專利名稱：封裝結(jié)構(gòu)的制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，尤其涉及一種能提高整體產(chǎn)能與降低整體成本 的封裝結(jié)構(gòu)的制法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)行覆晶式(flip chip)半導(dǎo)體封裝技術(shù)中，在半導(dǎo)體芯片的作用面上設(shè)有多 個電極墊，并提供一頂面具有多個電性接觸墊的封裝基板，而在各該電極墊對應(yīng)的電性接 觸墊之間通過焊料凸塊電性連接。與傳統(tǒng)的打線接合(Wire Bond)技術(shù)相比，該覆晶技術(shù)在該半導(dǎo)體芯片與封裝基 板之間的電性連接直接以焊料凸塊做的而非一般的金線，而此種覆晶技術(shù)的優(yōu)點在于能提 高封裝密度以降低封裝組件尺寸，同時，該種覆晶技術(shù)不需使用長度較長的金線，從而能降 低電性阻抗以提升電性功能。現(xiàn)有的覆晶式封裝結(jié)構(gòu)的制法先提供一核心板，再在該核心板上依序形成具有多 個凸塊焊墊的增層結(jié)構(gòu)與絕緣保護層，且該絕緣保護層中形成有多個開孔，以令各該凸塊 焊墊對應(yīng)外露在各該開孔，并在該增層結(jié)構(gòu)所外露的凸塊焊墊上形成表面處理層，而成為 一整版面封裝基板(panel)；接著，將該整版面封裝基板切割成多個封裝基板單元(unit) 或多個封裝基板條(strip)，而各該封裝基板條包含多封裝基板單元；最后，再運送至封裝 廠進行后續(xù)的置晶、封裝、和/或切單(singulation)等制造方法。但是，若將該整版面封裝基板切割成多個封裝基板單元后，再進行置晶與封裝步 驟，則因為一次僅能針對單一封裝基板單元進行各項制造方法，因而降低產(chǎn)能，且導(dǎo)致制造 方法的整體成本增加；又若將該整版面封裝基板切割成多個封裝基板單元或封裝基板條， 之后再進行置晶、封裝與切單等制造方法，則因為該封裝基板條所保留的邊框占用不少有 效面積，導(dǎo)致整體成本增加，并造成材料的浪費。另一方面，隨著封裝基板的整體厚度愈來 愈薄，對于封裝基板單元或封裝基板條進行置晶或封裝等加工制造方法將更加困難。然而，若未將整版面封裝基板切割成多個封裝基板單元或多個封裝基板條，而直 接在整版面封裝基板來進行置晶、封裝、及切單等制造方法步驟，則必須購置大型的制造方 法機臺，因而造成整體設(shè)備成本的上升；再者，該大面積的整版面封裝基板的對位精度較 低，所以易導(dǎo)致最終的封裝結(jié)構(gòu)單元產(chǎn)生較大的制造方法誤差，進而影響整體良好率。因此，如何避免現(xiàn)有技術(shù)中的封裝結(jié)構(gòu)的制法因制造方法繁雜而導(dǎo)致產(chǎn)能低落、 及占用廢料部分過多，而導(dǎo)致整體成本上升等問題，實已成為目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺點，本發(fā)明的主要目的是提供一種能提高整體產(chǎn)能與 降低整體成本的封裝結(jié)構(gòu)的制法。為達上述及其它目的，本發(fā)明揭示一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括提供一上下成對的 整版面封裝基板，其相對的兩最外層表面上分別形成多個金屬凸塊與絕緣保護層，且該絕緣保護層中形成多個開孔，以令各該金屬凸塊對應(yīng)露出在各該開孔；分離該上下成對的整 版面封裝基板，并裁切該整版面封裝基板，而成為多個封裝基板區(qū)塊，且各該封裝基板區(qū)塊 具有呈(mXn)數(shù)組排列的封裝基板單元，其中，m與η都為大于1的整數(shù)；將該封裝基板區(qū) 塊設(shè)置在第二承載板上；在各該封裝基板單元上接置半導(dǎo)體芯片，以成為具有多個封裝結(jié) 構(gòu)單元的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊，而該半導(dǎo)體芯片具有作用面，且該作用面上具有多個電極墊，又各 該電極墊通過焊料以對應(yīng)電性連接至各該金屬凸塊；在該絕緣保護層及所述這些半導(dǎo)體芯 片上形成封裝材，且該封裝材并填入所述這些半導(dǎo)體芯片與絕緣保護層之間，以包覆所述 這些焊料；移除該第二承載板；以及裁切該接置有所述這些半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊以 分離成多個封裝結(jié)構(gòu)單元。