專利名稱：用于減小芯片翹曲度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及集成電路，更具體地，涉及用于減小晶片和芯片的翹曲度的方法 和結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在本領(lǐng)域中所眾所周知的，大多數(shù)集成電路被制造在晶片(通常為半導(dǎo)體晶片， 更典型地為硅晶片)上。經(jīng)過過去幾十年，晶片的直徑已從僅兩英寸增至八英寸，而且近年 來，直徑增至十二英寸，也被稱為300mm晶片。盡管現(xiàn)在制造的一些器件被制造在八英寸晶 片上，但是大多數(shù)新的集成器件制造設(shè)備將被設(shè)計(jì)成制造在十二英寸晶片上。由于圓的面積與其直徑的平方相關(guān)，所以直徑百分之五十的增長(如從八英寸晶 片移至十二英寸晶片)導(dǎo)致多于兩倍的用于制造裝置的可用表面面積。集成電路器件制造的另一個(gè)趨勢涉及封裝技術(shù)。隨著向表面黏著技術(shù)的發(fā)展以及 所謂的低輪廓封裝件(low profile package)，作為封裝處理(process，也稱工藝)的一部 分，晶片被研磨成不斷減小的厚度。隨著晶片的直徑變大以及厚度變薄，之前未知或至少不重視的力起到更重要的作 用。這些力包括施加至晶片以及作為集成電路制造處理的一部分通過形成在其上的薄膜施 加至在晶片上的芯片的壓力或張應(yīng)力。將壓力施加至較薄的晶片/芯片的大量薄膜的組合導(dǎo)致晶片/芯片和隨后形成的 集成電路的顯著翹曲。(眾所周知，晶片被切成獨(dú)立的多個(gè)芯片，當(dāng)被封裝時(shí)，這些芯片形成 完整的集成電路器件)。翹曲具有一些有害的影響。一個(gè)負(fù)面影響是芯片或晶片的翹曲可能顯著地影響形 成在芯片/晶片中的器件的電性能。眾所周知，其中形成有MOS晶體管的半導(dǎo)體層的張力 可能顯著地影響電荷載子遷移率。由芯片/晶片的翹曲所引起的張力可能不利地影響電荷 載子遷移率。通常，晶片/芯片的翹曲問題是通過在晶片的正面或背面上涂覆一層膜來解決的 (其中，該膜具有固有應(yīng)力)，這導(dǎo)致晶片向現(xiàn)有翹曲方向相反的方向彎曲，因此補(bǔ)償了現(xiàn) 有翹曲。因而，可以形成平坦的晶片。在切割處理之后，所得到的芯片也是平坦的。然而， 并不是所有的晶片都可以使用這種方法來固定。例如，為了例如感測聲波(在MEMS麥克風(fēng) 中)、或者允許液體流動(dòng)(在微型噴墨頭或生物流量泵(bio flow pump)的目的，微型電機(jī) 系統(tǒng)(MEMS)器件需要暴露在所得到的芯片之外的外部環(huán)境中。這樣的芯片就不能被涂覆 有膜。因此，需要用于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺點(diǎn)的方法和結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，集成電路結(jié)構(gòu)包括分立芯片(其包括背面)、從背面延伸 到分立芯片中的開口、以及開口中的有機(jī)材料。有機(jī)材料部分地或全部地填充開口。有機(jī) 材料可以包括光刻膠。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，集成電路結(jié)構(gòu)包括芯片。該芯片包括正面以及在作為正 面的芯片的相反側(cè)上的背面。多個(gè)溝槽在該芯片中并從背面延伸到芯片中。光刻膠填充多 個(gè)溝槽，其中，光刻膠基本上不在多個(gè)溝槽的外部，而是在芯片的背面上。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法包括提供具有正面和背 面的晶片，其中，該晶片包括芯片；形成從背面延伸到該芯片中的開口 ；以及將有機(jī)材料填 充在開口中。有機(jī)材料基本上都不在開口的外部，而是在晶片的背面上。有機(jī)材料被烘培 以使有機(jī)材料收縮。