專(zhuān)利名稱(chēng)：安裝板和半導(dǎo)體模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于將電子組件安裝在其上的安裝板(mo皿tboard)，以及包括該安裝 板的半導(dǎo)體模塊。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)于用來(lái)將包括半導(dǎo)體芯片(如大規(guī)模集成(LSI)芯片)的電子組件安 裝在其上的安裝板，已經(jīng)要求高密度和低熱阻(thermal resistance)。要求高密度是因?yàn)?LSI芯片的引線(xiàn)數(shù)增加且對(duì)包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片的多芯片模塊的使用變得普遍。要求低熱 阻是因?yàn)長(zhǎng)SI芯片的功率消耗增加以及與最終產(chǎn)品相關(guān)的因素。 —般說(shuō)來(lái)，用于多芯片模塊的安裝板必須具有針對(duì)多芯片模塊中的每個(gè)半導(dǎo)體芯
片的一組電極端子。因此，在半導(dǎo)體芯片被安裝的一側(cè)上的布線(xiàn)被多層化。因此，被稱(chēng)作積
層板(build-up board)的多層布線(xiàn)板被用作安裝板(見(jiàn)例如日本專(zhuān)利No. 2739726)。 一般
說(shuō)來(lái)，積層基板包括芯板和對(duì)稱(chēng)地層壓在芯板的上表面和下表面上的布線(xiàn)層。 諸如LSI芯片的半導(dǎo)體芯片或包括密封于其中的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝被安
裝在安裝板上，使得半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝例如通過(guò)凸起電氣地并機(jī)械地連接到最上面
的布線(xiàn)層。日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No. 07-176873公開(kāi)了一種使用管芯接合部件將半導(dǎo)體
芯片固定到接合焊盤(pán)且通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)接合將其電連接到最上面的布線(xiàn)層的技術(shù)。另外，日本未
審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No. 07-176873公開(kāi)了通過(guò)積層層(build-uplayer)的最上面的布線(xiàn)層將
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱輻射到大氣中的技術(shù)。 當(dāng)如半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體裝置被安裝在積層布線(xiàn)層的最上面的層 上時(shí)，半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體封裝生成的一部分熱通過(guò)最上面的層被轉(zhuǎn)移到與最上面的層連 接的內(nèi)布線(xiàn)層(下層)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，形成在安裝半導(dǎo)體裝置的一側(cè)上的每個(gè)布線(xiàn)層覆蓋有具有高熱阻的樹(shù)脂絕 緣層。而且，如果最上面的布線(xiàn)層用于熱輻射，則可用于安裝電子部件的區(qū)域受到限制。因 此，沒(méi)有同時(shí)滿(mǎn)足高密度的要求和低熱阻的要求。 期望提供一種通過(guò)其同時(shí)滿(mǎn)足安裝電子部件時(shí)的高密度的要求和低熱阻的要求 的技術(shù)。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種包括層壓布線(xiàn)部分的安裝板，該層壓布線(xiàn)部分 包括以層壓方式形成在基板表面上的多個(gè)布線(xiàn)層，其中內(nèi)布線(xiàn)層的一部分暴露于外面，內(nèi) 布線(xiàn)層是多個(gè)布線(xiàn)層中除了最上面的布線(xiàn)層之外的任意一個(gè)。 