專利名稱：封裝基板的制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板的制法，特別是涉及一種能避免封裝基板制造工藝中丟 棄臨時載體所造成的浪費(fèi)的封裝基板的制法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。為了滿 足半導(dǎo)體封裝件高整合度(integration)及微型化(miniaturization)的封裝需求，以 供更多主被動元件及線路載接，半導(dǎo)體封裝基板也逐漸由雙層電路板演變成多層電路板 (multi-layer board)，以在有P艮的空|1]下運(yùn)用層|1]連接技術(shù)(interlayer connection) 來擴(kuò)大半導(dǎo)體封裝基板上可供利用的線路布局面積，以配合高線路密度的集成電路 (integrated circuit)需要，且降低封裝基板的厚度，而能達(dá)到封裝件輕薄短小及提高電 性功能的目的?，F(xiàn)有技術(shù)中，多層電路板是由一核心板及對稱形成于其兩側(cè)的線路增層結(jié)構(gòu)所構(gòu) 成，因使用核心板而導(dǎo)致導(dǎo)線長度及整體結(jié)構(gòu)厚度增加，難以滿足電子產(chǎn)品功能不斷提升 而體積卻不斷縮小的需求，遂發(fā)展出無核層(coreless)結(jié)構(gòu)的電路板，以縮短導(dǎo)線長度及 降低整體結(jié)構(gòu)厚度、以及符合高頻化、微小化的趨勢。請參閱圖IA至圖1F，為現(xiàn)有封裝基板 及其制法的剖視示意圖。如圖IA所示，首先，提供一承載板10，該承載板10的兩表面上依序各設(shè)有薄膜金 屬層11、離形膜12、與承載金屬層13。如圖IB所示，在該承載金屬層13上形成第一介電層14。如圖IC所示，在該第一介電層14中以曝光顯影(photolithography)或激光燒融 (laser ablation)形成多個盲孔140，再以蝕刻方式在所述盲孔140所外露的承載金屬層 13表面上形成多個凹陷(concave) 130。如圖ID所示，在各凹陷130及對應(yīng)的盲孔140中依序形成焊料凸塊141a與第一 導(dǎo)電盲孔141b，并在該第一介電層14上形成電性連接該第一導(dǎo)電盲孔141b的第一線路層 142 ；接著，在該第一介電層14及第一線路層142上形成增層結(jié)構(gòu)15，該增層結(jié)構(gòu)15包括 至少一第二介電層151、設(shè)于該第二介電層151上的第二線路層152、及多個設(shè)于該第二介 電層151中并電性連接該第一線路層142與第二線路層152的第二導(dǎo)電盲孔153，且該增層 結(jié)構(gòu)15最外層的第二線路層152還具有多個電性接觸墊154，又在該增層結(jié)構(gòu)15最外層上 形成絕緣保護(hù)層16，且該絕緣保護(hù)層16形成有多個對應(yīng)外露各電性接觸墊IM的絕緣保護(hù) 層開孔160。如圖IE所示，通過該離形膜12以分離該承載金屬層13，以制成兩脫離該承載板 10的初始封裝基板1。如圖IF所示，移除該承載金屬層13，以形成多個突出于該第一介電層14表面的 焊料凸塊141a，以制成封裝基板，從而該焊料凸塊141a供后續(xù)接置半導(dǎo)體芯片(圖中未表 示)°
由上可知，現(xiàn)有封裝基板的制法是在該承載板10的兩側(cè)上分別形成兩表面皆設(shè) 有薄膜金屬層11的離形膜12，再在前述結(jié)構(gòu)兩側(cè)的薄膜金屬層11上分別形成增層結(jié)構(gòu) 15 ；最后，沿著該離形膜12與承載金屬層13的介面分離兩側(cè)的增層線路結(jié)構(gòu)而形成兩個封 裝基板。但是，現(xiàn)有的制法需額外在該承載板10的兩表面形成薄膜金屬層11及離形膜12 以暫時支撐兩側(cè)的結(jié)構(gòu)，且最終都將丟棄中間的臨時載體(包括承載板10、兩層薄膜金屬 層11與兩層離形膜12)，這將造成制造工藝繁復(fù)、浪費(fèi)材料及增加生產(chǎn)成本。