專(zhuān)利名稱(chēng)：組合式修整器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及修整器，尤其是有關(guān)CMP拋光墊的組合式修整器及其制法。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是目前半導(dǎo)體晶片表 面平坦化的工藝中最受矚目的技術(shù)。在化學(xué)機(jī)械拋光工藝中，拋光墊的功能是將拋光液穩(wěn) 定而均勻地輸送至晶片與拋光墊之間，在化學(xué)刻蝕與機(jī)械磨削兩者相互作用下，將芯片上 凸出的沉積層移除。為了達(dá)到晶片加工量產(chǎn)的需求及維持質(zhì)量的穩(wěn)定性，必須利用鉆石修整器 (Diamond dresser)在化學(xué)機(jī)械拋光的過(guò)程中適時(shí)地對(duì)拋光墊進(jìn)行修整，除了移除表面的 拋光副產(chǎn)物，恢復(fù)拋光墊的粗糙面，改善其容納漿料的能力，并恢復(fù)拋光墊表面的孔洞及其 把持、運(yùn)送拋光液的能力，如此可以節(jié)省拋光墊成本，并可達(dá)到晶片量產(chǎn)時(shí)質(zhì)量穩(wěn)定的需 求。傳統(tǒng)的鉆石修整器是將平均粒徑的鉆石粒固定在金屬盤(pán)上，這種鉆石修整器適合 修整硬式的拋光墊(如ICiooo等)。傳統(tǒng)修整器的功能不僅要移除拋光晶片時(shí)產(chǎn)生的廢 料，更進(jìn)一步的需要切削一層拋光墊，使拋光墊恢復(fù)一定的粗糙度，但是這種傳統(tǒng)類(lèi)型的鉆 石修整器并不適用于45納米(nm)以下的CMP工藝。由于集成電路的線寬日趨微小，例如 2006年開(kāi)始執(zhí)行65納米(nm)的工藝，晶片表面平坦化及平滑度的要求就越來(lái)越高，相對(duì)修 整拋光墊的修整器要求也愈來(lái)愈高。預(yù)計(jì)于2010年的45nm的工藝，必須以極低的壓力進(jìn) 行拋光才能避免磨穿納米級(jí)的銅線及脆弱的低介電常數(shù)(Low K)電阻層。因此修整后的拋 光墊需要更高的平整性，且需配合大尺寸晶片的需求重新設(shè)計(jì)。未來(lái)的鉆石修整器除了修 整器的鉆石顆粒分布規(guī)則外，尖錐的頂點(diǎn)高度(Leveling)要求也更高；除此之外，修整器 也需要在拋光墊上刻劃出更細(xì)微更均勻的刻紋，但相反的，修整器對(duì)拋光墊的移除率更低， 這樣的要求是傳統(tǒng)修整器無(wú)法做到的。有各種不同修整器的專(zhuān)利，例如中國(guó)臺(tái)灣專(zhuān)利1228066揭示一種研磨布用修整器 及其使用的研磨布的修整方法，包括一金屬臺(tái)設(shè)置有調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，以調(diào)節(jié)全部或一部分的磨 石顆粒群中以多個(gè)磨石顆粒的前端所分別形成的基準(zhǔn)面的高低差。中國(guó)臺(tái)灣公開(kāi)專(zhuān)利200821093揭示的鉆石修整器，包括在各鉆石砥粒粘接部上， 各自粘接有不同種類(lèi)的鉆石砥粒，鉆石砥粒粘接部與修整器基板之間是通過(guò)螺栓固定或粘 接劑固定。美國(guó)專(zhuān)利US6，054，183、揭示的修整器，是在一基板上形成多個(gè)鉆石粒及一層CVD 鉆石；多個(gè)鉆石粒被CVD鉆石包覆而被固定于基板表面。國(guó)際專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)W000/64630，揭示一研磨層包括多個(gè)磨粒，該磨粒包含有機(jī)樹(shù)脂 (Organic resin)、金屬鹽(Metal salt)及平均散布于多個(gè)磨粒之間的鉆石磨粒。美國(guó)公開(kāi)專(zhuān)利US20060128288揭示的修整器，包括多個(gè)鉆石顆粒被一金屬粘結(jié)劑
層固定于一金屬基板。
日本公開(kāi)專(zhuān)利JP2006-315088揭示的修整器，包括一圓盤(pán)狀基臺(tái)結(jié)合多個(gè)圓形的 P⑶鉆石片。一般修整器的直徑約是108毫米(mm)的大盤(pán)子，因?yàn)槊娣e大所以變形量也大，較 不容易結(jié)合各種不同大小、形狀、材料的磨粒，且使多個(gè)研磨顆粒的頂點(diǎn)在同一高度，且大 面積的修整器的價(jià)錢(qián)較高。