通過(guò)安裝板，可使用暴露于外面的內(nèi)布線(xiàn)層的一部分將冷卻結(jié)構(gòu)安裝在安裝板 上。冷卻結(jié)構(gòu)用來(lái)減小通過(guò)布線(xiàn)層的傳熱路徑的熱阻。 根據(jù)實(shí)施例，可使用暴露于外面的內(nèi)布線(xiàn)層的一部分將冷卻結(jié)構(gòu)安裝在安裝板 上。因而，可減小通過(guò)布線(xiàn)層的傳熱路徑的熱阻，而不限制用于安裝電子部件的面積。因此，就安裝電子組件而言，可同時(shí)滿(mǎn)足高密度的要求和低熱阻的要求。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的安裝板的截面圖； 圖2A-2F示出了制造芯板的方法； 圖3A-3H是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造安裝板的方法的示意圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的截面圖； 圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造半導(dǎo)體模塊的方法的截面圖； 圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊如何被安裝的例子的截面圖； 圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一變型的安裝板和半導(dǎo)體模塊的截面圖；以及 圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二變型的安裝板和半導(dǎo)體模塊的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參考

本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于下述實(shí)施例且包括
各種變型和組合，只要通過(guò)使用本發(fā)明的要素及其組合可獲得特定的優(yōu)點(diǎn)即可。
實(shí)施例
安裝板的結(jié)構(gòu) 圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的安裝板的截面圖。安裝板1包括芯板2和層壓布線(xiàn)部 分3。芯板2包括例如具有板狀形狀的基板4、形成在基板4的上下表面上的布線(xiàn)層5和6 以及將布線(xiàn)層5和6彼此電連接的饋通導(dǎo)體7?；?例如由剛性材料(如環(huán)氧玻璃)制 成。布線(xiàn)層5和6例如由布線(xiàn)材料(如銅)制成。每個(gè)饋通導(dǎo)體7包括在延伸通過(guò)基板4 的通孔的側(cè)壁上形成的導(dǎo)電膜，該通孔填充有樹(shù)脂。 例如通過(guò)以下方法制成芯板2。如圖2A所示，制備包括如玻璃環(huán)氧基板的基板的 雙側(cè)銅包覆層壓板(clad laminate)31。如圖2B所示，雙側(cè)銅包覆層壓板31被鉆孔以在其 中形成通孔32。如圖2C所示，雙側(cè)銅包覆層壓板31的通孔32的側(cè)壁被用銅電鍍從而在其 上形成導(dǎo)電膜33。 如圖2D所示，向覆蓋有導(dǎo)電膜33的通孔32填充樹(shù)脂34。如圖2E所示，樹(shù)脂34 的端表面被用銅電鍍從而在其上形成導(dǎo)電膜35。如圖2F所示，雙側(cè)銅包覆層壓板31的表 面被蝕刻從而在其上形成銅的布線(xiàn)圖案36。在這些步驟之后，獲得芯板2。
