專利名稱：等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件及其制備方法，尤其適用于等離子顯示器(Plasma Display Panel, PDP)用行選址驅(qū)動(dòng)芯片和列選址驅(qū)動(dòng)芯片。
背景技術(shù)：
等離子顯示器是由行驅(qū)動(dòng)芯片和列驅(qū)動(dòng)芯片共同控制驅(qū)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。芯片內(nèi)部電路由低壓邏輯控制電路和高壓輸出驅(qū)動(dòng)器件兩部分組成，其中高壓輸出驅(qū)動(dòng)器件直接點(diǎn)亮和控制PDP顯示屏。隨著驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)水平和工藝制造水平的不斷提高，低成本、高頻率、高可靠性、低功耗等特征已經(jīng)成為顯示器驅(qū)動(dòng)芯片的發(fā)展方向?；诘蛪夯パa(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的低壓邏輯控制電路的制造工藝基本成熟，除了在電路層面進(jìn)行電路改進(jìn)外，在器件工藝方面的改進(jìn)潛力越來(lái)越小，然而占用芯片較大面積，占芯片制造成本較高的高壓輸出驅(qū)動(dòng)器件部分改進(jìn)潛力很大。傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)芯片基本由高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)作為高壓輸出驅(qū)動(dòng)器件，然而高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流能力不足，設(shè)計(jì)上為了滿足對(duì)電流能力的需要，芯片內(nèi)一般均是由幾個(gè)高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相并聯(lián)實(shí)現(xiàn)電流能力的提高，這樣就是以付出更大芯片面積為代價(jià)的，同時(shí)并聯(lián)器件的勻流問(wèn)題會(huì)影響到芯片的可靠性。如今高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的制作工藝水平逐漸成熟，由于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的電流能力比高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管強(qiáng)很多，在相同電流能力下，高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的尺寸要小很多，會(huì)節(jié)省很大的芯片面積，在芯片的成本、可靠性和功耗等方面會(huì)有較大的改進(jìn)。傳統(tǒng)的隔離方式主要是基于體硅的PN結(jié)隔離或單槽隔離，其中PN隔離結(jié)構(gòu)占用芯片面積可達(dá)20X以上，而單槽隔離對(duì)芯片的面積占用很小，可以控制在5%以內(nèi)，然而在隔離的可靠性方面仍存在不足。本發(fā)明是基于絕緣體上硅技術(shù)，同時(shí)采用雙槽隔離充分發(fā)揮絕緣體上硅結(jié)構(gòu)理想的全介質(zhì)隔離性能、相對(duì)簡(jiǎn)單的隔離工藝、顯著減弱的寄生效應(yīng)，使其速度高、功耗低、耐高溫運(yùn)行的優(yōu)點(diǎn)得以體現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示器驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件及其制備方法，尤其適用于等離子顯示器用行選址驅(qū)動(dòng)芯片和列選址驅(qū)動(dòng)芯片，所述芯片結(jié)構(gòu)具有芯片功耗低，芯片面積小，可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，而且能夠兼容標(biāo)準(zhǔn)低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造工藝。 本發(fā)明所述等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件的技術(shù)方案如下 —種等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，包括P型襯底，在P型襯底上設(shè)有埋氧
層，在埋氧層上設(shè)有高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半
導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓二極管和
低壓器件，其特征在于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化
6物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相鄰且高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的漏端與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端相鄰；高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相鄰且高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏端與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端相鄰；高壓二極管位于高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與低壓器件之間；在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管一側(cè)設(shè)有第一雙槽結(jié)構(gòu)，在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管另一側(cè)與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間設(shè)有第二雙槽結(jié)構(gòu)；在高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間設(shè)有第三雙槽結(jié