發(fā)明內(nèi)容
為了使較大面積的修整器更容易結(jié)合各種不同大小、形狀、材料的磨粒，且使多個(gè) 研磨顆粒的頂點(diǎn)在同一高度，而提出本發(fā)明。本發(fā)明的主要目的，在提供一種組合式修整器，使一大基板的同一研磨端面結(jié)合 多個(gè)具有磨粒的小基板，較容易使多個(gè)磨粒的切削端在同一高度，且更容易結(jié)合各種不同 大小、形狀、材料的磨粒。一種組合式修整器，是作為CMP拋光墊的修整器，其包括一大基板，設(shè)有一結(jié)合 面、一底面及多個(gè)穿透孔或多個(gè)容置槽其中之一；多個(gè)研磨單元，分別具有多個(gè)磨粒；該多 個(gè)磨粒分別具有多個(gè)切削端；其中該多個(gè)穿透孔或該多個(gè)容置槽其中之一分別容置該多個(gè) 研磨單元，該多個(gè)切削端分別突出該結(jié)合面；該多個(gè)研磨單元與該大基板之間通過(guò)結(jié)合劑 結(jié)合或緊配結(jié)合其中之一固定結(jié)合；該多個(gè)磨粒的多個(gè)切削端分別與一平面的高度差異在 20微米內(nèi)。本發(fā)明的其它目的、功效，請(qǐng)參閱圖式及實(shí)施例，詳細(xì)說(shuō)明如下。




圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的組合式修整器的示意圖； 圖2為圖1的AA剖面的示意圖； 圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的組合式修整器的剖面示意圖； 圖4A為本發(fā)明第三實(shí)施例的組合式修整器的剖面示意圖； 圖4B制作為本發(fā)明第三實(shí)施例的組合式修整器的示意圖； 圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例的組合式修整器的示意圖； 圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例的組合式修整器的剖面示意圖； 圖7為本發(fā)明第六實(shí)施例的組合式修整器的剖面示意圖； 圖8為本發(fā)明第七實(shí)施例的組合式修整器的剖面示意圖； 圖9為本發(fā)明第八實(shí)施例的組合式修整器的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
I、2、3、4、5、6、7、8組合式修整器
II、21、41、51、61、71、81大基板 110、210、410、710 結(jié)合面
III、211底面112、212穿透孔
113、213、412、713內(nèi)壁
114、214、126、316、413、714凹凸結(jié)構(gòu) 12、31、82研磨單元
5
120,310小基板121,311 磨粒
122,312 面123、313切削端
124,314 另一面125,315 外壁
13、22、83結(jié)合劑14基準(zhǔn)平面
15平面32模板
411、511、611、711 容置槽
414、612、715 底壁
具體實(shí)施例方式如圖1、圖2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的組合式整修器1，尤其是作為CMP拋光墊的 修整器，包括一大基板11及多個(gè)研磨單元12所組成。如圖2所示，大基板11設(shè)有一結(jié)合面110、底面111及對(duì)應(yīng)于多個(gè)研磨單元12的 多個(gè)穿透孔112 ；多個(gè)穿透孔112分別容置多個(gè)研磨單元12，多個(gè)研磨單元12突出結(jié)合面 110 ；多個(gè)研磨單元12與大基板11之間通過(guò)結(jié)合劑13固定結(jié)合。多個(gè)研磨單元12分別包括一小基板120及多個(gè)磨粒121 ；小基板120的一面122 結(jié)合多個(gè)磨粒121 ；磨粒121具有一可對(duì)一工件進(jìn)行切削的切削端123 ；小基板120相對(duì)于 設(shè)有該多個(gè)磨粒121的另一面124與大基板11的底面111約在同一基準(zhǔn)平面14。