專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)與其制造方法，特別是有關(guān)于一種不利 用打線做電極連結(jié)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)與其制造方法。
背景技術(shù)：
由于發(fā)光二極管具有低耗電量、低發(fā)熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小、反應(yīng)速度 快以及可發(fā)出穩(wěn)定波長的色光等良好光電特性，因此常應(yīng)用于家電、儀表的指示燈、光電產(chǎn) 品的應(yīng)用光源以及光電通訊領(lǐng)域。傳統(tǒng)型的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)需要靠打線的制程，才能讓發(fā)光二極管晶粒與導(dǎo)線 架之間形成電性連接。然而，上述發(fā)光二極管組件內(nèi)必須預(yù)留打線位置，因此會限制發(fā)光二極管組件的 整體尺寸，而不利于發(fā)光二極管組件尺寸的微小化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明主要目的之一是提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)與其制造方法，其可 克服或改善前述先前技術(shù)的問題。根據(jù)本發(fā)明一面向的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含一連接基板、一第一與一第二導(dǎo)電 線路、一第一與一第三導(dǎo)電接墊、一第二與一第四導(dǎo)電接墊、一發(fā)光二極管芯片以及第一及 第二導(dǎo)電引腳。連接基板具有一上表面以及一下表面。第一與第二導(dǎo)電線路設(shè)置于連接基 板的上表面。第一與第三導(dǎo)電接墊直接接觸設(shè)置于第一導(dǎo)電線路之上且彼此電性相連。第 二與第四導(dǎo)電接墊直接接觸設(shè)置于第二導(dǎo)電線路之上且彼此電性相連。發(fā)光二極管芯片具 有第一與第二電性接點(diǎn)，且發(fā)光二極管芯片以一覆晶方式接合于連接基板上表面，使得第 一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至連接基板的第一與第二導(dǎo)電接墊。第一與第二導(dǎo) 電引腳分別焊接于第三及第四導(dǎo)電接墊上。根據(jù)本發(fā)明另一面向的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含一連接基板、二導(dǎo)電通孔、一第 一與一第三導(dǎo)電接墊、一第二與一第四導(dǎo)電接墊、一發(fā)光二極管芯片以及第一及第二導(dǎo)電 引腳。導(dǎo)電通孔設(shè)于連接基板。第一與一第三導(dǎo)電接墊直接接觸設(shè)置于上述導(dǎo)電通孔之一 且彼此電性相連。第二與一第四導(dǎo)電接墊直接接觸設(shè)置于另一導(dǎo)電通孔且彼此電性相連。 發(fā)光二極管芯片具有第一與第二電性接點(diǎn)，且發(fā)光二極管芯片以一覆晶方式接合于連接基 板的上表面，使得第一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至連接基板的第一與第二導(dǎo)電 接墊。第一及第二導(dǎo)電引腳分別焊接于該第三及第四導(dǎo)電接墊上。上述發(fā)光二極管芯片的第一與第二電性接點(diǎn)分別通過兩金屬連接(metaljoint) 而機(jī)械且電性連接至連接基板的第一與第二導(dǎo)電接墊。根據(jù)本發(fā)明又一面向的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包含提供一連接基 板，其設(shè)有第一、第二、第三及第四導(dǎo)電接墊，該第一及該第二導(dǎo)電接墊分別電性連接至該 第三及第四導(dǎo)電接墊；將一發(fā)光二極管芯片，以一覆晶方式設(shè)于該連接基板上表面，使得該第一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至該連接基板的該第一與第二導(dǎo)電接墊；以及將 一第一導(dǎo)電引腳和一第二導(dǎo)電引腳分別焊接于該第三導(dǎo)電接墊與該第四導(dǎo)電接墊。根據(jù)本發(fā)明再一面向的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含一連接基板，其設(shè)有第一、第 二、第三及第四導(dǎo)電接墊；一第一與一第二導(dǎo)電線路，設(shè)置于該連接基板上，該第一導(dǎo)電線 路的兩端分別作為該第一與第三導(dǎo)電接墊，該第二導(dǎo)電線路的兩端分別做為該第二與第四 導(dǎo)電接墊；一發(fā)光二極管芯片，其具有第一與第二電性接點(diǎn)，該發(fā)光二極管芯片以一覆晶方 式接合于該連接基板上表面，使得該第一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至該連接基 板的該第一與第二導(dǎo)電接墊；以及一第一及第二導(dǎo)電引腳，分別焊接于該第三及第四導(dǎo)電 接墊上。