專利名稱：?jiǎn)尉Ч韪咝Ь酃獗∑?yáng)電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單晶硅太陽(yáng)電池。
技術(shù)背景
太陽(yáng)電池推廣應(yīng)用的主要障礙是發(fā)電成本與火力發(fā)電成本相比較 成本過(guò)高。不過(guò)，最近也有了好兆頭，保定英利綠色新能源有限公司承 包敦煌10MW大型電站，承諾每度電0.69元，這僅僅說(shuō)明，在個(gè)案中接 近火力發(fā)電價(jià)格。降低成本，提高效率是技術(shù)人員永恒的追求。聚光電 池則是通過(guò)薄片，高效聚光等手段，可以大大降低發(fā)電成本。硅片成本
占到組件成本的40 60%，如果把硅片200um厚度降低到160um，使 硅片成本下降20%。聚光電池在12-15個(gè)太陽(yáng)條件下，其轉(zhuǎn)換效率為 20 21%，，目前單晶硅常規(guī)電池平均轉(zhuǎn)換效率為17%，，效率每提高一個(gè) 百分點(diǎn)，電池成本下降7%。聚光電池提高3 4%，電池的制造成本下降 20%。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)合理，工作性能好的單晶硅高效聚 光薄片太陽(yáng)電池。
本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是
一種單晶硅高效聚光薄片太陽(yáng)電池，其特征是包括基區(qū)，基區(qū)正 面設(shè)置NP結(jié)，NP結(jié)的正面設(shè)置氮化硅減反射膜，正電極穿過(guò)氮化硅減反射膜與NP結(jié)形成歐姆接觸，基區(qū)的反面設(shè)置P+層，P+層反面設(shè)置
鋁背場(chǎng)，鋁背場(chǎng)中設(shè)置背電極；正面柵線陰影面積占正面總面積的 15~17%。
本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，工作性能好，制造成本低。襯底電阻率的工 藝范圍為0.2 0.8歐姆。


以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示圖。
圖2是正面柵線的示意圖。
圖3是背電極示意圖。
圖4是鋁背場(chǎng)示意圖。
具體實(shí)施方式
具體實(shí)施方式
一種單晶硅高效聚光薄片太陽(yáng)電池，包括基區(qū)1，基區(qū)正面設(shè)置NP 結(jié)2， NP結(jié)的正面設(shè)置氮化硅減反射膜3，正電極5穿過(guò)氮化硅減反射 膜與NP結(jié)形成歐姆接觸，基區(qū)的反面設(shè)置P+層6， P+層反面設(shè)置鋁背 場(chǎng)7，鋁背場(chǎng)中設(shè)置背電極8;正面柵線(包括主柵線9、細(xì)柵線l 0) 陰影面積占正面總面積的15~17%，且細(xì)柵線面積占總面積的10 11%， 細(xì)柵線寬為0. 09 0. lmm，細(xì)柵線的中心內(nèi)距為1. lmm。圖中還有絨面4。
制作步驟包括 1、絨面腐蝕、清洗
硅片的電阻率范圍為0.2 0.8Q cm， P型，晶向[100]的硅片，首先對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)清洗，爾后，進(jìn)行硅片絨面制備和清洗。采用通用的單晶硅 堿性溶液制備方法。
2、 磷擴(kuò)散
采用液態(tài)三氯氧磷作為擴(kuò)散源，在閉管軟著陸的擴(kuò)散中進(jìn)行磷擴(kuò)散，爐
溫控制在840°C 880°C，擴(kuò)散時(shí)間20 40分鐘，保護(hù)性氣體為5N的氮 氣和液氧，比例大約為(10 15): 1， R?？刂圃?0 60Q.
3、 等離子周邊刻蝕
采用四氟化碳和氧氣做為工作氣體，CF"C^87.5:12.5配比，腐蝕速率 最快。等離子體的電源功率為500 550瓦，時(shí)間大約15 20分鐘。
4、 去除磷硅玻璃
采用氫氟酸的稀溶液，去除磷硅玻璃，表面不沾水為準(zhǔn)。
5、 PECVD淀積氮化硅薄膜
在電池的正面淀積氮化硅薄膜，該薄膜的厚度范圍為700 800A，折射 率為2.00±0.03。
6、 絲網(wǎng)印刷和電極的金屬化
依次印刷背電極、烘干、背電場(chǎng)烘干；返片后再印刷正面電極，再進(jìn)行 金屬化燒結(jié)，使電池的正負(fù)電極形成良好的歐姆接觸。
7、 劃片
8、 電池分選。
權(quán)利要求1、一種單晶硅高效聚光薄片太陽(yáng)電池，其特征是包括基區(qū)，基區(qū)正面設(shè)置NP結(jié)，NP結(jié)的正面設(shè)置氮化硅減反射膜，正電極穿過(guò)氮化硅減反射膜與NP結(jié)形成歐姆接觸，基區(qū)的反面設(shè)置P+層，P+層反面設(shè)置鋁背場(chǎng)，鋁背場(chǎng)中設(shè)置背電極；正面柵線陰影面積占正面總面積的15～17％。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種單晶硅高效聚光薄片太陽(yáng)電池，包括基區(qū)，基區(qū)正面設(shè)置NP結(jié)，NP結(jié)的正面設(shè)置氮化硅減反射膜，正電極穿過(guò)氮化硅減反射膜與NP結(jié)形成歐姆接觸，基區(qū)的反面設(shè)置P⁺層，P⁺層反面設(shè)置鋁背場(chǎng)，鋁背場(chǎng)中設(shè)置背電極；正面柵線陰影面積占正面總面積的15～17％。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，工作性能好，制造成本低。
文檔編號(hào)H01L31/042GK201402810SQ20092004513
公開日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2009年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月7日
發(fā)明者張高潔, 楊春秀, 王玉亭, 陸俊宇, 躍 馬 申請(qǐng)人:江蘇林洋新能源有限公司;江蘇林洋太陽(yáng)能電池及應(yīng)用工程技術(shù)研究中心有限公司