專利名稱：BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，特別是涉及一種BiCMOS工藝中的寄生垂 直型PNP三極管，本發(fā)明還涉及該BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的制造方法。
背景技術：
現有BiCMOS工藝中的寄生三極管采用高摻雜的集電區(qū)埋層，以降低集電區(qū)電 阻，同時需要高溫和長時間的爐管退火，以驅動雜質擴散的更深以減小埋層與硅襯底間的 電容；采用濃度大于lel5cm-2的高濃度N型注入，連接集電區(qū)埋層，形成集電極引出端 (collector pick-up)。集電區(qū)埋層上外延中低摻雜的集電區(qū)，在位P型摻雜的硅或者鍺硅 外延形成基區(qū)，然后由N型重摻雜的多晶硅構成發(fā)射極，并且用深槽隔離工藝來實現器件 與器件之間的隔離?，F有BiCMOS工藝中的寄生三極管設計，通常具有制作工藝成熟可靠等 優(yōu)點，但也由以下主要缺點1、埋層需要高溫和長時間的爐管退火；2、集電區(qū)外延成本高； 3、深槽隔離工藝復雜，而且成本較高。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管， 能用作高速、高增益BiCMOS電路中的輸出器件，為電路提供多一種器件選擇；本發(fā)明還提 供該BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的制造方法，無須額外的工藝條件，能夠降低 生產成本。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供的BiCMOS工藝中的PNP三極管的有源區(qū)由淺槽 場氧隔離，包括一集電區(qū)，由形成于第一個有源區(qū)中的一 P型雜質離子注入層構成，所述 集電區(qū)底部連接一 P型埋層，所述P型埋層形成于所述集電區(qū)兩側的淺槽底部的，所述P型 埋層還和第二個有源區(qū)相連，所述第二個有源區(qū)為和所述第一個有源區(qū)通過所述P型埋層 所對應的溝槽相隔離的有源區(qū)，通過在所述第二個有源區(qū)形成P型雜質離子注入層并做金 屬接觸引出所述集電區(qū)；一基區(qū)，由形成于所述集電區(qū)上部并和所述集電區(qū)連接的一 N型 雜質離子注入層構成；一發(fā)射區(qū)，由所述基區(qū)上部的P型外延層構成，所述P型外延層為硅 外延層、鍺硅外延層或者鍺硅碳外延層，所述發(fā)射區(qū)直接通過一金屬接觸引出；所述基區(qū)上 部的P型外延層部分反型為N型，用作所述基區(qū)的連接。所述集電區(qū)的P型雜質離子注入層是利用MOSFET中P阱注入工藝實現，此注入 分三步，注入雜質為硼，第一步注入的劑量為lel2 5el3CnT2、能量為200 300keV ；第 二步注入的劑量為5ell 5el3CnT2、能量為25 200keV ；第三步注入的劑量為Iell lel3CnT2、能量為5 25keV ；或者所述P型雜質離子注入層僅取上述的第二步與第三步注 入形成。所述基區(qū)的N型雜質離子注入層是采用NMOS管的NLDD注入形成，注入的雜質為 磷或者砷、劑量為5el2 lel5cnT2、能量為10 60keV。所述基區(qū)上部的P型外延層為本證摻雜、摻入的雜質為硼、摻雜方法采用NPN三極管的P型的基區(qū)外延層工藝；形成所述發(fā)射區(qū)的P型外延層要在本征摻雜的基礎上再 通過NPN三極管的非本征基區(qū)注入進行P型重摻雜，注入雜質為硼、氟化硼或者銦、劑量為 5el2 lel5cm_2、能量為 5 60keV。所述基區(qū)上部的P型外延層部分反型為N型的方法為在其上面淀積一層多晶 硅，然后進行N型源漏的重型摻雜注入，并利用雜質在多晶硅中的高溫快速擴散特性，借助 熱退火推進雜質均勻分布整個多晶硅，而使原來是P型外延層反型為N型，實現與N型基 區(qū)的連接；所述N型源漏的重型摻雜注入分為兩步，第一步注入雜質為磷、劑量為lel2 IeHcm 2、能量為20 60keV，第二步注入雜質為磷或者砷、劑量為lel4 le16cm_2、能量為 5 50keV。