專利名稱：一種Si/Sb₈₀Te₂₀納米復(fù)合多層相變薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子技術(shù)領(lǐng)域的材料，更具體而言，本發(fā)明涉及一種用于相變 存儲器的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
相變存儲器(PCRAM)是目前最具潛力的下一代非揮發(fā)性存儲器。其基本原理是利 用電流脈沖產(chǎn)生熱量使相變材料在晶態(tài)(低電阻)與非晶態(tài)(高電阻)之間快速可逆轉(zhuǎn)換 來實(shí)現(xiàn)信息的寫入與擦除，并且通過測量電阻的大小來識別數(shù)據(jù)存儲的狀態(tài)。作為存儲信 息的載體，相變材料的性能是PCRAM技術(shù)中最關(guān)鍵的因素。相變材料的開發(fā)與研制一直是 發(fā)展PCRAM技術(shù)的主要內(nèi)容，這對于提高PCRAM器件的性能具有十分重要的意義。
目前PCRAM廣泛采用的相變材料是Ge2Sb2Te5薄膜，主要原因在于這種相變材料已 被成功地應(yīng)用于相變光盤中，制備工藝成熟，然而Ge2Sb2Te5薄膜作為PCRAM存儲材料卻暴 露出一些不足其一，較高的熔點(diǎn)(620°C )使得它在從晶態(tài)向非晶態(tài)的轉(zhuǎn)變過程(RESET過 程)中需要較高的RESET電流(寫電流)，因此，有必要開發(fā)具有較低熔點(diǎn)同時具有較高結(jié) 晶溫度的相變材料；其二，Ge^bJes薄膜的相變是一個兩步的結(jié)晶過程，即首先從非晶態(tài)變 化到亞穩(wěn)態(tài)面心立方結(jié)構(gòu)(fcc)，然后從fcc繼續(xù)變化到穩(wěn)定態(tài)六方密堆結(jié)構(gòu)(hex)，結(jié)晶 過程需要的時間較長，使得相變速度較低，PCRAM器件的編程速度取決于相變材料的相變速 度，因此，如何提升相變材料的相變速度也是目前面臨的問題。 與傳統(tǒng)的Ge2Sb2Te5相比，Sb_Te系相變材料具有較高的結(jié)晶速度和較低的熔點(diǎn)， 富含Sb的Sb8。T^相變材料具有更快的相變速度，這主要?dú)w因于其結(jié)晶過程是一個快速 的晶粒生長占主導(dǎo)的結(jié)晶過程，但是，其較低的結(jié)晶溫度使得材料的熱穩(wěn)定性相對較差，同 時，其較低的晶態(tài)電阻使得編程功耗較高。如何使Sb8。Te2。相變材料得到有效的利用已成為 本領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于相變存儲器的Si/Sb8。Te2。 納米復(fù)合多層相變薄膜及其制備方法。 本發(fā)明的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜采用不具有相變能力、不參與相變的 Si材料與具有較快相變速度的Sbs。Te2。相變材料進(jìn)行納米復(fù)合，充分利用Si材料的熱穩(wěn)定 性，通過復(fù)合有效縮小Sb8。Te2。相變材料的相變區(qū)域尺寸，提升Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相 變薄膜的熱穩(wěn)定性，從而降低PCRAM器件編程過程中的操作功耗；同時，由于Si材料的隔 離作用延長了 Sb8。T^。相變材料中晶粒成核時間，使得Sb8。T^相變材料中晶粒不易快速長 大，從而提升Si/Sb8。T^。納米復(fù)合多層相變薄膜的數(shù)據(jù)保持能力；兩種材料取長補(bǔ)短，協(xié)同 作用，能夠滿足PCRAM對高速和高穩(wěn)定性的要求。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的 本發(fā)明所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜為Si薄膜和Sb8。Te2。薄膜在納
3米量級交替排列復(fù)合而成，Si薄膜將各層Sb8。Te2。薄膜均勻分隔，形成多層薄膜結(jié)構(gòu)。
所述Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜符合下式
