專利名稱：：有效面積大和sbs閾值高的光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及高SBS閾值光纖，本發(fā)明尤其涉及有效面積大的高SBS閾值光纖。2.
背景技術(shù)：
：在許多光學(xué)傳輸系統(tǒng)中，受激Brillouin散射(SBS)是主要的非線性損失。在眾多系統(tǒng)中，希望向光纖發(fā)射大功率，同時保持高信噪比(SNR)。然而，由于射入光纖的入射信號的發(fā)射功率或信號功率增大，發(fā)射功率會超過一定閾值功率，由于SBS，部分信號功率被反射為反射信號。這樣，由于SBS，大量信號功率會不希望地朝發(fā)射機(jī)反射回去。此外，該散射過程還增大了信號波長的噪聲電平。信號功率減小和噪聲增大共同降低了SNR，導(dǎo)致性能劣化。在有限溫度下，玻璃中出現(xiàn)熱激發(fā)，類似于晶體中的聲子，而這些振動模式與低強(qiáng)度信號光相互作用，就產(chǎn)生自發(fā)的Brillouin散射。由于強(qiáng)烈入射與自發(fā)反射光的沖擊引起了壓力波或聲波，強(qiáng)光場通過電致伸縮生成壓力波或聲波，。壓力變化使材料密度變化，從而造成折射率擾動。最終結(jié)果是光波的強(qiáng)電場分量生成造成密度擾動壓力波或聲波。聲波改變了折射率，并通過布拉格衍射增強(qiáng)反射的光幅值。高于光纖的SBS閾值，受激光子數(shù)極高，形成限制了發(fā)射的光功率的強(qiáng)反射場，且降低了SNR。
發(fā)明內(nèi)容本文揭示一種對Brillouin散射具有高閾值的波導(dǎo)光纖。該光纖較佳地具有大的光學(xué)有效面積。該光纖可引導(dǎo)至少一種光學(xué)模式和多種聲學(xué)模式，包括LQ1聲學(xué)模式與L。2聲學(xué)模式。光纖包括具有折射率分布曲線與中心線的纖芯和包圍并直接鄰近纖芯的包層。在一組實施例中，這里揭示的光纖包括一段長度；具有折射率分布曲線與中心線的纖芯，該纖芯包括具有最大相對折射率A皿x的中心區(qū)、包圍并直接鄰接中心區(qū)的中間區(qū)，中間區(qū)具有最小相對折射率A皿,，和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)，外區(qū)具有最大相對折射率A遍x，其中A1MX>A2MIN，iA3MX>A2訓(xùn)；以及包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中光纖在1550nm有衰減；其中選擇纖芯的折射率以提供大于約9.3+log[(l-e—(°.19)(5°)/4.343)/(l-e—(a)(L)/4.343)]的、按dBm為單位的絕對SBS閾值，式中L是按km為單位的長度，a為按dB/km為單位的1550nm處的衰減。較佳地，選擇纖芯的折射率以在1550nm處提供大于80ym2的光學(xué)有效面積。較佳地，選擇纖芯的折射率以提供1400nm以下的零色散波長。較佳地，選擇纖芯的折射率以在1550nm波長提供大于15ps/nm-km的色散。較佳地，選擇纖芯的折射率以在1550nm提供小于0.07ps/nm2-km的色散斜率。在諸較佳實施例中，A1MX>0.4%。較佳地，按dBm為單位的絕對SBS閾值大于約9.5+log[(l-e—(°.19)(5°)/4.343)/(l-e—(a)(L)/4.343)]。較佳地，在1550nm的衰減小于0.23dB/km，更佳地，小于0.22dB/km，還更佳地，小于0.21dB/km，而再更佳地，小于0.2dB/km。較佳地，A1MX>0，Amx>O，且A漏>0。較佳地，整個纖芯相對于包層的折射率大于O。在實施例的一個分組中，A皿x大于A3MAX。在另一分組中，A皿x基本上等于A3MAX。在再一分組中，A麗小于A靈。較佳地，IA皿廠A扁I>0.25%，更佳地A應(yīng)-A漏>0.25%。較佳地，A歷<0.4%，更佳地，A歷在O.1和0.4%之間。在有些較佳實施例中，A漏在0.1和0.3X之間。在其它較佳實施例中，A，w在0.2和0.3%之間。較佳地，|A靈-A扁I>0.10%，更佳地A通廠A扁>0.10%。在諸較佳實施例中，厶麗>0.4%，A皿x-A歷〉0.25X，A歷在0.1和0.4X之間，而A通x-A歷〉0.10%。在諸較佳實施例中，按dBm為單位的絕對SBS閾值大于約在有些較佳實施例中，光學(xué)有效面積在1550nm處大于90iim2。在其它較佳實施例中，1550nm的光學(xué)有效面積大于100ym2。在有些較佳實施例中，零色散波長在1230和1400nm之間。在另一些較佳實施例中，零色散波長在1230和1340nm之間，在還有一些較佳實施例中，零色散波長在1280和1340nm之間。較佳地，該光纖引導(dǎo)至少一種光學(xué)模式和多個聲學(xué)模式，包括U聲學(xué)模式與U聲學(xué)模式，其中LQ1聲學(xué)模式具有在光纖的Brillouin頻率處不小于170ym2的第一聲光有效面積AOEA區(qū)，，而其中L。2聲學(xué)模式具有在光纖的Brillouin頻率處不小于170ym2的第二聲光有效面積AOEAM2。較佳地，O.4<AOEAM1/AOEAM2<2.5。在諸較佳實施例中，1550nm的光學(xué)有效面積大于80ym2而小于120ym2。本文揭示的一種光通信系統(tǒng)，包括發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和光學(xué)連接發(fā)射機(jī)與接收機(jī)的光學(xué)傳輸線，光學(xué)傳輸線包括本文揭示的光學(xué)連接第二光纖的光纖，第二光纖在1550nm的色散在-70和-150ps/nm-km之間。在另一組實施例中，本文揭示的光纖包括一段長度；具有折射率分布曲線與中心線的纖芯，纖芯具有最大相對折射率A皿，其中A皿X).4X，和包圍并直接鄰接纖芯的包層，其中光纖在1550nm有衰減，而選擇纖芯的折射率以提供大于按dBm為單位的約9.8+log[(1-e—(o.19)(50)/4.343)/(1-e—(a)(L)/4.343)]的絕對SBS閾值(d3)，式中L是按km為單位的長度，a為1550nm處按dB/km為單位的的衰減。在諸較佳實施例中，A皿位于O和1Pm之間的半徑處。較佳地，選擇纖芯的折射率以在1550nm提供大于80ym2的光學(xué)有效面積。在諸較佳實施例中，按dBm為單位的絕對SBS閾值大于約10.0+log[(l-e—(°19)(5°)/4343)/(1-e-(a)(L)/4.343)]。較佳地，1550nm的衰減小于0.23dB/km，更佳地，小于0.22dB/km，還更佳地，小于0.21dB/km，再更佳地，小于0.2dB/km。在有些較佳實施例中，1550nm的衰減小于0.19dB/km。在有些較佳實施例中，光纖在1380iim的衰減不大于0.3dB，但大于1310ym的衰減。較佳地，整個纖芯相對于包層的折射率大于0%。在有些較佳實施例中，實質(zhì)上所有，且較佳地所有纖芯的相對折射率都具有a小于l的a分布曲線。在另一些較佳實施例中，纖芯包括中心區(qū)和包圍并直接鄰接該中心區(qū)的外區(qū)，其中中心區(qū)包括AMX。在還有一些較佳實施例中，纖芯包括具有最大相對折射率A1MX的中心區(qū)、包圍并直接鄰接中心區(qū)的中間區(qū)和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)，中間區(qū)具有最小相對折射率A扁，外區(qū)具有最大相對折射率A靈，其中A皿x〉A(chǔ)漏，且厶靈>A扁。較佳地，A皿x>0，A連〉0，且A歷〉0。在實施例的一個分組中，A皿x大于A通x。在另一分組中，A皿x基本上等于A3MAX。在又一分組中，A麗小于A靈。較佳地，IA麗-A扁I>0.25%，更佳為A應(yīng)-A漏>0.25%。較佳地，A歷<0.4%，更佳地，A歷在O.1和0.4%之間。在有些較佳實施例中，A漏在0.1和0.3X之間。在其它較佳實施例中，A，w在0.2和0.3%之間。較佳地，IA通廠A歷I>0.10%，更佳為A靈-A扁>0.10%。本文揭示的一種光通信系統(tǒng)，包括發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和光學(xué)連接發(fā)射機(jī)與接收機(jī)的光學(xué)傳輸線，該光學(xué)傳輸線包括本文描述的光學(xué)連接第二光纖的光纖，第二光纖在1550nm的色散在-70和-150psnm-km之間。較佳地，該光纖引導(dǎo)至少一種光學(xué)模式和多種聲學(xué)模式，包括U聲學(xué)模式與U聲學(xué)模式，其中LQ1聲學(xué)模式具有在光纖的Brillouin頻率處不小于170ym2的第一聲光有效面積A0EA^，其中L。2聲學(xué)模式具有在光纖的Brillouin頻率處不小于170ym2的第二聲光有效面積A0EAL。2。較佳地，O.4<A0EA區(qū)/A0EAl。2<2.5。在諸較佳實施例中，在1550nm的光學(xué)有效面積大于80ym2而小于120ym2。光纖較佳地具有小于1400ym的零色散波長(即色散零或入。)，更佳地小于1340iim。較佳地，光纖在1550nm波長的色散在15和21ps/nm-km之間。在諸較佳實施例中，光學(xué)模式在1550nm的有效面積大于80ym2;LQ1聲學(xué)模式具有在光纖的Brillouin頻率處不小于170ym2的第一聲光有效面積A0EAM1;L。2聲學(xué)模式具有在光纖的Brillouin頻率處不小于170ym2的第二聲光有效面積A0EA，，而且0.4<A0EAL(11/A0EAL。2<2.5。較佳地，A0EAL01和A0EAL02在光纖的Brillouin頻率處都不小于180iim2。更佳地，A0EAL01和A0EAL02在光纖的Brillouin頻率處都不小于190ym2。在1550nm的衰減，較佳地小于0.23dB/km，更佳地小于0.22dB/km，甚至更較較地小于0.21dB/km，再更佳地小于0.2dB/km。在有些較佳實施例中，1550ym的衰減小于0.19dB/km。諸較佳實施例中，在1310和1340nm之間，而更佳地在1320和1340nm之間的波長范圍內(nèi)，光纖具有零色散。在其它較佳實施例中，在低于1320nm波長而更佳地在1290和1320nm之間的范圍內(nèi)，光纖具有零色散。在有些較佳實施例中，光纖在1550nm波長的色散在15和17ps/nm-km之間。在其它較佳實施例中，光纖在1550nm波長的色散在17和20psnm-km之間。在有些較佳實施例中，光纖的光學(xué)有效面積大于85iim2。在其它較佳實施例中，光纖的光學(xué)有效面積大于95ym2。在還有一些較佳實施例中，光纖的光學(xué)有效面積大于100踐2。光纖在1550nm的針陣列彎曲損失，較佳地小于15dB，更佳地小于10dB。光纖的橫向負(fù)載衰減較佳地小于ldB/m，更佳地小于0.7dB/m。在諸較佳實施例中，纖芯包括從中心線延伸到lym半徑的第一部分，該第一部分的相對折射率大于0.25%而小于0.5%。本文描述和揭示的光纖，較佳地在約1260和約1650nm之間的多個工作波長窗口處具有合適的性能。更佳地，本文描述和揭示的光纖，在約1260到約1650nm之間的多個波長處具有合適的性能。在一較佳實施例中，本文描述和揭示的光纖是一雙窗光纖，適合工作于至少1310nm窗與1550nm窗。下面將詳細(xì)參照本發(fā)明目前的諸較佳實施例，在附圖中示出諸實施例的例子。附圖簡介圖i示出折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第一組較佳實施例；圖2示出折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第二組較佳實施例；圖2A-2C示出另一條折射率分布曲線，對應(yīng)于圖2的第2組較佳實施例；圖3示出圖1和2的諸較佳實施例的折射率相對于半徑的變化；圖4是本文揭示的波導(dǎo)光纖的較佳實施例的示意截面圖5是應(yīng)用本文揭示的光纖的光纖通信系統(tǒng)的示意圖；圖6-ll和圖11A-11D示出各條折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第三組較佳實施例；圖12-15和15A-15F示出各條折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第四組較佳實施例；圖16示出各條折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第五組較佳實施例；圖17示出各條折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第六組較佳實施例；圖18示出各條折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第七組較佳實施例；圖19示出各條折射率分布曲線，對應(yīng)于本文揭示的波導(dǎo)光纖的第八組較佳實施例；圖20是測量SBS閾值的代表性測量系統(tǒng)示意圖；圖21是代表性光纖SBS閾值測量的反向散射功率與輸入功率曲線及其一階與二階導(dǎo)數(shù)；和圖22示意地表示應(yīng)用本文揭示光纖的光通信系統(tǒng)。較佳實施例的詳細(xì)描述下面的詳述將提出本發(fā)明的附加特征與優(yōu)點(diǎn)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過該描述顯然會明白，或通過實踐以下描述和結(jié)合權(quán)項與附圖所描述的本發(fā)明而認(rèn)識這些特征和優(yōu)點(diǎn)。"折射率分布曲線"是折射率或相對折射率與波導(dǎo)光纖半徑之間的關(guān)系。定義"相對折射率百分比"為A%=100X(nX)/2n/，其中是i區(qū)內(nèi)的最大折射率，除非另有說明，而n。是包層區(qū)的平均折射率。如本文中應(yīng)用，A代表相對折射率，并按"％"為單位給出其值，除非另有說明。在某一區(qū)的折射率小于包層區(qū)平均折射率的情況中，相對折射率百分比為負(fù)，被認(rèn)為具有降低區(qū)或降低折射率，并在相對折射率最負(fù)的點(diǎn)進(jìn)行計算，除非另有說明。在某一區(qū)的折射率大于包層區(qū)平均折射率的情況中，相對折射率百分比為正，可把該區(qū)說成抬高了，或具有正折射率。這里的"上摻雜劑"被認(rèn)為是一種相對于非摻雜的純Si02具有提高折射率傾向的摻雜劑。這里的"下?lián)诫s劑"被認(rèn)為是一種相對于非摻雜的純Si02具有降低折射率傾向的摻雜劑。在伴有一種或多種不是上摻雜劑的其它摻雜劑時，上摻雜劑可以出現(xiàn)在光纖內(nèi)具有負(fù)相對折射率的區(qū)域。同樣地，一種或多種不是上摻雜劑的其它摻雜劑可以出現(xiàn)在光纖內(nèi)具有正相對折射率的區(qū)域。當(dāng)伴有一種或多種不是下?lián)诫s劑的其它摻雜劑時，下?lián)诫s劑可以出現(xiàn)在光纖內(nèi)具有正相對折射率的區(qū)域里。同樣地，一種或多種不是下?lián)诫s劑的其它摻雜劑可以出現(xiàn)在光纖內(nèi)具有負(fù)相對折射率的區(qū)域里。波導(dǎo)光纖的"色散現(xiàn)象"(本文稱為"色散"，除非另有注釋)，是材料色散、波導(dǎo)色散與中間模態(tài)色散的總和。在單模波導(dǎo)光纖的情況中，中間模態(tài)色散為零。零色散波長是色散為零值的波長，色散斜率為色散相對于波長的變化速率。定義"有效面積"為Aeff=2Ji(/f2rdr)7(/f4rdr)，式中積分限為0①，f是與波導(dǎo)中傳播的光有關(guān)的電場的橫向分量。如在本文中使用，"有效面積"或"Aeff"指在1550nm波長的光學(xué)有效面積，除非另有注釋。術(shù)語"a分布曲線"指用按％為單位的A(r)表示的相對折射率分布曲線，其中r為半徑，符合下述公式A(r)=A(r0)(1_[|r_r01/(r「r。)]a)，式中r0是A(r)最大的點(diǎn)，rl是A(r)X為零的點(diǎn)，而且r在范圍ri《r<rf內(nèi)，其中定義A如上，ri是a分布曲線的始點(diǎn)，ff是a分布曲線的終點(diǎn)，a為實數(shù)的指數(shù)。用PetermanII法測量模場直徑(MFD)，其中2w=MFD，w2=(2/f2rdr//[df/dr]2rdr)，積分限為0①?？