依上所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，該上下成對的整版面封裝基板的制法包括提供一 第一承載板，其兩表面上分別具有面積小于該第一承載板的剝離層、在該第一承載板上并 環(huán)繞該剝離層四周的黏著層、及設(shè)在該剝離層與黏著層上的金屬層；在該金屬層上分別依 序形成多個電性接觸墊與增層結(jié)構(gòu)，而該增層結(jié)構(gòu)包括至少一介電層、形成在該介電層上 的線路層、及多個形成在該介電層中并電性連接該線路層與電性接觸墊的導(dǎo)電盲孔，且該 增層結(jié)構(gòu)最外層的線路層還具有多個凸塊焊墊；以及在該增層結(jié)構(gòu)最外層上形成該絕緣保 護層，且該絕緣保護層中形成所述這些開孔，以令各該凸塊焊墊對應(yīng)露出在各該開孔，在各 該凸塊焊墊上電鍍形成各該金屬凸塊。又在上述的制法中，該封裝基板區(qū)塊的制法包括沿該上下成對的整版面封裝基 板的邊緣進行裁切，且裁切邊通過該剝離層；移除該第一承載板與剝離層以將該上下成對 的整版面封裝基板分離成獨立的兩個整版面封裝基板；以及裁切該整版面封裝基板，并移 除該金屬層，而成為所述這些封裝基板區(qū)塊。前述的封裝結(jié)構(gòu)的制法中，在移除該第二承載板之后，還包括在各該封裝基板區(qū) 塊的所述這些電性接觸墊上對應(yīng)形成焊球。依上所述的制法，在裁切該整版面封裝基板之前，還可包括在該絕緣保護層與金 屬凸塊上形成保護膜，并在裁切后，移除該保護膜。本發(fā)明還揭示另一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括提供一上下成對的整版面封裝基板， 其相對的兩最外層表面上形成有多個凸塊焊墊，并在各該最外層表面與凸塊焊墊上形成有 絕緣保護層，且該絕緣保護層中形成有多個開孔，以令各該凸塊焊墊對應(yīng)露出在各該開孔； 分離該上下成對的整版面封裝基板，并裁切該整版面封裝基板，而成為多個封裝基板區(qū)塊， 且各該封裝基板區(qū)塊具有呈(mXn)數(shù)組排列的封裝基板單元，其中，m與η都為大于1的整 數(shù)；將該封裝基板區(qū)塊設(shè)置在第二承載板上；在各該開孔中的凸塊焊墊上形成焊料凸塊； 在各該封裝基板單元上接置半導(dǎo)體芯片，以成為具有多個封裝結(jié)構(gòu)單元的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊， 而該半導(dǎo)體芯片具有作用面，且該作用面上具有多個電極墊，又各該電極墊通過各該焊料 凸塊以對應(yīng)電性連接至各該凸塊焊墊；在該絕緣保護層及所述這些半導(dǎo)體芯片上形成封裝 材，且該封裝材并填入所述這些半導(dǎo)體芯片與絕緣保護層之間，以包覆所述這些焊料凸塊； 移除該第二承載板；以及裁切該接置有所述這些半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊以分離成多個 封裝結(jié)構(gòu)單元。依前所述，該上下成對的整版面封裝基板的制法包括提供一第一承載板，其兩表 面上分別具有面積小于該第一承載板的剝離層、在該第一承載板上并環(huán)繞該剝離層四周的黏著層、及設(shè)在該剝離層與黏著層上的金屬層；在該金屬層上分別依序形成多個電性接觸 墊與增層結(jié)構(gòu)，該增層結(jié)構(gòu)包括至少一介電層、形成在該介電層上的線路層、及多個形成在 該介電層中并電性連接該線路層與電性接觸墊的導(dǎo)電盲孔，且該增層結(jié)構(gòu)最外層的線路層 還具有多個凸塊焊墊；以及在該增層結(jié)構(gòu)最外層上形成該絕緣保護層，且該絕緣保護層中 形成所述這些開孔，以令各該凸塊焊墊對應(yīng)露出在各該開孔。