大基板 11形成多個(gè)穿透孔112的多個(gè)內(nèi)壁113與多個(gè)研磨單元12的多個(gè)外壁125分別具有多個(gè)凹 凸結(jié)構(gòu)114、126。當(dāng)結(jié)合劑13滲入多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)114、126內(nèi)，分別固化結(jié)合多個(gè)內(nèi)壁113、 多個(gè)外壁125后，將使大基板11與多個(gè)研磨單元12的結(jié)合更穩(wěn)固，在研磨作業(yè)中多個(gè)研磨 單元12相對(duì)于大基板11無(wú)法垂直移動(dòng)，因此更不會(huì)脫離大基板11。多個(gè)內(nèi)壁113、多個(gè)外 壁125中也可均不設(shè)多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)114、126，或僅其中之一設(shè)多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)114、126。如圖1所示，大基板11的多個(gè)穿透孔112與多個(gè)研磨單元12的剖面可為圓形或 多邊形，例如正方形等形狀。本實(shí)施例的多個(gè)研磨單元12分別比大基板11高，通過(guò)多個(gè)研磨單元12的高度， 決定多個(gè)磨粒121的多個(gè)切削端123突出大基板11的結(jié)合面110的高度。多個(gè)切削端123 突出大基板11的高度差異在20微米內(nèi)，使多個(gè)切削端123與一平面15的高度差異在20 微米內(nèi)。多個(gè)切削端123突出大基板11的結(jié)合面110的高度為0. 05-5毫米。如圖2、圖3所示，本發(fā)明第二實(shí)施例的組合式整修器2與上述第一實(shí)施例的組合 式修整器1的結(jié)構(gòu)相比較，除了大基板21的多個(gè)穿透孔212呈錐狀，其孔徑為上寬下窄，其 內(nèi)壁213的傾斜角度為1度至15度的形狀不同外，其余結(jié)構(gòu)大致相同。大基板21設(shè)有一 結(jié)合面210、底面211及對(duì)應(yīng)于多個(gè)研磨單元12的多個(gè)穿透孔212，大基板21形成多個(gè)穿 透孔212的多個(gè)內(nèi)壁213也具有與多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)126相對(duì)的多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)214;多個(gè)研磨單 元12分別置于多個(gè)穿透孔112之內(nèi)，多個(gè)磨粒121的另一面124分別卡固的嵌入多個(gè)穿透 孔212孔徑較窄的下端，且與底面211在同一基準(zhǔn)平面14，再通過(guò)結(jié)合劑22固定結(jié)合。在 研磨作業(yè)中多個(gè)研磨單元12受壓力時(shí)要避免垂直移動(dòng)，多個(gè)穿透孔212呈錐狀的目的是要 使多個(gè)研磨單元12受壓力時(shí)，無(wú)法往多個(gè)穿透孔212錐度小的那一邊移動(dòng)而更加牢固。多 個(gè)內(nèi)壁213、多個(gè)外壁125中也可均不設(shè)多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)214、126，或僅其中一者設(shè)多個(gè)凹凸 結(jié)構(gòu) 214,126ο