稍谝?guī)定的測試條件下通過感應(yīng)的衰減來計量波導(dǎo)光纖的抗彎性?！N彎曲測試是橫向負(fù)載微彎曲測試。在該所謂的"橫向負(fù)載"測試中，在兩塊平板之間放一段規(guī)定長度的波導(dǎo)光纖，對一塊板連接70號金屬絲網(wǎng)，把長度已知的波導(dǎo)光纖夾在板間，在以30牛頓力將板壓在一起時測量參考衰減。然后對板加70牛頓力，測量按dB/m為單位的衰減增大，衰減增大就是波導(dǎo)的橫向負(fù)載衰減。"針陣列"彎曲測試用來比較波導(dǎo)光纖對彎曲的相對耐力。為執(zhí)行該測試，對基本上無感應(yīng)彎曲損失的波導(dǎo)光纖測量衰減損失。然后圍繞針陣列編織波導(dǎo)光纖，再測量衰減。彎曲造成的損失是兩次測量的衰減之差。針陣列是在平表面上排成單行且保持固定垂直位置的10根柱針的一個組。針中心到中心的間距為5mm。針直徑為0.67mm。測試中施加足夠的張力，使波導(dǎo)光纖與一部分針表面一致。對一給定模式而言，理論光纖截止波長或"理論光纖截止"或"理論截止"就是高于該波長引導(dǎo)的光便不能以該模式傳播的波長?？梢栽赟ingleModeFiberOptics(Jeunhomme，pp.39—44，MarcelDekker，NewYork,1990)中找至U—禾中數(shù)學(xué)定義，其中把理論光纖截止描述為模傳播常數(shù)變成等于外包層內(nèi)的平面波傳播常數(shù)時的波長。該理論波長適合直徑不變的無限長、完全端直的光纖。有效光纖截止低于理論截止，因為彎曲和/或機(jī)械壓力會造成損失。在這方面，截止指更高的LP11和LP02模式。在測量中一般不區(qū)分LP11與LP02，但在光譜測量中，二者顯然為臺階，即在波長長于被測截止時，該模式中看不到功率?？捎脴?biāo)準(zhǔn)的2m光纖截止測試FOTP-80(EIA-TIA-455-80)來測量實際的光纖截止，以得出"光纖截止波長"，也稱為"2m光纖截止"或者"被測的截止"。執(zhí)行FOTP-80標(biāo)準(zhǔn)測試法，以便用受控的彎曲量剝出高次模，或者將光纖的光譜響應(yīng)規(guī)格化為多模光纖的光譜響應(yīng)。由于纜線環(huán)境中更高等級的彎曲與機(jī)械壓力，纜線截止波長或"纜線截止"甚至比被測的光纖截止更低。可用EIA-445光纖測試步驟(是EIA-TIA光纖標(biāo)準(zhǔn)的組成部分，即電子工業(yè)聯(lián)盟一電信工業(yè)協(xié)會光纖標(biāo)準(zhǔn)，常稱為FOTP)所描繪的纜線截止測試法近似實際的纜線條件。在EIA-455-170CableCutoffWavelengthofSingle-modeFiber,或"FITP-170"中，用被發(fā)射功率描述纜線截止測量。K是色散除以特定波長色散斜率的比值。除非另有注釋，本文報道1550nm波長的K。除非另有注釋，本文報道LP01模的光學(xué)特性(如色散、色散斜率等)。波導(dǎo)光纖電信鏈路或簡稱鏈路，由光信號發(fā)射機(jī)、光信號接收機(jī)和一段波導(dǎo)光纖組成，或光纖各自的端部光耦至發(fā)射機(jī)和接收機(jī)以在其間傳播光信號。波導(dǎo)光纖的長度由多條較短的長度組成，這些短長度以端對端串聯(lián)方式拼接或連接在一起。鏈路包括其它光學(xué)元件，諸如光學(xué)放大器、光學(xué)衰減器、光學(xué)隔離器、光學(xué)開關(guān)、光學(xué)濾波器或復(fù)用器或者分路器?？蓪⒁唤M互連的鏈路表示為一電信系統(tǒng)。本文所用的光纖跨度包括一段光纖或者多段融接串聯(lián)在一起的光纖，這些光纖在光學(xué)設(shè)備之間延伸，例如在兩個光學(xué)放大器之間，或在復(fù)用器與光學(xué)放大器之間。延伸跨度可包括如本文揭示的光纖的一個或多個分段，還可包括其它光纖的一個或多個分段，例如選成實現(xiàn)期望的系統(tǒng)性能或參數(shù)，諸如跨度端部的殘余色散?？啥x各種波長波段或工作波長范圍或波長窗如下"1310nm波段"為1260到1360nm;"E-波段"為1360到1460nm;"S-波段"為1460到1530nm;"C-波段"為1530到1565nm;"L-波段"為1565到1625nm;以及"U-波段"為1625到1675nm。當(dāng)光波在出現(xiàn)聲模的光波導(dǎo)中傳播時，通過相位與波矢量匹配條件確定散射光頻率<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中Ei和E2分別是入射光波和反射光波的電場，wi和w2是各自的頻率，k工和LUU加」q=k「k2Iql-K!+K2S2Brillouin頻率為Q=|q|vQ=2nv"/c大塊硅石的Brilloain頻率約為llGHz，v是聲速。描繪三維Brillouin散射的電場為；入射場；f,(z力=/(04(z,《)exp[!化2-6^)]+反射場；f2(2,0=/('';M2(z，0exp|XA:2z—GV)〗+c.c,其中f(r)是對應(yīng)于基模場的電場的橫向分量，Ajz，t)是電場包絡(luò)。項"c.c."表示第一項的復(fù)數(shù)共軛。材料密度變化表示為》O%0,《,z)=/7o+Z。/B"(;%0)exp[i(9II2-QIIf)]+c.c.式中qn是波數(shù)，P。是平均材料密度，Qn是聲模L。n的聲頻，其中c.c.為復(fù)數(shù)共軛。對材料密度變化，該和值針對"n"個弱引導(dǎo)的聲模，4a(r)為聲學(xué)包絡(luò)函數(shù)，而^是模"n"的模態(tài)系數(shù)。材料密度遵循下式表示的聲波公式祭—r.《_z￡^改2改8;r式中r'是阻尼參數(shù)，L是電致伸縮常數(shù)，v為聲速:于是給出聲場為("、*列',o&:e&/。W輛邵/"-崎Vn乂=〔W"邵/"《？2-式中..8"。r-其中fna(r)為聲模Lon的橫向分j是聲場的總橫向分量。聲場造成的折射率變化近似正比于聲場幅值A(chǔ)noc^，應(yīng)用普通的擾動理論，傳播常數(shù)變化為:，k是正比于光纖電致伸縮系數(shù)的常數(shù)，Pa(r)a々-"j緣"2^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>該過程的非線性和有效克爾(Kerr)系數(shù)為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中定義L。n模的聲光有效面積為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>在光纖的Brillouin頻率處計算聲光有效面積值:光學(xué)有效面積為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>這兩個有效面積具有相同分子，而聲光有效面積的分母是聲場與光場之間重迭的由于該重迭項在分母中，故很小的重迭導(dǎo)致大的聲光有效面積。由類似于Raman放大的公式?jīng)Q定SBS增益系數(shù)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>=-艦=-微忍5式中k。是光波數(shù)，Y是電致伸縮系數(shù)，P。為密度，n為折射率，Q是Brillouinr為Brillouin線寬。SBS閾值反比于SBS增益系數(shù)與線寬r的乘積，故SBS增益系數(shù)和線寬應(yīng)盡量大些c0126我們設(shè)計的波導(dǎo)具有堅實的光學(xué)特性和大的聲光有效面積。大量制作的光纖的測結(jié)果驗證了聲光有效面積與以上給出的SBS增益系數(shù)之間的連接c0127因為:相對特定波長下，在光學(xué)上為單模的波導(dǎo)光纖，在同一光波長下在聲學(xué)上可以是多模，寸應(yīng)于Brillouin頻率的聲波長為0.55微米量級，比一般的波導(dǎo)光纖尺度小得多。在'氐的發(fā)射功率下的自發(fā)Brillouin散射的情況中，通過每個聲模Brillouin散射入射光場，而Brillouin增益譜示出一些峰，這些峰對應(yīng)于與各聲?；プ饔玫墓鈭觥Ｔ谙喈?dāng)高發(fā)射功率下，超出SBS閾值，聲模中之一通常成為主聲模，而其它聲模經(jīng)受不住模競爭，導(dǎo)致出現(xiàn)受激的Brillouin散射。隨著光學(xué)模場與聲學(xué)模場間的耦合增強(qiáng)，相對于光信號傳輸方向不希望地反射更多的光功率。如本文揭示的那樣，較佳地通過本文揭示的光纖的折射率分布曲線而減弱光模與聲模間的耦合。較佳地，光模場保持?jǐn)U展，而聲場變成更嚴(yán)格地受約束而減少光模場與聲場間的重迭。本文揭示的光纖可將主聲模場(通常為LQ1)的模場拉向光纖中心線，從而減弱聲場與光場間的耦合。本文揭示的光纖較佳地還將下一主聲模場(一般為LJ拉向光纖中心線，導(dǎo)致減少該一下主聲模場與光場間的耦合。—般，與光場相比，光纖中的聲場被局限于(一般更局限于)鄰近光纖中心線。因此在光纖纖芯的中心部分，聲場特性明顯受到光纖纖芯2微米半徑區(qū)內(nèi)因而在纖芯折射率分布曲線內(nèi)的密度變化的影響。我們發(fā)現(xiàn)，為實現(xiàn)高SBS閾值光纖，光纖的最小聲光面積應(yīng)盡可能地大。但我們還發(fā)現(xiàn)，主聲模(一般為L?！返穆暪饷娣e與第二主聲模(一般為L。2)的聲光面積通常在幅值上應(yīng)盡可能的相互接近。不受任何具體理論的限制，這兩種模的聲光面積值的相對接近，似乎能分離這兩種聲模間的光聲耦合，從而以某種方式協(xié)合減弱總耦合，這是簡單地?fù)碛蟹禈O大的一個聲光面積而另一個聲光面積比該極大聲光面積小得多的方法所做不到的。而且，該光場還可耦合兩種以上的聲模，從而為耗散反射信號提供附加通路。本文揭示的光纖的Brillouin頻率較佳地在10到12GHz之間。本文揭示的光纖包括纖芯和包圍并直接鄰近該纖芯的包覆層(即包層)。包層的折射率分布曲線為A^(r)，較佳地，整個包層的AaAD(r)=0。纖芯包括折射率分布曲線A^(r)，按^為單位的纖芯的最大相對折射率A皿出現(xiàn)在半徑r,皿處。在諸較佳實施例中，纖芯包括多個芯部，每一芯部具有各自的折射率分布曲線，例如，AroKE1(r)、AroKE2(r)等。各芯部具有該芯部自己的按％為單位的局部最大值，例如第一芯部為A皿x，第二芯部為A皿x等。同樣地，芯部可以具有最小相對折射率，諸如A皿，等。最大或最小相對折射率出現(xiàn)在特定半徑處，諸如r^皿或r^^等。對于本文揭示的諸實施例，這里把纖芯定義為到半徑&,處終止。我們發(fā)現(xiàn)，在光纖中心線或附近，尤其在光纖纖芯的中心部，較高的摻雜濃度迫使聲模被約束得更嚴(yán)格。較佳地，纖芯包括摻鍺的硅石，即鍺摻雜硅石。纖芯的摻雜，尤其在纖芯中心部，可以有利地在光纖纖芯中相對其包層減小聲速，造成聲場的全內(nèi)反射。在本文揭示的光纖的纖芯內(nèi)，特別在中心線或附近，可以單獨(dú)或組合應(yīng)用非鍺的基它摻雜劑，以獲得期望的折射率與密度。雖然高的折射率值(或高的上摻雜劑濃度)傾向于把聲模場引向中心線，但是這些值也會減小光學(xué)有效面積。在諸較佳實施例中，本文揭示的光纖的纖芯具有非負(fù)的折射率分布曲線，更佳地具有正折射率分布曲線，其中包層包圍纖芯，并且纖芯直接鄰近包層。較佳地，本文揭示的光纖的折射率分布曲線，從中心線到纖芯外半徑r^為非負(fù)。在諸較佳實施例中，光纖在纖芯內(nèi)不含折射率減小的摻雜劑。在有些較佳實施例中，纖芯的相對折射率值A(chǔ)TOKE(r)位于上邊界曲線和下邊界曲線之間。例如，上邊界曲線(在圖1和2中標(biāo)為"U1")是由至少兩點(diǎn)定義的直線，該至少兩點(diǎn)包括在0半徑處A為0.6%的第一上部點(diǎn)和在14.25iim半徑處A為0%的第二上部點(diǎn)；下邊界曲線(在圖1和2中標(biāo)為"L")是由至少兩點(diǎn)定義的直線，該至少兩點(diǎn)包括在O半徑處A為O.25X的第一下部點(diǎn)和在6iim半徑處A為0%的第二下部點(diǎn)。纖芯包括從中心線延伸到約1ym半徑的第一部分。在諸較佳實施例中，A1MX>0.4%，而在1550nm的光學(xué)有效面積較佳地大于80iim、更佳為在80和120iii^之間，還更佳為在80和110iii^之間。不受任何特定理論限制，這些A皿x值容易增強(qiáng)聲模的局部化或朝光纖中心線"拉入"。另外還發(fā)現(xiàn)，這些A1MAX值有助于減少光纖內(nèi)的微彎曲損失。第一組較佳實施例表1列出示例性的第一組較佳實施例、實例1與2。圖1在曲線1-2中分別示出實例1-2的相應(yīng)折射率分布曲線。表1.實例；實例1實例2110nm色散-2.17dOnm的色散斜率0.0940.0941310nm色散ps/nm-loa16.5616.161310nm的色散斜率0.0640.064nm259252零色散波長.nm132913331550nm衰減dB/km0.18580.18541550nm針陣列彎曲dB9.5526.161310nm的Aeff67.670.21310nm的MFD9.539,721550nm白勺Aeff卯95.21550nm的MFD11.010.36LPU截止(理論)14311331AOEAloi197218AOEAlo2拜2233235比值A(chǔ)OBAui/AOEAunU81,08SBS閾值(絕對值)dBm10,310.7對SMF-28'效光纖改進(jìn)的SBS閾值必3.53.913<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>諸如本文揭示的實例1-2示出的光纖，在1550nm的光模有效面積大于90iii^，第一聲模U的第一聲光有效面積AOEA皿在光纖的Brillouin頻率不小于170iim、而第二聲模L。2的第二聲光有效面積AOEA，在光纖的Brillouin頻率不小于170iim、其中0.4<AOEAL(ll/AOEAL。2<2.5。在諸較佳實施例中，諸如本文揭示的實例1-2示出的光纖，較佳地具有1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和21ps/nm-km之間，還更佳為在15和17ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07ps/nm2_km，更佳為在0.05和0.07ps/nm2_km之間；k為在230和290nm之間；零色散零波長小于1400nm，更佳地小于1340nm，還更佳為在1310和1340nm之間，再更佳為在1320和1340nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于90ym2，更佳為在90和100iii^之間，1550nm的光模場直徑大于10iim，更佳為在10和11ym之間，1550nm的針陣列彎曲損失小于20dB，更佳為小于15dB，還更佳為小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳為小于3ps/nm-km;以及1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2_km。1550nm的衰減較佳為小于0.2dB/km，更佳為小于0.195dB/km，還更佳為小于0.190dB/Km，再更佳為小于O.188dB/km。纖芯的a分布曲線，較佳地a<l，更佳地a在O.5和1。第二組較佳實施例表2A和2B列出示例性的第二組較佳實施例、實例37和7A7E。圖2在曲線37中分別示出實例37的相應(yīng)的折射率分布曲線。圖2A、2B和2C分別示出實例7A、7B-7C和7D-7E的相應(yīng)折射率分布曲線。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>0150<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表2B<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>諸如這里揭示的實例37和7A7E示出的光纖，在1550nm的光模有效面積大于90m2，其第一聲模LQ1的第一聲光有效面積A0EAM1不小于170um2;第二聲模L。2的第二聲光有效面積A0EA，不小于170iim2，其中0.4<AOEAM1/AOEA，<2.5。