又依上所述的制法中，該封裝基板區(qū)塊的制法包括沿該上下成對的整版面封裝 基板的邊緣進行裁切，且裁切邊通過該剝離層；移除該第一承載板與剝離層以將該上下成 對的整版面封裝基板分離成獨立的兩個整版面封裝基板；以及裁切該整版面封裝基板，并 移除該金屬層，而成為所述這些封裝基板區(qū)塊。在前述的封裝結(jié)構(gòu)的制法中，在移除該第二承載板之后，還包括在各該封裝基板 區(qū)塊的所述這些電性接觸墊上對應(yīng)形成焊球。依上所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，所述這些焊料凸塊可通過印刷或植球、再加以回焊 而形成。又依上所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，在裁切該上下成對的整版面封裝基板之前，還可 包括在該絕緣保護層與凸塊焊墊上形成保護膜，并在裁切后，移除該保護膜。由上可知，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法先將整版面封裝基板裁切成多個封裝基板區(qū) 塊，以令各該封裝基板區(qū)塊的面積適中且包括有多個封裝基板單元；接著，在各該封裝基板 單元上接置半導(dǎo)體芯片并以封裝材加以固定與保護，最后，裁切成多個封裝結(jié)構(gòu)單元。與現(xiàn) 有技術(shù)相比，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法整合封裝基板制造及半導(dǎo)體芯片封裝，能一次對各 該封裝基板區(qū)塊中的全部封裝基板單元進行半導(dǎo)體芯片封裝，從而以簡化制造方法步驟并 提高產(chǎn)能；再者，本發(fā)明的封裝基板區(qū)塊的面積適中，以縮小各該封裝基板區(qū)塊中的各該封 裝基板單元在制造方法中的對位誤差，從而能提高制造方法精度與良好率，因而本發(fā)明的 封裝結(jié)構(gòu)的制法具有較高產(chǎn)能及良好率等優(yōu)點。


圖IA至IH為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的第一實施例的剖視示意圖；其中，該圖1E’ 為圖IE的俯視圖；以及圖2A至2H為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的制法的第二實施例的剖視示意圖。上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下20a第一承載板20b第二承載板211剝離層212黏著層221金屬層222電性接觸墊23增層結(jié)構(gòu)231介電層232導(dǎo)電盲孔233線路層
234凸塊焊墊對金屬凸塊25絕緣保護層250 開孔27保護膜28裁切邊30半導(dǎo)體芯片30a作用面301電極墊31a 焊料31b焊料凸塊32封裝材33 焊球2a上下成對的整版面封裝基板2a’整版面封裝基板2b封裝基板區(qū)塊2b’封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊2c封裝基板單元2c’封裝結(jié)構(gòu)單元m，η大于1的整數(shù)