[Si(a)/Sb80Te20(b)]x 式中a、 b分別表示所述單層Si薄膜及所述單層Sb8。Te2。薄膜的厚度， 1《a《20nm，b = 5nm ;x表示所述Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜中所述單層Si薄膜 和所述單層Sb8。Te2。薄膜的周期數(shù)，x為正整數(shù)，且可以通過薄膜總厚度與所述單層Si薄膜 及所述單層Sb8。Te2。薄膜的厚度計算得出。 所述Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜總厚度為lOOnm。 所述Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的結(jié)晶溫度隨著周期中Si薄膜厚度的增 加而升高，當(dāng)增加到5nm后繼續(xù)增加其厚度時，相變材料的結(jié)晶溫度保持在17(TC不變。
本發(fā)明的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜采用磁控交替濺射方法制備，襯底采 用Si02/Si (100)，濺射靶材為Si單晶靶和Sb8。Te2。合金靶，所述Si單晶靶的純度在質(zhì)量百 分比99. 999%以上，Sb8。Te2。合金靶的純度在質(zhì)量百分比99. 999%以上，本底真空度不大于 1X10—4Pa。 Si單晶靶和Sb8。T^。合金靶都采用射頻功率電源，濺射射頻功率為15 25W，優(yōu)選 為20W。在濺射過程中通入Ar氣，Ar氣的純度為體積百分比99. 999%以上，氣體流量為
25 35SCCM，優(yōu)選為30SCCM，濺射氣壓為0. 15 0. 25Pa，優(yōu)選為0. 2Pa。 單層Si薄膜和單層Sb8。Te2。薄膜的厚度通過濺射時間來調(diào)控。 本發(fā)明的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜用于相變存儲器。 本發(fā)明Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的制備過程具體包括以下步驟 1)清洗Si02/Si (100)基片。 2)制備好Si單晶靶和Sb8。Te2。合金靶；設(shè)定射頻功率；設(shè)定濺射氣體流量及濺射 氣壓。 3)采用室溫磁控交替濺射方法制備Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜 a)將基片旋轉(zhuǎn)到Sb8。Te2。靶位，打開Sb8。Te2。靶上的射頻電源，依照設(shè)定的濺射時
間，開始濺射Sbs。Te2。薄膜； b) Sb8。Te2。薄膜濺射完成后，關(guān)閉Sb2Te3靶上所施加的射頻電源，將基片旋轉(zhuǎn)到Si
靶位，開啟Si靶上的射頻電源，依照設(shè)定的濺射時間，開始濺射Si薄膜； c)重復(fù)a)和b)兩步，即在Si02/Si (100)襯底上制備Si/Sb80Te20. Si/Sb80Te20/
Si02/Si多層薄膜。在薄膜總厚度固定的前提下、通過調(diào)制濺射時間來控制Si/Sb8。T^納米
復(fù)合多層相變薄膜中Si薄膜的厚度和周期數(shù)，從而形成所需結(jié)構(gòu)的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多
層相變薄膜。 與傳統(tǒng)的相變薄膜材料相比，本發(fā)明的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜具有 如下特點(diǎn)首先，Si/Sb8。T^。納米復(fù)合多層相變薄膜的結(jié)晶溫度可以通過周期中Si薄膜 的厚度來調(diào)節(jié)，且隨著Si薄膜厚度的增加而升高，當(dāng)增加到5nm后繼續(xù)增加其厚度時，Si/ Sb8。Te2。相變薄膜的結(jié)晶溫度基本保持不變；其次，Si薄膜對Sb8。Te2。薄膜的隔離作用大大 提升了Si/Sb8。Te2。相變薄膜的熱穩(wěn)定性，Si/Sb8。T^。相變薄膜結(jié)晶發(fā)生的溫度區(qū)域很窄，表 明其相變速度很快；再次，Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的晶態(tài)電阻隨著周期中Si薄膜厚度的增加而增大，有助于降低PCRAM器件編程過程中的操作功耗。


圖l為本發(fā)明的各種結(jié)構(gòu)的Si/Sb8。T^。納米復(fù)合多層相變薄膜和常規(guī)的Sb8。Te,Ge^VTes薄膜的原位方塊電阻與退火溫度的關(guān)系曲線。 圖2為本發(fā)明的[Si (5nm) /Sb80Te20 (5nm) ] 10、 [Si (7nm) /Sb80Te20 (5nm) ] 8納米復(fù)合多層相變薄膜以及Ge2Sb2Te5薄膜在15(TC退火溫度下歸一化電阻隨退火時間的變化曲線。
圖3為本發(fā)明的[Si (5nm) /Sb8。Te2。 (5nm) ] 1Q納米復(fù)合多層相變薄膜的高分辨TEM截面圖 圖4為本發(fā)明的[Si (5nm) /Sb8。Te2。 (5nm) ] 1Q納米復(fù)合多層相變薄膜經(jīng)過20(TC退火1小時后的高分辨TEM截面圖