在諸較佳實施例中，O.5<A0EA皿/A0EAl。2<2，更佳地，O.6<AOEAL(11/AOEAL。2<1.5。較佳地，A隱(r)位于上邊界曲線與下邊界曲線之間，上邊界曲線(在圖1和2中標(biāo)為"U2")是由至少兩點(diǎn)定義的直線，該至少兩點(diǎn)包括Ac(r=0)=0.6%的第一上部點(diǎn)和Ac。KE(r=14.25ym)=0%的第二上部點(diǎn)，更佳地包括在11.25iim半徑處r^(r=0)=0.5%的第一上部點(diǎn)和Ac。KE(r=11.25iim)=0%的第二上部點(diǎn)；下邊界曲線(在圖1和2中標(biāo)為"L")是由至少兩點(diǎn)定義的直線，該至少兩點(diǎn)包括AroKE(r=0)=0.25%的第一下部點(diǎn)和Ae。KE(r=6ym)=0%的第二下部點(diǎn)。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到lym半徑的第一部分，其中在整個第一部分中相對折射率Ae。KE(r)大于0.25%而小于0.5%(但小于上邊界)。在諸較佳實施例中，整個第一部分的AroKE1(r)大于0.3%而小于0.5%(但小于上邊界)。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，該第二部分延伸到2.5iim半徑處，其中整個第二部分的ATOKE2(r)在0.20%和0.45%之間(但小于上邊界)。在諸較佳實施例中，從r=liim至ljr=1.5iim，AC0KE(r)大于0.3%而小于0.45%(但小于上邊界)，而在諸較佳實施例中，對于從r=1.5iim到r=2.5iim的所有半徑，AroKE2(r)都大于0.2%而小于0.35%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5iim半徑，整個第三部分的Ac。KE3(r)在0.15%和0.35%之間(但小于上邊界)。在諸較佳實施例中，整個第三部分的AroKE3(r)在O.20%和0.30%之間。在諸較佳實施例中，第三部分任一半徑間的Ac。KE3(r)的差的絕對值小于O.1%。在諸較佳實施例中，在r=2iim和r=4iim之間，平均dA/dR的絕對值<0.1%/ym，更佳為〈0.5%/nm。在諸較佳實施例中，在r=2.5iim禾Pr=3.5ym之間，平均dA/dR的絕對值小于0.1%，更佳地小于0.05%/iim。較佳地，(AMX-A(3.5))>0.1%，更佳地>0.15%，再更佳地>0.2%。在諸較佳實施例中，AMX-A(3.5))在O.15%和0.25%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到6ym半徑，其中整個第四部分的Ac。KE4(r)在0.10%和0.30%之間，更佳為在0.2%和0.3%之間(但小于上邊界)。在諸較佳實施例中，從r=4.5到r=5，Ac。KE4(r)在0.15%和0.30%之間(但小于上邊界)。在諸較佳實施例中，從r=5到r=6，Ac。KE4(r)在0.15%和0.30%之間，更佳為在0.2%和0.3%之間(但小于上邊界)。較佳地，尤其對于大的光學(xué)有效面積，Ae。KE(r=5.5)>0.1%，更佳地>0.15%，再更佳地大于0.2%。尤其對于光學(xué)有效面積更大的實施例，較佳地AroKE(r=6)>0.0%，更佳地Ac。KE(r=6)>0.05%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第四部分的第五部分，第五部分延伸到9ym半徑，Ae。KE5(r)在0.0%和0.2%之間(但小于上邊界)，其中至少一部分第五部分的AroKE5(r)>0%。在諸較佳實施例中，第五部分的AroKE5(r)在0.0%和0.15%之間。在諸較佳實施例中，A(r=5.5iim)>0.1%。較佳地，A(r=6iim)>0%。較佳地，纖芯最外半徑rc。KE大于6iim，更佳地大于6ym而小于15ym，還更佳地大于6iim而小于12iim。在諸較佳實施例中，rc。KE在6ym禾P10ym之間。在諸較佳實施例中，諸如本文揭示的實例3-7和7A-7E示出的光纖，較佳地具有1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和22ps/nm-km之間，還更佳為在16和21ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07ps/nm2_km，更佳為在0.05和0.07ps/nm2_km之間;k在270和330nm之間；零色散小于1340nm，更佳地小于1320nm，還更佳為在1220和1320nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于90iim、更佳為大于95iii^，再更佳為在90ym218和120iii^之間；1550nm的光模場直徑大于10iim，更佳為在10和13ym之間，還更佳為在10和12.5iim之間；1550nm的針陣列彎曲損失小于約20dB，更佳為小于15dB，還更佳為小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳為小于3ps/nm-km;以及1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2-km。較佳地，1550nm的衰減較佳小于0.2dB/km，更佳小于0.19dB/km，還更佳地小于0.187dB/km。圖3用圖表表示實例1-7示出的光纖的折射率相對于光纖半徑的變化dA/dr。為減小可能不利地影響衰減和偏振模色散(PMD)的密度變化，本文揭示的光纖第一部分的相對折射率較佳地緩慢變化。這樣，相對折射率分布曲線的斜率dA/dr，較佳地對第一部分的所有半徑都大于-0.20%/iim，還更佳地對第一部分的所有半徑(r=0到r=liim)都大于-O.15%/iim。在有些實施例中，A磁與Ac。KE(r=1ym)的差的絕對對值較佳地小于O.2%，更佳地小于0.15%，還更佳地小于0.1%。較佳地，本文揭示的光纖纖芯第三部分的相對折射率相當(dāng)平坦，即為相當(dāng)恒定的值，以便改進(jìn)彎曲并盡量減小零色散波長與約1310nm的波長的偏離。較佳地，在r=2.5與r=4.5之間的任何半徑間的△(r)的差的絕對值均小于0.1%。較佳地，在r二2與r二4iim之間，平均dA/dr的絕對值<0.05%/踐。AOEA皿可以大于AOEA，，或者AOEAM2可大于AOEAM1，或者AOEA皿可基本上等于AOEAL02。在諸較佳實施例中，AOEAM1與AOEAM2都小于400ym2。在其它實施例中，AOEAM1與AOEA，都小于300iim2。在諸較佳實施例中，O.5<A0EA皿/A0EAl。2<2。在其它實施例中，O.6<AOEAL01/AOEAL02<1.5圖1和2所示的包層或包覆層(AaAD=0)包圍并直接鄰接纖芯的外區(qū)。因此，可將實例3-7和7A-7E描繪成具有一種纖芯，該纖芯包括內(nèi)區(qū)(即中心區(qū))和包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的外區(qū)。纖芯的整個外區(qū)較佳地具有正折射率。在諸較佳實施例中，存在包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的外區(qū)有助于在期望的波長或在期望的波長范圍內(nèi)提供期望的色散值。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到lPm半徑的第一部分，第一部分的相對折射率大于O.25%而小于約0.6%，更佳地大于0.25%而小于0.5%。在該第一部分中，折射率在達(dá)到最大值A(chǔ)MX=A皿x后，較佳地平穩(wěn)減小。在有些較佳實施例中，第一部分包括整條光纖的最大Ac第一部分的相對折射率分布曲線包含一基本上平坦的部分，而第三部分包括小于A皿的A皿x，第三部分的相對折射率分布曲線含一基本上平坦的部分。在有些較佳實施例中，第三部分的大部分具有基本上平坦的相對折射率分布曲線ATOKE3(r)。表3列出本文揭示的兩條樣品光纖的特征，實例8和9通過外蒸發(fā)淀積(OVD)工藝制成。表3實例實例8實例9長度km24.024.019表3<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>實例8-9的相對折射率分布曲線基本上類似于以上實例5中描繪的分布曲線，并在圖2中用曲線5表示。對拼接在一起并共同作為48km長的光纖測量的實例8和9，得出的絕對SBS閾值約為11.9dBm，與同長度的SMF-28⑧或SMF-28e⑧光纖相比，SBS閾值約改善5.ldB。第三組較佳實施例表4A和4B示出示例性的第三組較佳實施例、實例10-15和實例15A-15D。圖6_11分別在曲線10-15中示出實例10-15的相應(yīng)折射率分布曲線，圖11A-11D以曲線15A-15D分別示出實例15A-15D的相應(yīng)折射率分布曲線。表4A<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>諸如本文揭示的實例10-15和15A-15D示出的光纖，其在1550nm的光模有效面積大于約80"m2，第一聲模LQ1的第一聲光有效面積A0EALQ1不小于170ym2;第二聲模L。2的第二聲光有效面積A0EAL02不小于170iim2，其中0.4<A0EAL01/A0EAL02<2.5。1550nm的光模有效面積較佳地大于約85lim2，還更佳為在85和110iim2之間。在有些較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在約85和100ym2之間。在如圖10-13中的有些較佳實施例中，纖芯可包括具有所謂的中心線下傾的折射率分布曲線。中心線下傾由一種或多種光纖制造法造成。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到lym半徑的第一部分，在半徑r纖x(可位于中心線或與之隔開)處出現(xiàn)的按％為單位的最大相對折射率A磁二A服x較佳地小于o.7X，更佳地小于0.6%。對于在r,隨與r=lum之間的所有半徑，相對折射率AraKE1(r)較佳地大于0.25%而小于0.7%。在諸較佳實施例中，對于在rAMAX與r=1ym之間的所有半徑，△C0KE1(r)都大于O.3%而小于0.6%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，第二部分延伸到2.5iim半徑，其中整個第二部分的Ac。KE2(r)為在0.15%和0.5%之間，更佳為在O.15%和0.45%之間。在諸較佳實施例中，從r=l到r=l.5ilm，Ac。KE2(r)大于0.3%而小于0.躬％，在諸較佳實施例中，從r=1.5到r=2.5um，AC。RE2(r)大于0.2%而小于0.35%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5iim半徑，其中整個第三部分的ATOKE3(r)為在0.15%和0.35%之間。在諸較佳實施例中，整個第三部分的ATOKE3(r)為在O.20%和0.30%之間。在r二4iim處，較佳地，AC。KE3>0.2%。較佳地，整個第三部分的Ac。KE3(r)為在O.15%和0.35%之間，更佳為在O.15%和0.3%之間。在諸較佳實施例中，在第三部分中，任何半徑之間的AroKE3(r)的差的絕對值都小于O.1%。在其它較佳實施例中，第三部分任何半徑間的ATOKE3(r)的差的絕對值小于O.05%。在諸較佳實施例中，在r=2和r=4ym之間，平均dA/dR的絕對值<0.1%/iim。在諸較佳實施例中，在r=2.5和r=3.5ym之間，平均dA/dR的絕對值<0.05%/iim。較佳地，(A磁-A(3.5))>0.1%，更佳地>0.15%，還更佳地>0.2%。在諸較佳實施例中，(A磁-A(3.5))在O.10%0.5%之間。在其它較佳實施例中，(A磁-A(3.5))在0.2%0.4%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到5和12iim之間的半徑，更佳延伸地在5和10iim之間，其中整個第四部分的Ac。KE4(r)在0和0.30%之間。在諸較佳實施例中，用于在第四部分中增大半徑的Ae。KE4(r)從小于或等于O.30%的最大正相對折射率減至0和0.03%之間的最小值。較佳地，包層包圍并直接鄰接第四部分。較佳地，在r^E〉5iim處纖芯結(jié)束而包層開始，更佳地在5和12iim之間，還更佳地在5和10iim之間。在諸較佳實施例中，諸如這里揭示的實例10-15和15A-15D所示的光纖，較佳地具有1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和22ps/nm-km之間，甚至更佳為在16和-21ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07ps/nm2-km，更佳為在0.05和0.07ps/nmMcm之間；k值在250和300nm之間；零色散小于1340nm，更佳地小于1320nm，還更佳地在1290和1320nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于80ym2，更佳地大于85ym2，還更佳為在85踐2禾口110踐2之間;1550nm的光模場直徑大于10iim，更佳為在10和13踐之間，還更佳為在10和12iim之間；1550nm的針陣列彎曲損失小于20dB，更佳地小于15dB，還更佳地小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳地小于3ps/nm-km;以及1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2-km。1550nm的衰減，較佳地小于0.2dB/km，更佳地小于0.195dBkm，還更佳地小于0.190dB/km，以及再更佳地小于0.185dB/km。較佳地，這里揭示的光纖纖芯第三部分的相對折射率是相當(dāng)平坦的，即是相當(dāng)恒定的值，以便改善彎曲并使零色散波長對約1310nm波長的偏移最小。較佳地，在r=2.5和r=4.5之間的任何半徑間的A(r)的差的絕對值小于0.1%。較佳地，對于至少0.5ym的徑向距離和位于r二2禾Pr二4iim之間，平均dA/dr的絕對值<0.1%/ym。較佳地，在r=2.5和r=3.5iim之間出現(xiàn)的dA/dr的絕對值<0.05%/iim。AOEA皿可以大于AOED匿，或者AOEA，可以大于AIEA區(qū)，或者AOEAM1與AOEA，可以基本上相等。在諸較佳實施例中，AOEAM1和AOEA，都小于400ym2，在其它較佳實施例中，AOEA皿和AOEA，二者都小于300iim2。在諸較佳實施例中，O.5<AOEAM1/AOEAM2<2。在其它較佳實施例中，0.6<AOEAL(ll/AOEAL。2<1.5。圖6-11所示的ACLAD=0的包層或包覆層在rTOKE處包圍并直接鄰接纖芯外區(qū)。這樣，可將實例1015和15A-15D描述成纖芯，該纖芯包含內(nèi)區(qū)(或中心區(qū))和包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的外區(qū)。纖芯外區(qū)較佳地具有正折射率。在諸較佳實施例中，存在包25圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的外區(qū)有助于在期望的波長或在期望的波長范圍內(nèi)提供期望的色散值。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到1Pm半徑的第一部分，第一部分的最大相對折射率大于0.25%而小于0.7%。圖10-13所示的曲線10-13示出了由一種或多種光纖制造技術(shù)造成的所謂的"中心線下傾"。圖示的中心線下傾的最小相對折射率在O.1%和0.3%之間，盡管該中心線下傾可假設(shè)為小于最大相對折射率的其它值。在第一部分中，折射率達(dá)到最大值A(chǔ)皿后較佳地平穩(wěn)減小。較佳地，第一部分包括整條光纖的最大Ae。KE。較佳地，第三部分包括小于AMX(i<A1MX)的A皿x，而第三部分的相對折射率分布曲線包含一基本上平坦的部分。