具體實施例方式以下通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明 書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。第一實施例請參閱圖IA至1Η，為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法的第一實施例的剖視示意圖；其 中，該圖1Ε’為圖IE的俯視圖。如圖IA所示，提供一第一承載板20a，在該第一承載板20a的兩表面上分別具有面 積小于該第一承載板20a的剝離層211、在該第一承載板20a上并環(huán)繞該剝離層211四周 的黏著層212、及設(shè)在該剝離層211與黏著層212上的金屬層221 ；其中，該剝離層211可為 離型膜，形成該金屬層221的材質(zhì)可為銅，且該金屬層221可當(dāng)作電鍍制造方法中的晶種層 (seed layer)使用。如圖IB所示，在該第一承載板20a的兩表面上的金屬層221上分別依序形成多個 電性接觸墊222與增層結(jié)構(gòu)23，該增層結(jié)構(gòu)23包括至少一介電層231、形成在該介電層231 上的線路層233、及多個形成在該介電層231中并電性連接該線路層233與電性接觸墊222 的導(dǎo)電盲孔232，且該增層結(jié)構(gòu)23最外層的線路層233還具有多個凸塊焊墊234，并在該增 層結(jié)構(gòu)23最外層上形成絕緣保護層25，且該絕緣保護層25中形成有多個開孔250，以令各 該凸塊焊墊234對應(yīng)露出在各該開孔250 ；接著，在各該凸塊焊墊234上電鍍形成例如為銅 的金屬凸塊24，而成為上下成對的整版面封裝基板加，然后，在該絕緣保護層25與金屬凸塊對上形成保護膜27。如圖IC所示，沿該上下成對的整版面封裝基板加的邊緣進行第一次裁切，且裁切 邊28通過該剝離層211，以將該黏著層212移除。如圖ID所示，移除該第一承載板20a與剝離層211以將該上下成對的整版面封裝 基板加分離成獨立的兩個整版面封裝基板2a’。如圖IE及1E’所示，該圖1E’為圖IE的俯視圖；如圖所示，將各該整版面封裝基板 2a’進行第二次裁切，而成為多個封裝基板區(qū)塊2b，且各該封裝基板區(qū)塊2b具有呈(mXn) 數(shù)組排列的封裝基板單元2c，其中，m與η都為大于1的整數(shù)，在本實施例中，m為6，η為5， 但不以此為限。如圖IF所示，移除該保護膜27與金屬層221，并將該封裝基板區(qū)塊2b置在第二承 載板20b上，其中，各該電性接觸墊222結(jié)合至該第二承載板20b上，而各該金屬凸塊M外Mo如圖IG所示，在各該封裝基板單元2c上的所述這些金屬凸塊M接置半導(dǎo)體芯片 30，而成為具有多個封裝結(jié)構(gòu)單元2c’的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊2b’，其中該半導(dǎo)體芯片30具有作用 面30a，且該作用面30a上具有多個電極墊301，而各該電極墊301通過焊料31a以對應(yīng)電 性連接至各該金屬凸塊M ；接著，在該絕緣保護層25及所述這些半導(dǎo)體芯片30上形成封 裝材32，且該封裝材32并填入所述這些半導(dǎo)體芯片30與絕緣保護層25之間，以包覆所述 這些焊料31a ；然后，移除該第二承載板20b以外露各該電性接觸墊222，再在各該電性接觸 墊222上形成焊球33 ；或者，在該電性接觸墊222上可不形成焊球33，而直接供作與墊門陣 列(Land grid array，簡稱LGA)結(jié)構(gòu)的電性連接(附圖中未表示)。如圖IH所示，進行第三次裁切以將該接置所述這些半導(dǎo)體芯片30的封裝結(jié)構(gòu)區(qū) 塊2b’分離成多個封裝結(jié)構(gòu)單元2c’。第二實施例請參閱圖2A至2H，為本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法的第二實施例的剖視示意圖。如圖2A所示，提供一第一承載板20a，在該第一承載板20a的兩表面上都分別具有 面積小于該第一承載板20a的剝離層211、在該第一承載板20a上并環(huán)繞該剝離層211四周 的黏著層212、及設(shè)在該剝離層211與黏著層212上的金屬層221 ；其中，該剝離層211可為 離型膜，形成該金屬層221的材質(zhì)可為銅，且該金屬層221可當(dāng)作晶種層使用。