專利名稱:66kV光控水冷晶閘管閥組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種水冷散熱的光控晶閘管閥組,該閥組應(yīng)用于電力、冶金和所 有使用光控晶閘管作為核心器件的其它領(lǐng)域,可用于66kV及以上電壓等級的光控晶閘管 閥組。
背景技術(shù):
晶閘管是目前應(yīng)用最為廣泛的閥元件,通過控制晶閘管的觸發(fā)角可以對阻抗進(jìn)行 連續(xù)調(diào)節(jié),可以增強(qiáng)系統(tǒng)輸電能力,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、阻尼功率振蕩和抑制次同步振蕩等功 能。晶閘管閥體通常要承受高電壓和大電流,需采用多個(gè)晶閘管的串并聯(lián)來實(shí)現(xiàn)。晶閘管 閥組是電力系統(tǒng)中動態(tài)無功補(bǔ)償裝置的核心組成部分。 晶閘管閥體的結(jié)構(gòu)涉及的技術(shù)范圍較為廣泛,包括半導(dǎo)體器件的安裝、傳熱、固體 及流體應(yīng)力分析、電磁兼容、高壓絕緣配合等多方面的技術(shù)。因此,晶閘管閥的機(jī)械安裝構(gòu) 造是至關(guān)重要的,只有采用合理的機(jī)械安裝構(gòu)造,才能為晶閘管閥的安全運(yùn)行和方便維護(hù) 提供有力保障。 目前國內(nèi)應(yīng)用的晶閘管閥組電壓等級均在35kV以下,66kV閥組在設(shè)計(jì)上需要考 慮的問題更多,包括高電壓絕緣問題、均壓屏蔽問題等。 由于電壓等級的提高,在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上既要考慮絕緣、散熱、穩(wěn)定等傳統(tǒng)問題,還要 考慮占地面積,均壓屏蔽等新問題。在散熱上采用目前國際上通行的水冷散熱方式,散熱效 率高。但目前閥組的水路與電路交錯(cuò)布置,不利于檢修與維護(hù),而且一旦漏水,會對電路造 成影響。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種高可靠性、占地面積小、電路水路分開布置、純水冷 卻的66KV光控水冷晶閘管閥組。 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn) 66kV光控水冷晶閘管閥組,每相包括兩個(gè)閥單元,每個(gè)閥單元均由晶閘管單元、回 報(bào)板單元、阻容保護(hù)單元、框架單元、水管單元、走線槽單元、均壓環(huán)單元組成,其特征在于, 閥組為雙體立式結(jié)構(gòu),由左右兩個(gè)閥單元串聯(lián)構(gòu)成單相閥組,左右兩個(gè)閥單元之間采用銅 箔軟連排連接,每個(gè)閥單元的水管單元位于閥單元中間位置,需要水冷的晶閘管單元及阻 容保護(hù)單元的水冷電阻設(shè)置在水管單元的兩側(cè);不需水冷的除水冷電阻以外的阻容保護(hù)單 元的其它器件、走線槽單元、均壓環(huán)單元設(shè)置在閥組四周。 所述的阻容保護(hù)單元水冷電阻和阻尼電容采用集中布置方式,并排設(shè)置在阻容托 架上。 所述的阻容保護(hù)單元采用模塊化設(shè)計(jì),用同樣的水冷電阻和阻尼電容設(shè)置在阻容 托架上可以裝配出左右對稱的兩種阻容保護(hù)單元。 閥組為單體立式結(jié)構(gòu),由一個(gè)閥單元構(gòu)成單相閥組,構(gòu)成水管單元位于中間位置的35kV光控水冷晶閘管閥組。 該閥組的結(jié)構(gòu)適用于35Kv、66kV及66kV以上的電壓等級。 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是 1)采用雙體立式結(jié)構(gòu),由左右兩個(gè)閥單元構(gòu)成單相閥組,閥組結(jié)構(gòu)緊湊,布局更加 合理,外觀簡潔精美;減小了閥組的占地面積,提高了 SVC閥組的美觀性、可靠性。 2)所有水管布置在閥組的閥單元中間,所有部件間接線全部在閥組兩側(cè),互補(bǔ)干 擾,便于維護(hù);改變了傳統(tǒng)的水路、電路交錯(cuò)布置的方式。 3)將水冷電阻和阻尼電容并排布置在阻容托架上,減少由于導(dǎo)線過長造成的干 擾,便于接線,節(jié)省空間; 4)模塊化設(shè)計(jì),用同樣的零件可以裝配出左右對稱的兩種阻容托架,減少零件種類。
圖1是66kV光控水冷晶閘管閥組的機(jī)械安裝結(jié)構(gòu)的軸側(cè)圖; 圖2是66kV光控水冷晶閘管閥組的機(jī)械安裝結(jié)構(gòu)的主視圖; 圖3是66kV光控水冷晶閘管閥組的機(jī)械安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖; 圖4是66kV光控水冷晶閘管閥組的機(jī)械安裝結(jié)構(gòu)的左視圖; 圖5是66kV光控水冷晶閘管閥單元的機(jī)械安裝結(jié)構(gòu)的軸側(cè)圖; 圖6是66kV光控水冷晶閘管閥體的阻容保護(hù)單元的軸側(cè)圖; 圖7是阻容保護(hù)單元中阻尼電容、水冷電阻安裝結(jié)構(gòu)的軸側(cè)具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容作進(jìn)一步詳細(xì)說明。 