更佳地，第三部分的大部分(如大于lPm的徑向?qū)挾?具有基本上平坦的相對折射率分布曲線Ac(r)。第四組較佳實施例表5A和5B列出示例性的第四組較佳實施例、實例16到20和20到20F。圖12-15以曲線16-20分別示出實例16-20的相應(yīng)折射率分布曲線。圖15A-15F以曲線20A-20F分別示出實例20A-20F的相應(yīng)折射率分布曲線。表5A<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表5B<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>0184<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>第四組較佳實施例中的另一較佳實施例示于圖15A，該圖用曲線20A示出實例20A的折射率分布曲線，該光纖具有如下特性1310nm的色散為2.06ps/nm-km，1550nm的色散為19.7ps/nm-km，1550nm的色散斜率為0.061ps/nm2-km，k為323nm，1550nm的模場直徑(MFD1550)為iim，1550nm的衰減為0.193dB/km，1550nm的針陣列為7.2dB，LP11截止(理論)為1578nm，零色散波長為1287nm，1550nm的Aeff為111.9um2，A0EAL01為3.75踐2，A0EAL02為349iim2，A0EA腳為349ym2，A0EAL01/A0EAL02比值為1.07，半徑0、0.5、1、1.5、2.2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6和6.5的相對折射率差A(yù)分別為0.50、0.43、0.36、0.30、0.25、0.22、0.22、0.22、0.35、0.37、0.37、0.04、0和0%，AMX_A(r=1)為0.14%，A磁為0.50%，rA麗為0lim，r隱為5.7um。第四組較佳實施例的另一較佳實施例示于圖15B，該圖用曲線20B示出實例20B的折射率分布曲線，該光纖具有如下特性1310iim的色散為-0.64pS/nm-km，1310nm的色散斜率為0.0889ps/nm2-km，1550nm的色散為16.6ps/nm-km，1550nm的色散斜率為0.0596ps/nm2-km，K為279nm，1625nm的色散為20.9ps/nm-km，1550nm的模場直徑(MFD1550)為10.65iim，纜線截止為1196ym，1380nm的衰減為0.293dB/km，1550nm的衰減為0.191dB/km，1550nm的針陣列為11.4dB，1550iim的橫向負(fù)載衰減為0.73dB，LP11截止(理論)為1333nm，零色散波長為1317nm，1550nm的Aeff為86.8iim2，AOEAL01為216iim2，AOEAL02為200iim2，AOEA腳為200踐2，AOEAL01/AOEAL02比值為1.08，半徑為0、0.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5和8iim的相對折射率差A(yù)分別是0.40、0.54、0.45、0.32、0.23、0.23、0.36、0.38、0.30、0.06、0.03、0.02、0.01、0.01、0.01、0.Ol和O.01%，AMX-A(r=1)為0.09%，A麗為0.54^，rA麗為0.43iim，rc。KE為8.2iim。實例20B用OVD工藝制作。在50km長光纖上測得的絕對SBS閾值為10.45dBm，或比Corning公司制造的同長度SMF-28⑧或SMF-28e⑧光纖改善了約3.65dB。第四組較佳實施例的另一較佳實施例示于圖15E，該圖用曲線20G示出用OVD法制作的實例20G的折射率分布曲線。實例20G的光學(xué)特性與實例20C相似。實例20G的光纖的測量值包括1310nm的衰減為0.334dB/km，1380nm的衰減為0.310dB/km，1550nm的衰減為0.192dB/km，1310nm的MFD為9.14iim、纜線截止為1180nm，零色散位于1317nm，零色散的色散斜率為0.0884ps/nmMcm，對于5m樣品，圍繞20mm直徑芯桿5匝的宏彎曲損失為1.27dB/m，5m樣品的橫向負(fù)載微彎曲損失為0.55dB/m，絕對SBS閾值為11.OdBm，SBS閾值比Covning公司制造的同長度SMF-28⑧或SMF-28e@光纖改善了約4.2dB。實例20G在r=0的AMX(=A皿x)為o.64X，在r=3.6的A通x為0.49X。第四組較佳實施例的另一較佳實施例示于圖15F，該圖用曲線20H示出用OVD法制作的實例20H的折射率分布曲線。實例20H的光學(xué)特性與實例20D相似。實例20H的光纖的測量結(jié)果包括1310nm的衰減為0.335dB/km，1380nm的衰減為0.320dB/km，1550nm的衰減為0.195dB/km，1310nm的MFD為9.10ym2，纜線截止為1185nm，零色散為1314nm，零色散的色散斜率為0.0878ps/nm2-km，對于5m樣品，繞20mm直徑芯桿5匝的宏彎曲損失為3.24dB/m，5m樣品的橫向負(fù)載微彎曲損失為0.53dB/m，絕對SBS閾值為11.OdBm，SBS閾值比同長度SMF-28⑧或SMF-28e⑧光纖改善約4.2dB。實列20H在約r=0.4ym的AMX(=A皿x)為0.56X，在約r=3.6的厶3麗為約0.51%。實例16-20和20A-20H示出的光纖，其1550nm的光模有效面積大于80ym2，第一聲模LQ1的第一聲光有效面積AOEA皿不小于170i！m2，，第二聲模L。2的第二聲光有效面積AOEAL02不小于170iim2，，其中0.4<AOEAL(11/AOEAL02<2.5。較佳地，1550nm的光模有效面積大于約80ii1112，還更佳為在80和110iim2之間。在有些較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在約80和100iim2之間。在其它較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在約80和95iii^之間。在有些較佳實施例中，諸如在圖12、13、15B、15C、15E與15F中，纖芯包括帶所謂的中心線下傾的相對折射率分布曲線，下傾由一種或多種光纖制造技術(shù)形成。但在這里揭示的任一折射率分布曲線中，中心線下傾則是隨意選擇的。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到lym半徑的第一部分，其按X為單位的最大相對折射率AM=A皿x較佳地小于0.7%，更佳地小于0.6%，出現(xiàn)于半徑1^_處。對于在r,麗與r二lym之間的所有半徑的相對折射率Ae。KE1(r)較佳地大于0.25%而小于0.7%。在諸較佳實施例中，在rAMAX與r二lym之間的所有半徑的Ae。KE1(r)大于0.3%而小于0.6%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，第二部分延伸到2.5m半徑，其中整個第二部分的A隱2(r)在O.15%和0.5%之間，更佳為在0.15%和0.45%之間。在諸較佳實施例中，從r=1到r=1.5iim，Ac。KE2(r)大于0.3%而小于0.45%，而且在諸較佳實施例中，從r=1.5到r=2.5iim，Ac。KE2(r)大于約0.1%而小于約0.35%。第二部分包括按％為單位的最小相對折射率厶2腳，較佳地小于0.3%，更佳地小于0.25%。較佳地，(A1MX-A2MIN)>0.25%。在諸較佳實施例中，A應(yīng)與A，N的差值(A應(yīng)-A2訓(xùn))大于0.3%。在其它較佳實施例中，(A1MAX-A2MIN)>0.35%。在有些較佳實施例中，(A1MX-A2ra)為在約0.3%和約0.5%之間。在其它較佳實施例中，(A1MAX-A2MIN)為在約0.3%和0.4%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5iim半徑。在諸較佳實施例中，在r二4ym處，A^3大于約0.2X。第三部分包括按％為單位的大于A2MIN而小于A皿x的最大相對折射率A3MX。較佳地，A通x與A，N的差值(A靈-A扁)大于0.10%。在有些較佳實施例中，(A3MAX-A2ra)在約O.1%和0.3%之間。在另一些較佳實施例中，(A連-A歷)在約0.1%和0.2%之間。在其它較佳實施例中，(A靈-A歷)在約0.2%和0.3%之間。在較佳實施例的一個分組中，(A1MX-A2MIN)在約0.3%和0.4%之間，(A3MX-A2MIN)在約O.1%和0.2%之間。在較佳實施例的另一分組中，(A1MAX-A2ra)在約0.3%和0.4%之間，而(A通x-A2扁)在約O.2%和0.3%之間。較佳地，A隱3(r)為在0%和約0.6%之間，更佳為在0%和0.55%之間，還更佳為在0%和0.5%之間。在有些較佳實施例中，第三部分的Ac。，(r)在約O.1%和約0.5%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到4.5和12ym之間的半徑，更佳地延伸到4.5禾口10iim之間。整個第四部分的Ac。KE4(r)為在0%和0.4%之間。在諸較佳實施例中，為增大半徑，Ae。KE4(r)從小于或等于0.4%的最大正相對折射率減至0和0.03%之間的最小值。較佳地，對于所有6iim和25iim之間的半徑，相對折射率小于0.03%。較佳地，包層包圍并直接鄰接第四部分。較佳地，在rc。KE>4.5i！m處，更佳地在4.5和12ym之間，還更佳在4.5和10iim之間，纖芯結(jié)束而包層開始。。在諸較佳實施例中，諸如這里揭示的實例16-20和20A-20H所示的光纖，較佳地具有1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和22ps/nm-km之間，還更佳為在16和21ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07ps/nm2_km，更佳為在0.05禾P0.07ps/nm2_km之間，k為270-330nm;零色散小于1340nm，更佳小于1320nm，還更佳為在1270和1320nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于80ym2，而有些較佳實施例中大于85ym2，在其它實施例中為在85iim2和110iim2之間；1550nm的光模場直徑大于10iim，，更佳為在IO禾P13iim之間，還更佳為在10和12iim之間；1550nm的針陣列彎曲損失小于20dB，更佳小于15dB，還更佳小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳小于3ps/nm-km;以及1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2-km。較佳地，橫向負(fù)載損失小于ldB/m，更佳小于0.7dB/m。較佳地，20mm宏彎曲損失小于5dB/m，更佳小于2dB/m。在諸較佳實施例中，包括纖芯第三部分的A3MX的相對折射率部分是相當(dāng)平坦的，即為相當(dāng)恒定的值。較佳地，在r=3.5iim與r=4ym之間的任何半徑間的A(r)差的絕對值小于O.1%，更佳小于0.05%。較佳地，包括A皿，的相對折射率部分相當(dāng)平坦，即為相當(dāng)恒定的值。較佳地，出現(xiàn)在r=2與r=3iim間的dA/dr的絕對值<0.05%/iim。A0EA皿可大于A0EA，，或A0EA，可大于A0EA皿，或二者基本上相等。在諸較佳實施例中，AOEA皿和A0EA，都小于400ym2，在其它較佳實施例中，二者都小于300踐2。在諸較佳實施例中，0.5<A0EAM1/L0EAL。2<2，在其它較佳實施例中，0.6<A0EAL(I1/A0EAL。2<1.5。圖12-15和圖15A-15F中ACLAD=0所示的包層，或包覆層，包圍并直接鄰接rc。KE處的纖芯外區(qū)。這樣，可將實例1620和20A和20H描述成其纖芯包括內(nèi)區(qū)(即中心區(qū))、包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的中間區(qū)(即隔離區(qū))和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)(即環(huán)區(qū))。較佳地，整個纖芯具有正折射率。較佳地，對整個光纖而言，內(nèi)區(qū)包括最大A^(即A皿》，中間區(qū)包括A，n，外區(qū)包括A遍x，其中A1MAX>A3MX>A2MIN>0。較佳地，第一部分的相對折射率分布曲線含一基本平坦的部分，第三部分包括小于A皿J勺A3MX。較佳地，第三部分的相對折射率分布曲線含一基本平坦的部分，更佳地，第三部分的大部分具有基本平坦的相對折射率分布曲線Ac。KE3(r)。在實施例的一個分組中，這里揭示的光纖包括內(nèi)區(qū)，或中心纖芯區(qū)；包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的中間區(qū)，或隔離區(qū)；和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)，或環(huán)區(qū)；其中1550nm的光學(xué)有效面積較佳地大于80iim2，更佳為在80iim2和90ym2之間，1550nm的色散較佳地大于16ps/nm-km，更佳為在16和19ps/nm-km之間；零色散小長較佳地小于1320nm，更佳為在1270和1320nm之間；1550nm的色散斜率較佳地小于0.07ps/nm2-km。較佳地，包層(A=0%)包圍并直接鄰接外區(qū)，或環(huán)區(qū)，的外圍。表6列出如這里揭示的實例2123通過外蒸發(fā)淀積(OVD)工藝制作的兩條樣品光纖的測量特性。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>實例21-23的相對折射率分布曲線類似于上面實例16與17描述的分布曲線，在圖12中用曲線16與17表示。第五組較佳實施例圖16在曲線24中示意地示出實例24的相對折射率分布曲線的示例性第五組較佳實施例。實例24的光纖具有如下特性:1310應(yīng)的色散為0.07ps/nm-km，1310nm的色散斜率為0.0877ps/nm2-km，1550nm的色散為17.Ops/nm-km，1550nm的色散斜率為0.058ps/nm2-km，k為293nm，1625的色散為21.2ps/nm-km，1550nm的模場直徑(MFD1550)為10.40iim，1550nm的衰減為0.198dB/km，1550nm的針陣列為8.2dB，1550nm的橫向負(fù)載損失為0.5dB，LP11截止(理論)為1344nm，零色散波長為1312nm，1550咖的Aeff為83.5ym2，AOEA皿為202iim2，AOEAL。2為283iim2，AOEA訓(xùn)為202iim2，AOEAL(ll/AOEAL。2比值為0.71，絕對SBS閾值為10.3dBm，比同長度SMF-28⑧或SMF-28e⑧光纖的SBS閾值改善了約3.5dB，半徑0、0.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、和4.5的相對折射率差A(yù)分別為0.24、0.50、0.41、0.34、028、0.26、0.26、0.48、0.43和0.00%，A隨-△(r=1)為0.10%，A隨為0.51%，rAmax為3.725iim，rC0KE為4.5ym。實例24在約r=0.45ym處的A應(yīng)為0.51%，A2扁為約0.26X，以及在r通x二3.7iim的A_=厶3鵬為0.51%，厶皿廠厶2腳為0.25%，A3M-A2ra為0.25%，以及IA!脆-A通xl為0%。實例24示出的光纖，其在1550nm的光模有效面積>約80pm2，第一聲模LQ1的第一聲光有效面積AOEA固不小于170um2，第二聲模L。2的第二聲光有效面積AOEA匿不小于170um2，其中0.4<AOEA皿/AOEA,<2.5。較佳地，1550腿的光模有效面積大于約80iim2，更佳為在80和100iim2之間。在有些較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在約80和90iim2之間。