備中進(jìn)行，消除了 半導(dǎo)體基底反復(fù)升溫和降溫的過(guò)程，節(jié)省了時(shí)間，提高了產(chǎn)能。另外，在形成非晶硅層和氧化硅層之后，分別對(duì)所述沉積設(shè)備進(jìn)行凈化，避免了殘 留的反應(yīng)物對(duì)后續(xù)反應(yīng)造成的污染和影響。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括使用化學(xué)氣相沉積形 成氧化硅層，反應(yīng)物為氯代硅烷和氧自由基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述反應(yīng) 物為Si2Cl6和氧自由基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括在 形成氧化硅層之前或者之后使用化學(xué)氣相沉積形成非晶硅層步驟，生成非晶硅的反應(yīng)物為 SiH40
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述非晶 硅層和氧化硅層的形成過(guò)程是在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中進(jìn)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述非 晶硅層和氧化硅層形成過(guò)程的反應(yīng)溫度為480至580°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成 所述非晶硅層之后、形成所述氧化硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通入氮?dú)饣蚨栊詺怏w進(jìn)行 凈化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述凈化 過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成 所述氧化硅層之后、形成所述非晶硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通入氫氣或氨氣進(jìn)行凈化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述凈化 過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述反應(yīng) 物為SiH2Cl2和氧自由基。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括 在形成氧化硅層之前或者之后使用化學(xué)氣相沉積形成非晶硅層步驟，生成非晶硅的反應(yīng)物 為 Si2H6O
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述非 晶硅層和氧化硅層的形成過(guò)程是在同一溫度下、同一沉積設(shè)備中進(jìn)行的。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所 述非晶硅層和氧化硅層形成過(guò)程的反應(yīng)溫度為430至460°C。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成 所述非晶硅層之后、形成所述氧化硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通入氮?dú)饣蚨栊詺怏w進(jìn)行 凈化。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述凈 化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成 所述氧化硅層之后、形成所述非晶硅層之前，在所述沉積設(shè)備中通入氫氣或氨氣進(jìn)行凈化。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述凈 化過(guò)程的持續(xù)時(shí)間為30s至120s。
全文摘要
一種非晶硅氧化硅疊層結(jié)構(gòu)的形成方法，包括使用化學(xué)氣相沉積形成氧化硅層，反應(yīng)物為氯代硅烷和氧自由基。本發(fā)明降低了非晶硅層形成過(guò)程的反應(yīng)溫度，避免了反應(yīng)過(guò)程中反復(fù)的升溫和降溫過(guò)程，降低了時(shí)間消耗，提高了產(chǎn)能。
文檔編號(hào)H01L21/285GK102074470SQ20091019921
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月20日
發(fā)明者三重野文健 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司