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，一種用于形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法包括提供具有正面 和背面的晶片。該晶片包括芯片。該方法還包括形成從背面延伸到芯片中的多個(gè)溝槽；將 第一光刻膠填充在多個(gè)溝槽中；去除第一光刻膠在多個(gè)溝槽外部的部分；以及烘培第一光 刻膠。這些實(shí)施例的有利特征包括用于減少并基本上消除半導(dǎo)體芯片的翹曲的能力、以 及將本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用于不能被施加壓涂覆(stressed coating)的結(jié)構(gòu)的靈活性。


為了更加徹底地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在結(jié)合附圖進(jìn)行下列描述以作出參考， 其中圖1和圖2示出了將光刻膠填充到兩個(gè)相鄰的結(jié)構(gòu)之間的空間中以及烘培光刻膠 的效果；圖3示出了作為填充到晶片的溝槽中的光刻膠的量的函數(shù)的晶片翹曲；圖4A至圖8B是在本發(fā)明實(shí)施例的制造中的中間階段的頂視圖和截面圖，其中，圖 5C-F是圖5A所示的芯片30的可能仰視圖；以及圖9A和圖9B是包括本發(fā)明的實(shí)施例的封裝件。
具體實(shí)施例方式以下，將詳細(xì)描述實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，這些實(shí)施例提供了可以 在各種特定情況下具體化的許多可應(yīng)用的發(fā)明構(gòu)思。所描述的具體實(shí)施例僅僅說明制造和 使用本發(fā)明的具體方式，而不限制本發(fā)明的范圍。提出了具有應(yīng)力補(bǔ)償溝槽的新半導(dǎo)體芯片及其形成方法。說明了制造實(shí)施例的中 間階段。描述了該實(shí)施例的改變。在各個(gè)視圖和示意性實(shí)施例中，類似的參考標(biāo)號用于指 定類似元件。在整個(gè)說明書中，當(dāng)晶片被以正面向上放置并且翹曲(warpage)使晶片的邊 緣高于晶片的中心時(shí)，翹曲被認(rèn)為具有正值，并被稱為正翹曲。相反，如果邊緣低于晶片的 中心，則晶片被認(rèn)為具有負(fù)值，并被稱為反翹曲。另外，如果翹曲的絕對值增大，則不管翹曲 是正的還是反的，翹曲都被認(rèn)為“增大”。
圖1和圖2示意性地示出了本發(fā)明的發(fā)明人在其上執(zhí)行了實(shí)驗(yàn)的結(jié)構(gòu) (structure)的截面圖。參考圖1，結(jié)構(gòu)12形成在基板10上。結(jié)構(gòu)12可以是基板10的一 部分，并且可以通過蝕刻基板10來形成，使得結(jié)構(gòu)12位于周圍的基板材料之上。可選地，結(jié) 構(gòu)12可以是形成在基板10的表面上的部件(feature)。空間14存在于相鄰的結(jié)構(gòu)12之 間。光刻膠16被填充到空間14中，然后被烘培。作為烘培的結(jié)果，光刻膠16收縮，因此， 將壓縮力施加至結(jié)構(gòu)12。因此，在基板1中發(fā)生翹曲，如圖2所示。出于說明的目的，翹曲 被夸大。在另一實(shí)驗(yàn)中，提供了基本平坦的晶片(未示出)，并且溝槽被形成在晶片的背 面上，其中，在晶片中的每一個(gè)芯片中，溝槽形成同心環(huán)，并且每個(gè)環(huán)將芯片的中心作為其 中心。然后，執(zhí)行多次光刻膠填充和烘培處理，其中，將光刻膠填充到溝槽中并堆疊在先前 光刻膠填充處理中填充的光刻膠上。因此，每次光刻膠填充處理都使光刻膠在溝槽中的厚 度增加。在圖3中示出了結(jié)果，其中，X軸表示光刻膠填充的次數(shù)，而Y軸表示晶片翹曲度 (warpage)，其中，在圖4B中晶片翹曲度的意思可以被稱為翹曲度WAP1。圖3中的點(diǎn)20表 示具有形成30 μ m的深度但其中未填充光刻膠的溝槽的晶片的初始翹曲度。