在其它較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在約80和85ym2之間。在有些較佳實施例中，如在圖16中，纖芯可包括帶有所謂的中心線下傾的相對折射率分布曲線，下傾由一種或多種光纖制造技術(shù)形成。但本文揭示的任一折射率分布曲線的中心線下傾都是隨意選擇的。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到lPm半徑的第一部分，第一部分的最大相對折射率A1MX(%)較佳地小于0.7%，更佳小于0.6%，出現(xiàn)在0和liim之間的半徑r,皿x處。對于rA磁與r=1Pm間的所有半徑，相對折射率AG。KE1(r)較佳地大于0.15%而小于0.7%。在諸較佳實施例中，對rA磁與r=1Pm間的所有半徑，AC。KE1(r)大于0.3%而小地0.6%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，第二部分延伸到2.5ym的半徑，其中整個第二部分的ATOKE2(r)為在0.15和0.5%之間，更佳為在0.15%和0.45%之間。在諸較佳實施例中，從r=1到r=1.5iim，Ac。KE2(r)大于0.3%而小于0.45%，且在諸較佳實施例中，從r=1.5到r=2.5iim，AC。KE2(r)大于0.1%而小于O.35%。第二部分包括最小相對折射率A2MIN(%)，較佳地小于O.3%，更佳小于0.25%。在諸較佳實施例中，A皿x與A，n之差，即(A皿x-A皿n)，大于O.1%，更佳>0.2%。在其它較佳實施例中，(A1MX-A2MIN)>0.35%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5iim半徑處。在r二4iim處，AC。KE3>0.2%，更佳厶^3大于0.3%。第三部分包括大于A皿n并約等于A皿x的最大相對折射率A3MX(%)。較佳地，△應(yīng)與△連之間的差的絕對值小于0.1%，更佳小于0.05%。較佳地，A靈與A歷之間的差，g卩(A靈-A扁)，大于O.10%，更佳>0.2%。在諸較佳實施例中，(A1MX-A2ra)>0.2%，且(A靈-A扁)>0.2%。在實施例的一個分組中，(A應(yīng)-A扁)在0.2%和0.3%之間，而且(A靈-A漏)在O.2%和0.3%之間。較佳地，A隱3(r)在0%和0.6%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到4.5和12iim之間半徑，更佳為在4.5和lOym之間。第四部分可包含所謂的減小相對折射率的擴(kuò)散尾部。把圖16的實例描繪為有一可忽略的擴(kuò)散尾部。整個第四部分的ATOKE4(r)在0%和0.4%之間。在諸較佳實施例中，增大半徑，ATOKE4(r)就從小于或等于O.1%的最大正相對折射率減到0和0.03%之間的最小值。較佳地，對6iim禾P25iim之間的所有半徑，相對折射率小于O.03%。較佳地，包層包圍并直接鄰近第四部分。較佳地，纖芯結(jié)束和包層開始處于r^〉4iim處，更佳在4.5和12iim之間，還更佳為在5和10iim之間。在諸較佳實施例中，諸如這里揭示的實例24所示的光纖較佳地具有；1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和22ps/nm-km之間，還更佳為在16和21ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07psnm2-km，更佳為在0.05和0.07ps/nm2-km之間；K為270-330nm;零色散小于1340nm，更佳小于1320nm，還更佳為在1270和1320nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于80iim2，更佳為在80iim2和100ym2之間，還更佳為在80ym2和90ym2之間；1550nm的光模場直徑大于10iim，更佳為在10和13ym之間，還更佳為在10和12iim之間；1550nm的針陣列彎曲損失小于20dB，更佳小于15dB，還更佳小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳小于3ps/nm-km;1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2_km。較佳地，橫向負(fù)載損失小于ldB/m，更佳小于0.7dB/m。較佳地，纖芯第三部分中含A3MX的部分的相對折射率相當(dāng)平坦，即為相當(dāng)恒定的值。較佳地，r=3.5iim與r二4iim之間任何半徑間的A(r)的差的絕對值小于0.1%，更佳小于0.05%。較佳地，含A皿，的相對折射率部分相當(dāng)平坦，即為相當(dāng)恒定的值。較佳地，出現(xiàn)在r=2與r=3iim之間的dA/dr的絕對值<0.05%/iim。AOEA皿大于AOEA，，或AOEA，大于AOEA皿，或者二者基本相等。在諸較佳實施例中，AOEAM1與AOEA，小于400ym2，在其它較佳實施例中，A0EAM1與A0EA，二者都小于300ym2。在諸較佳實施例中，0.5<A0EAM1/ADEAL。2<2。在其它較佳實施例中，0.6<A0EAL(ll/A0EAL。2<1.5。圖16所示AaAD=0的包層在rTOKE處包圍并直接鄰接纖芯外區(qū)。這樣，可將實例24描述為具有一纖芯，該纖芯包括內(nèi)區(qū)(即中心區(qū))、包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的中間區(qū)(即隔離區(qū))和包圍并直接鄰接中間層的外區(qū)(即環(huán)區(qū))。整個纖芯較佳地有一正折射率。較佳地，整條光纖，不論是內(nèi)區(qū)還是外區(qū)，都包含最大的A^(即AM=A應(yīng)或△!=A靈)，而中間區(qū)含A2ra。在有些較佳實施例中，Aimx>A連，在另一些較佳實施例中，A3MX>A皿x，在其它較佳實施例中，A1MX"A3MX。而在再有些較佳實施例中，△imax—△3max。fe"f圭i也，△imax〉0，A3MX〉0，A2MIN〉0，A1MAX〉A(chǔ)2MIN，A3MAX〉A(chǔ)2MIN，而IA1MX-A3MX|<0.10%，更佳<0.05%，即A皿x近似等于A3MX。較佳地，第一部分的相對折射率分布曲線有一基本平坦部分。較佳地，第三部分的相對折射率分布曲線有一基本平坦部分，更佳地，第三部分的大部分具有基本平坦的相對折射率分布曲線Ae。KE3(r)。第六組較佳實施例表7列出示例的第六組較佳實施例、實例2527。圖17的曲線2527分別示出實例2527相應(yīng)的折射率分布曲線。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>的最大相對折射率△(%)較佳地小于0.7%，更佳小于0.6%。對rA1MX與r=1m間的所有半徑，相對折射率Ae。KE1(r)較佳大于0.25%而小于0.7%。在諸較佳實施例中，對rA脆x與r=lym間的所有半徑，Ac。KE1(r)大于0.3%而小于0.6%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，第二部分延伸到2.5ym半徑，其中整個第二部分的A隱2(r)在O.15%和0.5%之間，更佳為在0.15和0.45%之間。在諸較佳實施例中，從r=1到r=1.5iim，Ac。KE2(r)大于0.25%而小于0.45%，在諸較佳實施例中，從r=1.5到r二2.5ym，ATOKE2(r)大于0.1%而小于0.4%。第二部分較佳地包括一最小相對折射率厶歷(％)，較佳地小于0.3%，更佳小于0.30%而大于0.1%。較佳地，A皿x與A皿n之間之差，即(A麗-A歷)，大于O.1%，更佳>0.15%。在有些較佳實施例中，(A應(yīng)-A歷)>0.2%。在較佳實施例的一個分組中，(A應(yīng)-A扁)在O.1%和0.3%之間，而在較佳實施例的另一分組中，(A1MX-A2MIN)在O.15%和0.25%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5ym半徑。在r二3.5ym處，AroKE3>0.3%，較佳地>0.4%，更佳地>0.5%。在r=4iim處，較佳地AC。KE3>0.1%。第三部分包括>A，n且大于A皿x的最大相對折射率厶3磁(％)。A遍x是整個纖芯的最大相對折射率(AM=A靈)。較佳地，A靈與A扁之差，即(A連-A歷)，大于0.20X，更佳>0.25%。在諸較佳實施例中，(A靈-A漏)在0.2%和0.6%之間。在其它較佳實施例中，(A靈-A歷)在0.25%和0.5%之間。在較佳實施例的一個分組中，(A皿x-A歷)在O.15%和0.25%之間，并且(A通x-A歷)在O.25%和0.5%之間。較佳地，第三部分的△c。KE3(r)在0%和0.7%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到4.5和12iim之間的半徑，更佳延伸到4.5和10iim之間。第四部分可包含減小相對折射率的擴(kuò)散尾部。圖17所描繪的諸實例有可以略而不計的擴(kuò)散尾部。整個第四部分的Ac。KE4(r)在0%和0.4%之間。在諸較佳實施例中，增大半徑，Ac。KE4(r)從小于或等于0.4%的最大正相對折射率減到0和0.03%之間的最小值。較佳地，對6iim和25iim之間的所有半徑，相對折射率小于0.03%。較佳地，包層包圍并直接鄰接第四部分。較佳地，在rc。KE>4iim處，纖芯結(jié)束和包層開始，更佳>4.5iim，還更佳為在4.5禾P12ym之間，再更佳為在5和10iim之間。在諸較佳實施例中，諸如這里揭示的實例25-27所示的光纖較佳地具有；1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和22psnm-km之間，最佳為在16和21ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07ps/nm2-km，更佳為在0.05和0.07ps/nm2-km之間；k為270-330nm;零色散小于1340nm，更佳小于1320nm，還更佳為在1270和1320nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于80iim2，更佳為在80和100iim2之間，最佳為在80ym2和90ym2之間；1550nm的光模場直長大于10ym，更佳為在10和13ym之間，還更佳為在10和12ym之間；1550nm的針陣列彎曲損失小于20dB，更佳小于15dB，還更佳小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳小于3ps/nm-km;1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2_km。較佳地，纖芯第三部分含A3MX的相對折射率部分相當(dāng)平坦，即是相當(dāng)恒定的值。較佳地，在rA3MAX約0.25iim內(nèi)的任何半徑間的A(r)差的絕對值都小于0.1%，更佳小于0.05%。較佳地，含A皿，的相對折射率部分相當(dāng)平坦，即是相當(dāng)恒定的值。較佳地，出現(xiàn)在r=2.5禾口r=3iim之間的dA/dr的絕對值<0.05%iim。AOEA皿可大于AOEA，，或AOEDL。2可大于AOEAM1，或者二者基本上相等。在諸較佳實施例中，A0EAM1與A0EA，都小于400ym2，在其它較佳實施例中，二者都小于300踐2。在諸較佳實施例中，0.5<A0EA區(qū)/A0EA，<2，在其它較佳實施例中，0.6<A0EAL(ll/A0EAL。2<1.5。圖17所示Aaffl=0的包層，或包覆層，包圍并直接鄰接纖芯外區(qū)。這樣，可將實列26-27描述成一種纖芯，該纖芯包括內(nèi)區(qū)(即中心區(qū))、包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的中間區(qū)(即隔離區(qū))和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)(即環(huán)區(qū))。整個纖芯較佳地具有正折射率。較佳地，外區(qū)包括整條光纖的最大A^(即AMX=A皿》，中間區(qū)包括厶2腳，內(nèi)區(qū)包括A皿x，其中A通x〉A(chǔ)1MX，Aimx>0，A3MX>0，厶2扁>0，A1MX>A皿爐而且A3MX>A2MIN。較佳地，第一部分的相對折射率分布曲線包含一基本平坦部分。較佳地，第三部分的相對折射率分布曲線有一基本平坦部分，更佳地，第三部分的大部分有一基本平坦的相對折射率分布曲線Ac。KE3(r)。第七組優(yōu)選實施例圖18示意地示出示例性的第七組較佳實施例，曲線28表示實例28相應(yīng)的折射率分布曲線。實例28的光纖具有以下特性；1310nm的色散為-0.004ps/nm-km，131Onm的色散斜率為0.0868ps/nm2-km，1550nm的色散為16.8ps/nm-km，1550nm的色散斜率為0.058ps/nm2-km，1550nm的k為290nm，1625nm的色散為20.9ps/nm-km，1550nm的模場直徑(MFD1550)為10.29iim，1550nm的衰減為0.193dB/km，1550nm的針陣列為8.3dB，1550nm的橫向負(fù)載損失為O.49dB，LPll截止(理論)為1327nm，零色散波長為1313nm，1550nm的Aeff為81.6iim2，，AOEAL01為324iim2，AOEAL02為143iim2，AOEA訓(xùn)為143iim2，AOEAL01/AOEAL02比值為2.26，絕對SBS閾值為12.ldBm，比同長度SMS-28⑧或SMF-28e⑧光纖的SBS閾值改善了約5.3dB，在0、0.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5和5的半徑，相對折射率差A(yù)分別為0.63、0.53、0.34、0.25、0.29、0.37、0.39、0.38、0.24、0.05和0.00%，A磁-A(r=1)為0.29%，△磁=△麗為0.63%，rAMX=rA麗為0.0m，r,隨約為1.6ym的A扁為0.25%，約r靈=3.liim的A通x為O.395%，A皿x-A歷為0.38%，A通廠A扁為0.145%，|A皿廠A通」為0.235%，rCORE為4.9iim。實例24的光纖，其在1550nm的光模有效面積大于約80ym2，第一聲模LQ1的第一聲光有效面積AOEAM1不小于200m2，第二聲模L。2的第二聲光有效面積AOEAM2不小于100ym2，其中0.25<AOEAm1/AOEAl。2<3.5。較佳地，1550nm的光模有效面積大于約80iim2，，更佳為在約80和110iim2之間。在有些較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在80和100iim2之間，在其它較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在約80和90ym2之間。在有些較佳實施例中，纖芯包括的相對折射率分布曲線具有所謂的中心線下傾，該下傾由一種或多種光纖制造術(shù)形成。但這里揭示的任一折射率分布曲線的中心線下傾均是隨意選擇的。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到lPm半徑的第一部分，其最大相對折射率A1MAX(%)較佳地小于0.8%，更佳小于0.7%，出現(xiàn)在半徑rAMAX處。對rAMX與r=1m間的所有半徑，相對折射率Ae。KE1(r)較佳地大于0.2%而小于0.7%。在諸較佳實施例中，對r,皿與r二lym的所有半徑，AroKE1(r)均大于0.3%而小于0.6%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，第二部分延伸到2ym半徑，其中整個第二部分的Ae。KE2(r)在O.15%和0.5%之間，更佳為在0.15%和0.4%之間。在諸較佳實施例中，從r=1到r=1.5iim，Ae。KE2(r)大于約0.2%而小于0.4%，在諸較佳實施例中，從r=1.5到r=2.5iim，Ac。KE2(r)大于0.2%而小于0.4%。第二部分的最小相對折射率A2MIN(%)較佳小于O.35%，更佳小于0.3%。