如圖2、圖4A、圖4B所示，本發(fā)明第三實(shí)施例的組合式整修器3與上述第一實(shí)施例 的組合式修整器1的結(jié)構(gòu)相比較，除了多個(gè)研磨單元31分別比大基板11短，且通過(guò)一模板 32的厚度控制多個(gè)研磨單元31突出大基板11的結(jié)合面110的高度不同外，其余結(jié)構(gòu)大致 相同。多個(gè)研磨單元31也由多個(gè)小基板310結(jié)合多個(gè)磨粒311所組成；小基板310的一面 312結(jié)合多個(gè)磨粒311 ；磨粒311具有一可對(duì)一工件進(jìn)行切削的切削端313 ；小基板310相 對(duì)于設(shè)有多個(gè)磨粒311的另一面314置于大基板11的穿透孔112內(nèi)，另一面314高于底面 111 ；結(jié)合劑13封閉大基板11的底面111的穿透孔112。大基板11形成多個(gè)穿透孔112的 多個(gè)內(nèi)壁113與多個(gè)研磨單元31的多個(gè)外壁315分別具有相對(duì)的多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)114、316。 多個(gè)內(nèi)壁213、多個(gè)外壁315中也可均不設(shè)多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)214、316，或僅其中之一設(shè)多個(gè)凹 凸結(jié)構(gòu)214、316。模板232可為金屬板。如圖4B所示，本實(shí)施例制作時(shí)，使模板32結(jié)合大基板11，將多個(gè)研磨單元31的切 削端313分別穿過(guò)大基板11的多個(gè)穿透孔112及穿入模板32，利用模板32的厚度控制多 個(gè)研磨單元31的突出量，再由大基板11的多個(gè)穿透孔112注入結(jié)合劑13，使大基板11固 定結(jié)合多個(gè)研磨單元31，然后再使模板32脫離大基板11，形成如圖4A所示的組合式修整
^^ 3 ο如圖2、圖5所示，本發(fā)明第四實(shí)施例的組合式整修器4與上述第一實(shí)施例的組合 式修整器1的結(jié)構(gòu)相比較，除了大基板41設(shè)有多個(gè)容置槽411取代大基板11的多個(gè)穿透 孔112外，其余結(jié)構(gòu)大致相同。且大基板41形成多個(gè)容置槽411的多個(gè)內(nèi)壁412也具有多 個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)413 ；大基板41的多個(gè)容置槽411分別容置多個(gè)研磨單元12，多個(gè)研磨單元12 突出結(jié)合面410 ；多個(gè)研磨單元12與大基板11之間通過(guò)結(jié)合劑13固定結(jié)合。小基板120 相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒121的另一面124分別與大基板41的形成多個(gè)容置槽411底部的 多個(gè)底壁414在同一基準(zhǔn)平面14。如圖5、圖6所示，本發(fā)明第五實(shí)施例的組合式整修器5與上述第四實(shí)施例的組合 式修整器4的結(jié)構(gòu)相比較，除了大基板51的多個(gè)容置槽511的槽徑較大基板41的多個(gè)容 置槽411的槽徑小，且略小于小基板120之外徑之外，其余結(jié)構(gòu)大致相同。大基板51的多 個(gè)容置槽511分別容置多個(gè)研磨單元12 ；多個(gè)研磨單元12與大基板11之間通過(guò)緊配結(jié)合 的方式固定結(jié)合。本實(shí)施例是將研磨單元12以機(jī)械力擠壓入金屬制的大基板51的容置槽 511內(nèi)，利用凹凸結(jié)構(gòu)的變形量固定研磨單元12，最后也可以再用結(jié)合劑將空隙補(bǔ)滿(mǎn)。如圖5、圖7所示，本發(fā)明第六實(shí)施例的組合式整修器6與上述第四實(shí)施例的組合 式修整器4的結(jié)構(gòu)相比較，除了大基板61的多個(gè)容置槽611的深度較大基板41的多個(gè)容 置槽411的深度長(zhǎng)，且大于小基板120的高度之外，其余結(jié)構(gòu)大致相同。大基板61的多個(gè) 容置槽611分別容置多個(gè)研磨單元12 ；多個(gè)研磨單元12與大基板61之間通過(guò)結(jié)合劑13固 定結(jié)合。多個(gè)小基板120相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒121的另一面124分別與大基板61的形 成多個(gè)容置槽611底部的多個(gè)底壁612有一段距離；結(jié)合劑13分別填充于多個(gè)磨粒121的 另一面124與多個(gè)底壁612之間。