專利名稱：一種電容器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，具體地，涉及一種電容器封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電容器已廣泛地使用于消費(fèi)性家電用品、電腦主機(jī)板及其周邊、電源供應(yīng)器、通訊 產(chǎn)品、和汽車等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉(zhuǎn)相等。是電 子產(chǎn)品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質(zhì)和用途，有不同的型態(tài)。包括鋁質(zhì) 電解電容、鉭質(zhì)電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等?，F(xiàn)有技術(shù)中，用于鋁電解電容器的鋁箔通常分為正箔與負(fù)箔，必須經(jīng)過腐蝕、化成 的步驟才可以用于電解電容。腐蝕是指將高純度的鋁浸泡在電蝕液中利用電蝕、酸洗、除 氯、水洗等一連串的制作過程，以增加鋁箔的表面積，才得以大大地提高比電容。比容的提 高是電解電容實(shí)現(xiàn)小型化的重要技術(shù)。經(jīng)過腐蝕后的鋁箔(正箔)必須再經(jīng)過化成的處理， 在鋁箔上形成氧化鋁，作為電解電容的電介質(zhì)。電介質(zhì)的厚度與鋁箔的耐壓通常成一正比 的線性關(guān)系，這也是電解電容工作電壓的主要依據(jù)。至于負(fù)箔，通常在表面形成一 1-3V的 耐電壓層，也有不做化成處理的負(fù)箔，不過若是將不做耐壓處理的腐蝕箔置于空氣中，也會(huì) 自然形成氧化鋁。經(jīng)過腐蝕、化成的鋁箔，根據(jù)設(shè)計(jì)的規(guī)格尺寸裁切成一定的寬度，再將導(dǎo) 針釘接于鋁箔上，再以電解紙隔開經(jīng)過釘接、卷繞制作過程形成一個(gè)圓柱體的結(jié)構(gòu)，被稱為 芯子或素子。此時(shí)，芯子并不具備有電解電容的電氣特性，必須經(jīng)由將電解液完全浸潤(rùn)于芯 子，借由電解紙的吸水能力將電解液吸附其中并滲透入鋁箔的腐蝕結(jié)構(gòu)中。將此完全浸潤(rùn) 的芯子裝入底部有防爆設(shè)計(jì)的柱狀容器中，在柱狀容器的開口端裝置橡膠的封口物，由機(jī) 械封口及封腰，形成一密閉的柱狀結(jié)構(gòu)，再經(jīng)由套管、充電老化等制作過程而成。實(shí)際上，在電解電容器的負(fù)極是由電解液中離子的移動(dòng)而形成一電子回路，因此 電解液的電導(dǎo)度(conductivity)就直接影響電解電容器的電氣特性。因此如何提高電解 液的電導(dǎo)度，以使電解電容器在高溫中仍能保持電解液與鋁箔、電解紙的化學(xué)穩(wěn)定性，特別 是電解液與鋁箔的穩(wěn)定性，是電解液發(fā)展的趨勢(shì)。一般文獻(xiàn)中提到的鋁電解電容器使用的 電解液，特別是使用于工作電壓100V以下，主要是由水、有機(jī)溶劑、有機(jī)酸、無機(jī)酸及一些 特殊添加劑依不同比例調(diào)配而成。固態(tài)電解電容器在電解電容器領(lǐng)域中頻率特性特別優(yōu)異而備受矚目。在固態(tài)電 解電容器中，主要是使用由鋁、鉭等的閥金屬所構(gòu)成的化學(xué)轉(zhuǎn)化膜(chemical conversion coating)作為陽(yáng)極。以鋁作為電極箔用的固態(tài)電解電容器的代表性構(gòu)造諸如有一種構(gòu)造， 即以隔離紙為中介而將形成有介電體氧化膜的陽(yáng)極鋁用化學(xué)轉(zhuǎn)化箔及相對(duì)陰極鋁化學(xué)轉(zhuǎn) 化箔繞卷而成的電容器元件浸泡有單體及氧化劑，收納在鋁質(zhì)盒體或合成樹脂質(zhì)盒體等予 以密閉的構(gòu)造。上述固態(tài)電解電容器小型且可得到很大的電容，因此可廣為使用。再者，電 解質(zhì)使用諸如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等，但為了降低ESR(等效串聯(lián)電阻)的目的，因此主 要使用電阻系數(shù)低的聚乙撐基二氧噻吩。