本發(fā)明提供的該BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的制造方法包括在硅 襯底上形成有源區(qū)和淺槽；形成集電區(qū)的P型埋層，是通過在所述淺槽底部注入劑量為 lel4 IeiecnT2的P型雜質離子形成的；形成淺槽場氧；形成集電區(qū)，通過在所述有源區(qū) 中進行P型雜質離子注入形成，所述P型雜質離子注入采用MOSFET中P阱注入工藝，利用 退火工藝使所述集電區(qū)的P型埋層橫向擴散到所述有源區(qū)并和所述集電區(qū)相連接；形成基 區(qū)，通過在所述集電區(qū)上部進行N型雜質離子注入形成；在所述基區(qū)上部形成P型外延層， 并進行本征摻雜、所摻入的雜質為硼，所述P型外延層為硅外延層、鍺硅外延層或者鍺硅碳 外延層，使所述基區(qū)上部的P型外延層部分反型為N型形成所述基區(qū)的連接；形成發(fā)射區(qū)， 所述基區(qū)上部的P型外延層注入高劑量的P型雜質進行重摻雜形成，所注入高劑量的P型 雜質是硼、氟化硼或者銦；形成所述集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)的金屬接觸。本發(fā)明的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，具有大于15的電流放大系數 和較好的頻率特性，能用作高速、高增益BiCMOS電路中的輸出器件，為電路提供多一種器 件選擇；由于本發(fā)明的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的制造方法涉及BiCMOS工 藝中P阱注入、NLDD注入、NPN三極管的基區(qū)外延層，無須額外的工藝條件，能夠降低成本； 本發(fā)明也避免了現有BiCMOS工藝中的寄生三極管中埋層工藝、集電區(qū)外延工藝、深槽隔離 工藝，使成本進一步降低。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1是本發(fā)明的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的結構示意圖；圖2A-圖2F是本發(fā)明實施例的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管在制造過 程中的結構示意圖；圖3A是TCAD模擬的本發(fā)明實施例的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的 Gummel 曲線；圖:3B是TCAD模擬的本發(fā)明實施例的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的 增益曲線。
具體實施例方式如圖1所述為本發(fā)明的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的結構示意圖，有 源區(qū)由淺槽場氧隔離也即為圖1中的淺溝槽隔離，包括一集電區(qū)201、一基區(qū)301、一發(fā)射區(qū) 602。所述集電區(qū)201由形成于第一個有源區(qū)中的一 P型雜質離子注入層構成，所述 集電區(qū)201的P型雜質離子注入層利用BiCMOS工藝中的MOSFET工藝中的P阱注入工藝 實現，此注入分三步，注入雜質為硼，第一步注入的劑量為lel2 5el3CnT2、能量為200 300keV ；第二步注入的劑量為kll kl3cnT2、能量為25 200keV ；第三步注入的劑量為 Iell lel3CnT2、能量為5 25keV ；或者所述P型雜質離子注入層僅取上述的第二步與第 三步注入形成。