因此，鑒于上述的問題，如何避免現(xiàn)有技術(shù)的封裝基板的制法需丟棄中間的臨時 載體所造成的浪費(fèi)與制造工藝繁復(fù)等問題，實已成為目前急欲解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明的主要目的是提供一種封裝基板的制法及 基材，能節(jié)省材料成本。為達(dá)到上述及其他目的，本發(fā)明提供一種封裝基板的制法，包括提供一基材，是 由具有相對兩表面的離形膜、分別形成于該離形膜的表面并包覆該離形膜的第一輔助介電 層、及分別形成于該第一輔助介電層上的金屬層組成，并在各金屬層上定義出有效區(qū)；在該 金屬層形成內(nèi)部線路層；在各第一輔助介電層及內(nèi)部線路層上形成增層結(jié)構(gòu)，各增層結(jié)構(gòu) 最外層的表面具有多個第一電性接觸墊，以在該離形膜的兩表面上形成初始基板；移除該 有效區(qū)以外的部分；移除該離形膜；以及在該第一輔助介電層上形成多個介電層開孔，以 令該初始基板形成基板本體，且令該內(nèi)部線路層的部分對應(yīng)外露出于各介電層開孔，從而 供作為第二電性接觸墊。前述的制法中，該基材的制法可包括提供該離形膜；在該離形膜的相對兩表面 上依序放置該第一輔助介電層及金屬層，且該第一輔助介電層的面積大于該離形膜的面 積，又該金屬層的面積大于該第一輔助介電層的面積；以及壓合各金屬層、第一輔助介電 層、及離形膜。前述的制法中，該增層結(jié)構(gòu)可具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè) 于該介電層中且電性連接該線路層與內(nèi)部線路層的導(dǎo)電盲孔，且最外的線路層電性連接該 第一電性接觸墊。前述的制法中，移除該有效區(qū)以外的部分可通過切割方式。前述的制法還可包括在該增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有多個 絕緣保護(hù)層開孔，以令各第一電性接觸墊對應(yīng)外露出于各絕緣保護(hù)層開孔。另外，前述的制法還可包括在該第一電性接觸墊及第二電性接觸墊上形成表面處理層。本發(fā)明還提供一種封裝基板的制法，包括提供一基材，是由具有相對兩表面的離 形膜、分別形成于該離形膜的表面并包覆該離形膜的第一輔助介電層、及分別形成于該第 一輔助介電層上的核心板，各核心板具有相對的第一表面及第二表面，在該第一表面及第 二表面上具有內(nèi)層線路，且各核心板的第二表面結(jié)合至該第一輔助介電層上，并在各核心 板的第一表面上定義出有效區(qū)；在各核心板的第一表面上形成增層結(jié)構(gòu)，以在該離形膜的 兩表面上形成初始基板，且各增層結(jié)構(gòu)最外層表面具有多個第一電性接觸墊；移除各有效區(qū)以外的部分；移除該離形膜；以及在該第一輔助介電層上形成多個介電層開孔，以令該 初始基板形成基板本體，且令該核心板的第二表面上的內(nèi)層線路對應(yīng)外露出于各介電層開 孔，從而供作為第二電性接觸墊。前述的制法中，該基材的制法可包括提供該離形膜；在該離形膜的相對兩表面 上依序放置該第一輔助介電層及核心板，且該第一輔助介電層的面積大于該離形膜的面 積，又各核心板的面積大于該第一輔助介電層的面積，以令各核心板完全覆蓋該第一輔助 介電層；以及壓合各核心板、第一輔助介電層、及離形膜。前述的制法中，該核心板中還可具有導(dǎo)電通孔，以電性連接該第一表面及第二表 面上的內(nèi)層線路。前述的制法中，該增層結(jié)構(gòu)可具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè) 于該介電層中且電性連接該線路層與內(nèi)層線路的導(dǎo)電盲孔，且最外的線路層電性連接該第 一電性接觸墊。前述的制法中，移除該有效區(qū)以外的部分可通過切割方式。前述的制法還可包括在該增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有多個 絕緣保護(hù)層開孔，以令各第一電性接觸墊對應(yīng)外露出于各絕緣保護(hù)層開孔。前述的制法還可包括在該第一電性接觸墊及第二電性接觸墊上形成表面處理層。前述的制法中，該基材還可具有設(shè)于該核心板的第一表面上的第二輔助介電層及 設(shè)于該第二輔助介電層上的金屬層。