上述固態(tài)電解電容器形狀小且具有大電容，除了 ESR低外，還具有易于晶片化且適用表面安裝等特性，因此便成為電子機(jī)器的小型化、高功能化、低成本化時(shí)不可或缺者。近年來，伴隨著電子機(jī)器的數(shù)位化，電解電容器也需要大容量化、小型化和在高頻 率區(qū)域中使阻抗低下化，而固體電解電容器具優(yōu)異頻率特性的特點(diǎn)使其在電解電容器中備 受注目。再者，固體電解電容器中，有卷繞型固體電解電容器、層疊型固體電解電容器等。通 常所知層疊型固體電解電容器設(shè)有具有閥作用的鋁箔，且設(shè)有由化學(xué)聚合法、電解聚合法 等形成并由聚吡咯構(gòu)成的電解質(zhì)層。但是，由聚吡咯構(gòu)成的電解質(zhì)層具有無法均勻地形成 在鋁箔表面上且容易損壞的缺點(diǎn)。所以，前述層疊型固體電解電容器具有漏電流增加、短路 等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，針對(duì)上述問題，提出一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，通過基板單元的使 用，以實(shí)現(xiàn)不需另外設(shè)置導(dǎo)線架的優(yōu)點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，包括一基板 單元，所述基板單元具有一絕緣本體、至少兩個(gè)成形于本體上表面的第一上導(dǎo)電層和第二 上導(dǎo)電層、至少兩個(gè)成形于本體上表面的第一下導(dǎo)電層和第二下導(dǎo)電層、至少兩個(gè)穿透所 述絕緣本體的穿孔和至少兩個(gè)分別成形于所述至少兩個(gè)穿孔內(nèi)的中間導(dǎo)電層，并且其中一 中間導(dǎo)電層電性連接于所述第一上導(dǎo)電層和所述第一下導(dǎo)電層之間，另外一中間導(dǎo)電層電 性連接于所述第二上導(dǎo)電層和所屬第二下導(dǎo)電層之間；一電容模組，其具有多個(gè)設(shè)置于所 述基板本體上的電容單元，每一個(gè)電容單元的正極和負(fù)極分別電性接觸于所述第一上導(dǎo)電 層和所述第二上導(dǎo)電層；以及一封裝單元，其設(shè)置于所述基板本體上并且覆蓋所述電容模 組。進(jìn)一步的，其中每一個(gè)電容單元的正箔具有一向外引出的正極引腳，并且所述正 極引腳被區(qū)分成多組正極引腳單元，每一組正極引腳單元的所述正極引腳電性地層疊在一 起，另外所述正極引腳分別從所述正箔的相同方向向外引出。進(jìn)一步的，其中每一個(gè)電容單元的正箔具有一向外引出的正極引腳，并且所述正 極引腳被組成一組正極引腳單元，以使得所述正極引腳電性地層疊在一起，另外所述正極 弓丨腳分別從所述正箔的相同方向向外引出。進(jìn)一步的，所述每一個(gè)電容單元依序由一碳膠、一導(dǎo)電高分子、一閥金屬箔片、一 導(dǎo)電高分子和一碳膠層疊而成，并且所述電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)導(dǎo)電層，其分別電性 連接于每一個(gè)電容單元的所述碳膠之間。進(jìn)一步的，所述電容單元的所述閥金屬箔片的正極端透過多個(gè)焊接點(diǎn)而電性連接 在一起，所述電容單元的所述碳膠透過所述導(dǎo)電層而電性連接在一起，并且所述閥金屬箔 片與所述碳膠彼此絕緣；另外所述電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)分別設(shè)置于所述閥金屬箔 片的部分外表面上并且圍繞成一圈的絕緣層，以限制所述碳膠和所述導(dǎo)電高分子的長(zhǎng)度， 并作為每一個(gè)電容單元的正極與負(fù)極的絕緣線。進(jìn)一步的，所述每一個(gè)電容單元依序由一碳膠、一導(dǎo)電高分子、一閥金屬箔片、一 導(dǎo)電高分子和一碳膠層疊而成，并且每?jī)蓚€(gè)電容單元之間透過碳膠而電性層疊在一起，另 外所述電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)導(dǎo)電層，其分別電性連接于每一個(gè)電容單元的所述碳 膠之間。