專利名稱：發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，尤其是指一種設(shè)置未完全阻隔發(fā) 光二極管芯片以及電壓整流二極管的阻隔膠體的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED )具有耗電量低、 元件壽命長(zhǎng)、無須暖燈時(shí)間及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，加上其體積小、耐震動(dòng)、 適合量產(chǎn)，因此發(fā)光二極管已普遍使用于信息、通訊及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的指 示燈與顯示裝置上，如行動(dòng)電話及個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant, PDA)屏幕背光源、各種戶外顯示器、交通號(hào)志燈及車燈等。
通常發(fā)光二才及管芯片是透過表面黏貼技術(shù)(Surface Mount Device, SMD ) 或是覆晶接合技術(shù)(flip chip bonding )固接于具有凹陷部的膠座內(nèi)的支架上， 如圖l所示，圖1繪示為現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)側(cè)視剖面圖。
在具有凹陷部52的膠座51中，埋入設(shè)置有第一支架53以及第二支架 54,第一支架53以及第二支架54中的一端即是分別暴露在膠座51的凹陷 部52內(nèi)，另一端則是分別延伸出膠座51的兩側(cè)，即可形成外部電性連接部， 以便于與其它電子裝置(圖式中未繪示)電性連接。
接著，再通過表面黏貼技術(shù)將發(fā)光二極管芯片55固接于暴露在膠座51 的凹陷部52內(nèi)的第一支架53的端部，以及通過打線接合技術(shù)或是覆晶接合 技術(shù)使發(fā)光二極管芯片55可以透過導(dǎo)線與第二支架54形成電性連接，最后， 再于膠座51的凹陷部52上形成封裝膠體56，封裝膠體56即可以覆蓋于凹 陷部52上。
但是，上述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)當(dāng)產(chǎn)生靜電或是反向電壓時(shí)，發(fā)光二極管 芯片55會(huì)受到靜電或是反向電壓的影響，經(jīng)常會(huì)造成發(fā)光二極管芯片55的
3損壞，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片55的失效。
由于上述原因，現(xiàn)有技術(shù)提出一種改善方法，請(qǐng)參考圖2A以及圖2B 所示，圖2A繪示為現(xiàn)有發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)側(cè)視剖面圖；圖2B繪示為現(xiàn) 有發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)俯視示意圖。
在具有凹陷部52的膠座51中，于第二支架54設(shè)有電壓整流二極管57， 即可以透過發(fā)光二才及管芯片55以及電壓整流二極管57的并耳關(guān)電性連接，可 以有效的借由電壓整流二極管57的效果，將靜電或是反向電壓加以吸收， 可以避免發(fā)光二極管芯片55受到靜電或是反向電壓的影響，而導(dǎo)致發(fā)光二 極管芯片55的損壞。
然而，由于電壓整流二極管57具有吸收外部光線的特性，因此，發(fā)光 二極管芯片55所發(fā)出的光線在經(jīng)過電壓整流二極管57時(shí)，會(huì)被電壓整流二 極管57加以吸收，而導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片55發(fā)光效率的下降，因此，即可 以在形成膠座51時(shí)，在第一支架53以及第二支架54之間凸設(shè)阻隔膠體58, 將發(fā)光二極管芯片55以及電壓整流二極管57完全的阻隔，即可以避免發(fā)光 二極管芯片55所發(fā)出的光線被電壓整流二極管57吸收，而導(dǎo)致發(fā)光二極管 芯片55發(fā)光效率的下降。
但是，由于阻隔膠體58會(huì)將發(fā)光二極管芯片55以及電壓整流二極管 57完全的阻隔，在發(fā)光二極管芯片55發(fā)出光線時(shí)，透過凹陷部52進(jìn)行光 線反射的面積會(huì)減少不少，此一設(shè)計(jì)依然會(huì)有發(fā)光二極管芯片55發(fā)光效率 下降的問題。
另外，更由于在第一支架53以及第二支架54之間設(shè)置阻隔膠體58， 再將發(fā)光二極管芯片55以及電壓整流二極管57形成并聯(lián)電性連接時(shí)，會(huì)造 成打線接合技術(shù)的困難度，亦為此設(shè)計(jì)上的所存在的問題。