又該基材的制法可包括提供該離形膜；在該離形膜 的相對兩表面上依序放置該第一輔助介電層、核心板、第二輔助介電層及金屬層，且該第一 輔助介電層的面積大于該離形膜的面積，各核心板的面積大于該第一輔助介電層的面積， 又該金屬層的面積大于該第二輔助介電層及核心板的面積，以令該金屬層完全覆蓋該第二 輔助介電層及核心板；以及壓合各核心板、金屬層、第一輔助介電層、第二輔助介電層、及離 形膜。前述的制法還可包括該金屬層形成內(nèi)部線路層，以令該增層結(jié)構(gòu)設(shè)于該第二輔助 介電層及內(nèi)部線路層上，且該內(nèi)部線路層具有位于該第二輔助介電層中的內(nèi)部導(dǎo)電盲孔， 以電性連接該內(nèi)層線路。前述的制法中，該增層結(jié)構(gòu)可具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè) 于該介電層中且電性連接該線路層與內(nèi)部線路層的導(dǎo)電盲孔，且各第一電性接觸墊電性連 接最外的線路層，又在該增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有多個絕緣保護(hù) 層開孔，以令各第一電性接觸墊對應(yīng)外露出于各絕緣保護(hù)層開孔。由上可知，本發(fā)明通過該基材中的第一輔助介電層包覆離形膜，再在該第一輔助 介電層上制作線路結(jié)構(gòu)，最后，沿著該離形膜的介面分離兩側(cè)的結(jié)構(gòu)而形成兩個封裝基板; 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明初期利用該第一輔助介電層包覆中間的離形膜，以在第一輔助介 電層上形成初始基板結(jié)構(gòu)，因而最后僅需移除丟棄該離形膜，有效避免如現(xiàn)有技術(shù)中丟棄 臨時載體所造成的浪費(fèi)與制造工藝繁復(fù)等問題。


圖IA至圖IF為現(xiàn)有封裝基板的制法的剖視示意圖；圖2A至圖2H為本發(fā)明封裝基板的制法的剖視示意圖3A至圖3G為本發(fā)明封裝基板的制法的剖視示意圖；圖4A至圖4E為本發(fā)明封裝基板的制法的剖視示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下1初始封裝基板10承載板11薄膜金屬層12，20，30 離形膜13承載金屬層130 凹陷14第一介電層140 盲孔141a焊料凸塊141b第一導(dǎo)電盲孔142第一線路層15，23，33 增層結(jié)構(gòu)151第二介電層152第二線路層153第二導(dǎo)電盲孔154電性接觸墊16,24,34絕緣保護(hù)層160,240,340絕緣保護(hù)層開孔2,3,4基板本體2，，3，初始基板2a, 3a, 4a 基材21，21a，31，31a 第一輔助介電層210,310介電層開孔22，36內(nèi)部線路層22a, 36a 金屬層220,320a第二電性接觸墊230,330 介電層231,331 線路層232,332 導(dǎo)電盲孔233，333第一電性接觸墊25,35表面處理層31b第二輔助介電層32核心板32a 第一表面32b 第二表面320內(nèi)層線路
321導(dǎo)電通孔360內(nèi)部導(dǎo)電盲孔A，B, C 有效區(qū)
具體實施例方式以下通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明 書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。第一實施例請參閱圖2A至圖2H，為本發(fā)明封裝基板的制法剖視示意圖。如圖2A及圖2B所示，首先，提供一基材2a，該基材加是由具有相對兩表面的離形 膜20、形成在該離形膜20的表面并包覆該離形膜20的第一輔助介電層21、及對應(yīng)該離形 膜20的相對兩表面而設(shè)在該第一輔助介電層21上的金屬層2 組成，并在該金屬層2 上定義出有效區(qū)A。該基材加的制法可為首先，提供具有相對兩表面的離形膜20，在該離形膜20的 相對兩表面上分別形成第一輔助介電層21a，且該第一輔助介電層21a的面積大于該離形 膜20的面積，在該第一輔助介電層21a上設(shè)有金屬層22a，且該金屬層2 的面積大于該第 一輔助介電層21a的面積。