較佳地，A皿x與A歷之差，即(A麗-A扁)，大于0.2X，更佳>0.3%。在諸較佳實施例中，(A1MX_A2MIN)在0.3%和0.4%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5iim半徑。在r=3iim處，Ac,>0.3%。第三部分的最大相對折射率A3M(%)大于A扁而小于A應(yīng)。較佳地，A連與A歷之差，即(A連-A歷)，大于0.10X。在諸較佳實施例中，(A連-A歷)在0.1%和0.2%之間。較佳地，Ac。KE3(r)在O.1%和0.5%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到4.5和12ym之間的半徑，更佳延伸到4.5和10iim之間的半徑。整個第四部分的ATOKE4(r)在0%和0.4%之間。在諸較佳實施例中，增大半徑，則Ae。KE4(r)就從小于或等于0.4%的最大正相對折射率減到0和0.03%之間的最小值。較佳地，對6iim和25iim之間的所有半徑，相對折射率均小于0.03%。較佳地，包層包圍并直接鄰接第四部分。較佳地，在rc。KE>4.5i！m處，纖芯結(jié)束而包層開始更佳為在4.5和12iim之間，最佳為在5和10iim之間。在諸較佳實施例中，諸如這里揭示的實例28所示的光纖，較佳地具有1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和22ps/nm-km之間，最佳為在16和21ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07ps/nm2_km，更佳為在0.05和0.07ps/nm2_km之間；k為270到330nm。零色散小于1340nm，更佳小于1320nm，還更佳為在1270和1320nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于80iim2，更佳為在80iim2和100ym2之間；1550nm的光模場直徑大于10iim，更佳為在10和13iim之間，還更佳為在10和12iim之間；1550nm的針陣列彎曲損失小于20dB，更佳小于15dB，還更佳小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳小于3ps/nm-km;1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2-km。較佳地，橫向負(fù)載損失小于ldB/m，更佳小于0.7dB/m。較佳地，纖芯第三部分含A3MX的相對折射率部分是相當(dāng)平坦的，即是相當(dāng)恒定的值。較佳地，rA3MX為0.5iim內(nèi)任何半徑間的A(r)的差的絕對值小于0.1%，更佳小于0.05%。較佳地，含A皿，的相對折射率部分相當(dāng)平坦，即是相當(dāng)恒定的值。較佳地，出現(xiàn)在r=1與r=2iim之間的dA/dr的絕對值<0.05%/iim。AOEA皿可大于AOEA匿，或AOEA，可大于AOEA區(qū)，或者AOEAM1基本上與AOEA，相等。在諸較佳實施例中，AOEALQ1和AOEAL。2均小于400ym2。在諸較佳實施例中，0.25<AOEA皿/AOEAl。2<3.5。在其它較佳實施例中，0.3<AOEAL(ll/AOEAL。2<2.5。圖18所示Aaffl=0的包層在rTOKE處包圍并直接鄰接纖芯外區(qū)。這樣，可將實例28描述成一種纖芯，該纖芯包括內(nèi)區(qū)(即中心區(qū))、包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的中間區(qū)(即隔離區(qū))和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)(即環(huán)區(qū))。整個纖芯較佳地具有正折射率。較佳地，內(nèi)區(qū)包括整條光纖的最大A^(即A皿)，中間區(qū)包括A2MIN，夕卜區(qū)包矛舌A3MX，其中A1MAX>0，A3MX>0，A2MIN>0，A1MX>A2MIN，A3MX>A2MIN，而A1MAX>A3MAX>A2MIN>0。較佳地，第一部分的相對折射率分布曲線有一基本平坦部分。較佳地，第三部分的相對折射率分布曲線有一基本平坦部分，更佳地，第三部分大部分有一基本平坦的相對折射率分布曲線Ac。KE3(r)。第八組較佳實施例圖19示意地示出示例的第八組較佳實施例，曲線29代表實例29的相應(yīng)折射率分布曲線。實例29的光纖具有下列特性；1310nm的色散為_0.47ps/nm-km，1310nm的色散斜率為0.0895ps/nm2-km，1550nm的色散為16.8ps/nm-km，1550nm的色散斜率為0.095ps/nm2-km，1625nm的色散為21.lps/nm-km，1550nm的模場直徑(MFD1550)為10.8iim，1550nm的衰減為0.191dB/km，1550nm的針陣列為8.2dB，1550nm的橫向負(fù)載損失為0.57dB，LP11截止(理論)為1335nm，零色散波長為1318nm，1550nm的Aeff為83.4ym2，AOEAL(11為359iim2，AOEAL02為118iim2，AOEA扁為118iim2，，AOEAL01/AOEAL02比值為3.04，絕對SBS閾值為12.5dBm，比Corning公司的同長度SMF-28⑧或SMF-28e⑧光纖的SBS閾值改善了5.7dB，在0、0.5、1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5和5半徑處，相對折射率差△為0.19、0.77、0.30、0.29、0.31、0.31、0.31、0.31、0.31、0.18和0.00%，Amx=A皿x為0.80X，Amx_A(r=1)為O.50%，A磁-A(r=3.5)為0.50%，rAMX=r,應(yīng)為0.45ym，r,2扁為約1.2ym的A2MN為O.28%，厶3麗為約0.31%，A皿x-A，N為0.52%，A靈-A歷為0.03X，|A皿廠A通」為O.49%，而^匿為4.85iim。實例29的光纖，其在1550nm的光模有效面積大于約80ym2，第一聲模LQ1的第一聲光有效面積AOEAM1不小于170iim2;第二聲模L。2的第二聲光有效面積AOEA，不小于100ym2，其中0.25<AOEAm1/AOEAl。2<3.5。較佳地，1550nm的光模有效面積大于約80iim2，更佳為在80和110iim2之間。在有些較佳實施例中，1550nm的光模有效面積在約80和100iim2之間，在其它較佳實施例中，1550nm的光模有效面積為在約80和95ym2之間。在有些較佳實施例中，諸如在圖19中，纖芯包括帶所謂的中心線下傾的相對折射率分布曲線，下傾由一種或多種光纖制造術(shù)形成。但這里揭示的任一折射率分布曲線的中心線下傾是隨意選擇的。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到lPm半徑的第一部分，其最大相對折射率A1MX(%)較佳地小于1.0%，更佳小于0.9%，還更佳為在0.6%和0.9%之間，再更佳為在0.7%和0.85%之間，出現(xiàn)在半徑r,麗處。對于rAMAX與r=1iim間的所有半徑，相對折射率AroKE1(r)較佳地大于O.15%而小于0.9%。在諸較佳實施例中，對r,皿與r=lPm間的所有半徑，Ac。KE1(r)大于0.2%而小于0.85%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，第二部分延伸到2iim半徑，其中整個第二部分的Ae。KE2(r)在0.15%和0.5%之間，更佳在0.2%和0.4%。之間。在諸較佳實施例中，從r=1到r=1.5iim，A國(r)大于約0.25%而小于0.3%。第二部分的最小相對折射率A歷(^)，較佳小于0.4%，更佳小于0.3%。在諸較佳實施例中，A皿x與A歷之差，即(A應(yīng)-A歷)，大于0.4%，在其它較佳實施例中，(A1MX-A2MIN)>0.45%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5iim半徑。在r=3iim處，AroKE3>0.2%。第三部分的最大相對折射率A3MX(%)大于A，n而小于A皿x。較佳地，A通x與A，n之差，艮卩(A靈-A漏)，小于O.10%。較佳地，(Amax-A(3.5))>0.4%，更佳>0.45%。較佳地，(A隨-A靈)>0.4%，更佳>0.45%。在諸較佳實施例中，(A麗-A歷)在0.4X和0.6%之間，(A皿x-A遍x)在0.4%和0.6%之間，(A麗-A(3.5))在0.4%和0.6%之間，而(A靈-A歷〈0.10%。較佳地，A,3(r)在O.1%和0.4%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到4.5和12ym之間的半徑，更佳延伸到4.5和10iim之間。整個第四部分的Ac。KE4(r)在0%和0.4%之間。在諸較佳實施例中，增大半徑，則Ae。KE4(r)就從小于或等于0.4%的最大正相對折射率減到0和0.03%之間的最小值。較佳地，對于6iim禾P25iim之間的所有半徑，相對折射率小于0.03%。較佳地，包層包圍并直接鄰接第四部分。較佳地，在r^>4.5ym處，纖芯結(jié)束而包層開始，更佳為在4.5和12iim之間，還更佳為在5和10iim之間。在諸較佳實施例中，諸如這里揭示的實例29所示的光纖，較佳地具有1550nm的色散大于15ps/nm-km，更佳為在15和22ps/nm-km之間，最佳為在16和21ps/nm-km之間；1550nm的色散斜率小于0.07ps/nm2_km，更佳為在0.05和0.07ps/ni^-km之間；零色散小于1340nm，更佳小于1320nm，還更佳為在1270和1320nm之間；1550nm的光學(xué)有效面積大于80iim2，更佳為在80iim2和90ym2之間，；1550nm的光模場直徑大于10ym，更佳為在10和13iim之間，還更佳為在10和12iim之間；1550nm的針陣列彎曲損失小于20dB，更佳小于15dB，還更佳小于10dB;1310nm的色散值小于5ps/nm-km，更佳小于3psnm-km;以及1310nm的色散斜率小于0.10ps/nm2-km。較佳地，橫向負(fù)載損失小于ldB/m，更佳小于0.7dB/m。較佳地，纖芯第三部分含A3MX的相對折射率部分相當(dāng)平坦，即是相當(dāng)恒定的值。較佳地，r二2iim禾Pr二4iim之間的任何半徑間的A(r)的差的絕對值小于0.1%，更佳小于0.05%。較佳地，含A皿，的相對折射率部分相當(dāng)平坦，g卩，是相當(dāng)恒定的值。較佳地，出現(xiàn)在r=1與r=2iim之間的dA/dr的絕對值<0.05%/iim。AOEA皿可大于AOEA，，或者AOEA，可大于AOEA皿，或AOEA皿可基本等于AOEA，。較佳地，AOEALQ1遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于AOEAL02。在諸較佳實施例中，AOEALQ1與AOEAL。2均小于400ym2。在諸較佳實施例中，O.25<AOEAM1/AOEAM2<3.5。在其它較佳實施例中則0.3<A0EA^/L0EAL。2<3。圖19所示ACAlD=0的包層，或包覆層，在r^處包圍并直接鄰接纖芯外區(qū)。這樣，可將實例29描述為有一纖芯，該纖芯包括內(nèi)區(qū)(即中心區(qū))、包圍并直接鄰接內(nèi)區(qū)的中間區(qū)(即隔離區(qū))和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)(即環(huán)區(qū))。整個纖芯較佳地具有正折射率。較佳地，內(nèi)區(qū)含整條光纖的最大A^(即A皿》，中間區(qū)含A皿,，外區(qū)含A靈，其中A皿x〉厶3麗>A2MIN>0，A1MAX>A2ra，Amx>A2ra。較佳地，第一部分的相對折射率分布曲線有一基本平坦部分。較佳地，第三部分的相對折射率分布曲線含一基本平坦部分，更佳地，第三部分的大部分具有基本平坦的相對折射率分布曲線Ae。KE3(r)。較佳地，對于長度大于或等于50km的光纖，這里揭示的光纖的絕對閾值大于9.5dBm，更佳大于10.OdBm，還更佳〉10.5dBm。較佳地，這里揭示的光纖，1380ym的衰減不比1310Pm的衰減大0.3dB/km以上，更佳地不更大0.ldB/km以上，還更佳不更大0.05dB/km以上。在諸較佳實施例中，1380nm的衰減不大于1310nm的衰減，在其它較佳實施例中，1380nm的衰減小于0.3dB/km。在實施例的一個較佳組中，絕對SBS閾值大于8.5+log[(l_e—(°9)(5°)4343)/(1-e—(a)獄343)]dBm，較佳地大于9+log[(l_e—(°.19)(50)/4.343)/(l_e—(a)獄343)]dBm，還更佳大于9.5+log[(l-e—(°.19)(5°)/4.343)/(l-e—(Q)(輸343)]dBm(其中L是按km為單位的光纖長度，a為光纖在1550nm的衰減)，1380iim的衰減不比1310ym的衰減大0.3dB/km以上，更佳不大于0.ldB/km以上，還更佳不大于0.05dB以上，在諸較佳實施例中，1380nm的衰減不大43于1310nm的衰減。在其它較佳實施例中，1380iim的衰減小于0.3dB/km。在有些較佳實施例中，1550nm的光學(xué)有效面積較佳地大于80ym2，而在其它較佳實施例中，1550nm的光學(xué)有效面積大于80iim2而小于110iim2，。這里揭示的光纖，呈現(xiàn)的PMD較佳地小于0.lps/sqrt(km)，更佳小于0.05ps/sqrt(km)，還更佳小于0.02ps/sqrt(km)。在諸較佳實施例中，1550nm的針陣列彎曲損失小于5dB，更佳小于3dB。在諸較佳實施例中，1620nm的針陣列彎曲損失小于10dB，更佳小于7dB，還更佳小于5dB。較佳地，這里揭示的光纖的纜線截止小于1300nm，更佳為在1200和1300nm之間。較佳地，這里揭示的光纖適合在1260nm到1625nm波長范圍內(nèi)發(fā)送光信號。較佳地，這里揭示的光纖用蒸發(fā)淀積工藝制作。還更佳地用外蒸發(fā)淀積(OVD)工藝制作這里揭示的光纖。因此，例如可有利地用眾知的OVD淀積、凝固和拉絲技術(shù)生產(chǎn)這里揭示的波導(dǎo)光纖。也可應(yīng)用其它工藝，諸如修正的化學(xué)蒸發(fā)淀積(MCVD)或蒸發(fā)軸向淀積(VAD)或等離子體化學(xué)蒸發(fā)淀積(PCVD)等。所以，應(yīng)用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的制造技術(shù)，包括但不限于OVD、VAD與MCVD工藝，就能實現(xiàn)這里揭示的波導(dǎo)光纖的折射率與載面分布曲線。在較佳實施例的第一分組中，這里揭示的光纖用于引導(dǎo)至少一種光模和多種聲模，包括聲模LM與聲模U，光纖包括；具有折射率分布曲線與中心線的纖芯；和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中所述光模在1550nm的有效面積大于90ym2;其中聲模LQ1在光纖Brillouin頻率的第一聲光有效面積AOEA皿不小于170ym2，聲模L。2在光纖Brillouin頻率的第二聲光有效面積AOEAL。2不小于l70iim2，而且0.4<AOEAlm/AOEA^<2.5。在有些較佳實施例中，纖芯的相對折射率值在上邊界曲線和下邊界曲線之間；其中上邊界曲線是由至少兩點(diǎn)定義的直線，該兩點(diǎn)包括在O半徑處A為0.6%的第一上部點(diǎn)和在14.25iim半徑處A為0%的第二上部點(diǎn)；其中下邊界曲線是由至少兩點(diǎn)定義的直線，該兩點(diǎn)包括在O半徑處A為0.25X的第一下部點(diǎn)和在6iim半徑處A為0%的第二下部點(diǎn)。在有些較佳實施例中，AOEA區(qū)和AOEA，在光纖Brillouin頻率都不小于180ym2。在在其它較佳實施例中，AOEA區(qū)和AOEAM2在光纖Brillouin頻率不小于190ym2。在有些較佳實施例中，光纖的零色散波長低于1340nm，更佳為在1320和1340nm之間的范圍中。在其它較佳實施例中，光纖的零色散波長低于1320nm，更佳為在1290和1320nm之間的范圍中。較佳地，光纖在1550nm波長的色散為在15和21ps/nm-km之間。