所述集電區(qū)201底部連接一 P型埋層101，所述P型埋層101形成于所述 集電區(qū)201兩側的淺槽底部的，所述集電區(qū)201的P型埋層101是在所述淺槽形成后、場氧 填入前在所述淺槽底部注入劑量為lel4 IeiecnT2的P型雜質離子形成的；在所述P型埋 層101的P型雜質離子注入過程中，有源區(qū)通過在其頂部形成硬掩膜層和其側壁形成氧化 硅側墻或者用光刻膠來做阻擋層，防止所述P型埋層101的P型雜質離子注入到有源區(qū)；通 過所述P型埋層101的P型雜質離子的橫向擴散，進入到有源區(qū)，其在所述有源區(qū)的深度和 所述淺槽底部的深度一樣。所述P型埋層101還和第二個有源區(qū)202相連，所述第二個有 源區(qū)202為和所述第一個有源區(qū)通過所述P型埋層101所對應的溝槽相隔離的有源區(qū)，通 過在所述第二個有源區(qū)202形成P型雜質離子注入層并做金屬接觸引出所述集電區(qū)201。所述基區(qū)301，由形成于所述集電區(qū)201上部并和所述集電區(qū)201連接的一 N型 雜質離子注入層構成；所述基區(qū)301的N型雜質離子注入層是采用NMOS管的NLDD注入形 成，注入的雜質為磷或者砷、劑量為5el2 lel5Cm_2、能量為10 60keV。所述發(fā)射區(qū)602，由所述基區(qū)301上部的P型外延層進行重摻雜后形成，所述P型 外延層為硅外延層、鍺硅外延層或者鍺硅碳外延層，所述發(fā)射區(qū)602直接通過一金屬接觸 引出。所述基區(qū)上部的P型外延層生長采用NPN三極管的P型的基區(qū)外延層工藝，摻雜為本 證摻雜、摻入的雜質為硼；形成所述發(fā)射區(qū)602時要在本征摻雜的基礎上再通過NPN三極管 的非本征基區(qū)注入進行P型重摻雜，注入雜質為硼、氟化硼或者銦、劑量為&12 lel5CnT2、 能量為5 60keV。所述基區(qū)301上部的P型外延層部分反型為N型，用作所述基區(qū)的連接；反型為 N型的方法為在其上面淀積一層多晶硅，然后進行N型源漏的重型摻雜注入，并利用雜質 在多晶硅中的高溫快速擴散特性，借助熱退火推進雜質均勻分布整個多晶硅，而使原來是P 型外延層反型為N型，最后形成如圖1所示的多晶硅601，實現與N型基區(qū)的連接，所述多晶 硅601再連接一金屬接觸引出所述基區(qū)。所述N型源漏的重型摻雜注入分為兩步，第一步 注入雜質為磷、劑量為lel2 lel4cm2、能量為20 60keV，第二步注入雜質為磷或者砷、 劑量為lel4 lel6cnT2、能量為5 50keV。如圖2A-圖2F所示，為本發(fā)明實施例的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管 在制造過程中的結構示意圖。工藝步驟一、如圖2A所示，在硅襯底上形成有源區(qū)和淺槽即圖2A中淺溝槽隔離中 的淺溝槽；形成集電區(qū)的P型埋層101，是通過在所述淺槽底部注入劑量為lel4 IeiecnT2 的P型雜質離子形成的，在所述P型埋層101的P型雜質離子注入過程中，有源區(qū)通過在其 頂部形成硬掩膜層和其側壁形成氧化硅側墻或者用光刻膠來做阻擋層，防止所述P型埋層 的P型雜質離子注入到有源區(qū)；形成淺槽場氧，即在圖2A中淺溝槽隔離中填入場氧。工藝步驟二、如圖2B所示，形成集電區(qū)201，在所述有源區(qū)中進行P型雜質離子注入形成，所述P型雜質離子注入采用MOSFET中P阱注入工藝，此注入分三步，注入雜質 為硼，第一步注入的劑量為lel2 5el3Cm_2、能量為200 300keV ；第二步注入的劑量為 5ell 5el3cm_2、能量為25 200keV ；第三步注入的劑量為Iell lel3cm_2、能量為5 25keV ；或者僅取上述的第二步與第三步注入。形成所述集電區(qū)201的同時在其淺槽隔離的 另一側的有源區(qū)202也進行了 P型雜質離子注入形成所述集電區(qū)201的引出區(qū)。利用退火 工藝使所述集電區(qū)201的P型埋層101通過縱向和橫向擴散進入到所述有源區(qū)并和所述集 電區(qū)201和有源區(qū)202相連接。