[oo14] 進(jìn)一步的，所述電容單元的所述閥金屬箔片的正極端透過多個(gè)焊接點(diǎn)而電性連接在一起，所述電容單元的所述碳膠透過所述導(dǎo)電層而電性連接在一起，并且所述閥金屬箔片與所述碳膠彼此絕緣，另外所述電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)分別設(shè)置于所述閥金屬箔片的部分外表面上并且圍繞成一圈的絕緣層，以限制所述碳膠和所述導(dǎo)電高分子的長(zhǎng)度，并作為每一個(gè)電容單元的正極與負(fù)極的絕緣線。[oo15] 一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，包括一基板單元，其具有一絕緣本體1至少兩個(gè)彼此分離且成形于所述絕緣本體上表面的第一上導(dǎo)電層和第二上導(dǎo)電層1至少兩個(gè)彼此分離且成形于所述絕緣本體下表面的第一下導(dǎo)電層和第二下導(dǎo)電層1至少兩個(gè)穿透所述絕緣本體的穿孔和至少兩個(gè)分別成形于所述至少兩個(gè)穿孔內(nèi)的中間導(dǎo)電層，并且其中一中間導(dǎo)電層電性連接于所述第一上導(dǎo)電層和所述第一下導(dǎo)電層之間，另外一中間導(dǎo)電層電性連接于所述第二上導(dǎo)電層和所述第二下導(dǎo)電層之間；一電容單元，其中所述電容單元的正極和負(fù)極分別電性接觸于所述第一上導(dǎo)電層和所述第二上導(dǎo)電層；以及一封裝單元，其設(shè)置于所述基板本體上并且覆蓋所述電容模組。[oo16] 本發(fā)明的有益效果[oo17] 1．電容器封裝結(jié)構(gòu)可制備大面積1大容量1低背化(L。W Pr。file)1低成本的電容器。[oo18] 21可大幅減少電容器漏電流(Leakage Current，LC)和短路問題。[oo19] 31可降低電容器焊接困難度，并大幅降低容量電容器的等效串聯(lián)電阻(EquiValent SerieS ReSiStanCe，ESR)。
41本發(fā)明透過基板單元的使用，而不需另外設(shè)置導(dǎo)線架。


附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中
圖lA是本發(fā)明的實(shí)施例一的立體分解示意 圖lB是本發(fā)明的實(shí)施例一的立體組合示意 圖lC是本發(fā)明的實(shí)施例一的剖面示意 圖2為本發(fā)明第一種層疊型電容模組的側(cè)視示意 圖3為本發(fā)明第二種層疊型電容模組的側(cè)視示意 圖4為本發(fā)明的第一種引腳配合方式的示意 圖5為本發(fā)明的第二種引腳配合方式的示意 圖6為本發(fā)明的第三種引腳配合方式的示意圖。
結(jié)合附圖，本發(fā)明實(shí)施例中附圖標(biāo)記如下
[第一種層疊型電容]
電容單元ln碳膠lon
碳膠lon
導(dǎo)電高分子 11n
導(dǎo)電高分子 11n
閥金屬箔片12n
絕緣層4n導(dǎo)電層5n導(dǎo)電層Sn焊接點(diǎn)Pn[第二種層疊型電容]電容單元Ip碳膠IOp導(dǎo)電高分子lip導(dǎo)電高分子lip閥金屬箔片12p絕緣層4p導(dǎo)電層5p焊接點(diǎn)Pp[引腳導(dǎo)出實(shí)施例]電容單元1正箔12正極引腳120正極引腳單元120
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí) 施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。如圖IA至圖IC所示，本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種使用表面黏著技術(shù)(SMT)的電 容器封裝結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元la、一電容模組加和一封裝單元3a。其中，基板單元Ia具有一絕緣本體10a、至少兩個(gè)彼此分離且成形于該絕緣本體 IOa上表面的第一上導(dǎo)電層Ila和第二上導(dǎo)電層12a、至少兩個(gè)彼此分離且成形于該絕緣本 體IOa下表面的第一下導(dǎo)電層13a和第二下導(dǎo)電層14a、至少兩個(gè)穿透該絕緣本體IOa的穿 孔15a(例如半穿孔)和至少兩個(gè)分別成形于上述至少兩個(gè)穿孔15a內(nèi)的中間導(dǎo)電層16a， 并且其中一中間導(dǎo)電層16a電性連接于該第一上導(dǎo)電層Ila和該第一下導(dǎo)電層13a之間， 另外一中間導(dǎo)電層16a電性連接于該第二上導(dǎo)電層1 和該第二下導(dǎo)電層Ha之間。