在有些較佳實施例中，在1550nm波長的色散為在15和17ps/nm-km之間，在其它較佳實施例中，1550nm波長的色散為在17和20ps/nm-km之間。較佳地，光纖的光學(xué)有效面積大于90i!n^，在有些較佳實施例中，光學(xué)有效面積大于100踐2。較佳地，光纖在1550nm的針陣列彎曲損失小于15dB，更佳小于10dB。在有些較佳實施例中，上邊界曲線是由至少兩點(diǎn)定義的直線，該兩點(diǎn)包括在O半徑處A為O.5%的第一上部點(diǎn)和在11.25iim半徑處A為0%的第二上部點(diǎn)。較佳地，纖芯包括從中心線延伸到1ym半徑的第一部分，第一部分的相對折射率大于O.25%而小于0.5%。較佳地，對r=0至ljr=1ym的所有半徑，dA/dr>0.15%/m。較佳地，在A(r=0iim)與A(r=1iim)之間的差的絕對值小于0.1%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第一部分的第二部分，第二部分延伸到2.5iim半徑，A為在O.20%和0.45%之間。較佳地，對1和1.5ym之間的所有半徑，第二部分的A為在O.3%和0.45%之間。在有些較佳實施例中，對在1.5和2.5iim之間的所有半徑，第二部分的A在0.2%和0.35%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第二部分的第三部分，第三部分延伸到4.5iim半徑，A為在O.15%和0.35%之間。較佳地，對于在2.5和4.5ym之間的所有半徑，第三部分的A在0.2%和0.3%之間。較佳地，第三部分任何半徑間的A的差的絕對值小于0.1%。較佳地，在r=2.5iim和r=4.5iim之間，任何半徑間的A的差的絕對值都小于O.1%。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第三部分的第四部分，第四部分延伸到6ym半徑，A為在O.1%和0.3%之間。在有些較佳實施例中，對在4.5和5iim之間的所有半徑，第四部分的A在0.2%和0.3%之間。較佳地，對在5和6iim之間的所有半徑，第四部分的A在O.15%和0.3%之間。較佳地，纖芯還包括包圍并直接鄰接第四部分的第五部分，第五部分延伸到9ym半徑，A為在0.0%和0.15%之間。較佳地，A(r=5.5iim)>0.1%。較佳地，A(r=6踐)>0%。在有些較佳實施例中，AOEALQ1與AOEAL。2小于400ym2。在有些較佳實施例中，O.5<A0EAM1/A0EAM2<2，在另一些較佳實施例中，0.6<A0EAL(I1/A0EAL。2<1.5。在較佳實施例的第二分組中，這里揭示的光纖包括；具有折射率分布曲線和中心線的纖芯；和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中1550nm的光學(xué)有效面積大于80ym2;其中對長度大于50km的光纖，絕對SBS閾值大于9.5dBm。較佳地，光學(xué)有效面積在80和110ym2之間，。較佳地，1380nm的衰減不高于1310nm的衰減0.3dB以上。較佳地，光纖在1550nm呈現(xiàn)的32mm直徑彎曲損失不大于0.03dB/匝。較佳地，光纖的纜線截止小于1300nm。在較佳實施例的第三分組中，這里揭示的光纖包括；具有折射率分布曲線和中心線的纖芯；和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中纖芯的折射率被選成在1550nm提供大于80iim2的光學(xué)有效面積；對于長度大于約50km的光纖，絕對SBS閾值大于9.5dBm;纜線截止<1300nm;1550nm的32mm直徑彎曲損失不大于0.03dB/匪。在較佳實施例的第四分組中，這里揭示的光纖包括；具有折射率分布曲線和中心線的纖芯；和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中對長度約大于50km的光纖，絕對SBS閾值大于8.5dBm;其中1380ym的衰減大于1310ym的衰減不超過0.3dB。較佳地，1380ym的衰減大于1310iim的衰減不超過0.ldB，更佳地，1380ym的衰減大于1310ym的衰減不超過0.05dB。在諸較佳實施例中，1380iim的衰減不超過1310ym的衰減，在有些較佳實施例中，1380iim的衰減小于O.3dB。較佳地，絕對SBS閾值大于9.OdBm，更佳大于9.5dBm。較佳地，1550nm的光學(xué)有效面積大于80ym2，更佳地大于80ym2而小于120ym2。在較佳實施例的第五分組中，這里揭示的光纖包括；一段長度；具有折射率分布曲線和中心線的纖芯；和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中光纖在1550nm有衰減；其中把纖芯的折射率選成提供；在1550nm>80ym2的光學(xué)有效面積；和大于9.5+log[(l-e—(°.19)(5°)/4.343)/(l-e—(a)(L)/4.343)]的按dBm為單位的絕對SBS閾值，其中L為按km為單位的長度，a為1550nm的按dB/km為單位的衰減。較佳地，光學(xué)有效面積在80和110iii^之間。較佳地，1380nm的衰減高于1310iim的衰減不超過O.3dB。較佳地，光纖在1550nm呈現(xiàn)的32mm直徑彎曲損失不大于0.03dB/匝。較佳地，光纖的纜線截止小于1300nm。在較佳實施例的第六分組中，這里揭示的光纖包括；一段長度；具有折射率分布曲線和中心線的纖芯；和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中光纖在1550nm有衰減；其中把纖芯的折射率選成提供在1550nm大于80ym2的光學(xué)有效面積；大于約9.5+log[(l-e-(o.19)(50)/4.343)/(l-e-(a)(L)/4.343)]的絕對SBS閾值(dBm)，式中L是按km為單位的長度，a為按dB/km為單位的1550nm的衰減；小于1300nm的纜線截止；和在1550nm不大于0.03dB/匪的32mm直徑彎曲損失。在較佳實施例的第七分組中，這里揭示的光纖包括；具有折射率分布曲線和中心線的纖芯；和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中絕對SBS閾值(dBm)大于約8.5+log[(l-e—(°.19)(5°)/4.343)/(l-e—(Q)(艦343)]，式中L是按為km單位的長度，a為按dB/km為單位的1550nm的衰減；其中1380ym的衰減大于1310ym的衰減不超過0.3dB。較佳地，1380iim的衰減大于1310iim的衰減不超過0.ldB，更佳大于1310ym的衰減不超過0.05dB。在有些較佳實施例中，1380iim的衰減不大于1310iim的衰減。在諸較佳實施例中，1380iim的衰減小于0.3dB。在有些較佳實施例中，按dBm為單位的絕對SBS閾值大于約9.0+log[(l-e—(°.19)(5°)/4.343)/(l-e—(a)(戯343)]，式中L是按km為單位的長度，a為按dB/km為單位的1550nm的衰減。在其它較佳實施例中，按dBm為單位的絕對SBS閾值大于約9.5+log[(l-e-(o.19)(50)/4.343)/(l-e-(a)(L)/4.343)]，式中L是按km為單位的長度，a為按dB/km為單位的1550nm的衰減。較佳地，1550nm的光學(xué)有效面積大于80iim2。在諸較佳實施例中，1550nm的光學(xué)有效面積大于80iim2而小于120iim2。圖4示意地表示(不按標(biāo)度)這里揭示的波導(dǎo)光纖300，具有纖芯100和直接鄰接并包圍纖芯100的外環(huán)包層或外包層或包層200。較佳地，包層內(nèi)不含氧化鍺或氟摻雜劑。更佳地，這里揭示的光纖的包層200是純的或基本上純的硅石。包層200可包括淀積的一種包層材料，例如在淀積過程中被淀積，或以管殼形式諸如鏡筒內(nèi)桿(rod-in-tube)光學(xué)預(yù)制件結(jié)構(gòu)的鏡筒設(shè)置，或者是淀積材料與管殼相結(jié)合。包層200可含一種或多種摻雜劑。包層200被一次涂層P和二次涂層S圍繞。包層200的折射率用來計算本文各處討論的相對折射率百分比。參照附圖，包圍被定義為A(r)=0%的纖芯的包層200具有折射率n。，用來計算光纖或光纖預(yù)制件各部分或各區(qū)域的折射率百分比。如圖5所示，可在光纖通信系統(tǒng)30中設(shè)置這里揭示的光纖300。系統(tǒng)30包括發(fā)射機(jī)34和接收機(jī)36，其中光纖300讓光信號在發(fā)射機(jī)34與接收機(jī)36之間傳輸。系統(tǒng)30較佳地能雙向通信，而發(fā)射機(jī)34和接收機(jī)36只為示例而示出。系統(tǒng)30較佳地包括一條具有這里揭示的光纖段或跨度的鏈路。系統(tǒng)30還包括光學(xué)連接這里揭示的一個或多個光纖段或跨度的一個或多個光學(xué)設(shè)備，諸如一個或多個再生器、放大器或色散補(bǔ)償模塊。在至少一個較佳實施例中，本發(fā)明的光纖通信系統(tǒng)包括由光纖連接的發(fā)射機(jī)與接收機(jī)，其間無需再生器。在另一較佳實施例中，本發(fā)明的光纖通信系統(tǒng)包括光纖連接的發(fā)射機(jī)與接收機(jī)，其間無需放大器。在再一較佳實施例中，本發(fā)明的光纖通信系統(tǒng)包括光纖連接的發(fā)射機(jī)與接收機(jī)，其間既無放大器，也無再生器或重發(fā)器。圖22示意示地出這里揭示的光纖通信系統(tǒng)400的另一實施例。系統(tǒng)400包括被光學(xué)傳輸線440光學(xué)連接的發(fā)射機(jī)434和接收機(jī)436。光學(xué)傳輸線440包括第一光纖442和第二光纖444，前者是這里揭示的有效面積大而SBS閾值高的光纖，后者在1550nm的色散為在-70和-15(^8/11111-1^之間。在諸較佳實施例中，第二光纖的相對折射率分布曲線具有相對折射率為正的中心纖芯分層；包圍并接觸中心分層、相對折射率為負(fù)的隔離分層；和包圍并接觸隔離分層、相對折射率為正的環(huán)分層。較佳地，第二光纖的中心分層的最大相對折射率在1.6%和2%之間，隔離分層的最小相對折射率在-0.25%和-0.44%之間，環(huán)分層的最大相對折射率在0.2%和0.5%之間。較佳地，第二光纖的中心分層的外半徑在1.5和2iim之間，隔離分層的外半徑在4和5iim之間，環(huán)分層的中點(diǎn)在6和7ym之間。如這里的圖4或圖6所示，2003年3月20日發(fā)布的美國專利申請出版號2003/0053780、序號10/184，377描述了第二光纖的一個例子。第一光纖442與第二光纖444可通過熔融拼接、光學(xué)連接器等光學(xué)連接，如圖22的符號"X"所示。較佳地，第一光纖的k值kl與第二光纖的k值k2匹配，其中kl/k2較佳為在0.8和1.2之間，更佳為在0.9和1.1之間，還更佳為在0.95和1.05之間。光學(xué)傳輸線440還包括一個或多個元件和/或其它光纖(如光纖和/或元件之間接合處的一條或多條"引出光纖"445)。在諸較佳實施例中，第二光纖444的至少一部分有選擇地置于色散補(bǔ)償模塊446內(nèi)。光學(xué)傳輸線440讓光信號在發(fā)射機(jī)434與接收機(jī)436之間傳輸。較佳地，光學(xué)傳輸線的殘余色散小于每100km光纖約5ps/nm。較佳地，這里揭示的光纖具有低含水量，而且較佳地是低水峰光纖，即在一特定波長區(qū)，尤其在E波段內(nèi)，其衰減曲線呈現(xiàn)出相當(dāng)?shù)偷乃寤虿淮嬖谒?。制造低水峰光纖的方法見諸于PCT申請出版號W000/64825、WOO1/47822和W002/051761，其內(nèi)容通過引用包括在這里。較佳地，構(gòu)成碳黑預(yù)制件或碳黑體的方法是在氧化媒介中使至少某些活動流體混合物的組分(包括至少一種玻璃形成前體化合物)起化學(xué)反應(yīng)，以形成基于硅石的反應(yīng)產(chǎn)物。將至少一部分這種反應(yīng)產(chǎn)物導(dǎo)向基片，形成多孔硅石體，其中至少一部分通常含有鍵合到氧的氫。例如通過OVD工藝把碳黑層淀積到鉺棒上，可形成碳黑體。通過把諸如空心的或管狀的手柄之類的玻璃體插入基片或鉺棒或芯棒并裝在車床上。該車床設(shè)計成使芯棒旋轉(zhuǎn)并平移芯棒貼近碳黑生成燃燒器。當(dāng)芯棒旋轉(zhuǎn)和平移時，把通常稱為碳黑的基于硅石的反應(yīng)產(chǎn)物導(dǎo)向芯棒。把至少一部分基于硅石的反應(yīng)產(chǎn)物淀積在芯棒上和一部分手柄上而形成一主體。—旦在芯棒上淀積了期望的碳黑量，就終止碳黑淀積，從碳黑體中取出芯棒。芯棒取出后，碳黑體形成一軸向穿通的中心線？L。較佳地，碳黑體在垂直設(shè)備上被手柄懸置，定位在凝結(jié)爐內(nèi)。在凝結(jié)爐內(nèi)定位碳黑體之前，遠(yuǎn)離手柄的端部的中心線孔較佳地配有底部孔塞。較佳地，該底部孔塞通過摩擦配合相對于碳黑體定位并保持就位?？兹^佳地呈錐形，以利于進(jìn)入，并在碳黑體內(nèi)至少能臨時固定和松動。碳黑體較佳地進(jìn)行化學(xué)干燥，例如在凝結(jié)爐內(nèi)使碳黑體在高溫下暴露在含氯氣氛中。含氯氣氛從碳黑體中有效地除去水分和其它雜質(zhì)，否則它們會對由碳黑體制成的波導(dǎo)光纖的特性產(chǎn)生不希望的影響。在OVD形成的碳黑體內(nèi)，氯充分流過碳黑而有效地干燥整個預(yù)制件，包括包圍中心線孔的中心線區(qū)域。在化學(xué)干燥步驟之后，將爐溫升高到足以將碳黑坯料凝結(jié)成燒結(jié)玻璃預(yù)制件的溫度，較佳為約1500°C。然后在凝結(jié)步驟期間，閉合中心線孔，從而在中心線孔封閉之前，該中心線孔就沒有機(jī)會被氫化物再濕潤。較佳地，中心線區(qū)的加權(quán)平均OH含量小于lppb。這樣，在凝結(jié)期間封閉中心線孔可明顯減少或防止中心線孔暴露于含氫化合物的氣氛中。如以上和本文其它地方的描述，孔塞較佳地是玻璃體，其含水量小于31ppm(重量)，諸如熔融的石英孔塞，而且較佳地小于5ppb(重量)，諸如化學(xué)干燥的硅石孔塞。這些孔塞一般在含氯氣氛中干燥，不過含其它化學(xué)干燥劑的氣氛同樣適用。理想地，玻璃孔塞的含水量應(yīng)小于lppb(重量)。此外，玻璃孔塞較佳地是薄壁型孔塞，厚度從月200iim到約2mm。還更佳地，至少一部分頂部孔塞的壁厚為約0.2到0.5mm。再更佳地，細(xì)長部分66的壁厚為約0.3mm到約0.4mm。較薄地壁有利于擴(kuò)散，但操作時更易碎裂。這樣，中心線孔密封后，惰性氣體較佳地從中心線孔擴(kuò)散，在中心線孔內(nèi)形成不活潑真空，而薄壁型玻璃孔塞有利于惰性氣體從中心線孔快速擴(kuò)散?？兹奖?，擴(kuò)散速率越大。較佳地把凝結(jié)的玻璃預(yù)制件加熱到足以拉伸玻璃預(yù)制件的高溫，較佳為約195(TC到約210CTC，從而縮小預(yù)制件直徑而形成圓柱形玻璃體，諸如芯莖或光纖，其中中心線孔塌陷成固態(tài)中心線區(qū)。在凝結(jié)期間，在被動形成的密封的中心線孔內(nèi)保持減低壓力，一般足以在拉絲(或再拉)過程中促成完全的中心線孔封閉。因此，能實現(xiàn)整個較低的O-H泛頻光學(xué)衰減。例如，能降低和甚至基本上消除1383nm的水峰和諸如在950nm或1240nm的其它0H感生水峰。低水峰一般造成較低的衰減損失，對在約1340nm和約1470nm之間的傳輸信號尤其如此。再者，低水峰還可改進(jìn)與光纖作光耦合的泵發(fā)光設(shè)備的泵運(yùn)效率，諸如工作于一個或多個泵運(yùn)波長的Raman泵或Raman放大器。較佳地，Raman放大器泵運(yùn)于一個或多個波長，這些波長比任一期望的工作波長或波長區(qū)低100nm。例如，Raman放大器以約1450nm泵運(yùn)波長泵運(yùn)攜帶約1550nm波長工作信號的光纖。因此，從約1400nm到約1500nm的波長區(qū)中較低的光纖衰減可減小泵運(yùn)衰減而提高泵運(yùn)效率，比如每毫瓦泵功率的增益，對1400nm左右的泵運(yùn)波長尤其如此。一般，對于光纖內(nèi)較大的OH雜質(zhì)，水峰的寬、高都增大。