接著，壓合該離形膜20兩側(cè)的金屬層2 及第一輔助介電層21a，令該離形膜20 兩側(cè)的第一輔助介電層21a結(jié)合成為一體而成為單一層的第一輔助介電層21并包覆該離 形膜20，且各金屬層2 完全覆蓋該第一輔助介電層21的上下表面。如此，可制出用在制 造整版面的無核層(coreless)的封裝基板的基材加。在后續(xù)制造工藝中，因該離形膜20兩表面上的制造工藝均相同，所以僅以該離形 膜20的其中一表面作說明，特此述明。如圖2C所示，該金屬層2 進(jìn)行圖案化工藝以形成內(nèi)部線路層22 ；有關(guān)于利用金 屬材料形成線路的技術(shù)繁多，但這是業(yè)界所周知的，且其非本申請的技術(shù)特征，所以不再贅 述，特此述明。如圖2D所示，在該內(nèi)部線路層22上形成增層結(jié)構(gòu)23，以在該離形膜20的相對兩 表面上形成初始基板2’，該增層結(jié)構(gòu)23具有至少一介電層230、設(shè)在該介電層230上的線 路層231、及多個設(shè)在該介電層230中且電性連接該線路層231與內(nèi)部線路層22的導(dǎo)電盲 孔232，且最外的線路層231具有第一電性接觸墊233。又可在此步驟中，在該初始基板2’的增層結(jié)構(gòu)23上形成例如防焊材的絕緣保護(hù) 層24，且在該絕緣保護(hù)層M中形成多個絕緣保護(hù)層開孔M0，以令各第一電性接觸墊233 對應(yīng)外露在各絕緣保護(hù)層開孔M0。如圖2E及圖2F所示，通過切割方式移除該有效區(qū)A以外的結(jié)構(gòu)，如第2E圖所示； 再移除該離形膜20，以令各初始基板2’與該離形膜20分離，如圖2F所示。如圖2G所示，在該第一輔助介電層21上形成多個介電層開孔210，令部分內(nèi)部線 路層22對應(yīng)外露在各介電層開孔210，以供作為第二電性接觸墊220，從而令該初始基板2’ 形成基板本體2。如圖2H所示，在該第一電性接觸墊233及第二電性接觸墊220上形成表面處理層25，以得到整版面的無核層封裝基板；該整版面的無核層封裝基板上排版布設(shè)有多個無核 層封裝基板單元，可通過切割工藝，以分離得到各個無核層封裝基板單元。本發(fā)明利用該第一輔助介電層21包覆該離形膜20，且中間兩層的金屬層2 可經(jīng) 圖案化工藝而成為內(nèi)部線路層22，因而最后僅需移除丟棄該離形膜20，有效避免如現(xiàn)有技 術(shù)中丟棄臨時載體所造成的浪費(fèi)與制造工藝繁復(fù)等問題。第二實施例請參閱圖3A至圖3G，為本發(fā)明封裝基板的第二實施例的制法；在本實施例中，應(yīng) 用在具有薄核層的封裝基板上，該薄核層為厚度可為0. 2mm以下的核心板，因該薄核層的 厚度過薄、太軟，容易因制造工藝中的藥液、風(fēng)刀的噴壓或重力而使整版面的邊緣產(chǎn)生翹 曲，導(dǎo)致基板輸送過程易遭破壞，或發(fā)生卡板，造成產(chǎn)線停擺等問題，所以通過本發(fā)明的技 術(shù)，以制成具有薄核層的封裝基板；本實施例與上述實施例的主要差異在該基材的結(jié)構(gòu)。如圖3A及圖;3B所示，提供一基材3a，該基材3a由具有相對兩表面的離形膜30、 形成在該離形膜30的表面并包覆該離形膜30的第一輔助介電層31、及分別設(shè)在該第一輔 助介電層31上的核心板32，并在該核心板32上定義出有效區(qū)B。該基材3a的制法可為首先，提供具有相對兩表面的離形膜30，在該離形膜30的 相對兩表面上放置有第一輔助介電層31a，且該第一輔助介電層31a的面積大于該離形膜 30的面積。接著，提供所述核心板32，各核心板32具有相對應(yīng)的第一表面3 及第二表面 32b，且所述核心板32的第二表面32b分別對應(yīng)各第一輔助介電層31a，又該核心板32的面 積大于該第一輔助介電層31a的面積。最后，壓合該離形膜30兩側(cè)的核心板32及第一輔助介電層31a，令該離形膜30兩 側(cè)的第一輔助介電層31a結(jié)合為一體而成為單一層的第一輔助介電層31并包覆該離形膜 30，且令該核心板32的第二表面32b結(jié)合在該第一輔助介電層31上，并令所述核心板32 分別覆蓋在該第一輔助介電層31的上下表面；又該有效區(qū)B是定義設(shè)在該核心板32的第 一表面3 上。藉以制出用在制造整版面具有薄核層的封裝基板的基材3a。