再 者，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，上述至少兩個(gè)中間導(dǎo)電層16a亦可分別填充于上述至少兩個(gè)穿 孑L 15a內(nèi)。此外，電容模組加具有一設(shè)置于該基板本體IOa上的電容單元20a，該電容單元 20a是一層疊型電容，并且該電容單元20a的正極201a和負(fù)極20 分別電性接觸在第一 上導(dǎo)電層Ila和第二上導(dǎo)電層12a。另外，實(shí)施例一更進(jìn)一步包括一設(shè)置于該基板單元Ia 與該電容模組加之間的防水層4a(如圖IC所示)，以避免外界的水氣透過基板單元Ia而 傳遞到該電容模組2a，而影響到該電容模組加的品質(zhì)。再者，封裝單元3a設(shè)置于基板本體IOa上并且覆蓋電容模組2a。此外，封裝單元 3a具有一殼體30a和一位于該殼體30a內(nèi)的固定膠體31a，電容模組加被固定膠體31a所包覆。依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，殼體30a可為金屬或塑膠，并且固定膠體31a可為硅樹脂 (silicone)或環(huán)氧樹月旨(印oxy)如圖2所示，本發(fā)明第一種電容模組包括多個(gè)電容單元In，并且每?jī)蓚€(gè)電容單元 In之間涂布有導(dǎo)電層Sn，例如銀膠或銀膏。其中，每一個(gè)電容單元In依序由一碳膠IOn(負(fù)極)、一導(dǎo)電高分子lln、一閥金屬 箔片12n (正極)、一導(dǎo)電高分子1 In和一碳膠IOn (負(fù)極)層疊而成，每一個(gè)閥金屬箔片12η 的表面皆有氧化物層(圖中未標(biāo)示)，以作為介電層來產(chǎn)生絕緣效果，其中上述兩個(gè)導(dǎo)電高 分子Iln成形于該閥金屬箔片12η的表面的氧化物層上。另外，此電容模組更進(jìn)一步包括 多個(gè)導(dǎo)電層5η，其分別電性連接于每一個(gè)電容單元In的所述碳膠IOn之間。再考，所述電容單元In的所述閥金屬箔片12η的正極端透過多個(gè)焊接點(diǎn)Pn而電 性連接在一起，所述電容單元In的所述碳膠IOn透過所述導(dǎo)電層5η而電性連接在一起，并 且所述閥金屬箔片12η與所述碳膠IOn彼此絕緣。另外，此電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)分 別設(shè)置于所述閥金屬箔片12η的部分外表面上并且圍繞成一圈的絕緣層如(亦即每一個(gè)絕 緣層如以圍繞的方式成形在每一個(gè)相對(duì)應(yīng)閥金屬箔片12η的部分外表面的上下兩面及兩 相反側(cè)邊)，以限制所述碳膠IOn和所述導(dǎo)電高分子Iln的長(zhǎng)度，并作為每一個(gè)電容單元In 的正極與負(fù)極的絕緣線。如圖3所示，本發(fā)明第二種片電容模組包括多個(gè)電容單元Ip。其中，每一個(gè)電容 單元Ip依序由一碳膠IOp (負(fù)極)、一導(dǎo)電高分子lip、一閥金屬箔片12ρ (正極)、一導(dǎo)電高 分子Ilp和一碳膠IOp (負(fù)極)層疊而成，每一個(gè)閥金屬箔片12e的表面皆有氧化物層(圖 中未標(biāo)示)，以作為介電層來產(chǎn)生絕緣效果，其中上述兩個(gè)導(dǎo)電高分子IlP成形于該閥金屬 箔片12p的表面的氧化物層上，并且每?jī)蓚€(gè)電容單元Ip之間透過碳膠IOp而電性層疊在一 起。另外，此電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)導(dǎo)電層5p，分別電性連接于每一個(gè)電容單元Ip的 所述碳膠IOp之間。再者，電容單元Ip的所述閥金屬箔片12p的正極端透過多個(gè)焊接點(diǎn)Pp而電性連 接在一起，所述電容單元Ip的所述碳膠IOp透過所述導(dǎo)電層5p而電性連接在一起，并且所 述閥金屬箔片12p與所述碳膠IOp彼此絕緣。