)構(gòu)；在高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管與高壓二極管之間設(shè)有第四雙槽結(jié)構(gòu)；在高壓二極管與低壓器件之間設(shè)有第五雙槽結(jié)構(gòu)；在低壓器件另一側(cè)沒(méi)有槽結(jié)構(gòu)隔離；第一雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成，第二雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成，第三雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成，第四雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成，第五雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層和第二氧化隔離層組成。
所述顯示器驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件的制備方法如下 第一步取雜質(zhì)濃度為1. 0el5cm-3的P型襯底，對(duì)其進(jìn)行預(yù)清洗；在P型襯底上制備埋氧層；然后生長(zhǎng)P型雜質(zhì)濃度為lel5cm-3的外延層；通過(guò)劑量為5el2cm-2的磷離子注入，在P型外延層上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的高壓N阱、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高壓N阱、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高壓N阱和高壓二極管的高壓N阱，簡(jiǎn)單處理快速熱退火后，直接普注劑量為3el2cm-2的硼并高溫退火形成高壓P阱；在P型外延層上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的P型體區(qū)和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的P型體區(qū)；在P型外延層上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的低壓N阱，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的低壓N阱，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的低壓N阱，高壓二極管的低壓N阱和低壓器件的低壓N阱；接著在簡(jiǎn)單處理快速熱退火后，普注硼形成高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的低壓P阱，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的低壓P阱，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的低壓P阱，高壓二極管的低壓P阱和低壓器件的低壓P阱；然后在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的低壓N阱內(nèi)制作N型緩沖層，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的低壓N阱內(nèi)制作N型緩沖層，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的低壓N阱內(nèi)制作N型體區(qū)，低壓器件的低壓N阱內(nèi)制作低壓N阱；再接著刻蝕隔離槽結(jié)構(gòu)，場(chǎng)氧化層的生長(zhǎng)，填充槽，然后進(jìn)行對(duì)高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管漂移區(qū)上方場(chǎng)氧化層進(jìn)行反刻得到柵氧化層；然后進(jìn)行場(chǎng)氧注入，形成高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的P型阱、漏端P型緩沖層和低壓器件低壓P阱上齊納二極管的P型阱，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和低壓器件中N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值調(diào)整注入；接下來(lái)高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的厚柵氧生長(zhǎng)和低壓器件中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的薄柵氧生長(zhǎng)，淀積刻蝕多晶硅形成
7高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的多晶硅柵極和場(chǎng)板，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的多晶硅柵極，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的多晶硅柵極和場(chǎng)板，高壓二極管的多晶硅場(chǎng)板，低壓管的多晶硅柵極和多晶硅電阻條。
第二步制備高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的源端N型重?fù)诫s阱，高壓P型橫 向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端N型重?fù)诫s體接觸阱，高壓N型橫向雙擴(kuò) 散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端N型重?fù)诫s阱和漏端N型重?fù)诫s阱、高壓二極管 的N型重?fù)诫s阱及低壓器件的N型重?fù)诫s阱區(qū)，高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管的P型 重?fù)诫s體接觸阱和漏端P型重?fù)诫s阱，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體 管的源端P型重?fù)诫s阱和漏端P型重?fù)诫s阱、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管的P型重?fù)诫s體接觸阱、高壓二極管的P型重?fù)诫s阱以及低壓器件的P型重?fù)诫s 阱區(qū)；淀積氧化層，刻蝕接觸孔，蒸鋁，反刻鋁，形成電極，最后，鈍化處理。