在實(shí)驗(yàn)中，當(dāng)光刻膠沒有被填充到溝槽中(第0次填充)時(shí)，晶片具有約-5 μ m的 翹曲。溝槽首先被填充有第一層光刻膠，其中，第一層光刻膠在溝槽中具有IOym的厚度 T(參考圖1)。然后，晶片被烘培。我們發(fā)現(xiàn)，在烘培之后，晶片的翹曲度增大至約_30μπι， 如由點(diǎn)22所示。接下來，將也具有10 μ m厚度的第二層光刻膠填充到溝槽中并且在第一 層光刻膠之上。然后，執(zhí)行了第二次烘培。作為第二次烘培的結(jié)果，晶片的翹曲度增大至 約-65μπι，如由點(diǎn)24所示。接下來，也具有10 μ m厚度的第三層光刻膠填充到溝槽中并 且在第二層光刻膠之上。然后，執(zhí)行第三次烘培。再次，翹曲度增大至約_82μπι，如由點(diǎn)26 所示。圖3所示的結(jié)果揭示了，通過在晶片的背面形成溝槽、將光刻膠填充在溝槽中并 對光刻膠進(jìn)行烘培，可能產(chǎn)生反翹曲。另外，反翹曲度的大小隨著光刻膠厚度的增大而增 加。因此，如果晶片或芯片具有有正翹曲度，則通過使用如圖1至圖3所示的方法，可以補(bǔ) 償正翹曲。所得到的晶片的翹曲度至少可以被減小，在使用了適當(dāng)量的光刻膠的情況下，翹 曲可能基本上被消除。由于晶片基本上是平坦的，所得到的芯片在其被從晶片鋸掉之后也 是平坦的。圖4Α至圖8Β示出了在實(shí)施例中的中間階段的截面圖和頂視圖。參考圖4Α，形成 了芯片30。芯片30是晶片100的一部分，其在圖4Β中被示意性地示出，其中，芯片30可以 是晶片100中的任意芯片。另外，晶片100中的所有芯片均具有與芯片30相同的結(jié)構(gòu)，并且 將經(jīng)過如圖5Α至圖8Α所示的相同處理。芯片30可以包括半導(dǎo)體基板32，其可以包括硅、 鍺、GaAs或其他通用的半導(dǎo)體材料。此外，半導(dǎo)體基板32還可以是大塊基板，或者具有絕 緣半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。由框表示的器件34和36形成在基板32的正面(圖4Α中面朝上的表面) 處。在一個(gè)實(shí)施例中，器件34包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件、雙極結(jié)式晶體管、 電容器、晶體管等。器件可以是MEMS器件，其可以包括MEMS麥克風(fēng)、微型流泵、微型噴墨頭 等。芯片30還包括在正面上的互連結(jié)構(gòu)38，其中，互連結(jié)構(gòu)38可以包括金屬線和通孔(未 示出)。另外，焊盤40可以形成在芯片30的正面上。再次參考圖4A，晶片100具有翹曲度 WAP1，其是正翹曲度。此外，出于說明目的，在所有附圖中，晶片100的翹曲可能被夸大。
如圖5A所示，溝槽44形成在芯片30的背面上，并且均可以在基板32中或者形成 在基板32的背面上的(多個(gè))層中，該(多個(gè))層包括但不限于半導(dǎo)體層、介電層、金屬層、 多晶硅層及其結(jié)合。應(yīng)該注意，術(shù)語“溝槽”是指長度和寬度不同的開口，也指長度和寬度 基本相同的開口。溝槽44可以通過蝕刻或激光打孔、或者任何其他可應(yīng)用方法來形成。圖 5B至圖5F示出了如圖5A所示的芯片30的可能仰視圖。請注意，形成在芯片30的背面上 的任何溝槽或開口在填充在其中的光刻膠被烘培之后均具有引起正翹曲度的效果。因此， 溝槽44可以具有除了所示出和/或描述的圖案外的任何其他圖案，并且圖5B至圖5F中所 示的圖案僅是實(shí)例，而不應(yīng)限制本發(fā)明的范圍。在圖5B中，溝槽44形成同心環(huán)，其中，每一個(gè)環(huán)都是正方形。在一個(gè)實(shí)施例中， 每個(gè)溝槽44被限制在相應(yīng)芯片30的范圍內(nèi)，而不延伸到圍繞芯片30的劃線(scribe line) 46中，盡管溝槽44可以延伸到劃線46中。因而，晶片100中的每個(gè)芯片30均具有其 自身的溝槽44。圖5C示出了可選實(shí)施例，其中，溝槽44形成同心圓。在可選實(shí)施例中，溝槽44不形成閉環(huán)圖案。