工藝步驟三、如圖2C所示，形成基區(qū)301，通過在所述集電區(qū)201上部進行N型雜 質離子注入形成，所述N型雜質離子注入采用形成N型MOSFET中的LDD注入工藝，注入的 雜質為磷或者砷、劑量為5el2 lel5Cm_2、能量為10 60keV，其注入區(qū)用光阻定義。工藝步驟四、如圖2D所示，先淀積一層氧化膜404和多晶硅，該多晶硅層也可不 做，利用刻蝕工藝將集電區(qū)打開即去除所述基區(qū)301上部生長的氧化膜404和多晶硅，再在 所述基區(qū)301上部形成P型外延層，采用NPN三極管的P型的基區(qū)外延層工藝，摻雜為本證 摻雜、摻入的雜質為硼，形成于基區(qū)301上部和基區(qū)連接P型外延層401為單晶結構、和場 氧連接的P型外延層402為多晶結構，所述P型外延層為硅外延層、鍺硅外延層或者鍺硅碳 外延層之一。工藝步驟五、如圖2E所示，P型外延層401和402上形成10 50納米厚的氧化 硅層501和10 50納米厚的氮化硅層502，然后刻蝕，僅留下所述P型外延層401上的氧 化硅層501和氮化硅層502，從而實現所述發(fā)射區(qū)401與隨后淀積的150 350納米多晶硅 503的隔離，用以作為所述發(fā)射區(qū)602的屏蔽層，氧化硅層501和氮化硅層502所覆蓋的區(qū) 域可以與有源區(qū)即集電區(qū)201—樣大小或者比有源區(qū)小，也可以比有源區(qū)大，但不能大太 多。采用N型在位摻雜或不摻雜在所述P型外延層402以及所述P型外延層401的屏蔽層 上淀積一層150 350納米厚多晶硅503，所摻雜質可選用磷或者砷。然后再通過高劑量N 型注入來改變所述多晶硅503的形態(tài)和減小其電阻，所述N型注入可以是單獨的對此多晶 硅503的注入，也可以在NMOS的源漏注入時一起注入，或者兩個注入都注入到這個多晶硅 區(qū)域。摻雜區(qū)域可用光阻來定義；僅僅對本發(fā)明所述的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三 極管而言，也可以不用光阻，對這個區(qū)域進行普注。所述N型源漏的重型摻雜注入即NMOS 的源漏注入分為兩步，第一步注入雜質為磷、劑量為lel2 IeHcm 2、能量為20 60keV， 第二步注入雜質為磷或者砷、劑量為lel4 lel6Cm_2、能量為5 50keV。工藝步驟六、如圖2F所示，形成發(fā)射區(qū)602，由所述P型外延層401未反型部分 再注入高劑量的P型雜質進行重摻雜后形成?？涛g氧化硅層603即圖2E所示的氧化硅層 501、氮化硅層604即圖2E所示的氮化硅層502以及其上面的多晶硅層，形成一發(fā)射區(qū)602 的窗口，通過該窗口對所述發(fā)射區(qū)602注入高劑量的P型雜質進行重摻雜，所注入高劑量的 P型雜質是硼、氟化硼或者銦，這步注入可以使用NPN三極管的非本征基區(qū)注入，注入劑量 為 lel5Cm_2、能量為5 60keV。利用退火最終形成所述發(fā)射區(qū)602。所述發(fā)射區(qū) 602的摻雜濃度大于通過NLDD摻雜的所述基區(qū)301的摻雜濃度，使形成的發(fā)射區(qū)和基區(qū)間 的PN結在縱向推進到LDD區(qū)域。同時退火推進使所述多晶硅503的N型雜質發(fā)生縱向和 橫向的擴散，使所述P型外延層402及與其相連的所述P型外延層401的邊緣部分反型為N 型外延層，反型后形成N型多晶硅601，通過所述N型多晶硅601和所述基區(qū)301相連。最后，如圖1所示，通過有源區(qū)202、反射區(qū)602、在所述N型多晶硅601上做金屬接觸分別引 出所述集電區(qū)201、發(fā)射區(qū)602和基區(qū)301。如圖3A和:3B所示，分別為TCAD模擬的本發(fā)明實施例的BiCMOS工藝中的寄生垂 直型PNP三極管的Gummel曲線和增益曲線，可以看出通過淺槽高劑量注入的雜質有效地 減少了集電極連接電阻；用于連接基區(qū)的呈多晶態(tài)的P型硅外延層、鍺硅外延層或者鍺硅 碳外延層被有效地反型成N型并成功實現對N型基區(qū)的連接；硅外延層、鍺硅或者鍺硅碳外 延層作為發(fā)射區(qū)，有效地與NLDD注入形成的基區(qū)形成發(fā)射區(qū)-基區(qū)結。