這些步驟與標(biāo)準(zhǔn)低壓外延互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝兼容，與現(xiàn) 有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn) (1)本發(fā)明采用高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管代替高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化
物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為高壓輸出驅(qū)動(dòng)器件，使得芯片中高壓器件所占的面積降低，成 本下降，功耗降低，可靠性增加。 (2)本發(fā)明是基于SOI工藝，其埋氧層將外延層與襯底完全電隔離，避免了體硅或 外延工藝的襯底漏電流問(wèn)題，芯片功耗更低，可靠性能更好。 (3)本發(fā)明采用雙槽結(jié)構(gòu)作為高壓器件之間或高壓器件與低壓器件之間的隔離， 這樣的隔離結(jié)構(gòu)，使器件間實(shí)現(xiàn)了全介質(zhì)隔離，抗閂鎖性能更好，同時(shí)隔離結(jié)構(gòu)的面積非常 小，相對(duì)較寬的單槽工藝實(shí)現(xiàn)容易、隔離可靠性更高。 (4)本發(fā)明的高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源區(qū)和厚柵 氧相接鳥嘴區(qū)域的下方設(shè)有P型阱區(qū)，這樣可以保證器件有效開啟。 (5)本發(fā)明先制備高壓部分所特有結(jié)構(gòu)，然后再制備低壓及低壓與高壓部分共有 的結(jié)構(gòu)，鑒于低壓器件部分制備在后，高壓器件部分的制備在先，故不會(huì)對(duì)低壓金屬氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管管產(chǎn)生影響，所以本發(fā)明的高壓器件結(jié)構(gòu)的制備方法能夠兼容標(biāo)準(zhǔn)低 壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造工藝。 (6)本發(fā)明中高低壓器件較為齊全，高壓部分包括高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶 體管、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓二極管，低壓部分包括低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)
晶體管，齊納二極管，低壓二極管，多晶硅電阻，使PDP驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)在器件使用方面更加 方便靈活。


圖1是本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件剖面圖。 圖2是本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件剖面圖，圖示了根據(jù)本發(fā)明的 SOI高壓顯示器驅(qū)動(dòng)芯片由初始狀態(tài)的P型襯底經(jīng)過(guò)一系列工藝最終完成器件制作的整個(gè) 制備工藝步驟。 圖3是本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件模擬圖，其中圖3(a)示出了本相同的高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(n-cha皿el LateralInsulated Gate Bipolar Transistor,nLIGBT)和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(n-channel Lateral Double Diffuse M0SFET， nLDM0S)開態(tài)電流曲線比較圖；圖3(b)示出了高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管擊穿特性曲線比較圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明結(jié)構(gòu)作詳細(xì)說(shuō)明，如圖1所示，一種等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，包括P型襯底10，在P型襯底10上設(shè)有埋氧層8，在埋氧層8上設(shè)有高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3、高壓二極管4和低壓器件5，其特征在于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2相鄰且高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的漏端與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的源端相鄰；高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3相鄰且高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的漏端與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的源端相鄰；高壓二極管4位于高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3與低壓器件5之間；在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1 