層壓布線(xiàn)部分3包括將絕緣層14夾持在其中間的多個(gè)布線(xiàn)層(包括布線(xiàn)層5)。 層壓布線(xiàn)部分3作為獨(dú)立的島狀物(island)形成在芯板2上。結(jié)果，在芯板2的最外圍， 形成不存在層壓布線(xiàn)部分3的布線(xiàn)層和絕緣層的區(qū)域，即基板4的表面(上表面)暴露于 外面的區(qū)域2a。布線(xiàn)層夾持的絕緣層14的邊緣部分形成從上側(cè)(遠(yuǎn)離芯板2的側(cè))到下 側(cè)(靠近芯板2的側(cè))逐漸加寬的階梯形狀。布線(xiàn)層5布置在階梯形狀的底部(作為最下 層)，從而使得布線(xiàn)層5的部分5a(邊緣部分)暴露于外面。布線(xiàn)層5是內(nèi)布線(xiàn)層，其是布 線(xiàn)層中除了最上面的布線(xiàn)層之外的一個(gè)。術(shù)語(yǔ)"內(nèi)布線(xiàn)層"不僅指作為最下層的布線(xiàn)層5， 而且還指布置在最上面的層之下的層壓布線(xiàn)部分3中的任意層。優(yōu)選地，具有暴露于外面 的部分的布線(xiàn)層5是用于接地(ground)的布線(xiàn)層。
制造安裝板的方法
圖3A-3H是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造安裝板的方法的示意圖。如圖3A所示，制 備包括基板4和布線(xiàn)層5和6的芯板2。在該階段，芯板2是包括彼此集成且設(shè)置在平面內(nèi) 的單獨(dú)的芯板塊的大基板。單獨(dú)的芯板塊要被切分成最終產(chǎn)品的尺寸。在圖3A-3H中，為 了便于圖示，芯板2包括三個(gè)將被切分成單獨(dú)的塊的芯板的單元。 如圖3B所示，當(dāng)制備芯板2時(shí)，在芯板2的表面上形成由光敏樹(shù)脂制成的樹(shù)脂層 8。當(dāng)如上所述形成布線(xiàn)層時(shí)，樹(shù)脂層8用作布線(xiàn)層之間的絕緣層。通過(guò)例如應(yīng)用負(fù)光敏樹(shù) 脂膜來(lái)形成樹(shù)脂層8。 如圖3C所示，樹(shù)脂層8被曝光和顯影(develop)，使得樹(shù)脂層8被劃分(分離)成 芯板2上的島狀物，且在每個(gè)島狀物的樹(shù)脂層8中形成多個(gè)通孔9。此時(shí)，作為內(nèi)布線(xiàn)層的 最下層的布線(xiàn)層5的部分5a(邊緣部分)暴露于外面，部分5a在已經(jīng)被分離成島狀物的樹(shù) 脂層8的邊緣部分外側(cè)。布線(xiàn)層5的部分5a延伸到例如距離產(chǎn)品輪廓a = 200 ii m的位置。 布線(xiàn)層5的部分5a以例如b = 0. 5mm的長(zhǎng)度暴露于外面。 當(dāng)樹(shù)脂層8被劃分成獨(dú)立的島狀物時(shí)，樹(shù)脂層8的物理連接(連續(xù)性)在板平面 中彼此相鄰的單獨(dú)的芯板塊之間的邊界處(切割線(xiàn))被打破。因而，由于樹(shù)脂層8的熱收 縮導(dǎo)致的應(yīng)力在整個(gè)板上分散。結(jié)果，由于樹(shù)脂層8的熱收縮導(dǎo)致的芯板2的翹曲得到抑 制。 如圖3D所示，使樹(shù)脂層8的表面粗糙。通過(guò)使用例如高錳酸溶液使樹(shù)脂層8的表 面粗糙，從而使得表面可具有Ra = 0. 5 ii m的平均粗糙度。隨后，通過(guò)銅的化學(xué)鍍將初始鍍 層10 (銅種子層)沉積到例如0. 5 ii m的厚度。 如圖3E所示，在芯板2的表面上形成阻劑膜(resist film)，使其覆蓋樹(shù)脂層8的 島狀物。隨后，阻劑膜通過(guò)曝光和顯影被圖案化，從而形成抗鍍劑(plating resist) 11。
如圖3F所示，樹(shù)脂層8沒(méi)有覆蓋抗鍍劑11的表面的部分被用銅電鍍從而形成具 有例如15 i！ m的厚度的布線(xiàn)圖案12。布線(xiàn)圖案12就在最下面的布線(xiàn)層5之上提供布線(xiàn)層。 隨后，移除抗鍍劑11和初始鍍層10。 如圖3G所示，通過(guò)重復(fù)圖3B-3F的步驟，獲得具有積層結(jié)構(gòu)的布線(xiàn)板(積層板)， 其包括芯板2和形成在芯板2上的層壓布線(xiàn)部分3。層壓布線(xiàn)部分3被形成為各自包括布 線(xiàn)層的島狀物。每次在芯板2上堆疊布線(xiàn)層時(shí)，布置在布線(xiàn)層之間的樹(shù)脂層8的面積逐步 減小，使得絕緣層的邊緣部分形成階梯形狀。