具體實(shí)施例方式
下面通過具體實(shí)施例的闡述，以進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，但
本發(fā)明絕非僅局限于實(shí)施例。
實(shí)施例1 步驟1清洗Si02/Si (100)基片； 步驟2采用室溫磁控濺射的方法制備Si、 Sb8。Te2。相變薄膜前準(zhǔn)備 a)制備好直徑都為50. 8mm、厚度均為5mm的Si單晶靶和Sb8。Te2。合金靶，Si單晶
靶的純度為99.9999% (質(zhì)量百分比)，Sbs。Te2。合金靶的純度為99.999X (質(zhì)量百分比)，
本底真空度優(yōu)于1 X 10—4Pa ; b)射頻功率定為20W ; c)使用純度為99. 999X的Ar氣作為濺射氣體，氣體流量控制在30SCCM，濺射氣壓為0. 2Pa。步驟3采用磁控交替濺射方法制備[Si (lnm) /Sb8。Te2。 (5nm) ] 17納米復(fù)合多層相變薄膜 a)將基片旋轉(zhuǎn)到Sb8。Te2。靶位，打開Sb8。Te2。靶上的射頻電源，開始濺射Sb8。Te2。薄膜，濺射時間為16s ; b) Sb8。Te2。薄膜濺射完成后，關(guān)閉Sb8。Te2。靶上所施加的射頻電源，將基片旋轉(zhuǎn)到
Si靶位，開啟Si靶上的射頻電源，開始濺射Si薄膜，濺射時間為24s ; c)重復(fù)a)和b)兩步，即在Si02/Si(100)襯底上制備了薄膜結(jié)構(gòu)為[Si(lnm)/
Sb8。Te2。(5nm)]17的納米復(fù)合多層相變薄膜，薄膜的總厚度控制在lOOnm。 實(shí)施例2 步驟1 、步驟2與實(shí)施例1相同； 步驟3 :采用室溫磁控交替濺射方法制備[Si (3nm) /Sb8。Te2。 (5nm) ] 12納米復(fù)合多層相變薄膜 a)將基片旋轉(zhuǎn)到Sb8。Te2。靶位，打開Sb8。Te2。靶上的射頻電源，開始濺射Sb8。Te2。薄膜，濺射時間為16s ; b) Sb8。Te2。薄膜濺射完成后，關(guān)閉Sb8。Te2。靶上所施加的射頻電源，將基片旋轉(zhuǎn)到Si靶位，開啟Si靶上的射頻電源，開始濺射Si薄膜，濺射時間為72s ;
c)重復(fù)a)和b)兩步，即在Si02/Si(100)襯底上制備了薄膜結(jié)構(gòu)為[Si(3nm)/Sb8。Te2。(5nm)]12的納米復(fù)合多層相變薄膜，薄膜的總厚度控制在100nm。
實(shí)施例3 步驟1 、步驟2與實(shí)施例1相同； 步驟3 :采用室溫磁控交替濺射方法制備[Si (5nm) /Sb8。Te2。 (5nm) ] 1Q納米復(fù)合多層相變薄膜 a)將基片旋轉(zhuǎn)到Sb8。Te2。靶位，打開Sb8。Te2。靶上的射頻電源，開始濺射Sb8。Te2。薄膜，濺射時間為16s ; b)Sb8。Te2。薄膜濺射完成后，關(guān)閉Sb8。Te2。靶上所施加的射頻電源，將基片旋轉(zhuǎn)到
Si靶位，開啟Si靶上的射頻電源，開始濺射Si薄膜，濺射時間為120s ; c)重復(fù)a)和b)兩步，即在Si02/Si(100)襯底上制備了薄膜結(jié)構(gòu)為[Si(5nm)/
Sb8。Te2。(5nm)]1Q的納米復(fù)合多層相變薄膜，薄膜的總厚度控制在lOOnm。 實(shí)施例4 步驟1 、步驟2與實(shí)施例1相同； 步驟3 :采用室溫磁控交替濺射方法制備[Si (7nm) /Sb8。Te2。 (5nm) ]8納米復(fù)合多層相變薄膜 a)將基片旋轉(zhuǎn)到Sb8。Te2。靶位，打開Sb8。Te2。靶上的射頻電源，開始濺射Sb8。Te20薄膜，濺射時間為16s ; b) Sb80Te20薄膜濺射完成后，關(guān)閉Sb80Te20耙上所施加的射頻電源，將基片旋轉(zhuǎn)
到Si靶位，開啟Si靶上的射頻電源，開始濺射Si薄膜，濺射時間為168s ; c)重復(fù)a)和b)兩步，即在Si02/Si(100)襯底上制備了薄膜結(jié)構(gòu)為[Si(7nm)/
Sb80Te20(5nm)]8的納米復(fù)合多層相變薄膜，薄膜的總厚度控制在100nm。 實(shí)施例5 步驟1 、步驟2與實(shí)施例1相同； 步驟3 :采用室溫磁控交替濺射方法制備[Si (20nm)/Sb80Te20(5nm)]4納米復(fù)合
多層相變薄膜 a)將基片旋轉(zhuǎn)到Sb80Te20耙位，打開Sb80Te20耙上的射頻電源，開始濺射Sb80Te20薄膜，濺射時間為16s ; b) Sb80Te20薄膜濺射完成后，關(guān)閉Sb80Te20耙上所施加的射頻電源，將基片旋轉(zhuǎn)