另外，此電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)分別設(shè) 置于所述閥金屬箔片12p的部分外表面上并且圍繞成一圈的絕緣層4p (亦即每一個(gè)絕緣層 4p以圍繞的方式成形在每一個(gè)相對(duì)應(yīng)閥金屬箔片12p的部分外表面的上下兩面和兩相反 側(cè)邊)，以限制所述碳膠IOp和所述導(dǎo)電高分子Ilp的長(zhǎng)度，并作為每一個(gè)電容單元Ip的正 極與負(fù)極的絕緣線。另外，上述兩種層疊型電容可采用下列不同的實(shí)施態(tài)樣如圖4所示(一正極引出與一負(fù)極引出)，每一個(gè)電容單元1的正箔12具有一向 外引出的正極引腳120，并且所述正極引腳120分別電性地層疊在一起而成為一組正極引 腳單元120'，其中所述正極引腳120分別從所述正箔12的同一方向向外引出。此外，所述 負(fù)箔(圖未示)透過所述導(dǎo)電層而直接電性地層疊在一起(如圖2至圖3所示)。如圖5-6所示(多正極相同端引出與一負(fù)極引出)，每一個(gè)電容單元1的正箔12 具有一向外引出的正極引腳120，并且正極引腳120被區(qū)分成多組分別電性地層疊在一起 的正極引腳單元120'(圖5揭露兩組正極引腳單元120'；圖6顯露三組正極引腳單元 120')，其中所述正極引腳120分別從所述正箔12的同一方向向外引出。圖5顯示可層疊8層，但可維持4層焊接的高度，另外圖6顯示可層疊12層，但可維持4層焊接的高度。此 外，所述負(fù)箔(圖未示)透過所述導(dǎo)電層而電性地層疊在一起(如圖2至圖3所示)。綜上所述，本發(fā)明電容器封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明透過表面黏著技術(shù)(SMT) 的方式，即可直接將電容模組設(shè)置于該基板單元上。換言之，本發(fā)明透過基板單元的使用， 而不需另外設(shè)置導(dǎo)線架。因此本發(fā)明電容器封裝結(jié)構(gòu)比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，并且本發(fā)明電容器 封裝結(jié)構(gòu)的制作方法比現(xiàn)有的制作方法容易且快速。最后應(yīng)說明的是以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明， 盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可 以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的 保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，所述基板單元具有一絕緣本 體、至少兩個(gè)成形于本體上表面的第一上導(dǎo)電層和第二上導(dǎo)電層、至少兩個(gè)成形于本體上 表面的第一下導(dǎo)電層和第二下導(dǎo)電層、至少兩個(gè)穿透所述絕緣本體的穿孔和至少兩個(gè)分別 成形于所述至少兩個(gè)穿孔內(nèi)的中間導(dǎo)電層，并且其中一中間導(dǎo)電層電性連接于所述第一上 導(dǎo)電層和所述第一下導(dǎo)電層之間，另外一中間導(dǎo)電層電性連接于所述第二上導(dǎo)電層和所屬 第二下導(dǎo)電層之間；一電容模組，具有多個(gè)設(shè)置于所述基板本體上的電容單元，每一個(gè)電容單元的正極和 負(fù)極分別電性接觸于所述第一上導(dǎo)電層和所述第二上導(dǎo)電層；以及一封裝單元，其設(shè)置于 所述基板本體上并且覆蓋所述電容模組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中每一個(gè)電容單元的正箔 具有一向外引出的正極引腳，并且所述正極引腳被區(qū)分成多組正極引腳單元，每一組正極 引腳單元的所述正極引腳電性地層疊在一起，另外所述正極引腳分別從所述正箔的相同方 向向外引出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中每一個(gè)電容單元的正箔 具有一向外引出的正極引腳，并且所述正極引腳被組成一組正極引腳單元，以使得所述正 極引腳電性地層疊在一起，另外所述正極引腳分別從所述正箔的相同方向向外引出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每一個(gè)電容單元依 