專利名稱：一種提高led出光效率的固晶方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED晶粒封裝領(lǐng)域，確切的說是一種提高LED出光效率的固晶方 法。
背景技術(shù)：
在LED封裝領(lǐng)域，固晶是一項(xiàng)重要步驟，其質(zhì)量的好壞直接影響LED的出光 效率以及使用壽命，根據(jù)LED功率的大小以及封裝工藝的不同所選擇的固晶方式有所不 同， 一般來說，小功率LED晶粒通過絕緣膠固定電極引腳傳熱即可；功率稍大的LED可 通過導(dǎo)熱銀膠或硅膠粘連散熱；對于瓦級LED通常采用高導(dǎo)熱銀膠或共晶焊接的方式固 定散熱，共晶焊接由于導(dǎo)熱性能優(yōu)異在瓦級以上大功率LED封裝中優(yōu)勢突出，而一般采 用的共晶合金和金屬價(jià)格都比較高，固而采用共晶錫膏的工藝，在固晶時(shí)由于工藝以及 操作的問題往往將LED晶粒的一部分包裹在固晶膠內(nèi)，如此包裹范圍將影響LED出光， 同時(shí)由于現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)的限制將有部分LED發(fā)出的光不能射出而影響到LED取光效率。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述LED出光不足的問題，本發(fā)明提供了一種有助于提高LED出光效率 的固晶方法。 本發(fā)明的技術(shù)方案如下 一種提高LED出光效率的固晶方法，包括如下步驟
金屬基座制備金屬基座由高導(dǎo)熱金屬材料制成， 一般采用銅板表面鍍銀，金 屬基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑內(nèi)表面鍍反光層，底面為固晶面。
接著材料制備接著材料優(yōu)先選擇共晶錫膏。 取膠及點(diǎn)膠利用點(diǎn)膠頭蘸取共晶錫膏點(diǎn)附于金屬基座上LED晶粒固定凹坑 底平面，涂抹厚度力求適中，接著材料只涂抹于金屬基座LED晶粒固定凹坑的底平面 與LED晶粒底面金屬的接觸部位，保證一定的附著拉力而不至將晶粒其它面包裹在膠體 內(nèi)。 共晶焊接步驟將底面具有金屬層的LED晶粒置于基座點(diǎn)有錫膏的固晶位置 處，壓實(shí)后經(jīng)熱板、烤箱或隧道爐等升溫到共晶溫度，使LED芯片底面的金屬與基座通 過錫膏實(shí)現(xiàn)共晶焊接。 本發(fā)明的積極效果本發(fā)明固晶方式減少接著材料的覆蓋面積，最大限度的減 少因接著材料的覆蓋而阻礙LED光的出射，金屬基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑 四周鍍有反光層，如此LED發(fā)出的光經(jīng)四周反光層的反射提高出射率，增強(qiáng)指向性。


圖1 :為本發(fā)明固晶方法流程框圖；
圖2 :為本發(fā)明金屬基座示意圖；
圖3 :為本發(fā)明點(diǎn)膠示意 圖4:為共晶焊接后結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中所指圖例 1、金屬基座2、反光層3、固晶面4、接著材料5、 LED晶粒
具體實(shí)施例方式
—種提高LED出光效率的固晶方法，如圖l所示包括金屬基座的制備、接 著材料的制備、取膠及點(diǎn)膠、LED晶粒的制備，最后為共晶焊接，下面分述以上幾個(gè)步 驟。 如圖2所示為金屬基座(1)，金屬基座由高導(dǎo)熱金屬材料制成， 一般采用銅板表 面鍍銀，金屬基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑通常采用喇叭口狀，喇叭口內(nèi)表面 拋光后鍍反光層(2)，凹坑底面為固晶面(3)。
接著材料優(yōu)先選擇共晶錫膏。 LED晶粒的制備，本發(fā)明固晶方式適用于W級大功率LED晶粒的封裝，而 0.5W以下的LED不需要共晶焊接。 如圖3所示為點(diǎn)膠工序，利用點(diǎn)膠頭蘸取接著材料(4)即共晶錫膏點(diǎn)附于金屬基 座上LED晶粒固定凹坑底平面，涂抹厚度力求適中，接著材料只涂抹于金屬基座LED晶 粒固定凹坑的底平面與LED晶粒底面金屬的接觸部位，保證一定的附著拉力而不至將晶 粒其它面包裹在膠體內(nèi)。 如圖4所示將底面具有金屬層的LED晶粒置于基座點(diǎn)有錫膏的固晶位置處， 壓實(shí)后經(jīng)熱板、烤箱或隧道爐等升溫到共晶溫度，使LED芯片底面的金屬與基座通過錫 膏實(shí)現(xiàn)共晶焊接。
權(quán)利要求
一種提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于在金屬基座上帶有反光層的LED晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一層適當(dāng)范圍的接著材料；完成后再將底面具有金屬層的LED晶粒置于基座點(diǎn)有接著材料的固晶面處，壓實(shí)后升溫到共晶溫度，使LED晶粒底面的金屬與基座通過錫膏實(shí)現(xiàn)共晶焊接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于所述的金屬基座由高導(dǎo)熱金屬材料制成，金屬基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑內(nèi)表面鍍有反光層，底面為固晶面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于所述的接著材料優(yōu)先選擇共晶錫膏。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于所述的接著材料只涂抹于金屬基座LED晶粒固定凹坑的底平面與LED晶粒底面金屬的接觸部位，接著材料對LED晶粒其它五面不產(chǎn)生包裹。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種提高LED出光效率的固晶方法，包括如下步驟在金屬基座上帶有反光層的LED晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一層適當(dāng)范圍的接著材料；完成后再將底面具有金屬層的LED晶粒置于基座點(diǎn)有接著材料的固晶位置處，壓實(shí)后升溫到共晶溫度，使LED晶粒底面的金屬與基座通過錫膏實(shí)現(xiàn)共晶焊接；本發(fā)明接著材料只涂抹于LED晶粒與金屬基座接觸面，不影響LED立體發(fā)光，其周邊發(fā)出的光通過固定凹坑反射出來，提高出光效率。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101692476SQ20091020168
公開日2010年4月7日 申請日期2009年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月15日
發(fā)明者吳海生, 繆應(yīng)明, 黃鶯, 黃金鹿 申請人:蘇州中澤光電科技有限公司