接著，在該 第一承載板20a的兩表面上方的金屬層221上分別依序形成多個電性接觸墊222與增層結(jié) 構(gòu)23，該增層結(jié)構(gòu)23包括至少一介電層231、形成在該介電層231上的線路層233、及多個 形成在該介電層231中并電性連接該線路層233與電性接觸墊222的導(dǎo)電盲孔232，且該增 層結(jié)構(gòu)23最外層的線路層233還具有多個凸塊焊墊234。然后，在該增層結(jié)構(gòu)23最外層上 形成絕緣保護層25，且該絕緣保護層25中形成有多個開孔250，以令各該凸塊焊墊234對 應(yīng)露出在各該開孔250，而成為上下成對的整版面封裝基板2a，并在該絕緣保護層25與凸 塊焊墊234上形成保護膜27。如圖2B所示，沿該上下成對的整版面封裝基板加的邊緣進行第一次裁切，且裁切 邊28通過該剝離層211，以將該黏著層212移除。如圖2C所示，移除該第一承載板20a與剝離層211以將該上下成對的整版面封裝 基板加分離成獨立的兩個整版面封裝基板2a’。
如圖2D所示，將各該整版面封裝基板2a’進行第二次裁切，而成為多個封裝基板 區(qū)塊2b，各該封裝基板區(qū)塊2b具有呈(mXn)數(shù)組排列的封裝基板單元2c，其中，m與η都 為大于1的整數(shù)。如圖2Ε所示，移除該保護膜27與金屬層221，并將該封裝基板區(qū)塊2b置在第二承 載板20b上，其中，各該電性接觸墊222結(jié)合至該第二承載板20b上，而該絕緣保護層25外Mo如圖2F所示，在該絕緣保護層25的各該開孔250中的凸塊焊墊234上形成焊料 凸塊31b，所述這些焊料凸塊31b可通過印刷或植球、再加以回焊而形成。如圖2G所示，在各該封裝基板單元2c的所述這些凸塊焊墊234上接置半導(dǎo)體芯 片30，而成為具有多個封裝結(jié)構(gòu)單元2c’的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊2b’，該半導(dǎo)體芯片30具有作用 面30a，且該作用面30a上具有多個電極墊301，而各該電極墊301通過各該焊料凸塊31b 以對應(yīng)電性連接至各該凸塊焊墊234 ；接著，在該絕緣保護層25及所述這些半導(dǎo)體芯片30 上形成封裝材32，且該封裝材32并填入所述這些半導(dǎo)體芯片30與絕緣保護層25之間，以 包覆所述這些焊料凸塊31b ；然后，移除該第二承載板20b以外露各該電性接觸墊222，再在 各該電性接觸墊222上形成焊球33 ；或者，該電性接觸墊222上可不形成焊球33，而直接供 作與墊門陣列(Land grid array，簡稱LGA)結(jié)構(gòu)的電性連接(未以圖式表示)。如圖2H所示，進行第三次裁切以將該接置有所述這些半導(dǎo)體芯片30的封裝結(jié)構(gòu) 區(qū)塊2b’分離成多個封裝結(jié)構(gòu)單元2c’。要注意的是，本發(fā)明的制法中，也可先將上下成對的整版面封裝基板裁切成多個 上下成對的封裝基板區(qū)塊，再將各該上下成對的封裝基板區(qū)塊分離成獨立的兩個封裝基板 區(qū)塊，而其它步驟同前面所述，在此不加以贅述。綜上所述，本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法先將整版面封裝基板裁切成多個封裝基板區(qū) 塊，以令各該封裝基板區(qū)塊的面積適中且包括有多個封裝基板單元，而能免除使用大型機 臺，從而以降低購置制造方法工具成本；接著，在各該封裝基板單元上接置半導(dǎo)體芯片并以 封裝材加以固定與保護；最后，裁切成多個封裝結(jié)構(gòu)單元。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的封裝 結(jié)構(gòu)的制法整合封裝基板制造及半導(dǎo)體芯片封裝，能一次對各該封裝基板區(qū)塊中的全部封 裝基板單元進行半導(dǎo)體芯片封裝，從而以簡化制造方法步驟并提高產(chǎn)能；再者，本發(fā)明的封 裝基板區(qū)塊的面積適中，所以，縮小各該封裝基板區(qū)塊中的各該封裝基板單元在制造方法 中的對位誤差，從而能提高制造方法精度與良好率，因而本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制法具有較 高產(chǎn)能及良好率等優(yōu)點。上述實施例用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā) 明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍所列。