因此，無論是對于工作信號波長還是用泵運(yùn)波長的放大，較小的水峰可更寬泛地選擇更有效的操作。這樣，減少OH雜質(zhì)可以減小例如約1260nm到約1650nm之間波長間的損失，尤其能在1383nm水峰區(qū)內(nèi)減小損失，從而形成更有效的系統(tǒng)操作。尤其在用OVD工藝制作時，這里揭示的光纖呈現(xiàn)出低的PMD值。對于這里揭示的光纖，光纖自旋也可降低PMD值。拉絲期間調(diào)整加到光纖的張力，可進(jìn)一步減小這里揭示的光纖，尤其是摻鍺光纖，的Brillouin散射損失。把光纖預(yù)制件的至少一部分，較佳為一端部，加熱到高溫以致可拉制光纖，諸如將該預(yù)制件降低到進(jìn)入RF感應(yīng)爐并把它加熱到熔化溫度，預(yù)制件包含的高純低耗鍺硅酸鹽玻璃纖芯，該纖芯被折射率比纖芯更低的玻璃包層外層包圍。然后，以適當(dāng)調(diào)節(jié)的張力，從加熱的預(yù)制件拉制光纖。充分加熱后，支承玻璃絞合線的預(yù)制件的熔融端部跌48落，再把絞合線插入拉纖臺。接著調(diào)節(jié)諸參數(shù)，制成具有期望的直徑與均勻度的光纖。拉纖速率與張力可受計算機(jī)的控制，實際上在10到50g的最小范圍與150到250g的最大范圍之間，按正弦、三角或較佳地按梯形波形相對于光纖長度調(diào)節(jié)光纖的拉纖張力。正弦波實際上是真實正弦波的正半周，這里所指的它的波長是從最小張力范圍到最大值再回到最小值的長度。較佳的正弦波長在3到30km范圍內(nèi)。通過沿長度在3到30km范圍內(nèi)的底邊給出較佳的三角波形的特征；較佳的梯形波形沿光纖長度有一對底邊長底邊在3km到15km范圍內(nèi)，短底邊在lkm到13km范圍內(nèi)。得出的拉制光纖具有摻Ge的纖芯和包圍該纖芯的包層。纖芯的特征為調(diào)制應(yīng)變的重復(fù)模式。在拉絲中，以1050g應(yīng)力產(chǎn)生的低應(yīng)變與拉絲中以150250g應(yīng)力產(chǎn)生的高應(yīng)變之間的長度來調(diào)制應(yīng)變。調(diào)制模式的特征為3到30km范圍內(nèi)的重復(fù)長度。模式波形較佳為正弦形、三角形或梯形。還可參閱美國專利No.5，851，259，其內(nèi)容通過引用包括在這里。這里揭示的所有光纖都能應(yīng)用于較佳地包括發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和光學(xué)傳輸線的光信號傳輸系統(tǒng)。光學(xué)傳輸線光耦至發(fā)射機(jī)與接收機(jī)。光學(xué)傳輸線較佳地包括至少一段光纖跨度，該光纖跨度較佳地包括至少一段光纖。該系統(tǒng)較佳地還包括至少一個光耦合至該光纖段的放大器，諸如Raman放大器。該系統(tǒng)較佳地還包括一復(fù)用器，用于互連能將光信號送到光學(xué)傳輸線上的多條信道，其中至少一個、較佳地至少三個、最佳地至少十個光信號以1260nm與1625nm之間的某一波長傳播。較佳地，至少一個信號在下列一個或多個波長區(qū)中傳播1310nm波段、E波段、S波段、C波段與L波段。在有些較佳實施例中，該系統(tǒng)能工作于粗波分復(fù)用模式，其中一個或多個信號在以下至少一個、更佳至少兩個波長區(qū)傳播1310nm波段、E波段、S波段、C波段與L波段。在一較佳實施例中，該系統(tǒng)包括這里揭示的、長度不超過20km的一段光纖。在另一較佳實施例中，系統(tǒng)包括這里揭示的、長度大于20km的一段光纖。在又一較佳實施例中，系統(tǒng)包括這里揭示的、長度大于70km的一段光纖。在一較佳實施例中，系統(tǒng)工作于低于或等于約1Gbit/s。在另一較佳實施例中，系統(tǒng)工作于低于或等于約2Gbit/s。在再一較佳實施例中，系統(tǒng)工作于小于或等于約10Gbit/s。在又一較佳實施例中，系統(tǒng)工作于小于或等于約40Gbit/s。在還有一較佳實施例中，系統(tǒng)工作于大于或等于約40Gbt/s。在一較佳實施例中，這里揭示的系統(tǒng)包括光學(xué)源、這里揭示的光耦合至該光學(xué)源的光纖，以及光耦合至光纖以接收通過光纖發(fā)射的光信號的接收機(jī)，光學(xué)源能抖動和/或相位調(diào)制和/或幅值調(diào)制光學(xué)源產(chǎn)生的光信號，而接收機(jī)接收光信號。當(dāng)輸入功率在所定義的輸入功率范圍內(nèi)變化時，通過測量系統(tǒng)記錄輸入功率(Pin)與反向散射功率(Pbs)來測量受激Brillouin散射(SBS)?？捎酶鞣N測定光纖SBS閾值的系統(tǒng)和/或方法來表征光纖。本文揭示了一種較佳的方法與系統(tǒng)。這里揭示的測量系統(tǒng)包括光源、摻鉺光纖放大器(EDFA)、可變光學(xué)衰減器(VDA)、偏振控制器、諸如2X2耦合器或光學(xué)循環(huán)器的光功率路由器，以及若干光功率檢測器與功率計。這些元件用帶FC/APC連接器的單模軟線連接。圖20示出一代表性的測量系統(tǒng)。光源可以是可調(diào)諧或單波長連續(xù)波激光器，其譜寬極窄，約150kHz或以下。波長中心較佳為1550nm左右，但可在EDFA增益帶內(nèi)變化。EDFA用于將光信號放大到能在被測49光纖中生成SBS的功率電平?？勺児鈱W(xué)衰減器(V0A)用來改變射入被測光纖的光功率。選擇VOA使之有足夠精細(xì)的階躍大小與充分的范圍，允許在寬廣的輸入功率范圍內(nèi)測量輸入功率與反向散射功率。偏振控制器較佳地用于建立100%的偏振度與穩(wěn)定的偏振態(tài)。2X2定向耦合器或光學(xué)循環(huán)器把功率導(dǎo)向被測光纖，支持對反向散射功率(端口B)和/或輸入功率(端口A)的監(jiān)視。被測光纖(FUT)用熔融拼接成或其它無反射連接器或方法接到耦合器或循環(huán)器?？捎玫谌龣z測器監(jiān)視端口C的輸出功率。除非這里另有注解，本文報道的SBS閾值均對應(yīng)于光纖接受約150kHz或以下的、譜寬極窄的連續(xù)波激光器的輸出。同樣的光纖在接受譜寬抖動或更寬的光源輸出時，可得出更高的閾值。本文報道的SBS閾值，對應(yīng)于約長50km的光纖，除非另有注釋。應(yīng)該理解，可對不同的長度的光纖作SBS閾值測量。為進(jìn)行測量，把光纖拼接入系統(tǒng)，耦合器分接頭接光功率檢測器。激活激光器，EDFA產(chǎn)生固定的輸出功率。在選定的范圍內(nèi)，VDA衰減以小增量從高插入損失值步進(jìn)到零。例如在一實施例中，步距大小為0.ldB，掃描范圍為20dB。為得到真實的輸入功率，要進(jìn)行參考測量。雖在該過程中監(jiān)視了輸入功率，但參考測量可測定真實的輸入功率而無須考慮偏振相依損失(PDL)和拼接損失。對2米的被測光纖樣品作這種測量。截短光纖和接到端口C，在同一范圍內(nèi)重復(fù)VOA掃描，記錄在端口C處的參考輸入功率，這些功率值用作記錄的輸入功率。每一步驟都記錄了輸入功率與反向散射功率電平(見圖21的曲線P)。當(dāng)掃描結(jié)束時，算出曲線的一階與二階導(dǎo)數(shù)。計算一階與二階導(dǎo)數(shù)之前，較佳地先對數(shù)據(jù)組作平滑。在二階導(dǎo)數(shù)為最大值的點(diǎn)定義絕對SBS閾值，這表示在該點(diǎn)，按mW為單位的背散射功率的變化相地于按mW為單位的輸入功率變化的速率已達(dá)到最大值。圖21示出一條示例性的被測數(shù)據(jù)曲線(曲線P)和一階與二階導(dǎo)數(shù)(分別為曲線P'與P〃)。于是曲線P'是按mW為單位的反向散射功率相對于按mW為單位的輸入功率的一階導(dǎo)數(shù)。曲線P〃是按mW為單位的反向散射功率相對于按mW為單位的輸入功率的二階導(dǎo)數(shù)。在圖21中，曲線P〃的峰P〃PEffl的橫坐標(biāo)是按dBm為單位的絕對SBS閾值SBSt(如圖21的8.22dBm)。即把二階導(dǎo)數(shù)為最大的輸入功率定義為光纖的絕對SBS閾值。如這里所報道，SBS閾值值用建立固定偏振態(tài)的偏振控制器獲得。但在用于測量SBS閾值的系統(tǒng)和/或方法的另一實施例中，也可用偏振隨機(jī)函數(shù)發(fā)生器或擾動器測量SBS閾值。相比于以固定偏振態(tài)(100%偏振度與恒定偏振態(tài))得出的SBSt值，對指定的光纖而言，使用偏振隨機(jī)函數(shù)發(fā)生器將使測量的SBSt值增大約3dB。這里所報道的對比性的SBS閾值值(諸如對Corning公司制造的代表性SMF-28或SMF-28⑧光纖的SBS閾值改善，其衰減類似于這里揭示的光纖的衰減)比較按同樣方式測得的不同光纖的SBS閾值(g卩，若使用測量數(shù)據(jù)，就通過同一方法與測量系統(tǒng))。因此，即使存在各種SBS閾值測量法(和系統(tǒng))，但按同一方法從兩條不同光纖得出的對比值，將大體上類似于用不同方法從這些光纖得出的對比值。SBS閾值隨被測光纖的長度和衰減而變。通常，極短長度光纖比極長長度的同種光纖具有更高的SBS閾值。而且，一般，一段衰減較高的光纖比另一同長度的、衰減較低的同樣光纖具有更高的SBS閾值。G.H,BuAbbud等人在"RamanandBrillouinNon-LinearitesinBroadbandWDM-OverlaySingleFiberPONs"(EC0C2003)中給出了近似分析表達(dá)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>式中g(shù)Beff是有效Brillouin增益系數(shù)，a是衰減，L為光纖長度，Aeff為光學(xué)有效面積。在該簡化近似式中，SBS閾值反比于光纖的有效長度。因此，若對長度LJ則量的閾值為Pi，則長度k的閾值為；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>例如，這里報道的SBS閾值對應(yīng)于長度(L》約為50km、1550nm的衰減約為0.19dB/km的光纖。因此，可從下式測定這里所揭示類型的長為Ly衰減為c^的光纖的SBS閾值P2;<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>較佳地，這里揭示的光纖具有基與硅石的纖芯和包層。在諸較佳實施例中，包層外徑約為125iim。較佳地，包層外徑沿光纖長度有一恒定的直徑。在諸較佳實施例中，光纖的折射率為徑向?qū)ΨQ。應(yīng)該理解，以上說明只是對本發(fā)明的示例，旨在為理解本發(fā)明如權(quán)項限定的特征與特點(diǎn)提供一個概要。所包括的諸附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，結(jié)合在此構(gòu)成本說明書中的組成部分。附圖示出本發(fā)明的各種特征與實施例，與它們的說明一起用來解釋本發(fā)明的原理與操作。本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然明白，可對本文描述的本發(fā)明的較佳實施例作出各種修改而不違背所附權(quán)項限定的本發(fā)明的精神與范圍。權(quán)利要求1.一種光纖，其特征在于，包括；一段長度；有折射率分布曲線與中心線的纖芯，纖芯包括；最大相對折射率為A1MX的中心區(qū)；包圍并直接鄰接中心區(qū)的中間區(qū)，中間區(qū)的最小相對折射率為A2MIN;和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)，外區(qū)的最大相對折射率為A靈，其中A麗〉A(chǔ)扁，而且A連〉A(chǔ)皿n;禾口包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中光纖在1550nm有衰減；其中選擇纖芯的折射率以提供大于約<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>艦343)]的、按dBm為單位的絕對SBS閾值，其中L是按km為單位的長度，a為按dB/km為單位的、1550nm的衰減。2.如權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，選擇纖芯的折射率以提供在1550nm大于80iim2的光學(xué)有效面積。3.—種包括發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和光學(xué)連接發(fā)射機(jī)與接收機(jī)的光學(xué)傳輸線的光通信系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)傳輸線包括權(quán)利要求1中光學(xué)連接第二光纖的光纖，第二光纖在1550nm的色散為在_70和-150ps/nm_km之間。4.一種光纖，其特征在于包括；一段長度；具有折射率分布曲線與中心線的纖芯，纖芯的最大相對折射率為A皿，其中0.4%;和包圍并直接鄰接纖芯的包層；其中光纖在1550nm有衰減；其中選擇纖芯的折射率以提供大于約<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>的、按dBm為單位的絕對SBS閾值，其中L是按km為單位的長度，a為按dB/km為單位的1550nm的衰減。5.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，A皿位于O和liim之間的半徑處。6.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，選擇纖芯的折射率以在1550nm提供大于80iim2的光學(xué)有效面積。7.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，光纖在1380iim的衰減大于1310ym的衰減不超過O.3dB。8.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，整個纖芯相對于包層的折射率大于0%。9.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，實質(zhì)上所有纖芯的相對折射率具有a分布曲線，a<1。10.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，纖芯包括中心區(qū)和包圍并直接鄰接中心區(qū)的外區(qū)，其中中心區(qū)含AMX。11.如權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，纖芯包括最大相對折射率為A皿J勺中心區(qū)；包圍并直接鄰接中心的中間區(qū)，中間區(qū)的最小相對折射率為A皿，；和包圍并直接鄰接中間區(qū)的外區(qū)，外區(qū)的最大相對折射率為A靈，其中A應(yīng)〉A(chǔ)扁，且A連〉A(chǔ)2訓(xùn)。12.如權(quán)利要求11所述的光纖，其特征在于，A麗>0，A靈>0，且A扁>0。13.如權(quán)利要求ll所述的光纖，其特征在于，A通x大于A3MX。14.如權(quán)利要求ll所述的光纖，其特征在于，△15.如權(quán)利要求ll所述的光纖，其特征在于，A16.如權(quán)利要求ll所述的光纖，其特征在于，A17.如權(quán)利要求ll所述的光纖，其特征在于，A:18.如權(quán)利要求11所述的光纖，其特征在于，A:—.—.19.一種包括發(fā)射機(jī)、接收機(jī)和光學(xué)連接發(fā)射機(jī)與接收機(jī)的光學(xué)傳輸線的光通信系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)傳輸線包括權(quán)利要求4中光學(xué)連接第二光纖的光纖，第二光纖在1550nm的色散為在_70和-150ps/nm-km之間。基本上等于A3M(小于厶3麗。-厶扁>0.25%。<0.4%。—A9Mre>0.10%。全文摘要文檔編號H01S3/30GK101697022SQ200910205020公開日2010年4月21日申請日期2004年4月6日優(yōu)先權(quán)日2003年5月2日發(fā)明者A·B·拉芬,D·Q·喬杜里,M·I·霍華德,S·K·米什拉,S·R·別克漢姆,S·Y·坦恩,S·庫馬,馬代平申請人:康寧股份有限公司;