樹(shù)脂層8的面積按以下方式減小，S卩，使得對(duì) 于每層，樹(shù)脂層8在與基板表面平行的方向(圖3G的水平方向)上的長(zhǎng)度從兩端減小例如 c = 200iim。 如圖3H所示，針對(duì)層壓布線(xiàn)部分3的每個(gè)島狀物通過(guò)對(duì)芯板2進(jìn)行切割和布線(xiàn)將 芯板2切分成單獨(dú)的塊。由此獲得安裝板l。安裝板1包括層壓布線(xiàn)部分3，其包括形成在 芯板2的表面上的布線(xiàn)層。作為內(nèi)層的布線(xiàn)層5的部分5a暴露于外面。在安裝板l中，形 成在芯板2的上表面上的布線(xiàn)層的數(shù)目不同于形成在芯板2的下表面上的布線(xiàn)層的數(shù)目。 更具體地說(shuō)，形成在芯板2的上表面上的布線(xiàn)層的數(shù)目大于形成在芯板2的下表面上的布 線(xiàn)層的數(shù)目。因此，布線(xiàn)層關(guān)于芯板2在垂直方向上被不對(duì)稱(chēng)地層壓。
半導(dǎo)體模塊的結(jié)構(gòu) 圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的截面圖。半導(dǎo)體模塊20包括安裝板1和 安裝在安裝板1上的半導(dǎo)體裝置。安裝半導(dǎo)體芯片21和半導(dǎo)體封裝22，作為半導(dǎo)體裝置。
5半導(dǎo)體芯片21、半導(dǎo)體封裝22和半導(dǎo)體組件23被安裝在形成于安裝板1的表面上的布線(xiàn) 層上。 通過(guò)倒裝芯片方法將半導(dǎo)體芯片21作為裸芯片安裝。半導(dǎo)體芯片21電氣地并且 機(jī)械地連接到形成在安裝板1上的布線(xiàn)層的最上面的層。每個(gè)半導(dǎo)體封裝22是例如包括通 過(guò)樹(shù)脂密封的半導(dǎo)體芯片(例如存儲(chǔ)器LSI芯片，未示出)的球柵陣列(ball grid array, BGA)封裝。與半導(dǎo)體芯片21—樣，半導(dǎo)體封裝22通過(guò)外部連接端子(如焊料球)電氣地 并且機(jī)械地連接到最上面的布線(xiàn)層。在安裝板l的表面上，半導(dǎo)體封裝22與半導(dǎo)體芯片21 相鄰地布置。芯片組件23例如是無(wú)源組件(如芯片電容器)。與半導(dǎo)體芯片21和半導(dǎo)體 封裝22 —樣，芯片組件23電氣地并且機(jī)械地連接到最上面的布線(xiàn)層。
作為冷卻結(jié)構(gòu)的例子的兩個(gè)冷卻片24安裝在安裝板1上。冷卻片24通過(guò)例如由 導(dǎo)熱粘結(jié)劑制成的粘結(jié)劑層25附著到如上所述暴露于外面的最下面的布線(xiàn)層5的部分5a。 由此，冷卻片24安裝在安裝板1上且熱連接到布線(xiàn)層5的部分5a。作為導(dǎo)熱粘結(jié)劑，可使 用由其中分散有氧化硅、金屬粉末、陶瓷粉末等無(wú)機(jī)填料的有機(jī)材料(如環(huán)氧樹(shù)脂)制成的 粘結(jié)劑。 作為冷卻片24，可使用表面鍍鎳、作為具有高熱傳導(dǎo)性的金屬的銅制成的結(jié)構(gòu)。冷 卻片24包括在圖4的深度方向上設(shè)置的梳狀片部分。冷卻片24安裝在安裝板1上，使得 布線(xiàn)層的島狀物介于冷卻片24之間。冷卻片24彼此面對(duì)，布線(xiàn)層的島狀物位于其間。
冷卻結(jié)構(gòu)不限于冷卻片24，并且可以是例如散熱器。除了如冷卻片24的冷卻結(jié) 構(gòu)之外，可使用暴露于外面的內(nèi)布線(xiàn)層5的部分5a將電子組件(未示出)安裝在安裝板l 上。 制造半導(dǎo)體模塊的方法 如圖5所示，半導(dǎo)體芯片21、半導(dǎo)體封裝22和半導(dǎo)體組件23安裝在通過(guò)上述方法 獲得的安裝板1上。如圖4所示，冷卻片24使用粘結(jié)劑層25附著到暴露于外面的內(nèi)布線(xiàn) 層5的部分5a。由此，獲得半導(dǎo)體模塊20。如圖6所示，例如，使用作為外部連接端子形成 在芯板2的下表面上的凸起26(例如焊料凸起)將半導(dǎo)體模塊20安裝在母板27上。