到Si靶位，開啟Si靶上的射頻電源，開始濺射Si薄膜，濺射時間為480s ; c)重復(fù)a)和b)兩步，即在Si02/Si(100)襯底上制備了薄膜結(jié)構(gòu)為[Si(20nm)/
Sb80Te20(5nm)]4的納米復(fù)合多層相變薄膜，薄膜的總厚度控制在100nm。 對比例1 步驟1清洗Si02/Si (100)基片; 步驟2采用室溫磁控濺射的方法制備Ge2Sb2Te5相變薄膜前準(zhǔn)備 a)制備好直徑為50. 8mm、厚度為5mm的Ge2Sb2Te5合金耙，合金耙的純度為
99.999% (質(zhì)量百分比)，本底真空度優(yōu)于1X10—4Pa ; b)射頻功率定為20W ; c)使用純度為99. 999%的Ar氣作為濺射氣體，氣體流量控制在30SCCM，濺射氣壓為0. 2Pa。步驟3采用室溫磁控交替濺射方法制備Ge2Sb2Te5相變薄膜，將基片旋轉(zhuǎn)到Ge2SVTe5靶位，打開Ge2Sb2Te5靶上的射頻電源，開始濺射Ge2Sb2Te5薄膜，即在Si02/Si(100)襯底上制備了 Ge2SVTe5相變薄膜，薄膜的厚度控制在100nm。 圖1為不同結(jié)構(gòu)的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜、Sb8。Te2。和Ge^bJe5薄膜的方塊電阻與退火溫度的關(guān)系曲線，測試結(jié)果是在升溫速率為l(TC /min下測試的。當(dāng)薄膜處于非晶狀態(tài)時，薄膜電阻呈現(xiàn)高電阻值，隨著退火溫度的增加，達(dá)到結(jié)晶溫度時，薄膜電阻開始快速下降，當(dāng)薄膜處于結(jié)晶狀態(tài)時，薄膜電阻呈現(xiàn)低電阻值。從圖l可以看出，Sb8。T^。薄膜的結(jié)晶溫度約為ll(TC，此結(jié)晶溫度太低，不利于PCRAM器件的熱穩(wěn)定性，引入不具備相變能力的Si薄膜與Sb8。Te2。薄膜進(jìn)行納米復(fù)合形成多層薄膜結(jié)構(gòu)，可以顯著提高相變材料的結(jié)晶溫度，相應(yīng)的[Si(lnm)/Sb8。Te2。(5nm)]17、 [Si (3nm)/Sb8。Te2。(5nm) ] 12、 [Si(5nm)/Sb8。Te2。(5nm)L。、 [Si (7nm)/Sb8。Te2。 (5nm) ] 8和[Si (20nm)/Sb8。Te2。 (5nm) ] 4薄膜的結(jié)晶溫度分別為16(TC、167t:、17(rC、17rC和17(TC，表明納米復(fù)合多層相變薄膜的結(jié)晶溫度隨著周期中Si薄膜厚度的增加而升高，當(dāng)Si薄膜厚度增加到5nm后，相變薄膜的結(jié)晶溫度保持在17(TC基本不變。而且還可以看到，Si/Sbs。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的方塊電阻在結(jié)晶溫度有一個快速的下降過程，結(jié)晶發(fā)生的溫度區(qū)域范圍很窄，表明該材料的相變速度很快，滿足PCRAM對高速存儲的要求。同時，納米復(fù)合多層相變薄膜的晶態(tài)電阻隨著多層周期中Si薄膜厚度的增加而增大，較大的晶態(tài)電阻有助于增加器件編程過程中的自加熱效率，從而降低編程功耗。 圖2為[Si (5nm) /Sb80Te20 (5nm) ] 10、 [Si (7nm) /Sb80Te20 (5nm) ] 8納米復(fù)合多層相變薄膜和Ge^VTe5薄膜的歸一化電阻在15(TC退火溫度下隨時間的變化曲線。為了衡量相變材料的數(shù)據(jù)保持能力，采用50%的電阻下降作為失效標(biāo)準(zhǔn)，從圖看到，[Si(5nm)/Sb8。Te2。 (5nm) ] 1Q、 [Si (7nm) /Sb8。Te2。 (5nm) ]8納米復(fù)合多層相變薄膜和Ge2Sb2Te5薄膜的失效時間分別為1160s、 1550s和700s，表明納米復(fù)合多層相變薄膜比Ge2Sb2Te5薄膜具有更好的數(shù)據(jù)保持能力。 圖3為制備的[Si (5nm) /Sb8。Te2。 (5nm) ] 1Q納米復(fù)合多層相變薄膜的高分辨TEM截面圖。觀察發(fā)現(xiàn)，顏色較淺區(qū)域(即Si薄膜)有效隔絕了顏色較深區(qū)域(即Sbs。Te2。薄膜)，層與層之間沒有明顯的擴(kuò)散。 圖4為[Si (5nm)/Sb8。Te2。(5nm)L。納米復(fù)合多層相變薄膜經(jīng)過200。C退火1小時的高分辨TEM截面圖，退火后層與層之間的界面有點(diǎn)模糊，但是多層結(jié)構(gòu)依然存在，由此可見納米復(fù)合多層相變薄膜具有良好的熱穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