由于本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可無需進(jìn)行打線接合步驟，因而可簡化封裝結(jié) 構(gòu)和制程步驟。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說 明如下圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。主要組件符號說明100、200 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)111 基材113:第二電性半導(dǎo)體層115:第一電性接點(diǎn)120、220 連接基板122、222 第二導(dǎo)電接墊124、224 第四導(dǎo)電接墊125:導(dǎo)電線路130:第一導(dǎo)電引腳150a、150ab 焊錫連接227:導(dǎo)電通孔
具體實(shí)施例方式雖然本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式的實(shí)施例，但附圖所示者及于下文中說明者僅為本 發(fā)明范例之一，且并非意圖用以將本發(fā)明限制于附圖及/或所描述的特定實(shí)施例中。圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，其主要包含發(fā)光二極 管芯片110、連接基板120、第一導(dǎo)電引腳130以及第二導(dǎo)電引腳140。連接基板120上表面設(shè)有導(dǎo)電線路125、126。在導(dǎo)電線路125之上設(shè)有第一導(dǎo)電 接墊121及第三導(dǎo)電接墊123，讓第一導(dǎo)電接墊121及第三導(dǎo)電接墊123互相電性連接。而 在導(dǎo)電線路1 之上設(shè)有第二導(dǎo)電接墊122、及第四導(dǎo)電接墊124，讓第二導(dǎo)電接墊122及 第四導(dǎo)電接墊1 互相電性連接。110:發(fā)光二極管芯片 112:第一電性半導(dǎo)體層 114 主動層 116 第二電性接點(diǎn) 121,221 第一導(dǎo)電接墊 123,223 第三導(dǎo)電接墊 126 導(dǎo)電線路 140:第二導(dǎo)電引腳 160a、160b 焊錫連接 228 導(dǎo)電通孔
上述連接基板120是以具有良好導(dǎo)熱性且電性絕緣的材料所制成，借以承載發(fā)光 二極管芯片Iio和提升散熱效果。適用于本發(fā)明連接基板120的材料包含，但不限于，陶瓷、 三氧化二鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、硅(Si)或砷化鎵(GaAs)。上述的導(dǎo)電線路125、126例 如可為銅導(dǎo)線(copper wiring)，而上述的第一導(dǎo)電接墊121、第二導(dǎo)電接墊122、第三導(dǎo)電 接墊123以及第四導(dǎo)電接墊124的材料例如可為金或鈀。在一些實(shí)施例中，上述的第一導(dǎo)電接墊121、第二導(dǎo)電接墊122、第三導(dǎo)電接墊123 以及第四導(dǎo)電接墊124是直接由導(dǎo)電線路125、126的一部分所構(gòu)成。上述發(fā)光二極管芯片110由上至下依序包含基材111、第一電性半導(dǎo)體層112、主 動層114、第二電性半導(dǎo)體層113。此外，發(fā)光二極管芯片110還具有第一電性接點(diǎn)115以 及第二電性接點(diǎn)116，二者皆設(shè)于發(fā)光二極管芯片110的同一面。其中，第一電性接點(diǎn)115 電性連接至第一電性半導(dǎo)體層112，第二電性接點(diǎn)116電性連接至第二電性半導(dǎo)體層113。上述基材111的材質(zhì)例如可為藍(lán)寶石、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)或玻璃等透 明基板。上述第一電性半導(dǎo)體層112的材料例如可為N型磷化鋁鎵銦；主動層114例如可 為由磷化鋁鎵銦材質(zhì)所形成的多重量子井結(jié)構(gòu)；第二電性半導(dǎo)體層113的材料例如可為P 型磷化鋁鎵銦。上述第一電性接點(diǎn)115的材料例如可為In、Al、Ti、Au、W、InSn, TiN, WSi, Ptln2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/ Ni、Cr/Ni/Au, Ni/Cr/Au, Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/ Si/Ti或其合金。