一側(cè)設(shè)有第一雙槽結(jié)構(gòu)，在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1另一側(cè)與高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2之間設(shè)有第二雙槽結(jié)構(gòu)；在高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2與高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3之間設(shè)有第三雙槽結(jié)構(gòu)；在高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3與高壓二極管4之間設(shè)有第四雙槽結(jié)構(gòu)；在高壓二極管4與低壓器件5之間設(shè)有第五雙槽結(jié)構(gòu)；在低壓器件5另一側(cè)沒(méi)有槽結(jié)構(gòu)隔離；第一雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層91A和第二氧化隔離層91B組成，第二雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層92A和第二氧化隔離層92B組成，第三雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層93A和第二氧化隔離層93B組成，第四雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層94A和第二氧化隔離層94B組成，第五雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層95A和第二氧化隔離層95B組成。 上述第一雙槽結(jié)構(gòu)用于高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1與本發(fā)明以外且制作于同一片芯片上的其它器件的隔離；若與低壓器件5相鄰的是高壓器件，則應(yīng)加入雙槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離。在本實(shí)施例中，第一雙槽結(jié)構(gòu)、第二雙槽結(jié)構(gòu)、第三雙槽結(jié)構(gòu)、第四雙槽結(jié)構(gòu)和第五雙槽結(jié)構(gòu)中均填充以二氧化硅介質(zhì)。 上述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)包括P型外延層(71)，在P型外延層(71)內(nèi)設(shè)有P型體區(qū)(11)和高壓N阱(12)，除高壓N阱(12)以外的區(qū)域均為高壓P阱，在高壓N阱(12)上設(shè)有低壓N阱(18)，在低壓N阱(18)上設(shè)有N型緩沖層(13)，在N型緩沖層(13)上設(shè)有漏端P型重?fù)诫s阱(19)，在低壓N阱(18)以外的區(qū)域設(shè)有低壓P阱(16)，在低壓P阱(16)上設(shè)有P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和源端N型重?fù)诫s阱(15)，在P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和源端N型重?fù)诫s阱(15)、漏端P型重?fù)诫s阱(19)及溝道區(qū)以外的區(qū)域
9均設(shè)有場(chǎng)氧化層(9)，在柵氧化層(50)上方及低壓P阱(16)和漏端P型重?fù)诫s阱(19)之間的場(chǎng)氧化層(9)近源一端上方設(shè)有多晶硅柵極和場(chǎng)板(17)，在場(chǎng)氧化層(9)、P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、源端N型重?fù)诫s阱(15)、多晶硅柵極和場(chǎng)板(17)和漏端P型重?fù)诫s阱(19)的上方設(shè)有氧化層(6)，在P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、源端N型重?fù)诫s阱(15)、多晶硅柵極(17)及漏端P型重?fù)诫s阱(19)上分別連接有金屬引線。 上述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2主要由高壓N阱20、低壓N阱21、低壓P阱22、 N型體區(qū)23、柵氧化層24、 N型重?fù)诫s體接觸阱25、源端P型重?fù)诫s阱26、P型阱27、多晶硅柵極28、漏端P型緩沖層29、漏端P型重?fù)诫s阱30及高壓N阱20以外的區(qū)域均為高壓P阱構(gòu)成。 上述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3主要由P型體區(qū)31、高壓N阱32、 N型緩沖層33、 P型重?fù)诫s體接觸阱34、源端N型重?fù)诫s阱35、低壓P阱36、多晶硅柵極和場(chǎng)板37、低壓N阱38、漏端N型重?fù)诫s阱39及高壓P阱等構(gòu)成。
上述高壓二極管4主要由高壓N阱40、P型重?fù)诫s阱41、低壓P阱42、多晶硅場(chǎng)板43、低壓N阱44、 N型重?fù)诫s阱45和高壓P阱等構(gòu)成。 上述低壓器件5中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管由低壓N型MOS管和低壓P型MOS管構(gòu)成，低壓P型MOS管設(shè)置在低壓N阱46上N型阱47中，低壓N型MOS管設(shè)置在低壓P阱48中。 上述低壓器件5中齊納二極管主要由低壓P阱48上場(chǎng)注P阱49及N型重?fù)诫s阱構(gòu)成。 上述低壓器件5中低壓二極管主要由低壓P阱48和N型重?fù)诫s阱構(gòu)成。
上述低壓器件5中多晶硅電阻主要由多晶硅條構(gòu)成。
實(shí)施例2 本發(fā)明的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件的制備方法如下
第一步取雜質(zhì)濃度為1. 0el5cm-3的P型襯底10，對(duì)其進(jìn)行預(yù)清洗如圖2 (a)所示；在P型襯底10上制備埋氧層8如圖2 (b)所示；然后生長(zhǎng)P型雜質(zhì)濃度為lel5cm-3的外延層7如圖2 (c)所示；通過(guò)劑量為5el2cm-2的磷離子注入，在P型外延層7上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的高壓N阱12、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的高壓N阱20、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的高壓N阱32和高壓二極管4的高壓N阱40，簡(jiǎn)單處理快速熱退火后，直接普注劑量為3el2cm-2的硼并高溫退火形成高壓P阱如圖2(d)所示；在P型外延層7上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的P型體區(qū)11和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的P型體區(qū)31如圖2 (e)所示；在P型外延層7上制作高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的低壓N阱18，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的低壓N阱21，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的低壓N阱38，高壓二極管4的低壓N阱44和低壓器件5的低壓N阱46如圖2(f)所示；接著在簡(jiǎn)單處理快速熱退火后，普注硼形成高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的低壓P阱16，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的低壓P阱22，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的低壓P阱36，高壓二極管4的低壓P阱42和低壓器件5的低壓P阱48如圖2 (g)所示；然后在高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的低壓N阱18內(nèi)制作N型緩沖層13，高
10壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的低壓N阱38內(nèi)制作N型緩沖層33，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的低壓N阱21內(nèi)制作N型體區(qū)23，低壓器件5的低壓N阱46內(nèi)制作低壓N阱47如圖2 (h)所示；再接著刻蝕隔離槽結(jié)構(gòu)，場(chǎng)氧化層9的生長(zhǎng)，填充槽，然后進(jìn)行對(duì)高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2漂移區(qū)上方場(chǎng)氧化層9進(jìn)行反刻得到柵氧化層24如圖2(i)所示；然后進(jìn)行場(chǎng)氧注入，形成高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的P型阱27、漏端P型緩沖層29和低壓器件5低壓P阱48上齊納二極管的P型阱49，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3和低壓器件5中N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值調(diào)整注入如圖2(j)所示；接下來(lái)高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的厚柵氧生長(zhǎng)和低壓器件5中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的薄柵氧生長(zhǎng)，淀積刻蝕多晶硅形成高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的多晶硅柵極和場(chǎng)板17，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的多晶硅柵極28，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的多晶硅柵極和場(chǎng)板37，高壓二極管4的多晶硅場(chǎng)板43，低壓管的多晶硅柵極和多晶硅電阻條如圖2(k)所示。
第二步制備高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的源端N型重?fù)诫s阱15，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的源端N型重?fù)诫s體接觸阱25，高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的源端N型重?fù)诫s阱35和漏端N型重?fù)诫s阱39、高壓二極管4的N型重?fù)诫s阱45及低壓器件5的N型重?fù)诫s阱區(qū)，高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管1的P型重?fù)诫s體接觸阱14和漏端P型重?fù)诫s阱19，高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的源端P型重?fù)诫s阱26和漏端P型重?fù)诫s阱30、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的P型重?fù)诫s體接觸阱34、高壓二極管4的P型重?fù)诫s阱41以及低壓器件5的P型重?fù)诫s阱區(qū)如圖2(1)所示；淀積氧化層6，刻蝕接觸孔，蒸鋁，反刻鋁，形成電極，最后，鈍化處理如圖2(m)所示。 參照?qǐng)D3(a)可以看出，高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管比基于相同工藝結(jié)構(gòu)基本相同的高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管開態(tài)電流高出一倍多，相同電流能力條件下高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管代替高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管將使器件尺寸縮小50%以上。 參照?qǐng)D3(b)可以看出，高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管與基于相同工藝結(jié)構(gòu)基本相同的高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，擊穿電壓基本相同。說(shuō)明在電流能力提高的同時(shí)器件的關(guān)態(tài)耐壓水平基本不變。
權(quán)利要求