器件的最大增益也 實現了 16以上。以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限 制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應 視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，其特征在于，有源區(qū)由淺槽場氧隔離， 包括一集電區(qū)，由形成于第一個有源區(qū)中的一 P型雜質離子注入層構成，所述集電區(qū)底部 連接一 P型埋層，所述P型埋層形成于所述集電區(qū)兩側的淺槽底部的，所述P型埋層還和第 二個有源區(qū)相連，所述第二個有源區(qū)為和所述第一個有源區(qū)通過所述P型埋層所對應的溝 槽相隔離的有源區(qū)，通過在所述第二個有源區(qū)形成P型雜質離子注入層并做金屬接觸引出 所述集電區(qū)；一基區(qū)，由形成于所述集電區(qū)上部并和所述集電區(qū)連接的一N型雜質離子注入層構成；一發(fā)射區(qū)，由所述基區(qū)上部的P型外延層構成，所述P型外延層為硅外延層、鍺硅外延 層或者鍺硅碳外延層，所述發(fā)射區(qū)直接通過一金屬接觸引出；所述基區(qū)上部的P型外延層部分反型為N型，用作所述基區(qū)的連接。
2.如權利要求1所述的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，其特征在于所述集 電區(qū)的P型雜質離子注入層是利用MOSFET中P阱注入工藝實現，此注入分三步，注入雜質 為硼，第一步注入的劑量為lel2 5el3Cm_2、能量為200 300keV ；第二步注入的劑量為 5ell 5el3cm_2、能量為25 200keV ；第三步注入的劑量為Iell lel3cm_2、能量為5 25keV ；或者所述P型雜質離子注入層僅取上述的第二步與第三步注入形成。
3.如權利要求1所述的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，其特征在于所述集 電區(qū)的P型埋層離子注入劑量為lel4 lel6cm_2。
4.如權利要求1所述的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，其特征在于所述基 區(qū)的N型雜質離子注入層是采用NMOS管的NLDD注入形成，注入的雜質為磷或者砷、劑量為 5el2 lel5cm_2、能量為 10 60keV。
5.如權利要求1所述的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，其特征在于所述基 區(qū)上部的P型外延層為本證摻雜、摻入的雜質為硼、摻雜方法采用NPN三極管的P型的基區(qū) 外延層工藝；形成所述發(fā)射區(qū)的P型外延層要在本征摻雜的基礎上再通過NPN三極管的非 本征基區(qū)注入進行P型重摻雜，該注入雜質為硼、氟化硼或者銦、劑量為M12 lel5CnT2、 能量為5 60keV。
6.如權利要求1所述的BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，其特征在于所述基 區(qū)上部的P型外延層部分反型為N型的方法為在其上面淀積一層多晶硅，然后進行N型源 漏的重型摻雜注入，并利用雜質在多晶硅中的高溫快速擴散特性，借助熱退火推進雜質均 勻分布整個多晶硅，而使原來是P型外延層反型為N型，實現與N型基區(qū)的連接；所述N型 源漏的重型摻雜注入分為兩步，第一步注入雜質為磷、劑量為lel2 lel4cm 2、能量為20 60keV，第二步注入雜質為磷或者砷、劑量為lel4 lel6cm_2、能量為5 50keV。