如圖3、圖8所示，本發(fā)明第七實(shí)施例的組合式整修器7與上述第二實(shí)施例的組合 式修整器2的結(jié)構(gòu)相比較，除了大基板71設(shè)有多個(gè)容置槽711取代大基板21的多個(gè)穿透 孔212外，其余結(jié)構(gòu)大致相同。且多個(gè)容置槽711的槽徑為上寬下窄的形狀，其內(nèi)壁713的 傾斜角度為1度至15度；該小基板120相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒121的另一面124分別卡固的嵌入該多個(gè)容置槽711的槽徑較窄的下端，多個(gè)研磨單元12突出結(jié)合面710 ；大基板71 形成多個(gè)容置槽711的多個(gè)內(nèi)壁713也具有多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)714 ；多個(gè)研磨單元12與大基板 71之間通過(guò)結(jié)合劑22固定結(jié)合。小基板120相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒121的另一面124分 別與大基板71的形成多個(gè)容置槽711底部的多個(gè)底壁715在同一基準(zhǔn)平面14。如圖9所示，本發(fā)明第八實(shí)施例的組合式整修器8，包括一大基板81及多個(gè)研磨單 元82所組成，其大基板81及多個(gè)研磨單元82利用結(jié)合劑83結(jié)合或緊配結(jié)合的結(jié)構(gòu)，可分 別如前述本發(fā)明第一至七實(shí)施例的組合式整修器1、2、3、4、5、6、7所示。本實(shí)施例的大基板 81周緣內(nèi)側(cè)設(shè)有等間隔環(huán)狀排列的8個(gè)研磨單元82，且間隔環(huán)狀排列的8個(gè)研磨單元82 的內(nèi)側(cè)設(shè)有等間隔排列的4個(gè)研磨單元82。本實(shí)施例多個(gè)研磨單元82特殊的排列方式可 避開(kāi)大基板81下端面設(shè)置的螺孔。本發(fā)明的磨粒的材料可為人造或非人造鉆石、多晶鉆石(PCD)、立方晶氮化硼 (CBN)、多晶立方氮化硼(PCBN)、最硬結(jié)晶體、多晶材料、或上述材料的混合材料等所組成。 本發(fā)明的磨粒可以利用高溫高壓結(jié)合、硬焊、燒結(jié)、電鍍、塑料膠合或陶瓷結(jié)合等方法結(jié)合 小基板。本發(fā)明的大基板的材料包含金屬、金屬合金、塑料材料(Polymer)、陶制品、碳制 品、及上述材料的混合物，以316L不銹鋼材料為佳。本發(fā)明的結(jié)合劑的材料包含金屬、金屬合金、塑料材料(Polymer)、陶瓷材料、及上 述材料的混合物，其中以塑料材料為實(shí)施例代表，此外也可包含焊接合金材料。本發(fā)明的大基板可為圓盤(pán)狀，直徑約90-120毫米(mm)。小基板可為圓盤(pán)狀，直徑 約10-30毫米，以20毫米較佳。磨粒的大小為100-500微米(micron)，以160-200微米較 佳。本發(fā)明大基板的較佳實(shí)施例為不銹鋼材質(zhì)；結(jié)合劑的較佳實(shí)施例可為樹(shù)脂材料；磨粒 與小基板固定方式的較佳實(shí)施例可通過(guò)樹(shù)脂膠合或通過(guò)含有鉻、鈦的銅鋅合金結(jié)合；小基 板之外表面有一含鎳的電鍍層。本發(fā)明利用組合式的方法，先制作多個(gè)研磨單元，小的研磨單元較容易使多個(gè)磨 粒的切削端在同一高度，再使一大基板結(jié)合多個(gè)研磨單元成為一大面積的組合式修整器， 較容易使大面積組合式修整器的多個(gè)磨粒的切削端在同一高度。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是制作小的 研磨單元成本較低，且組合式修整器可視需要變化不同的磨粒，例如組合式修整器的外圈 可以用粒度較大的鉆石，內(nèi)圈可以用粒度較小的鉆石；或是外圈可以用切削能力差，但較耐 磨，晶形完整的鉆石，內(nèi)圈可以用切削能力好，但是不耐磨，晶形較不好的鉆石。同一小研 磨單元的鉆石顆粒大小、形狀、材料相同，但組合式修整器內(nèi)的多個(gè)研磨單元的鉆石顆粒大 小、形狀、材料可相同或不相同。利用多個(gè)研磨單元組合成一較大的組合式修整器，可控制 組合式修整器的切削速度及磨耗率。以上所記載，僅為利用本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容的實(shí)施例，任何熟悉本項(xiàng)技藝者運(yùn)用本發(fā) 明所為的修飾、變化，皆屬本發(fā)明主張的專(zhuān)利范圍，而不限于實(shí)施例所揭示。