綜上所述，可知現(xiàn)有技術(shù)中長(zhǎng)期以來一直存在于第一支架以及第二支架 之間設(shè)置阻隔膠體，形成第一支架以及第二支架之間完全阻隔，而造成發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)發(fā)光效率下降以及阻隔膠體完全阻隔而產(chǎn)生電性連接困難的問 題，因此有必要提出改進(jìn)的技術(shù)手段，來解決此一問題。

實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在于第一支架以及第二支架之間設(shè)置阻隔膠體，形成 第 一 支架以及第二支架之間完全阻隔，而造成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)發(fā)光效率下降 以及阻隔膠體完全阻隔而產(chǎn)生電性連接困難的問題，本實(shí)用新型遂提供一種
發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中
本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包含第一支架、第二支架以 及膠座。
其中，第一支架用以固接發(fā)光二極管芯片于一端；第二支架中設(shè)置部分 阻隔區(qū)以及芯片連接區(qū)，第二支架的部分阻隔區(qū)之外為連接的支架，芯片連 接區(qū)位于部分阻隔區(qū)未與第一支架相鄰之側(cè)，且芯片連接區(qū)設(shè)置于部分阻隔 區(qū)范圍內(nèi)的第二支架上，芯片連接區(qū)用以固接電壓整流二極管并且電壓整流 二極管與第一支架形成電性連接，發(fā)光二極管與第二支架形成電性連接；膠 座具有凹陷部及于凹陷部底面凸設(shè)高于發(fā)光二極管芯片以及電壓整流二極 管阻隔膠體，第一支架固接發(fā)光二極管的端部，及第二支架的部分阻隔區(qū)與 芯片連接區(qū)，埋于膠座內(nèi)且暴露于凹陷部，且阻隔膠體穿設(shè)于部分阻隔區(qū)， 發(fā)光二極管芯片與電壓整流二極管分別位于阻隔膠體兩側(cè)形成阻隔。
本實(shí)用新型所提供的結(jié)構(gòu)如上，與現(xiàn)有技術(shù)之間的差異在于本實(shí)用新型 所設(shè)置的阻隔膠體并未完全的阻隔發(fā)光二極管芯片以及電壓整流二極管，即 可以透過凹陷部未#皮阻隔的部分，將發(fā)光二^l管芯片所產(chǎn)生的光線加以反 射，并且亦可以通過凹陷部未被阻隔的部分將發(fā)光二極管芯片以及電壓整流 二極管進(jìn)行并聯(lián)電性連接，即可以解決現(xiàn)有發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的問題。
透過上述的技術(shù)手段，本實(shí)用新型可以達(dá)成提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)發(fā)光效 率及簡(jiǎn)化電性連接制程的技術(shù)功效。


圖1繪示為現(xiàn)有發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)側(cè)視剖面示意圖。
圖2A繪示為現(xiàn)有發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)側(cè)視剖面示意圖。
圖2B繪示為現(xiàn)有發(fā)光二極管改良結(jié)構(gòu)俯視示意圖。圖3A繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一支架與第二支架的第 一實(shí)施態(tài)樣俯視示意圖。
圖3B繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一支架與第二支架的第 二實(shí)施態(tài)樣俯視示意圖。
圖3C繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。 圖3D繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的側(cè)-魄第一剖面示意圖。 圖3E繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的側(cè)視第二剖面示意圖。主要元件符號(hào)說明
10第一支架 11發(fā)光二極管芯片 20第二支架 21部分阻隔區(qū) 22芯片連接區(qū) 23電壓整流二才及管 30膠座 31凹陷部 32底面 33阻隔力交體 40封裝膠體 51膠座 52凹陷部 53第一支架 54第二支架 55發(fā)光二極管芯片 56封裝膠體 57電壓整流二才及管58阻隔力交體具體實(shí)施方式
以下將配合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，借此對(duì)本 充分理解并據(jù)以實(shí)施。
以下將說明本實(shí)用新型所提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，并請(qǐng)參考圖3A所示， 圖3A繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一支架與第二支架的第一實(shí) 施態(tài)才羊俯一見示意圖。