例如，在圖5D中，溝槽44不彼此連接。 在圖5E中，溝槽44平行于X軸方向或平行于Y軸方向分配，其中，X軸方向和Y軸方向都 平行于基板32的正面和背面(在圖5E中未示出，請參照圖5A)，并且被稱為平面內(nèi)方向。 然而，在每個(gè)小區(qū)域中，溝槽44可以彼此平行，并且垂直于相鄰區(qū)域中的溝槽44。在圖5F 中，溝槽44實(shí)際上是深孔的形式，這些深孔的長度和寬度基本上是相同的。深孔44可以排 列形成矩陣、蜂窩的形狀、或者任何其他形狀。每個(gè)深孔可以具有矩形或圓形的形狀。在本 發(fā)明的這些實(shí)施例中，溝槽44可以具有對稱圖案，其或者對稱于芯片30的中心45、或者對 稱于芯片的X軸和Y軸，其中，X軸平行于芯片30的一側(cè)，而Y軸平行于芯片30的另一側(cè) 并垂直于X軸。更優(yōu)選地，溝槽44對稱于芯片30的中心45、芯片30的X軸和Y軸，使得由 溝槽44所施加的合成應(yīng)力也是對稱的。 溝槽44的最佳密度、寬度W和深度D (參照圖5A)、以及長度L (參照圖5B和5E)取 決于將補(bǔ)償?shù)穆N曲度，并且可以通過實(shí)驗(yàn)得到。較大密度的溝槽44將導(dǎo)致在垂直于溝槽的 長度方向的方向上的較大翹曲度補(bǔ)償效應(yīng)。在示例性實(shí)施例中，寬度W在約5μπι與ΙΟμπι 之間。深度D小于約150 μ m，并且甚至可以小于50 μ m。然而，應(yīng)認(rèn)識(shí)到，在整篇說明書中 所列舉的尺寸僅是實(shí)例，并且在使用不同形成技術(shù)或者在實(shí)驗(yàn)揭示不同尺寸是優(yōu)選的情況 下，可以改變。圖6A至圖8B示出了重復(fù)的光刻膠填充和烘培處理。請注意，在實(shí)際的光刻膠應(yīng) 用處理中，當(dāng)執(zhí)行這些處理步驟時(shí)，溝槽44可以面朝上。參照圖6A，溝槽44填充有光刻膠 50。應(yīng)注意，噴射或旋壓(spinon)的光刻膠50可以具有直接在芯片30的背面之上的第一 部分(使用虛線示出)、以及在溝槽44中的第二部分，并且期望光刻膠50的第二部分的厚 度顯著大于第一部分的厚度。因此，可以使用干蝕刻或濕蝕刻來各向異性地或各向同性地 蝕刻光刻膠50的第一部分。盡管被蝕刻而變薄，但是光刻膠50的第二部分將仍具有剩余 在溝槽44中的部分。可選地，光刻膠50的第一部分可以通過首先暴露于光中、然后顯影來 去除，使得僅去除暴露的第一部分。在又一個(gè)實(shí)施例中，可以使用諸如CMP的其他方法。然 后，例如使用熔爐烘培來對晶片進(jìn)行烘培。烘培導(dǎo)致晶片的翹曲度從翹曲度WAPl減小至 WAP2，如圖6B所示。接下來，如圖7A所示，光刻膠52被填充在溝槽44中并在光刻膠50之上。填充處理可以基本上與在前述章節(jié)中所描述的填充處理相同。執(zhí)行第二次烘培。作為第二次烘培 的結(jié)果，晶片的翹曲度從WAP2減小至WAP3，如圖7B所示。接下來，將光刻膠54被填充在溝 槽44中并進(jìn)行烘培，如圖8A所示。類似地，光刻膠54的填充和烘培導(dǎo)致翹曲度進(jìn)一步減 小。最后，如圖8B所示，晶片100的翹曲被基本上消除，從而產(chǎn)生基本平坦的晶片100。在將芯片30從晶片100分離(其可以使用鋸子或激光器來進(jìn)行)之后，光刻膠50、 52和54可能仍留在溝槽44中，并且被封裝成封裝件，如圖9A和9B所示?？蛇x地，可以從 溝槽44去除光刻膠50、52和54，并且在芯片30從晶片100分離開之后去除光刻膠。在整 篇說明書中，已從相應(yīng)晶片100分離的芯片30被稱為分立芯片。圖9A示出了示例性的引線 鍵合封裝件，其中，芯片30被通過導(dǎo)線64接合至封裝基板60。未填充部分(imderfill)62 可以被填充在芯片30的背面與封裝基板60之間。圖9B示出了示例性的覆晶(flip-chip) 封裝，其中，芯片30通過錫球66接合至封裝基板60。壓?；衔?或未填充部分)68可 以用于保護(hù)芯片30和錫球66，其中，壓模化合物68可以接觸芯片30的背面，并且可以被填 充到芯片30與封裝基板60之間的空間中。