7.一種BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的制造方法，其特征在于在硅襯底上形成有源區(qū)和淺槽；形成集電區(qū)的P型埋層，是通過在所述淺槽底部注入劑量為lel4 IeiecnT2的P型雜 質離子形成的；形成淺槽場氧；形成集電區(qū)，通過在所述有源區(qū)中進行P型雜質離子注入形成，所述P型雜質離子注入采用MOSFET中P阱注入工藝，利用退火工藝使所述集電區(qū)的P型埋層橫向擴散到所述有源 區(qū)并和所述集電區(qū)相連接；形成基區(qū)，通過在所述集電區(qū)上部進行N型雜質離子注入形成；在所述基區(qū)上部形成P型外延層，并進行本征摻雜、所摻入的雜質為硼；所述P型外延 層為硅外延層、鍺硅外延層或者鍺硅碳外延層；使所述基區(qū)上部的P型外延層部分反型為N 型；形成發(fā)射區(qū)，所述基區(qū)上部的P型外延層注入高劑量的P型雜質進行重摻雜形成，所注 入高劑量的P型雜質是硼、氟化硼或者銦；形成所述集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)的金屬接觸。
8.如權利要求7所述的BiCMOS工藝中的PNP三極管的制造方法，其特征在于所述集 電區(qū)的P型雜質離子注入采用MOSFET中P阱注入工藝，此注入分三步，注入雜質為硼，第 一步注入的劑量為lel2 5el3cm_2、能量為200 300keV ；第二步注入的劑量為5ell 5el3cm_2、能量為25 200keV ；第三步注入的劑量為Iell lel3cm_2、能量為5 25keV ； 或者僅取上述的第二步與第三步注入。
9.如權利要求7所述的BiCMOS工藝中的PNP三極管的制造方法，其特征在于所述基 區(qū)的N型雜質離子注入采用NMOS管的NLDD注入，注入的雜質為磷或者砷、劑量為 lel5cm_2、能量為 10 60keV。
10.如權利要求7所述的BiCMOS工藝中的PNP三極管的制造方法，其特征在于在所 述基區(qū)上部形成P型外延層采用NPN三極管的P型的基區(qū)外延層工藝，其本征摻雜、厚度 以及雜質的分布情況由NPN三極管的性能決定；所述發(fā)射區(qū)的重摻雜采用NPN三極管的非 本征基區(qū)注入工藝，該注入雜質為硼、氟化硼或者銦、劑量為M12 lel5Cnr2、能量為5 60keVo
11.如權利要求7所述的BiCMOS工藝中的PNP三極管的制造方法，其特征在于所述基 區(qū)上部的P型外延層部分反型為N型的方法為在其上面淀積一層多晶硅，然后進行N型源 漏的重型摻雜注入，并利用雜質在多晶硅中的高溫快速擴散特性，借助熱退火推進雜質均 勻分布整個多晶硅，而使原來是P型外延層反型為N型，實現與N型基區(qū)的連接；所述N型 源漏的重型摻雜注入分為兩步，第一步注入雜質為磷、劑量為lel2 lel4cm 2、能量為20 60keV，第二步注入雜質為磷或者砷、劑量為lel4 lel6cm_2、能量為5 50keV。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管，包括集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)。集電區(qū)由有源區(qū)中的P型雜質離子注入層構成，底部連接一形成于淺槽底部的P型埋層，通過P型埋層和集電區(qū)相鄰的有源區(qū)的連接引出集電區(qū)?；鶇^(qū)由集電區(qū)上部的N型雜質離子注入層構成，通過基區(qū)上部的P型外延層反型后引出。發(fā)射區(qū)為基區(qū)上部的P型外延層進行重摻雜后形成。本發(fā)明還公開了該BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的制造方法。本發(fā)明器件能用作高速、高增益BiCMOS電路中的輸出器件、為電路提供多一種器件選擇；本發(fā)明還能降低生產成本。
文檔編號H01L29/732GK102110709SQ20091020203
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月24日 優(yōu)先權日2009年12月24日
發(fā)明者劉冬華, 朱東園, 胡君, 范永潔, 邱慈云, 錢文生 申請人:上海華虹Nec電子有限公司