所述的核心板32的第一表面3 及第二表面32b上具有內(nèi)層線路320，且在該核 心板32中具有導(dǎo)電通孔321，以電性連接至該第一表面3 及第二表面32b上的內(nèi)層線路 320。在后續(xù)制造工藝中，因該離形膜30兩表面上的制造工藝均相同，所以僅以該離形 膜30的其中一表面作說明，特此述明。如圖3C所示，在該核心板32的第一表面3 及內(nèi)層線路320上形成增層結(jié)構(gòu)33， 以在該離形膜30的相對兩表面上形成初始基板3’，該增層結(jié)構(gòu)33具有至少一介電層330、 設(shè)在該介電層330上的線路層331、及設(shè)在該介電層330中且電性連接至該線路層331與內(nèi) 層線路320的導(dǎo)電盲孔332，且最外的線路層331具有多個第一電性接觸墊333。又在該初始基板3’的增層結(jié)構(gòu)33上形成絕緣保護(hù)層34，且該絕緣保護(hù)層34具有 多個絕緣保護(hù)層開孔340，以令各第一電性接觸墊333對應(yīng)外露在各絕緣保護(hù)層開孔340 ； 但是，該絕緣保護(hù)層34也可在后續(xù)工藝步驟中形成。如圖3D及圖3E所示，通過切割方式移除該有效區(qū)B以外的結(jié)構(gòu)，如圖3D所示；再 移除該離形膜30，以令各初始基板3’與該離形膜30分離，如圖3E所示。
如圖3F及圖3G所示，在該第一輔助介電層31上形成多個介電層開孔310，令該核 心板32的第二表面32b上的部分內(nèi)層線路320對應(yīng)外露在各介電層開孔310，以供作為第 二電性接觸墊320a，從而令該初始基板3’形成基板本體3，如圖3F所示；再在該第一電性 接觸墊333及第二電性接觸墊320a上形成表面處理層35，以得到整版面的薄核層封裝基 板，如圖3G所示。本發(fā)明利用該第一輔助介電層31包覆該離形膜30，以在兩層的第一輔助介電層 31上設(shè)置核心板32，因而最后僅需移除丟棄該離形膜30，以有效避免如現(xiàn)有技術(shù)中丟棄臨 時載體所造成的浪費(fèi)與制造工藝繁復(fù)等問題。第三實施例請參閱圖4A至圖4E，為本發(fā)明封裝基板的第三實施例的制法；本實施例與上述實 施例的主要差異在該基材的結(jié)構(gòu)。如圖4A所示，提供一基材4a，該基材如是由具有兩相對表面的離形膜30、形成在 該離形膜30的表面并包覆該離形膜30的第一輔助介電層31、分別設(shè)在該第一輔助介電層 31上的核心板32、設(shè)在該核心板32的第一表面3 上的第二輔助介電層31b、及設(shè)在該第 二輔助介電層31b上的金屬層36a，且在該核心板32上方的金屬層36a定義出有效區(qū)C。該基材如是通過壓合方式成型，可參考前兩個實施例中所述，且該金屬層36a的 面積大于該核心板32及第二輔助介電層31b的面積，以令該金屬層36a完全覆蓋該第二輔 助介電層31b及核心板32。如此，可制出用在制造整版面具有薄核層的封裝基板的基材如。如圖4B所示，該金屬層36a經(jīng)由圖案化工藝以形成內(nèi)部線路層36，且該內(nèi)部線 路層36具有位在該第二輔助介電層31b中并電性連接至該內(nèi)層線路320的內(nèi)部導(dǎo)電盲孔 360。有關(guān)于制作線路及盲孔的技術(shù)繁多，但這是業(yè)界所周知的，且其非本申請技術(shù)特征，所 以不再贅述。如圖4C所示，在該第二輔助介電層31b及內(nèi)部線路層36上形成該增層結(jié)構(gòu)33，且 該導(dǎo)電盲孔332電性連接該線路層331與內(nèi)部線路層36。如圖4D及圖4E所示，先通過切割方式移除該有效區(qū)C以外的結(jié)構(gòu)，再移除該離 形膜30，接著在該第一輔助介電層31上形成多個介電層開孔310，以令各第二電性接觸墊 320a對應(yīng)外露出在各介電層開孔310，從而形成基板本體4，如圖4D所示。在后續(xù)制造工 藝，也可在該第一電性接觸墊333及第二電性接觸墊320a上形成表面處理層35，如圖4E所 示，以得到整版面的薄核層封裝基板。本發(fā)明利用該第一輔助介電層31包覆該離形膜30，以在兩層的第一輔助介電層 31上設(shè)置核心板32，且該核心板32上的金屬層36a可經(jīng)圖案化工藝而成為內(nèi)部線路層36， 因而最后僅需移除丟棄該離形膜30，從而能有效避免如現(xiàn)有技術(shù)中丟棄臨時載體所造成的 浪費(fèi)與制造工藝繁復(fù)等問題。