一種Si/Sb80Te20納米復(fù)合多層相變薄膜，其特征在于，所述Si/Sb80Te20納米復(fù)合多層相變薄膜中Si薄膜和Sb80Te20薄膜交替排列，Si薄膜將各層Sb80Te20薄膜均勻分隔，形成多層薄膜結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜，其特征在于，所述Si/ Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜符合下式[Si (a)/Sb80Te20 (b)]x，式中a、b分別表示單層Si薄膜和單層Sb8。Te2。薄膜的厚度，1《a《20nm，b = 5nm ;x 表示Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜中單層Si薄膜和單層Sb8。Te2。薄膜的周期數(shù)，x為 正整數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜，其特征在于，所述Si/ Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜總厚度為lOOnm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Sbje加納米復(fù)合多層相變薄膜，其特征在于，所述Si/ Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的結(jié)晶溫度隨著周期中單層Si薄膜厚度的增加而升高，當(dāng) 單層Si薄膜厚度大于5nm時，相變材料的結(jié)晶溫度保持在17(TC不變。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的制 備方法，其特征在于，采用室溫磁控交替濺射方法制備所述Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變 薄膜，濺射靶材為Si單晶靶和Sb8。Te2。合金靶，濺射氣體為Ar氣。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的制備方法，其特征在 于，所述Si單晶靶和Sb8。Te2。合金靶的純度在質(zhì)量百分比99. 999%以上，本底真空度不大 于1X10—4Pa。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的制備方法，其特征在 于，射頻功率設(shè)為15 25W。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的制備方法，其特征在 于，濺射氣體Ar氣的純度為體積百分比99. 999%以上，氣體流量為25 35SCCM，濺射氣壓 為0. 15 0. 25Pa。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜的制備方法，其特征在 于，單層Si薄膜和單層Sb8。Te2。薄膜的厚度通過濺射時間來調(diào)控。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的Si/Sb8。Te2。納米復(fù)合多層相變薄膜用于 相變存儲器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種Si/Sb80Te20納米復(fù)合多層相變薄膜及其制備方法，該相變薄膜為Si薄膜和Sb80Te20薄膜在納米量級交替排列復(fù)合而成，Si薄膜將各層Sb80Te20薄膜分隔，形成多層薄膜結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的相變薄膜具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)相變薄膜的結(jié)晶溫度隨著Si薄膜厚度的增加而升高，當(dāng)Si薄膜大于5nm時，相變薄膜的結(jié)晶溫度基本保持不變；(2)Si薄膜對Sb80Te20薄膜的隔離作用提升了相變薄膜的熱穩(wěn)定性，相變薄膜結(jié)晶發(fā)生的溫度區(qū)域很窄，表明其相變速度很快；(3)相變薄膜的晶態(tài)電阻隨著Si薄膜厚度的增加而增大，有助于降低PCRAM器件編程過程中的操作功耗。
文檔編號H01L45/00GK101714610SQ20091019925
公開日2010年5月26日 申請日期2009年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月23日
發(fā)明者汪昌州, 翟繼衛(wèi) 申請人:同濟(jì)大學(xué)