如圖所示，第一支架10以及第二支架20是由金屬板(圖中未繪示)以 沖壓(stamping)方式所制成，第一支架10的一端，用以固接發(fā)光二極管芯 片11;并且在沖壓制成第二支架20時(shí)，在第二支架20上亦沖壓形成部分 阻隔區(qū)21,并且在部分阻隔區(qū)21的右側(cè)，即為部分阻隔區(qū)21未與第一支 架IO相鄰的側(cè)邊，即可以將部分阻隔區(qū)21的右側(cè)定義為芯片連接區(qū)22, 而值得注意的是芯片連接區(qū)22所設(shè)置位置是于部分阻隔區(qū)21范圍所延伸的 第二支架20上。
如圖3A所示，在第一實(shí)施態(tài)樣中透過沖壓方式在第二支架20上所形 成的部分阻隔區(qū)21,是在第二支架20上開^:凹槽，凹槽的部分即為部分阻 隔區(qū)21，而第二支架20的部分阻隔區(qū)21之外的部分，并未被沖壓裁切為 連接的支架，除此之外，請(qǐng)參照?qǐng)D3B所示，圖3B繪示為本實(shí)用新型的發(fā) 光二極管結(jié)構(gòu)的第一支架與第二支架的第二實(shí)施態(tài)樣俯視示意圖；第二實(shí)施 態(tài)樣與第一實(shí)施態(tài)樣的差異在于第二實(shí)施態(tài)樣是為在沖壓第二支架20形成
部分阻隔區(qū)21是沖壓為孔洞的態(tài)樣，并且在第二支架20的部分阻隔區(qū)21 之外的部分，并未被沖壓裁切為連接的支架。
設(shè)置于第一支架IO上的發(fā)光二極管芯片11即可與第二支架20任意處 形成電性連接，第二支架20的芯片連接區(qū)22是用以固接電壓整流二極管 23之用，由于發(fā)光二極管芯片ll容易受到靜電或是反向電壓的影響，而造 成發(fā)光二極管芯片ll的損壞，因此，即可以于第二支架20上固接電壓整流 二極管23，并且將發(fā)光二極管芯片11與電壓整流二極管23并聯(lián)方式形成電性連接，以提供允許反向電流的電壓整流二極管23，借以避免發(fā)光二極 管芯片11所受到靜電或是反向電壓的影響，而導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片11的損 壞。
上述的電壓整流二極管23可為齊納二極管或雪崩型二極管其中一種， 在此僅為舉例說明，并不以此局限本實(shí)用新型的應(yīng)用范疇，任何可以達(dá)到吸 收靜電或是反向電壓效果的電子元件皆可以為本實(shí)用新型所運(yùn)用。
在完成第一支架10以及第二支架20的沖壓制程后，并且第一支架10 以及第二支架20是以第一實(shí)施態(tài)樣進(jìn)行說明，4旦并不以此局限本實(shí)用新型 的應(yīng)用范疇，請(qǐng)參考圖3C所示，圖3C繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)的俯視示意圖；以埋入射出(insert molding)的方式形成具有凹陷部31 的膠座30,即將第一支架10以及第二支架20部分被埋置于膠座30內(nèi)且暴 露于凹陷部31，而對(duì)應(yīng)于第二支架20的部分阻隔區(qū)21之處，在射出成型 時(shí)更可于凹陷部31的底面32形成阻隔膠體33，即阻隔"交體33穿設(shè)于第二 支架20的部分阻隔區(qū)21,阻隔膠體33與膠座30為一體成型，并且阻隔膠 體33的高度需要高于發(fā)光二極管芯片11以及電壓整流二極管23。
由于阻隔膠體33穿設(shè)于第二支架20的部分阻隔區(qū)21，并且芯片連接 區(qū)22設(shè)置位置于部分阻隔區(qū)21范圍所延伸的第二支架20上，即阻隔膠體 33穿設(shè)于第二支架20的部分阻隔區(qū)21時(shí)，即會(huì)將芯片連接區(qū)22與第一支 架IO之間透過阻隔膠體33形成阻隔。
而由于部分阻隔區(qū)21之外是為連接的支架，因此，阻隔膠體33在形成 時(shí)自然無法形成于部分阻隔區(qū)21之外，阻隔膠體33僅阻隔芯片連接區(qū)22 與第一支架之間，其余部分將無法形成阻隔效果。
值得注意的是，在第二支架20所設(shè)置的部分阻隔區(qū)21是依據(jù)電壓整流 二極管23的大小，來決定部分阻隔區(qū)21的長(zhǎng)度，因此，阻隔膠體33是依 據(jù)部分阻隔區(qū)21的大小加以形成，即阻隔膠體33的長(zhǎng)度亦通過第二支架 20的芯片連接區(qū)22的電壓整流二極管23的大小來決定。
并且第一支架10以及第二支架20延伸出月交座30的兩側(cè)的部分，即可 形成外部電性連接部(圖式中未繪示)以便于與其它電子裝置(圖式中未繪 示)電性連接，或是透過外部電性連接部提供電性極性。即配置于第一支架IO的發(fā)光二極管芯片11即是通過第一支架10以及第二支架20延伸出膠座 30的外部電性連接部而與其它電子裝置電性連接，或是提供發(fā)光二極管芯 片11所需要的電性極性。
上述的金屬板可以是銅、鐵或其它導(dǎo)電性佳的金屬板或合金板。也就是 說，第一支架10以及第二支架20的材質(zhì)可以是銅、鐵或其它導(dǎo)電性佳的金 屬或合金。膠座30的材質(zhì)則可以是聚鄰苯二曱酰胺(polyphthalamide, PPA ) 或其它常用來作為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的膠座30的熱塑性樹脂。