上述實施例是用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修改。因此本 發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)以權(quán)利要求書的范圍為依據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種封裝基板的制法，其特征在于，包括提供一基材，是由具有相對兩表面的離形膜、分別形成在該離形膜的表面并包覆該離 形膜的第一輔助介電層、及分別形成在該第一輔助介電層上的金屬層組成，并在各金屬層 上定義出有效區(qū)；在該金屬層形成內(nèi)部線路層；在各第一輔助介電層及內(nèi)部線路層上形成增層結(jié)構(gòu)，各增層結(jié)構(gòu)最外層的表面具有多 個第一電性接觸墊，以在該離形膜的兩表面上形成初始基板； 移除該有效區(qū)以外的部分； 移除該離形膜；以及在該第一輔助介電層上形成多個介電層開孔，以令該初始基板形成基板本體，且令部 分內(nèi)部線路層對應(yīng)外露在各介電層開孔，從而供作為第二電性接觸墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該基材的制法包括 提供該離形膜；在該離形膜的相對兩表面上依序放置該第一輔助介電層及金屬層，且該第一輔助介電 層的面積大于該離形膜的面積，又該金屬層的面積大于該第一輔助介電層的面積；以及 壓合各金屬層、第一輔助介電層、及離形膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電 層、設(shè)在該介電層上的線路層、及設(shè)在該介電層中且電性連接該線路層與內(nèi)部線路層的導(dǎo) 電盲孔，且最外的線路層電性連接該第一電性接觸墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，移除該有效區(qū)以外的部分是 通過切割方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括在該增層結(jié)構(gòu) 上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層形成多個絕緣保護(hù)層開孔，以令各第一電性接觸墊對 應(yīng)外露在各絕緣保護(hù)層開孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括在該第一電 性接觸墊及第二電性接觸墊上形成表面處理層。
7.一種封裝基板的制法，其特征在于，包括提供一基材，是由具有相對兩表面的離形膜、分別形成在該離形膜的表面并包覆該離 形膜的第一輔助介電層、及分別形成在該第一輔助介電層上的核心板，各核心板具有相對 的第一表面及第二表面，在該第一表面及第二表面上具有內(nèi)層線路，且各核心板的第二表 面結(jié)合至該第一輔助介電層上，并在各核心板的第一表面上定義出有效區(qū)；在各核心板的第一表面上形成增層結(jié)構(gòu)，以在該離形膜的兩表面上形成初始基板，且 各增層結(jié)構(gòu)最外層表面具有多個第一電性接觸墊； 移除各有效區(qū)以外的部分； 移除該離形膜；以及在該第一輔助介電層上形成多個介電層開孔，以令該初始基板形成基板本體，且令該 核心板的第二表面上的內(nèi)層線路對應(yīng)外露在各介電層開孔，從而供作為第二電性接觸墊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制法，其特征在于，該基材的制法包括 提供該離形膜；在該離形膜的相對兩表面上依序放置該第一輔助介電層及核心板，且該第一輔助介電 層的面積大于該離形膜的面積，又各核心板的面積大于該第一輔助介電層的面積，以令各 核心板完全覆蓋該第一輔助介電層；以及壓合各核心板、第一輔助介電層、及離形膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制法，其特征在于，該核心板中還具有導(dǎo)電通孔， 以電性連接該第一表面及第二表面上的內(nèi)層線路。