一種等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，它由如下部分組成P型襯底(10)，在所述P型襯底(10)上設(shè)有埋氧層(8)，在所述埋氧層(8)上設(shè)有高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)、高壓二極管(4)和低壓器件(5)，其特征在于，所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)與所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)相鄰且高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的漏端與所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的源端相鄰，所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)與所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)相鄰且所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的漏端與所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的源端相鄰，所述高壓二極管(4)位于所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)與所述低壓器件(5)之間，在所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)一側(cè)設(shè)有第一雙槽結(jié)構(gòu)，在所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)另一側(cè)與所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)之間設(shè)有第二雙槽結(jié)構(gòu)，在所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)與所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)之間設(shè)有第三雙槽結(jié)構(gòu)，在所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)與所述高壓二極管(4)之間設(shè)有第四雙槽結(jié)構(gòu)，在所述高壓二極管(4)與所述低壓器件(5)之間設(shè)有第五雙槽結(jié)構(gòu)，在所述低壓器件(5)另一側(cè)沒(méi)有槽結(jié)構(gòu)隔離，所述第一雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(91A)和第二氧化隔離層(91B)組成，所述第二雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(92A)和第二氧化隔離層(92B)組成，所述第三雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(93A)和第二氧化隔離層(93B)組成，所述第四雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(94A)和第二氧化隔離層(94B)組成，所述第五雙槽結(jié)構(gòu)由平行設(shè)置的第一氧化隔離層(95A)和第二氧化隔離層(95B)組成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，其特征在于，所述高壓 N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)包括P型外延層(71)，在所述P型外延層(71)內(nèi)設(shè)有P 型體區(qū)(11)和高壓N阱(12)，除所述高壓N阱(12)以外的區(qū)域均為高壓P阱，在所述高 壓N阱(12)上設(shè)有低壓N阱(18)，在所述低壓N阱(18)上設(shè)有N型緩沖層(13)，在所述 N型緩沖層(13)上設(shè)有漏端P型重?fù)诫s阱(19)，在所述低壓N阱(18)以外的區(qū)域設(shè)有低 壓P阱(16)，在所述低壓P阱(16)上設(shè)有P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和源端N型重?fù)诫s阱 (15)，在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(14)和所述源端N型重?fù)诫s阱(15)、所述漏端P型重?fù)?雜阱(19)及溝道區(qū)以外的區(qū)域均設(shè)有場(chǎng)氧化層(9)，在柵氧化層(50)上方及所述低壓P 阱(16)和所述漏端P型重?fù)诫s阱(19)之間的所述場(chǎng)氧化層(9)近源一端上方設(shè)有多晶硅 柵極和場(chǎng)板(17)，在所述場(chǎng)氧化層(9)、所述P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、所述源端N型重?fù)?雜阱(15)、所述多晶硅柵極和場(chǎng)板(17)和所述漏端P型重?fù)诫s阱(19)的上方設(shè)有氧化層 (6)，在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(14)、所述源端N型重?fù)诫s阱(15)、所述多晶硅柵極(17) 及所述漏端P型重?fù)诫s阱(19)上分別連接有金屬引線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，其特征在于，所述高壓 P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)包括P型外延層(72)，在所述P型外 延層(72)內(nèi)設(shè)有高壓N阱(20)，除高壓N阱(20)以外的區(qū)域均為高壓P阱，在所述高壓N阱(20)上設(shè)有低壓N阱(21)，在所述低壓N阱(21)上設(shè)有N型體區(qū)(23)，在所述低壓N 阱(21)以外的區(qū)域設(shè)有低壓P阱(22)，在所述低壓P阱(22)上設(shè)有P型緩沖層(29)，在 所述P型緩沖層(29)上設(shè)有漏端P型重?fù)诫s阱(30)，在所述N型體區(qū)(23)上設(shè)有N型重 摻雜體接觸阱(25)和源端P型重?fù)诫s阱(26)，在所述漏端P型重?fù)诫s阱(30)、所述N型重 摻雜體接觸阱(25)和所述源端P型重?fù)诫s阱(26)以外的區(qū)域均設(shè)有柵氧化層(24)和場(chǎng) 氧化層(9)且所述柵氧化層(24)位于所述源端P型重?fù)诫s阱(26)與所述漏端P型重?fù)诫s 阱(30)之間，在所述柵氧化層(24)的與所述源端P型重?fù)诫s阱(26)相鄰的鳥嘴下方設(shè)有 P型阱(27)，在所述柵氧化層(24)上方設(shè)有多晶硅柵極(28)，在所述場(chǎng)氧化層(9)、所述柵 氧化層(24)、所述N型重?fù)诫s體接觸阱(25)、所述源端P型重?fù)诫s阱(26)、所述多晶硅柵 極(28)及所述漏端P型重?fù)诫s阱(30)的上方設(shè)有氧化層(6)，在所述N型重?fù)诫s體接觸阱 (25)、所述源端P型重?fù)诫s阱(26)、所述多晶硅柵極(28)及所述漏端P型重?fù)诫s阱(30)上 分別連接有金屬引線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，其特征在于，所述高壓N 型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)包括P型外延層(73)，在所述P型外延 層(73)內(nèi)設(shè)有P型體區(qū)(31)和高壓N阱(32)，除所述高壓N阱(32)以外的區(qū)域均為高 壓P阱，在所述高壓N阱(32)上設(shè)有低壓N阱(38)，在所述低壓N阱(38)上設(shè)有N型緩沖 層(33)，在所述N型緩沖層(33)上設(shè)有漏端N型重?fù)诫s阱(39)，在低所述壓N阱(38)以 外的區(qū)域設(shè)有低壓P阱(36)，在所述低壓P阱(36)上設(shè)有P型重?fù)诫s體接觸阱(34)和源 端N型重?fù)诫s阱(35)，在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(34)和所述源端N型重?fù)诫s阱(35)、所 述漏端N型重?fù)诫s阱(39)及溝道區(qū)以外的區(qū)域均設(shè)有場(chǎng)氧化層(9)，在所述柵氧化層(50) 上方和低壓P阱(36)與所述漏端N型重?fù)诫s阱(39)之間的場(chǎng)氧化層(9)近源一端上方設(shè) 有多晶硅柵極和場(chǎng)板(37)，在所述場(chǎng)氧化層(9)、所述P型重?fù)诫s體接觸阱(34)、所述源端 N型重?fù)诫s阱(35)、所述多晶硅柵極和場(chǎng)板(37)和所述漏端N型重?fù)诫s阱(39)的上方設(shè) 有氧化層(6)，在所述P型重?fù)诫s體接觸阱(34)、所述源端N型重?fù)诫s阱(35)、所述多晶硅 柵極和場(chǎng)板(37)及所述漏端N型重?fù)诫s阱(39)上分別連接有金屬引線。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，其特征在于，所述高壓 二極管(4)包括P型外延層(74)，在所述P型外延層(74)內(nèi)設(shè)有高壓N阱(40)、低壓N阱 (44)，在所述高壓N阱(40)以外的區(qū)域均為高壓P阱，在所述低壓N阱(44)上設(shè)有N型重 摻雜阱(45)，在所述低壓N阱(44)以外區(qū)域均為低壓P阱(42)，在所述低壓P阱(42)上 設(shè)有P型重?fù)诫s阱(41)，在所述低壓P阱(42)上P型重?fù)诫s阱(41)和所述低壓N阱(44) 上N型重?fù)诫s阱(45)以外的區(qū)域均設(shè)有場(chǎng)氧化層(9)，在所述P型重?fù)诫s阱(41)和所述N 型重?fù)诫s阱(45)之間的場(chǎng)氧化層(9)上方設(shè)有多晶硅場(chǎng)板(43)，在所述場(chǎng)氧化層(9)、所 述P型重?fù)诫s阱(41)、所述多晶硅場(chǎng)板(43)及所述N型重?fù)诫s阱(45)的上方設(shè)有氧化層 (6)，在所述P型重?fù)诫s阱(41)和所述N型重?fù)诫s阱(45)上分別連接有金屬引線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，其特征在于，所述第一 雙槽結(jié)構(gòu)、所述第二雙槽結(jié)構(gòu)、所述第三雙槽結(jié)構(gòu)、所述第四雙槽結(jié)構(gòu)及所述第五雙槽結(jié)構(gòu) 始自所述埋氧層(8)，進(jìn)入所述P型外延層(7)并止于所述半導(dǎo)體管的氧化層(6)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，其特征在于，所述高 壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的P型體區(qū)(11)和所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的P型體區(qū)(31)貫穿整個(gè)所述外延層(7)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2、3、4或5所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件，其特征在于，所 述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的高壓N阱(12)、所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的高壓N阱(20)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半 導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的高壓N阱(32)和所述高壓二極管(4)的高壓N阱(40)貫穿整個(gè) 所述外延層(7)。
9. 一種用于如權(quán)力要求1所述的等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件的制備方法，其特 征在于包括以下制備步驟第一步取雜質(zhì)濃度為1. 0el5cm-3的所述P型襯底(10)，對(duì)其進(jìn)行預(yù)清洗；在所述P型 襯底(10)上制備所述埋氧層(8);然后生長(zhǎng)P型雜質(zhì)濃度為lel5cm-3的所述外延層(7); 通過(guò)劑量為5el2cm-2的磷離子注入，在所述P型外延層(7)上制作所述高壓N型橫向絕 緣柵雙極型晶體管(1)的高壓N阱(12)、所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效 應(yīng)晶體管(2)的高壓N阱(20)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (3)的高壓N阱(32)和所述高壓二極管(4)的高壓N阱(40)，簡(jiǎn)單處理快速熱退火后，直 接普注劑量為3el2cm-2的硼并高溫退火形成高壓P阱；在所述P型外延層(7)上制作所述 高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的P型體區(qū)(11)和所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的P型體區(qū)(31);在所述P型外延層(7)上制作高壓N型 橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的低壓N阱(18)，所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo) 