接著，請(qǐng)同時(shí)參考圖3D以及圖3E所示，圖3D繪示為本實(shí)用新型的發(fā) 光二極管結(jié)構(gòu)的側(cè)視第一剖面示意圖；圖3E繪示為本實(shí)用新型的發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)的側(cè)視第二剖面示意圖；在完成第一支架IO、第二支架20以及膠座 30的制作過程后，即可以透過表面黏貼技術(shù)(Surface Mount Device, SMD ) 將發(fā)光二極管芯片11固接于暴露在膠座30的凹陷部31內(nèi)第一支架10上， 并且將電壓整流二極管23透過相同技術(shù)固接于第二支架20的芯片連接區(qū) 22 (請(qǐng)參照?qǐng)D3C所示)。
接著，再以打線接合技術(shù)(wire bonding )或是覆晶接合技術(shù)(flip chip bonding)將固接于第一支架IO上的發(fā)光二極管芯片11電性連接于第二支 架20 (請(qǐng)參考圖3C所示)，并且將固接于第二支架20上的電壓整流二極 管23電性連接于第一支架10上，借以形成發(fā)光二極管芯片11與電壓整流 二極管23的并聯(lián)電性連接，圖面所繪示為采用打線接合技術(shù)方式將發(fā)光二 極管芯片11與電壓整流二極管23透過導(dǎo)線形成電性連接(在此僅為舉例說 明，并不以此局限本實(shí)用新型的應(yīng)用范疇)，第一支架10以及第二支架20 即可分別提供發(fā)光二極管芯片11與電壓整流二極管23不同的電性極性。
并且，發(fā)光二極管芯片11即可以透過電壓整流二極管23的保護(hù)，以避 免發(fā)光二極管芯片11所受到靜電或是反向電壓的影響，而導(dǎo)致發(fā)光二極管 芯片11的損壞。
除此之外，更可于膠座30的凹陷部31上形成封裝膠體40，封裝膠體 40即可以覆蓋于凹陷部31內(nèi)的發(fā)光二極管芯片11與電壓整流二極管23, 即可以對(duì)發(fā)光二極管芯片ll進(jìn)行保護(hù)。
上述的封裝膠體40例如是以點(diǎn)膠(dispensing)的方式形成(在此僅為
9舉例說明，并不以此局限本實(shí)用新型的應(yīng)用范疇)，且封裝膠體40中可4參 有熒光粉(圖式中未繪示)，因此當(dāng)發(fā)光二極管芯片ll所發(fā)出的光線照射 到熒光粉而使其激發(fā)出另一種顏色的可見光時(shí)，發(fā)光二極管芯片ll所發(fā)出 的光線即可與熒光粉所激發(fā)出來的光線混合而產(chǎn)生混光效果。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D3C所示，由于發(fā)光二極管芯片11與電壓整流二極管23 形成并聯(lián)電性連接，當(dāng)產(chǎn)生靜電或是反向電壓時(shí)，即可以透過電壓整流二極 管23將靜電或是反向電壓加以抵銷，借以避免發(fā)光二極管芯片ll的損壞。
但由于電壓整流二極管23的特性，在光線經(jīng)過電壓整流二極管23時(shí)， 會(huì)被電壓整流二極管23加以吸收，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片11的發(fā)光效率 下降，因此，可以透過相對(duì)應(yīng)于部分阻隔區(qū)21的阻隔膠體33，將發(fā)光二極 管芯片11以及電壓整流二極管23加以阻隔，即可以避免發(fā)光二極管芯片 11所發(fā)出的光線被電壓整流二極管23吸收，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片11 發(fā)光效率下降的問題。
除此之外，請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D3D以及圖3E所示，在現(xiàn)有技術(shù)中是在第一 支架以及第二支架之間形成阻隔膠體，并且阻隔膠體是完全的將第一支架以 及第二支架形成阻隔，因此，在發(fā)光二極管芯片發(fā)光時(shí)，由于受到阻隔膠體 完全的阻隔，會(huì)影響到發(fā)光二極管芯片光線的反射面積，由于反射面積受到 限制，被阻隔的區(qū)域?qū)o法反射發(fā)光二極管芯片的光線，造成發(fā)光二極管芯 片發(fā)光效率的下降。
因此，本實(shí)用新型由于穿設(shè)于第二支架20上的阻隔膠體33僅對(duì)發(fā)光二 極管芯片11以及電壓整流二極管23形成阻隔，在部分阻隔區(qū)21外的部分 并無形成阻隔膠體33，第一支架10以及第二支架20之間形成未完全阻隔 的態(tài)樣，借此發(fā)光二極管芯片11所發(fā)出的光線更可以透過未被阻隔膠體33 所阻隔的凹陷部31進(jìn)行光線的反射，可以增加發(fā)光二極管芯片11光線的反 射面積，并且增加發(fā)光二極管芯片ll的照度，進(jìn)而提升發(fā)光二極管芯片11 的發(fā)光效率。