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電 層、設(shè)在該介電層上的線路層、及設(shè)在該介電層中且電性連接該線路層與內(nèi)層線路的導(dǎo)電 盲孔，且最外的線路層電性連接該第一電性接觸墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制法，其特征在于，移除該有效區(qū)以外的部分是 通過切割方式。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括在該增層結(jié)構(gòu) 上形成絕緣保護(hù)層，且該絕緣保護(hù)層具有多個絕緣保護(hù)層開孔，以令各第一電性接觸墊對 應(yīng)外露在各絕緣保護(hù)層開孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求7或12所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括在該第一 電性接觸墊及第二電性接觸墊上形成表面處理層。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制法，其特征在于，該基材還具有設(shè)在該核心板 的第一表面上的第二輔助介電層及設(shè)在該第二輔助介電層上的金屬層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝基板的制法，其特征在于，該基材的制法包括提供該離形膜；在該離形膜的相對兩表面上依序放置該第一輔助介電層、核心板、第二輔助介電層及 金屬層，且該第一輔助介電層的面積大于該離形膜的面積，各核心板的面積大于該第一輔 助介電層的面積，又該金屬層的面積大于該第二輔助介電層及核心板的面積，以令該金屬 層完全覆蓋該第二輔助介電層及核心板；以及壓合各核心板、金屬層、第一輔助介電層、第二輔助介電層、及離形膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括該金屬層形 成內(nèi)部線路層，以令該增層結(jié)構(gòu)設(shè)在該第二輔助介電層及內(nèi)部線路層上，且該內(nèi)部線路層 具有位在該第二輔助介電層中的內(nèi)部導(dǎo)電盲孔，以電性連接該內(nèi)層線路。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝基板的制法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介 電層、設(shè)在該介電層上的線路層、及設(shè)在該介電層中且電性連接該線路層與內(nèi)部線路層的 導(dǎo)電盲孔，且各第一電性接觸墊電性連接最外的線路層，又在該增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù) 層，且該絕緣保護(hù)層具有多個絕緣保護(hù)層開孔，以令各第一電性接觸墊對應(yīng)外露在各絕緣 保護(hù)層開孔。
全文摘要
一種封裝基板的制法，包括提供一基材，是由離形膜、包覆該離形膜的第一輔助介電層、及對應(yīng)該離形膜表面而形成在該第一輔助介電層上的金屬層所組成，并在各金屬層上定義出有效區(qū)；該金屬層形成內(nèi)部線路層；在各第一輔助介電層及內(nèi)部線路層上形成增層結(jié)構(gòu)，各增層結(jié)構(gòu)最外層具有多個第一電性接觸墊，以在該離形膜上形成初始基板；移除該有效區(qū)以外的部分；移除該離形膜；以及在該第一輔助介電層上形成多個介電層開孔，以令該初始基板形成基板本體，且令部分內(nèi)部線路層對應(yīng)外露在各介電層開孔，從而供作為第二電性接觸墊。本發(fā)明利用該第一輔助介電層包覆離形膜，因而最后僅需移除丟棄該離形膜，有效避免丟棄臨時載體所造成的浪費(fèi)問題。
文檔編號H01L21/48GK102054709SQ200910210710
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月6日
發(fā)明者劉謹(jǐn)銘 申請人:欣興電子股份有限公司