權(quán)利要求
一種組合式修整器，是作為CMP拋光墊的修整器，其特征在于包括一大基板，設(shè)有一結(jié)合面、一底面及多個(gè)穿透孔或多個(gè)容置槽其中之一；多個(gè)研磨單元，分別具有多個(gè)磨粒；該多個(gè)磨粒分別具有多個(gè)切削端；其中該多個(gè)穿透孔或該多個(gè)容置槽其中之一分別容置該多個(gè)研磨單元，該多個(gè)切削端分別突出該結(jié)合面；該多個(gè)研磨單元與該大基板之間通過(guò)結(jié)合劑結(jié)合或緊配結(jié)合其中之一固定結(jié)合；該多個(gè)磨粒的多個(gè)切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的組合式修整器，其特征在于，該多個(gè)研磨單元分別具有一小基 板；該多個(gè)小基板的一面分別設(shè)有該多個(gè)磨粒。
3.如權(quán)利要求2所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板設(shè)有多個(gè)穿透孔；該小基 板相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒的另一面分別與該大基板的該底面在同一基準(zhǔn)平面。
4.如權(quán)利要求2所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板設(shè)有多個(gè)容置槽；該小基 板相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒的另一面分別與該大基板的形成該多個(gè)容置槽底部的多個(gè)底壁 在同一基準(zhǔn)平面。
5.如權(quán)利要求2所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板設(shè)有多個(gè)穿透孔；該多個(gè) 穿透孔呈錐狀，該多個(gè)穿透孔的孔徑為上寬下窄的形狀；該小基板相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒 的另一面分別卡固的嵌入該多個(gè)穿透孔的孔徑較窄的下端。
6.如權(quán)利要求5所述的組合式修整器，其特征在于，該多個(gè)小基板的另一面分別與該 大基板的該底面在同一基準(zhǔn)平面。
7.如權(quán)利要求2所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板設(shè)有多個(gè)容置槽；該多個(gè) 穿透孔呈錐狀，該多個(gè)容置槽的槽徑為上寬下窄的形狀；該小基板相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒 的另一面分別卡固的嵌入該多個(gè)容置槽的槽徑較窄的下端。
8.如權(quán)利要求7所述的組合式修整器，其特征在于，該小基板相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒 的另一面分別與該大基板的形成該多個(gè)容置槽底部的多個(gè)底壁在同一基準(zhǔn)平面。
9.如權(quán)利要求2所述的組合式修整器，其特征在于，該多個(gè)研磨單元分別比該大基板短。
10.如權(quán)利要求9所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板設(shè)有多個(gè)穿透孔；該結(jié) 合劑封閉該大基板的底面的多個(gè)穿透孔。
11.如權(quán)利要求9所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板設(shè)有多個(gè)容置槽；該多 個(gè)小基板相對(duì)于設(shè)有該多個(gè)磨粒的另一面分別與該大基板的形成多個(gè)容置槽底部的多個(gè) 底壁有一段距離；該結(jié)合劑分別填充于該多個(gè)磨粒的另一面與該多個(gè)底壁之間。