另夕卜，由于阻隔膠體33并未將發(fā)光二極管芯片11以及電壓整流二極管 23完全阻隔，因此，在將發(fā)光二極管芯片11以及電壓整流二極管23進(jìn)行 打線接合技術(shù)形成電性連接時(shí)，可以將導(dǎo)線透過未被阻隔膠體33 隔的部分形成電性連接，即可以降低打線接合技術(shù)的困難度。
綜上所述，可知本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)之間的差異在于本實(shí)用新型所設(shè) 置的阻隔膠體并未完全的阻隔發(fā)光二極管芯片以及電壓整流二極管，即可以 透過凹陷部未被阻隔的部分，將發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的光線加以反射，并 且亦可以透過凹陷部未#皮阻隔的部分將發(fā)光二極管芯片以及電壓整流二極 管進(jìn)行并聯(lián)電性連接，即可以解決現(xiàn)有發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的問題。
借由此一技術(shù)手段可以來解決現(xiàn)有技術(shù)所存在于第一支架以及第二支 架之間設(shè)置阻隔膠體，形成第一支架以及第二支架之間完全阻隔，而造成發(fā)
問題，進(jìn)而達(dá)成提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)發(fā)光效率及簡(jiǎn)化電性連接制程的技術(shù)功效。
雖然本實(shí)用新型所公開的實(shí)施方式如上，惟所述的內(nèi)容并非用以直接限 定本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍。任何本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員，
在不脫離本實(shí)用新型所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及 細(xì)節(jié)上作些許的更動(dòng)。本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求 所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1、一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一第一支架，用于固接一發(fā)光二極管芯片于該第一支架一端；一第二支架，設(shè)置一部分阻隔區(qū)以及一芯片連接區(qū)，該第二支架的該部分阻隔區(qū)之外為連接的支架，該芯片連接區(qū)位于該部分阻隔區(qū)未與該第一支架相鄰之側(cè)，且該芯片連接區(qū)設(shè)置于該部分阻隔區(qū)范圍延伸的該第二支架上，該芯片連接區(qū)用于固接一電壓整流二極管并且該電壓整流二極管與該第一支架形成電性連接，該發(fā)光二極管與該第二支架形成電性連接；及一膠座，具有一凹陷部及于該凹陷部底面凸設(shè)高于該發(fā)光二極管芯片以及該電壓整流二極管的一阻隔膠體，該第一支架固接該發(fā)光二極管的端部，及該第二支架的該部分阻隔區(qū)與該芯片連接區(qū)，埋于該膠座內(nèi)且暴露于該凹陷部，且該阻隔膠體穿設(shè)于該部分阻隔區(qū)，該發(fā)光二極管芯片與該電壓整流二極管分別位于該阻隔膠體兩側(cè)形成阻隔。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該部分阻隔區(qū)是 于該第二支架開設(shè)一凹槽。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該部分阻隔區(qū)是 于該第二支架穿設(shè)一孔洞。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該部分阻隔區(qū)是 以該電壓整流二極管的大小決定該部分阻隔區(qū)的阻隔長(zhǎng)度。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該電壓整流二極 管為一齊納二極管或一雪崩型二極管。
6、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)更包括一封裝膠體，配置于該膠座上且覆蓋于該凹陷部。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其在第二支架上穿設(shè)第一支架與第二支架之間未完全阻隔的阻隔膠體，以提高光線反射的面積，并且借由未完全被阻隔的空間將發(fā)光二極管芯片與電壓整流二極管并聯(lián)電性連接，借此可以達(dá)成提高發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)發(fā)光效率及簡(jiǎn)化電性連接制程的技術(shù)功效。
文檔編號(hào)H01L33/62GK201421850SQ200920006489
公開日2010年3月10日 申請(qǐng)日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月26日
發(fā)明者林士杰, 陳詠杰, 陳立敏 申請(qǐng)人:一詮精密工業(yè)股份有限公司