實(shí)施例1 見圖1-圖5,66kV光控水冷晶閘管閥組,該閥組采用雙體立式結(jié)構(gòu),由左右兩個(gè) 閥單元構(gòu)成單相閥組,左右兩個(gè)閥單元之間采用銅箔軟連排連接。每個(gè)閥單元均由晶閘管 單元1、回報(bào)板單元2、阻容保護(hù)單元3、框架單元4、內(nèi)部水管單元5、走線槽單元6、均壓環(huán) 單元7組成。需要水冷的晶閘管單元1與阻容保護(hù)單元3中的水冷電阻布置在內(nèi)部水管單 元5的兩側(cè),都位于閥單元的中間;不需水冷的除水冷電阻以外的阻容保護(hù)單元3的其它器 件、回報(bào)板單元2、走線槽單元6、均壓環(huán)單元7都位于閥單元四周。各個(gè)單元均通過環(huán)氧玻 璃絲布板與框架單元4連接。每個(gè)閥單元均通過硅橡膠絕緣子與底座8連接,單元進(jìn)出水 管9、地面走線槽10均固定在底座上。 見圖6、圖7,阻容保護(hù)單元3中采用集中布置方式,將水冷電阻11和阻尼電容12 并排布置在阻容托架13上。阻容保護(hù)單元3采用模塊化裝配,采用同樣的水冷電阻11和 阻尼電容12、阻容托架13可以裝配出左右對稱的兩種阻容保護(hù)單元。使得零件數(shù)量少,裝 配更加簡化。 實(shí)施例2 參照圖1,35kV光控水冷晶閘管閥組,該閥組采為單體立式結(jié)構(gòu),由晶閘管單元1、 回報(bào)板單元2、阻容保護(hù)單元3、框架單元4、內(nèi)部水管單元5、走線槽單元6、均壓環(huán)單元7組成。需要水冷的晶閘管單元1與阻容保護(hù)單元3里的水冷電阻布置在內(nèi)部水管單元5兩側(cè),都位于閥單元的中間;不需水冷的除水冷電阻以外的阻容保護(hù)單元3的其它器件、、回報(bào)板單元2、走線槽單元6、均壓環(huán)單元7都位于閥組四周。各個(gè)單元均通過環(huán)氧玻璃絲布板與框架單元4連接。閥體通過硅橡膠絕緣子與底座8連接,單元進(jìn)出水管9、地面走線槽10均固定在底座上。 以上實(shí)施例例舉了 66kV、35kV光控水冷晶閘管閥組的機(jī)械結(jié)構(gòu),對于35kV、66kV及66kV以上的電壓等級的光控水冷晶閘管閥組,均在本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求66kV光控水冷晶閘管閥組,每相包括兩個(gè)閥單元,每個(gè)閥單元均由晶閘管單元、回報(bào)板單元、阻容保護(hù)單元、框架單元、水管單元、走線槽單元、均壓環(huán)單元組成,其特征在于,閥組為雙體立式結(jié)構(gòu),由左右兩個(gè)閥單元串聯(lián)構(gòu)成單相閥組,左右兩個(gè)閥單元之間采用銅箔軟連排連接,每個(gè)閥單元的水管單元位于閥單元中間位置,需要水冷的晶閘管單元及阻容保護(hù)單元的水冷電阻設(shè)置在水管單元的兩側(cè);不需水冷的除水冷電阻以外的阻容保護(hù)單元的其它器件、走線槽單元、均壓環(huán)單元設(shè)置在閥組四周。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的66kV光控水冷晶閘管閥組,其特征在于,所述的阻容保護(hù)單 元水冷電阻和阻尼電容采用集中布置方式,并排設(shè)置在阻容托架上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的66kV光控水冷晶閘管閥組,其特征在于,所述的阻容保護(hù)單 元采用模塊化設(shè)計(jì),用同樣的水冷電阻和阻尼電容設(shè)置在阻容托架上可以裝配出左右對稱 的兩種阻容保護(hù)單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的66kV光控水冷晶閘管閥組,其特征在于,閥組為單體立式 結(jié)構(gòu),由一個(gè)閥單元構(gòu)成單相閥組,構(gòu)成水管單元位于中間位置的35kV光控水冷晶閘管閥 組。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的66kV光控水冷晶閘管閥組,其特征在于,該閥組的結(jié)構(gòu)適用 于35kV、66kV及66kV以上的電壓等級。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種水冷散熱的光控晶閘管閥組,其特征在于,閥組為雙體立式結(jié)構(gòu),由左右兩個(gè)閥單元串聯(lián)構(gòu)成單相閥組,左右兩個(gè)閥單元之間采用銅箔軟連排連接,每個(gè)閥單元的水管單元位于閥單元中間位置,需要水冷的晶閘管單元及阻容保護(hù)單元的水冷電阻設(shè)置在水管單元的兩側(cè);不需水冷的除水冷電阻以外的阻容保護(hù)單元的其它器件、走線槽單元、均壓環(huán)單元設(shè)置在閥組四周。水冷電阻和阻尼電容采用集中布置方式,并排設(shè)置在阻容托架上。阻容保護(hù)單元采用模塊化設(shè)計(jì),用同樣的水冷電阻和阻尼電容設(shè)置在阻容托架上可以裝配出左右對稱的兩種阻容保護(hù)單元。優(yōu)點(diǎn)是高可靠性、占地面積小、電路水路分開布置、純水冷卻。
文檔編號H01L23/473GK201450339SQ20092001625
公開日2010年5月5日 申請日期2009年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月12日
發(fā)明者丁雅麗, 劉國恩, 司明起, 杜純鋼, 楊旭, 薛軼寧, 龍浩 申請人:榮信電力電子股份有限公司