在上述實(shí)施例中，三次光刻膠填充和烘培處理被用作解釋這些實(shí)施例的構(gòu)思的實(shí) 例。在可選的實(shí)施例中，根據(jù)翹曲度WAPl (圖4A)的值和/或光刻膠的類型，多步驟填充處 理可以僅包括兩次光刻膠填充和烘培處理、或者多于三次的光刻膠填充和烘培處理。有利 地，通過使用多步驟填充和烘培處理，光刻膠50、52和54中的每一個(gè)的厚度都不是過大的， 因此，在光刻膠中不太可能產(chǎn)生氣泡。在又一個(gè)實(shí)施例中，如果深度D(圖4A)小，則僅使用 一次光刻膠填充和烘培步驟。另外，在晶片100基本上是平坦時(shí)，以及/或者在光刻膠填 充和烘培處理完成時(shí)，光刻膠可以基本上完全填充溝槽44(圖5A)，或者僅部分地填充溝槽 44。本發(fā)明的實(shí)施例不限于光刻膠的填充。在可選實(shí)施例中，在硬化或退火/烘培時(shí) 可以收縮的其他有機(jī)材料(諸如，聚酰亞胺、樹脂等)也可以用于實(shí)現(xiàn)翹曲度補(bǔ)償效應(yīng)。本發(fā)明的實(shí)施例具有一些有利的特征。由于溝槽形成在芯片的背面上，所以其可 以在不適于在芯片的頂面上形成應(yīng)力補(bǔ)償涂層的情況下使用。另外，可以調(diào)節(jié)溝槽的圖案， 使得它們與現(xiàn)有圖案以及/或者必須形成在芯片30的背面上的器件隔離，因此，本發(fā)明的 實(shí)施例的使用不受關(guān)于芯片的背面的調(diào)節(jié)的影響。盡管已詳細(xì)描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)該理解，在不背離由所附權(quán)利要求所 限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在本文中，可以進(jìn)行各種變化、替換和變更。此外，本 申請的范圍并不旨在限于在本說明書中所描述處理、機(jī)器、產(chǎn)品以及物質(zhì)、手段、方法和步 驟的結(jié)合的特定實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從本發(fā)明的公開很容易想到，根據(jù)本發(fā)明， 可以利用處理、機(jī)器、產(chǎn)品和現(xiàn)有或后來開發(fā)的物質(zhì)、手段、方法或步驟(其執(zhí)行基本上相 同的功能或者實(shí)現(xiàn)基本上與本文中所描述的對應(yīng)實(shí)施例相同的結(jié)果)的結(jié)合。因此，所附 的權(quán)利要求旨在包括在其范圍內(nèi)，諸如處理、機(jī)器、產(chǎn)品、以及物質(zhì)、手段、方法或步驟的結(jié) 合。另外，每項(xiàng)權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且各項(xiàng)權(quán)利要求和實(shí)施例的結(jié)合均在本發(fā)明 的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括提供包括正面和背面的晶片，其中，所述晶片包括芯片；形成從所述背面延伸到所述芯片的開口；將有機(jī)材料填充到所述開口中，其中，所述有機(jī)材料基本上都不在所述開口的外部，而是在所述晶片的背面上；以及對所述有機(jī)材料進(jìn)行烘培，以使所述有機(jī)材料收縮。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述晶片分離成包括所述芯片的多個(gè)芯片， 其中，在所述分離步驟之后，所述有機(jī)材料仍然在所述開口中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括將所述芯片封裝在封裝基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述有機(jī)材料包括光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，填充所述有機(jī)材料和烘培所述有機(jī)材料的步驟 包括將第一層所述有機(jī)材料填充到所述開口中，其中，所述有機(jī)材料基本上都不在所述開 口的外部；對所述第一層的所述有機(jī)材料進(jìn)行烘培；將第二層所述有機(jī)材料填充到所述開口中并且在所述第一層所述有機(jī)材料之上，其 中，所述第二層所述有機(jī)材料基本上都不在所述開口的外部；以及 對所述第二層所述有機(jī)材料進(jìn)行烘培。