體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的低壓N阱(21)，所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管(3)的低壓N阱(38)，所述高壓二極管(4)的低壓N阱(44)和低壓器件(5)的低壓 N阱(46);接著在簡(jiǎn)單處理快速熱退火后，普注硼形成所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體 管(1)的低壓P阱(16)，所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的 低壓P阱(22)，所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的低壓P阱 (36)，所述高壓二極管(4)的低壓P阱(42)和所述低壓器件(5)的低壓P阱(48);然后在 所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的低壓N阱(18)內(nèi)制作所述N型緩沖層(13)， 所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的低壓N阱(38)內(nèi)制作N 型緩沖層(33)，所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的低壓N阱 (21)內(nèi)制作N型體區(qū)(23)，所述低壓器件(5)的低壓N阱(46)內(nèi)制作所述低壓N阱(47); 再接著刻蝕隔離槽結(jié)構(gòu)，所述場(chǎng)氧化層(9)的生長(zhǎng)，填充槽，然后進(jìn)行對(duì)所述高壓P型橫向 雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)漂移區(qū)上方場(chǎng)氧化層(9)進(jìn)行反刻得到所述柵 氧化層(24);然后進(jìn)行場(chǎng)氧注入，形成所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管(2)的P型阱(27)、漏端P型緩沖層(29)和所述低壓器件(5)低壓P阱(48)上齊 納二極管的P型阱(49)，所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)和 所述低壓器件(5)中N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值調(diào)整注入；接下來(lái)所述高 壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶 體管(3)的厚柵氧生長(zhǎng)和所述低壓器件(5)中低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的薄柵氧生長(zhǎng)，淀積刻蝕多晶硅形成所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的多晶硅 柵極和場(chǎng)板(17)，所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的多晶硅 柵極(28)，所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的多晶硅柵極和場(chǎng)板(37)，所述高壓二極管(4)的多晶硅場(chǎng)板(43)，低壓管的多晶硅柵極和多晶硅電阻條。 第二步制備所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的源端N型重?fù)诫s阱(15)， 所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)的源端N型重?fù)诫s體接觸 阱(25)，所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的源端N型重?fù)诫s 阱(35)和漏端N型重?fù)诫s阱(39)、高壓二極管(4)的N型重?fù)诫s阱(45)及所述低壓器件 (5)的N型重?fù)诫s阱區(qū)，所述高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管(1)的P型重?fù)诫s體接觸阱 (14)和漏端P型重?fù)诫s阱(19)，所述高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (2)的源端P型重?fù)诫s阱(26)和漏端P型重?fù)诫s阱(30)、所述高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(3)的P型重?fù)诫s體接觸阱(34)、高壓二極管(4)的P型重?fù)诫s 阱(41)以及低壓器件(5)的P型重?fù)诫s阱區(qū)；淀積所述氧化層(6)，刻蝕接觸孔，蒸鋁，反 刻鋁，形成電極，最后，鈍化處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示驅(qū)動(dòng)芯片用高低壓器件及制備方法，所述器件由高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管、高壓P型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓二極管和低壓器件構(gòu)成；所述制備方法為在P型襯底上制作埋氧層，淀積P型外延層，制作高壓器件的高壓N阱和高壓P阱，高壓N型橫向絕緣柵雙極型晶體管和高壓N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的P型體區(qū)，各低壓阱。本發(fā)明所述芯片結(jié)構(gòu)具有芯片功耗低，芯片面積小，可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，而且能夠兼容標(biāo)準(zhǔn)低壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造工藝。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101714552SQ20091021276
公開日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月9日
發(fā)明者劉俠, 易揚(yáng)波, 李海松, 王欽, 陳文高 申請(qǐng)人:蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計(jì)有限公司