權(quán)利要求
1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，包括提供一上下成對的整版面封裝基板，其相對的兩最外層表面上均形成有多個金屬凸塊 與絕緣保護層，且該絕緣保護層中形成有多個開孔，以令各該金屬凸塊對應(yīng)露出在各該開 孔；分離該上下成對的整版面封裝基板，并裁切該整版面封裝基板，以成為多個封裝基板 區(qū)塊，且各該封裝基板區(qū)塊具有呈mXn數(shù)組排列的封裝基板單元，其中，m與η都為大于1 的整數(shù)；將該封裝基板區(qū)塊設(shè)置在第二承載板上；在各該封裝基板單元上接置半導(dǎo)體芯片，以成為具有多個封裝結(jié)構(gòu)單元的封裝結(jié)構(gòu)區(qū) 塊，而該半導(dǎo)體芯片具有作用面，且該作用面上具有多個電極墊，又各該電極墊通過焊料以 對應(yīng)電性連接至各該金屬凸塊；在該絕緣保護層及所述這些半導(dǎo)體芯片上形成封裝材，且該封裝材并填入所述這些半 導(dǎo)體芯片與絕緣保護層之間，以包覆所述這些焊料； 移除該第二承載板；以及裁切該接置有所述這些半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊以分離成多個封裝結(jié)構(gòu)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上下成對的整版面封裝基 板的制法包括提供一第一承載板，其兩表面上分別具有面積小于該第一承載板的剝離層、在該第一 承載板上并環(huán)繞該剝離層四周的黏著層、及設(shè)在該剝離層與黏著層上的金屬層；在該金屬層上分別依序形成電性接觸墊與增層結(jié)構(gòu)，而該增層結(jié)構(gòu)包括至少一介電 層、形成在該介電層上的線路層、及多個形成在該介電層中并電性連接該線路層與電性接 觸墊的導(dǎo)電盲孔，且該增層結(jié)構(gòu)最外層的線路層還具有多個凸塊焊墊；以及在該增層結(jié)構(gòu)最外層上形成該絕緣保護層，且該絕緣保護層中形成有所述這些開孔， 以令各該凸塊焊墊對應(yīng)外露在各該開孔，并在各該凸塊焊墊上電鍍形成各該金屬凸塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該封裝基板區(qū)塊的制法包括 沿該上下成對的整版面封裝基板的邊緣進行裁切，且裁切邊通過該剝離層；移除該第一承載板與剝離層以將該上下成對的整版面封裝基板分離成獨立的兩個整 版面封裝基板；以及裁切該整版面封裝基板，并移除該金屬層，以成為所述這些封裝基板區(qū)塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，于移除該第二承載板之后，還 包括在各該封裝基板區(qū)塊的所述這些電性接觸墊上對應(yīng)形成焊球。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，在裁切該整版面封裝基板之 前，還包括在該絕緣保護層與金屬凸塊上形成保護膜，并在裁切后，移除該保護膜。