第二電性接點(diǎn)116的材料例如可為Ni/Au、NiO/Au、Pd/Ag/Au/Ti/Au、Pt/ Ru、Ti/Pt/Au、Pd/Ni、Ni/Pd/Au、Pt/Ni/Au、Ru/Au、Nb/Au、Co/Au、Pt/Ni/Au、Ni/Pt、Niln、 Pt3In7或其合金。請續(xù)參照圖1，該發(fā)光二極管芯片110是以一覆晶方式設(shè)置于連接基板120上表 面，且其第一與第二電性接點(diǎn)115、116分別通過兩金屬連接(metal ioint) 150a、150b機(jī) 械且電性連接至連接基板120上表面的第一導(dǎo)電接墊121與第二導(dǎo)電接墊122。上述的金 屬連接(metal joint) 150a、150b例如可為焊錫連接(solder joint)或金柱狀突塊(gold stud bump)。上述第一導(dǎo)電引腳130與第二導(dǎo)電引腳140分別利用焊錫連接 (solderjoint) 160a、160b分別焊接于第三導(dǎo)電接墊123與第四導(dǎo)電接墊124。上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100是采用透明封膠材料 (transparentencapsulant)(未示于圖中)來進(jìn)行封裝制程。而經(jīng)封裝后的發(fā)光二極管則 通過第一導(dǎo)電引腳130及第二導(dǎo)電引腳140等外部連接導(dǎo)通至基板或印刷電路板等外部組 件。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100在操作時，電力施加于第二導(dǎo)電引腳140(電性接點(diǎn)116為P 型)之上。在一些實(shí)施例中，第二電性接點(diǎn)116具有高反射率(例如大于70% )，以反射光線 自基材111的上表面出光。高反射率的第二電性接點(diǎn)116的材料例如可為鈦、金、鋁、銀、鉬、 鈀或其合金。前述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100可利用如下的封裝制程來制造。首先，將發(fā)光二極 管芯片110，以一覆晶接合步驟設(shè)置于該連接基板120上表面，使得該第一與第二電性接點(diǎn) 115、116分別機(jī)械且電性連接至該第一與第二導(dǎo)電接墊121、122。接著，將第一與第二導(dǎo)電 引腳130、140分別焊接于該第三與該第四導(dǎo)電接墊123、1M之上。在其它實(shí)施例中，亦可先將導(dǎo)電引腳130、140分別焊接于導(dǎo)電接墊123、124，再將發(fā)光二極管芯片110覆晶接合于 該連接基板120上表面?？梢岳斫獾氖?，在封裝制程中，第一導(dǎo)電引腳130與第二導(dǎo)電引腳140是通過一 導(dǎo)線架的支撐肋條(tie bar)(未示于圖中)連接在一起。在利用傳遞模塑法(transfer molding)或頂團(tuán)制程(glob-top process)將發(fā)光二極管芯片120密封于一透明封膠材料 (未示于圖中)之后，支撐肋條會被切除(tie bar)使得導(dǎo)電引腳130、140彼此分離。適用 于本發(fā)明的導(dǎo)線架一般是以銅為基礎(chǔ)的合金制成，或是以銅或含有銅的合金制成，并且其 一般是以沖壓或蝕刻方式成形。在一實(shí)施例中，前述的覆晶接合步驟包含利用一自動化選取及安放的機(jī)器將發(fā) 光二極管芯片Iio精確置放在連接基板120上表面的預(yù)先設(shè)定位置，使得芯片上的焊錫凸 塊(solder bump)精確地對齊基板20上相對應(yīng)的導(dǎo)電接墊121、122。然后，進(jìn)行一回焊步 驟形成焊錫連接(solder joint) 150a、150b，用以將該芯片110固定于連接基板120并且電 性連接該芯片110至連接基板20。在一實(shí)施例中，該芯片上的焊錫凸塊可利用已知的(^(Controlled CollapseChip Connection)制程形成，其包含步驟(A)在芯片的電性接點(diǎn)115、116上形成一錫球突起下 冶金(under bump metallurgy, UBM)；以及步驟(B)在UBM上形成錫球突起。在另一實(shí)施 例中，該芯片上的焊錫凸塊亦可以是利用模板印刷(stencil printing)形成的柱狀焊錫突塊。在再一實(shí)施例中，該芯片上的焊錫凸塊亦可通過將錫球直接焊接于電性接點(diǎn)115、 116而形成。此外，該芯片上的焊錫凸塊亦可以金柱狀突塊(gold studbump)取代。在此 實(shí)施例中，芯片上的金柱狀突塊可以通過導(dǎo)電膠或是進(jìn)行一熱超音波結(jié)合(thermosonic Bonding)步驟而將該芯片110固定于連接基板120并且電性連接該芯片110至連接基板 20。圖2繪示一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200。以下僅就發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200與發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的相異處進(jìn)行說明，關(guān)于相似處在此不再贅述。