在該實(shí)施例中，安裝板1被配置成使得布線(xiàn)層5的部分5a暴露于外面，其中布線(xiàn) 層5是除了最上面的布線(xiàn)層之外的層壓布線(xiàn)部分3的內(nèi)層中的一個(gè)。由此，可使用布線(xiàn)層 5的部分5a將冷卻結(jié)構(gòu)(如冷卻片24)安裝在安裝板l上。因此，可減小通過(guò)布線(xiàn)層延伸 的傳熱路徑的熱阻，而不限制安裝電子組件的面積。結(jié)果，就電子組件的安裝而言，可同時(shí) 滿(mǎn)足高密度的要求和低熱阻的要求。 而且，由于層壓布線(xiàn)部分3作為芯板2上獨(dú)立的島狀物形成，當(dāng)具有大尺寸的芯板 2被切分成單獨(dú)的安裝板1的塊時(shí)，相鄰的安裝板之間的層壓布線(xiàn)部分3的物理連接被打 破。因而，可減小由于層壓布線(xiàn)部分3的絕緣層14的熱收縮導(dǎo)致的大尺寸芯板的翹曲。
通過(guò)將具有暴露于外面的部分的布線(xiàn)層5用于接地(ground)，可獲得以下優(yōu)點(diǎn)。 也就是說(shuō)，用于接地的布線(xiàn)層具有布線(xiàn)層中最大的面積。因此，例如，通過(guò)使用于接地的布 線(xiàn)層的部分暴露于外面，從而如上所述將冷卻結(jié)構(gòu)安裝于其上，可將熱有效地轉(zhuǎn)移到冷卻 結(jié)構(gòu)。 由于布置在布線(xiàn)層之間的絕緣層14的邊緣部分以階梯形狀形成，不僅最下面的 布線(xiàn)層的邊緣部分而且除了最上面的層以外的任意內(nèi)布線(xiàn)層的邊緣部分都可在絕緣層外延伸并可暴露于外面。 安裝板1的布線(xiàn)層在垂直方向上被不對(duì)稱(chēng)地(層的數(shù)目不對(duì)稱(chēng))層壓。因而，在 安裝板1的上表面，可根據(jù)安裝在其上的半導(dǎo)體裝置(如半導(dǎo)體芯片21和半導(dǎo)體封裝22) 的端子的數(shù)目和布置來(lái)形成所需數(shù)目的布線(xiàn)層。在安裝板l的下表面上，可根據(jù)用于在母 板27上安裝安裝板1的端子的數(shù)目和布置來(lái)形成所需數(shù)目的布線(xiàn)層。因而，與布線(xiàn)層在垂
直方向上對(duì)稱(chēng)地形成在安裝板上的情況相比，可減小安裝板在母板上安裝的一側(cè)(下側(cè))
上的層的數(shù)目，從而可減小用于布線(xiàn)的步驟數(shù)目，并因此可減小安裝板的成本。 半導(dǎo)體模塊20被配置成使得如半導(dǎo)體芯片21和半導(dǎo)體封裝22的半導(dǎo)體裝置被
安裝在安裝板1上。而且，冷卻片24被安裝在安裝板1上，且熱連接到布線(xiàn)層5的部分5a。
因而，半導(dǎo)體裝置(如半導(dǎo)體芯片21和半導(dǎo)體封裝22)生成的熱可通過(guò)內(nèi)布線(xiàn)層5被有效
地轉(zhuǎn)移到冷卻片24。 第一變型 圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一變型的安裝板和半導(dǎo)體模塊的截面圖。如圖7所 示，在半導(dǎo)體模塊20中，最下面的布線(xiàn)層5的部分5a暴露于外面，且使用暴露的部分將冷 卻結(jié)構(gòu)28安裝在安裝板1上。冷卻結(jié)構(gòu)28具有門(mén)狀形狀。三個(gè)半導(dǎo)體封裝22被安裝在 安裝板1上。每個(gè)半導(dǎo)體封裝22的封裝表面通過(guò)其與冷卻結(jié)構(gòu)28之間的導(dǎo)熱樹(shù)脂的粘結(jié) 劑層29接合到冷卻結(jié)構(gòu)28。 該半導(dǎo)體模塊20的結(jié)構(gòu)使得每個(gè)半導(dǎo)體封裝22生成的熱能夠通過(guò)粘結(jié)劑層29 以及通過(guò)布線(xiàn)層5轉(zhuǎn)移。因此，與半導(dǎo)體封裝22生成的熱僅通過(guò)布線(xiàn)層5轉(zhuǎn)移的情況相比， 熱可有效地被轉(zhuǎn)移到冷卻結(jié)構(gòu)28。