6.一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，包括提供一上下成對的整版面封裝基板，其相對的兩最外層表面上形成有多個凸塊焊墊， 并在各該最外層表面與凸塊焊墊上形成有絕緣保護層，且該絕緣保護層中形成有多個開 孔，以令各該凸塊焊墊對應(yīng)露出在各該開孔；分離該上下成對的整版面封裝基板，并裁切該整版面封裝基板，以成為多個封裝基板 區(qū)塊，且各該封裝基板區(qū)塊具有呈(mXn)數(shù)組排列的封裝基板單元，其中，m與η都為大于1的整數(shù)；將該封裝基板區(qū)塊設(shè)置在第二承載板上； 在各該開孔中的凸塊焊墊上形成焊料凸塊；在各該封裝基板單元上接置半導(dǎo)體芯片，以成為具有多個封裝結(jié)構(gòu)單元的封裝結(jié)構(gòu)區(qū) 塊，而該半導(dǎo)體芯片具有作用面，且該作用面上具有多個電極墊，又各該電極墊通過各該焊 料凸塊以對應(yīng)電性連接至各該凸塊焊墊；在該絕緣保護層及所述這些半導(dǎo)體芯片上形成封裝材，且該封裝材并填入所述這些半 導(dǎo)體芯片與絕緣保護層之間，以包覆所述這些焊料凸塊； 移除該第二承載板；以及裁切該接置有所述這些半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊以分離成多個封裝結(jié)構(gòu)單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上下成對的整版面封裝基 板的制法包括提供一第一承載板，其兩表面上分別具有面積小于該第一承載板的剝離層、在該第一 承載板上并環(huán)繞該剝離層四周的黏著層、及設(shè)在該剝離層與黏著層上的金屬層；在該金屬層上分別依序形成多個電性接觸墊與增層結(jié)構(gòu)，而該增層結(jié)構(gòu)包括至少一介 電層、形成在該介電層上的線路層、及多個形成在該介電層中并電性連接該線路層與電性 接觸墊的導(dǎo)電盲孔，且該增層結(jié)構(gòu)最外層的線路層還具有多個凸塊焊墊；以及在該增層結(jié)構(gòu)最外層上形成該絕緣保護層，且該絕緣保護層中形成有所述這些開孔， 以令各該凸塊焊墊對應(yīng)外露在各該開孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該封裝基板區(qū)塊的制法包括 沿該上下成對的整版面封裝基板的邊緣進行裁切，且裁切邊通過該剝離層；移除該第一承載板與剝離層以將該上下成對的整版面封裝基板分離成獨立的兩個整 版面封裝基板；以及裁切該整版面封裝基板，并移除該金屬層，以成為所述這些封裝基板區(qū)塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，在移除該第二承載板之后，還 包括在各該封裝基板區(qū)塊的所述這些電性接觸墊上對應(yīng)形成焊球。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，所述這些焊料凸塊通過印刷 或植球，并加以回焊而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，在裁切該整版面封裝基板之 前，還包括在該絕緣保護層與凸塊焊墊上形成保護膜，并在裁切后，移除該保護膜。
全文摘要
一種封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括先將大面積的整版面封裝基板裁切成多個封裝基板區(qū)塊，且各該封裝基板區(qū)塊具有多個封裝基板單元；在各該封裝基板單元上接置半導(dǎo)體芯片并以封裝材加以固定與保護，以形成多個具有封裝結(jié)構(gòu)單元的封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊；裁切該封裝結(jié)構(gòu)區(qū)塊以形成多個封裝結(jié)構(gòu)單元。本發(fā)明的整版面封裝基板裁切成面積適中的封裝基板區(qū)塊，能縮小各該封裝基板區(qū)塊中的各該封裝基板單元在制造方法中的對位誤差以提高良好率，且能一次對各該封裝基板區(qū)塊中的全部封裝基板單元進行半導(dǎo)體芯片封裝，所以整合了封裝基板制造及半導(dǎo)體芯片封裝，并簡化制造方法，以提高整體產(chǎn)能并降低整體成本。
文檔編號H01L21/48GK102054714SQ200910210708
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月6日
發(fā)明者胡竹青 申請人:欣興電子股份有限公司