序由一碳膠、一導(dǎo)電高分子、一閥金屬箔片、一導(dǎo)電高分子和一碳膠層疊而成，并且所述電 容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)導(dǎo)電層，其分別電性連接于每一個(gè)電容單元的所述碳膠之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容單元的所述閥 金屬箔片的正極端透過多個(gè)焊接點(diǎn)而電性連接在一起，所述電容單元的所述碳膠透過所述 導(dǎo)電層而電性連接在一起，并且所述閥金屬箔片與所述碳膠彼此絕緣；另外所述電容模組 更進(jìn)一步包括多個(gè)分別設(shè)置于所述閥金屬箔片的部分外表面上并且圍繞成一圈的絕緣 層，以限制所述碳膠和所述導(dǎo)電高分子的長(zhǎng)度，并作為每一個(gè)電容單元的正極與負(fù)極的絕 緣線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述每一個(gè)電容單元依 序由一碳膠、一導(dǎo)電高分子、一閥金屬箔片、一導(dǎo)電高分子和一碳膠層疊而成，并且每?jī)蓚€(gè) 電容單元之間透過碳膠而電性層疊在一起，另外所述電容模組更進(jìn)一步包括多個(gè)導(dǎo)電層， 其分別電性連接于每一個(gè)電容單元的所述碳膠之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容單元的所述閥 金屬箔片的正極端透過多個(gè)焊接點(diǎn)而電性連接在一起，所述電容單元的所述碳膠透過所述 導(dǎo)電層而電性連接在一起，并且所述閥金屬箔片與所述碳膠彼此絕緣，另外所述電容模組 更進(jìn)一步包括多個(gè)分別設(shè)置于所述閥金屬箔片的部分外表面上并且圍繞成一圈的絕緣 層，以限制所述碳膠和所述導(dǎo)電高分子的長(zhǎng)度，并作為每一個(gè)電容單元的正極與負(fù)極的絕 緣線。
8.一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其具有一絕緣本體、至少兩 個(gè)彼此分離且成形于所述絕緣本體上表面的第一上導(dǎo)電層和第二上導(dǎo)電層、至少兩個(gè)彼此 分離且成形于所述絕緣本體下表面的第一下導(dǎo)電層和第二下導(dǎo)電層、至少兩個(gè)穿透所述絕 緣本體的穿孔和至少兩個(gè)分別成形于所述至少兩個(gè)穿孔內(nèi)的中間導(dǎo)電層，并且其中一中間導(dǎo)電層電性連接于所述第一上導(dǎo)電層和所述第一下導(dǎo)電層之間，另外一中間導(dǎo)電層電性連 接于所述第二上導(dǎo)電層和所述第二下導(dǎo)電層之間；一電容單元，其中所述電容單元的正極和負(fù)極分別電性接觸于所述第一上導(dǎo)電層和所 述第二上導(dǎo)電層；以及一封裝單元，其設(shè)置于所述基板本體上并且覆蓋所述電容模組。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電容器封裝結(jié)構(gòu)，包括一基板單元，所述基板單元具有一絕緣本體、至少兩個(gè)成形于本體上表面的第一上導(dǎo)電層和第二上導(dǎo)電層、至少兩個(gè)成形于本體下表面的第一下導(dǎo)電層和第二下導(dǎo)電層、至少兩個(gè)穿孔和至少兩個(gè)中間導(dǎo)電層；一電容模組，其具有多個(gè)設(shè)置于所述基板本體上的電容單元，每一個(gè)電容單元的正極和負(fù)極分別電性接觸于所述第一上導(dǎo)電層和所述第二上導(dǎo)電層；以及一封裝單元，其設(shè)置于所述基板本體上并且覆蓋所述電容模組。其中每一個(gè)電容單元的正箔具有一向外引出的正極引腳，并且正極引腳被組成一組正極引腳單元，以使正極引腳電性地層疊在一起，另外所述正極引腳分別從所述正箔的相同方向向外引出。
文檔編號(hào)H01G9/00GK102103928SQ20091025965
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2009年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月21日
發(fā)明者林清封, 樊雨心, 邱繼皓, 陳明宗 申請(qǐng)人:鈺邦電子(無錫)有限公司