相較于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200的連接基板220是設(shè)置 于發(fā)光二極管芯片110與第一導(dǎo)電引腳130及第二導(dǎo)電引腳140之間。該連接基板220上表面設(shè)有第一導(dǎo)電接墊221及第二導(dǎo)電接墊222，該連接基板 220下表面設(shè)有第三導(dǎo)電接墊223及第四導(dǎo)電接墊2M分別通過上述的導(dǎo)電通孔227、2觀 電性連接至第一及第二導(dǎo)電接墊221、222。導(dǎo)電通孔227、2觀可利用例如機(jī)械鉆孔或激光 鉆孔的方式來形成，其位置分別對應(yīng)于發(fā)光二極管芯片110的第一電性接點(diǎn)115和第二電 性接點(diǎn)116。上述的第一導(dǎo)電接墊221、第二導(dǎo)電接墊222、第三導(dǎo)電接墊223以及第四導(dǎo)電接 墊224的材料例如可為銅。此外，導(dǎo)電接墊表面亦可以具有一層金或鈀。上述發(fā)光二極管芯片110是通過金屬連接150a、150b來覆晶接合于連接基板120 的上表面。上述第一導(dǎo)電引腳130和第二導(dǎo)電引腳140分別對位于二個導(dǎo)電通孔127、128，并 通過焊錫連接160a、160b分別焊接于連接基板120另一側(cè)的第三導(dǎo)電接墊223與第四導(dǎo)電 接墊224ο
由本發(fā)明的上述實(shí)施例可知，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)不需要另外進(jìn)行打線 接合制程以將發(fā)光二極管與基板作電極連接，因而可省略打線接合制程成本，也不用在發(fā) 光二極管組件中預(yù)留打線位置，因此可應(yīng)用于日漸微小化的電子產(chǎn)品中。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù) 的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范 圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含 一連接基板，具有一上表面以及一下表面；一第一與第二導(dǎo)電線路，設(shè)置于該連接基板的上表面；一第一與第三導(dǎo)電接墊，直接接觸設(shè)置于該第一導(dǎo)電線路之上且彼此電性相連； 一第二與第四導(dǎo)電接墊，直接接觸設(shè)置于該第二導(dǎo)電線路之上且彼此電性相連； 一發(fā)光二極管芯片，其具有第一與第二電性接點(diǎn)，該發(fā)光二極管芯片以一覆晶方式接 合于該連接基板上表面，使得該第一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至該連接基板的 該第一與第二導(dǎo)電接墊；以及一第一及第二導(dǎo)電引腳，分別焊接于該第三及第四導(dǎo)電接墊上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的該 第一與第二電性接點(diǎn)分別通過兩金屬連接而機(jī)械且電性連接至該連接基板的該第一與第 二導(dǎo)電接墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片包含 一基材；一第一與第二電性半導(dǎo)體層，位于該基材上并分別電性連接該第一電性接點(diǎn)與該第二 電性接點(diǎn)；以及一主動層，介于該第一電性半導(dǎo)體層與該第二電性半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電性接點(diǎn)或該第 二電性接點(diǎn)的反射率至少為70%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電性接點(diǎn)或該第 二電性接點(diǎn)是選自由鈦、金、鋁、銀、鉬、鈀或其合金所組成的一族群。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該連接基板的材料是選 自由陶瓷、三氧化二鋁、氮化鋁、硅及砷化鎵所組成的一族群。
7.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含 一連接基板，具有一上表面以及一下表面；二導(dǎo)電通孔，設(shè)于該連接基板；一第一與第三導(dǎo)電接墊，直接接觸設(shè)置于該些導(dǎo)電通孔之一且彼此電性相連； 一第二與第四導(dǎo)電接墊，直接接觸設(shè)置于另一導(dǎo)電通孔且彼此電性相連； 一發(fā)光二極管芯片，其具有一第一與第二電性接點(diǎn)，該發(fā)光二極管芯片以一覆晶方式 接合于該連接基板的上表面，使得該第一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至該連接基 