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括當(dāng)執(zhí)行形成所述開口的步驟時(shí)，同時(shí)形成多個(gè)開口 ；以及當(dāng)執(zhí)行將所述有機(jī)材料填充到所述開口中的步驟時(shí)，同時(shí)將所述有機(jī)材料填充到所述 多個(gè)開口中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述多個(gè)開口包括基本上對稱于所述芯片的中 心的分離溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述開口具有大于約ΙΟμπι的深度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述開口形成閉環(huán)環(huán)。
10.一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括 提供包括正面和背面的晶片，其中，所述晶片包括芯片； 形成從所述背面延伸到所述芯片的多個(gè)溝槽；將第一光刻膠填充在所述多個(gè)溝槽中；去除所述第一光刻膠在所述多個(gè)溝槽外部的部分；以及對所述第一光刻膠進(jìn)行烘培。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括將第二光刻膠填充在所述多個(gè)溝槽中并且在所述第一光刻膠之上； 去除所述第二光刻膠在所述溝槽外部的部分；以及 對所述第二光刻膠進(jìn)行烘培。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括重復(fù)從填充所述第一光刻膠的步驟到對所 述第一光刻膠進(jìn)行烘培的步驟的這些步驟，直到所述晶片的翹曲基本上完全被補(bǔ)償并且所 述晶片基本上是平坦的。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述多個(gè)溝槽基本上對稱于所述芯片的中心。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述多個(gè)溝槽包括形成閉環(huán)溝槽環(huán)的溝槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括將所述芯片封裝到封裝基板上，其中，在所 述封裝步驟之后，所述第一光刻膠在所述多個(gè)溝槽中。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于減小芯片翹曲度的方法。其中，一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法包括提供包括正面和背面的晶片，其中，該晶片包括芯片；形成從背面延伸到芯片的開口；將有機(jī)材料填充到開口中，其中，有機(jī)材料基本上都不在該開口的外部，而是在晶片的背面上；以及對有機(jī)材料進(jìn)行烘培以使有機(jī)材料收縮。
文檔編號H01L21/312GK101924058SQ20091021239
公開日2010年12月22日 申請日期2009年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月12日
發(fā)明者吳汀淏, 彭榮輝, 李久康, 蔡尚穎, 鄭創(chuàng)仁 申請人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司