第二變型 圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二變型的安裝板和半導(dǎo)體模塊的截面圖。如圖8所 示，在半導(dǎo)體模塊20中，最下面的布線(xiàn)層5的部分5a暴露于外面，并且使用暴露的部分將 冷卻片24安裝在安裝板1上。而且，就在最上面的層之下的布線(xiàn)層的部分15a暴露于外面， 并且使用暴露的部分將具有門(mén)狀形狀的冷卻結(jié)構(gòu)16安裝在安裝板1上。冷卻結(jié)構(gòu)16圍繞 布置在兩個(gè)半導(dǎo)體封裝22之間的半導(dǎo)體封裝17。半導(dǎo)體封裝17的封裝表面通過(guò)其與冷卻 結(jié)構(gòu)16之間的導(dǎo)熱樹(shù)脂的樹(shù)脂層18接合到冷卻結(jié)構(gòu)16。由此，冷卻結(jié)構(gòu)16熱連接到半導(dǎo) 體封裝17。 該半導(dǎo)體模塊20的結(jié)構(gòu)使得例如當(dāng)密封在半導(dǎo)體封裝17中的半導(dǎo)體芯片生成大 量熱時(shí)，半導(dǎo)體封裝17生成的熱被有效地轉(zhuǎn)移到冷卻結(jié)構(gòu)16。而且，可減小半導(dǎo)體封裝17 生成的熱對(duì)鄰近的半導(dǎo)體封裝22的影響。 本申請(qǐng)包含與2008年11月19日在日本專(zhuān)利局提交的日本在先專(zhuān)利申請(qǐng) JP2008-295195中的所公開(kāi)的主題相關(guān)的主題，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包括在此。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解基于設(shè)計(jì)要求和其他因素可出現(xiàn)各種變型、組合、子組合 和變化，只要其在權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
一種安裝板，包括層壓布線(xiàn)部分，其包括以層壓方式形成在基板的一個(gè)表面上的多個(gè)布線(xiàn)層，其中內(nèi)布線(xiàn)層的一部分暴露于外面，所述內(nèi)布線(xiàn)層是多個(gè)布線(xiàn)層中除了最上面的布線(xiàn)層之外的任意布線(xiàn)層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的安裝板， 其中所述層壓布線(xiàn)部分被形成為獨(dú)立的島狀物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的安裝板， 其中所述內(nèi)布線(xiàn)層是用于接地的布線(xiàn)層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的安裝板，其中布置在所述多個(gè)布線(xiàn)層之間的絕緣層的邊緣部分以階梯形狀形成。
5. —種半導(dǎo)體模塊，包括安裝板，其包括層壓布線(xiàn)部分，所述層壓布線(xiàn)部分包括以層壓方式形成在基板的表面 上的多個(gè)布線(xiàn)層，內(nèi)布線(xiàn)層的一部分暴露于外面，所述內(nèi)布線(xiàn)層是多個(gè)布線(xiàn)層中除了最上 面的布線(xiàn)層之外的任意布線(xiàn)層；半導(dǎo)體裝置，安裝在所述安裝板上并且電連接到所述多個(gè)布線(xiàn)層；以及 冷卻結(jié)構(gòu)，安裝在所述安裝板上并且熱連接到所述內(nèi)布線(xiàn)層的一部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及安裝板和半導(dǎo)體模塊。安裝板包括層壓布線(xiàn)部分，所述層壓布線(xiàn)部分包括以層壓方式形成在基板的表面上的多個(gè)布線(xiàn)層，其中內(nèi)布線(xiàn)層的一部分暴露于外面，該內(nèi)布線(xiàn)層是多個(gè)布線(xiàn)層中除了最上面的布線(xiàn)層之外的任意布線(xiàn)層。
文檔編號(hào)H01L23/498GK101742813SQ20091022281
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月19日
發(fā)明者山形修, 淺見(jiàn)博 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社