板的該第一與第二導(dǎo)電接墊；以及一第一及第二導(dǎo)電引腳，分別焊接于該第三及第四導(dǎo)電接墊上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的該 第一與第二電性接點(diǎn)分別通過兩金屬連接而機(jī)械且電性連接至該連接基板的該第一與第 二導(dǎo)電接墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片包含 一基材；一第一與第二電性半導(dǎo)體層，形成于該基材上并分別電性連接至該第一電性接點(diǎn)與該 第二電性接點(diǎn)；以及一主動層，介于該第一電性半導(dǎo)體層與該第二電性半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電性接點(diǎn)或該第 二電性接點(diǎn)的反射率至少為70%。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電性接點(diǎn)或該第 二電性接點(diǎn)是選自由鈦、金、鋁、銀、鉬、鈀或其合金所組成的一族群。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該連接基板的材料是選 自由陶瓷、三氧化二鋁、氮化鋁、硅及砷化鎵所組成的一族群。
13.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其包含提供一連接基板，其設(shè)有第一、第二、第三及第四導(dǎo)電接墊，該第一及該第二導(dǎo)電接墊 分別電性連接至該第三及第四導(dǎo)電接墊；將一發(fā)光二極管芯片，以一覆晶方式設(shè)于該連接基板上表面，使得該第一與第二電性 接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至該連接基板的該第一與第二導(dǎo)電接墊；以及將一第一導(dǎo)電引腳和一第二導(dǎo)電引腳分別焊接于該第三導(dǎo)電接墊與該第四導(dǎo)電接墊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一及 第二導(dǎo)電接墊與該第三及第四導(dǎo)電接墊是設(shè)于該連接基板的上表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一及 第二導(dǎo)電接墊是形成于該連接基板的上表面，而該第三及第四導(dǎo)電接墊是形成于該連接基 板的下表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該連接基 板的材料是選自由陶瓷、三氧化二鋁、氮化鋁、硅及砷化鎵所組成的一族群。
17.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一連接基板，其設(shè)有第一、第二、第三及第四導(dǎo)電接墊；一第一與一第二導(dǎo)電線路，設(shè)置于該連接基板上，該第一導(dǎo)電線路的兩端分別作為該 第一與第三導(dǎo)電接墊，該第二導(dǎo)電線路的兩端分別做為該第二與第四導(dǎo)電接墊；一發(fā)光二極管芯片，其具有第一與第二電性接點(diǎn)，該發(fā)光二極管芯片以一覆晶方式接 合于該連接基板上表面，使得該第一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至該連接基板的 該第一與第二導(dǎo)電接墊；以及一第一及第二導(dǎo)電引腳，分別焊接于該第三及第四導(dǎo)電接墊上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的 第一與第二電性接點(diǎn)分別通過兩金屬連接而機(jī)械且電性連接至該連接基板的該第一與第 二導(dǎo)電接墊。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電性接點(diǎn)或該 第二電性接點(diǎn)的反射率至少為70%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，該封裝結(jié)構(gòu)包含一發(fā)光二極管芯片、一連接基板以及第一及第二導(dǎo)電引腳。發(fā)光二極管芯片具有設(shè)于發(fā)光二極管的同一面的第一與第二電性接點(diǎn)。連接基板的上表面設(shè)有第一至第四導(dǎo)電接墊以及兩導(dǎo)電線路，第一與第二導(dǎo)電接墊分別通過兩導(dǎo)電線路電性連接至第三及第四導(dǎo)電接墊。第一與第二導(dǎo)電引腳分別焊接于第三及第四導(dǎo)電接墊上。而發(fā)光二極管以一覆晶方式接合于連接基板的上表面，使得第一與第二電性接點(diǎn)分別機(jī)械且電性連接至連接基板的第一與第二導(dǎo)電接墊。
文檔編號H01L33/48GK102054921SQ200910211890
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月9日
發(fā)明者張嘉顯, 許晉源 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司