12.如權(quán)利要求6所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板形成該多個(gè)穿透孔的多 個(gè)內(nèi)壁的傾斜角度為1度至15度。
13.如權(quán)利要求8所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板形成該多個(gè)容置槽的多 個(gè)內(nèi)壁的傾斜角度為1度至15度。
14.如權(quán)利要求2至13項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板形成該 多個(gè)穿透孔或該多個(gè)容置槽其中之一的多個(gè)內(nèi)壁與該多個(gè)研磨單元的多個(gè)外壁中至少有 一具有多個(gè)凹凸結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板的材料包含金屬、金屬 合金、塑料材料、陶制品、碳制品、及上述材料的混合其中之一；該多個(gè)磨粒與該小基板是通2過(guò)高溫高壓結(jié)合、硬焊、燒結(jié)、電鍍、塑料膠合或陶瓷結(jié)合其中之一固定結(jié)合；該結(jié)合劑的材 料包含金屬、金屬合金、塑料材料、陶瓷材料、及上述材料的混合物其中之一。
16.如權(quán)利要求15所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板的材料是316L不銹鋼 材料；該結(jié)合劑的材料為環(huán)氧樹(shù)脂材料。
17.如權(quán)利要求16所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板為圓盤(pán)狀，直徑為 90-120毫米；該小基板為圓盤(pán)狀，直徑為10-30毫米；該磨粒的大小為100-500微米。
18.如權(quán)利要求17所述的組合式修整器，其特征在于，該磨粒的大小為160-200微米。
19.如權(quán)利要求16所述的組合式修整器，其特征在于，該多個(gè)穿透孔或該多個(gè)容置槽 其中之一與該多個(gè)研磨單元的剖面為圓形或多邊形其中之一。
20.如權(quán)利要求17所述的組合式修整器，其特征在于，該大基板周緣內(nèi)側(cè)設(shè)有等間隔 環(huán)狀排列的8個(gè)研磨單元。
21.如權(quán)利要求20所述的組合式修整器，其特征在于，該8個(gè)研磨單元的內(nèi)側(cè)設(shè)有等間 隔排列的4個(gè)研磨單元。
22.如權(quán)利要求15所述的組合式修整器，其特征在于，該結(jié)合劑分別滲入該多個(gè)凹凸 結(jié)構(gòu)內(nèi)，分別固化結(jié)合該多個(gè)內(nèi)壁、該多個(gè)外壁。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種組合式修整器，包括一大基板，設(shè)有一結(jié)合面、一底面及多個(gè)穿透孔或多個(gè)容置槽；多個(gè)研磨單元，分別具有多個(gè)磨粒；多個(gè)磨粒分別具有多個(gè)切削端；多個(gè)穿透孔或多個(gè)容置槽分別容置多個(gè)研磨單元，多個(gè)切削端分別突出結(jié)合面；多個(gè)研磨單元與大基板之間通過(guò)結(jié)合劑固定結(jié)合；多個(gè)磨粒的多個(gè)切削端分別與一平面的高度差異在20微米內(nèi)；較容易使大面積組合式修整器的多個(gè)磨粒的切削端在同一高度，可視需要變化不同的磨粒，且制作多個(gè)小的研磨單元再組合成一大面積修整器的成本較低。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101927457SQ20091022560
公開(kāi)日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2009年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月26日
發(fā)明者宋健民, 陳盈同 申請(qǐng)人:宋健民;陳盈同