專利名稱：整流二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，具體涉及一種整流二極管。
背景技術(shù)：
整流二極管是最基本的半導(dǎo)體器件，主要作用為將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?，廣泛應(yīng) 用于各種電子線路。二極管晶粒主要有GPP和0/J兩類。GPP晶粒制作的整流二極管高溫 特性好，但是晶粒造價高，晶粒周圍的玻璃鈍化層使其有效面積減小造成正向?qū)▔航递^
大，電能損耗大。o/j晶粒成本低，但是四角外形晶粒焊接面積小，正向壓降高，難以清洗，邊
角尖端放電，高溫特性不好。
發(fā)明內(nèi)容針對上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種利于提高導(dǎo)通電壓以及散熱性 能好的整流二極管。 實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案如下 整流二極管，硅晶片的兩側(cè)面均設(shè)有焊片，各焊片上固定一個導(dǎo)電體，硅晶片以及 固定有導(dǎo)電體的焊片通過環(huán)氧樹脂所包覆，所述硅晶片為大于四邊以上的多邊型體，該多 邊型體的硅晶片的各條邊上形成有向硅晶片兩側(cè)面的凸出結(jié)構(gòu)，凸出結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有保護(hù)層。 所述凸出結(jié)構(gòu)為弧形的延伸體。 所述凸出結(jié)構(gòu)的厚度為3-5mm。 采用了上述方案，所述硅晶片為大于四邊以上的多邊型體，該多邊型體的硅晶片 的各條邊上形成有向硅晶片兩側(cè)面的凸出結(jié)構(gòu)，通過在硅晶片兩側(cè)面設(shè)置凸出結(jié)構(gòu)后，可 增大硅晶片有效面積，不但利于增大正向的導(dǎo)通電壓，減小電能損耗，而且有效面積增大 后，其散熱面積也得以增大，這樣可以使得硅晶片高溫特性增強(qiáng)。并且與環(huán)氧樹脂的接觸面 積也得以增大，使得熱傳遞的有效面積增大，利于提高散熱性能。凸出結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有保護(hù) 層。凸出結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有保護(hù)層，通過保護(hù)層可起到絕緣保護(hù)的作用。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖； 附圖中，1為硅晶片，2為焊片，3為導(dǎo)電體，4為環(huán)氧樹脂，5為凸出結(jié)構(gòu)，6為保護(hù)層。
具體實(shí)施方式參照圖l，為本實(shí)用新型的整流二極管，硅晶片1的兩側(cè)面均設(shè)有焊片2，各焊片上 固定一個導(dǎo)電體3，硅晶片以及固定有導(dǎo)電體的焊片通過環(huán)氧樹脂4所包覆，所述硅晶片為 大于四邊以上的多邊型體，本實(shí)施例中，硅晶片為正六邊形的硅晶片。多邊型體的硅晶片1的各條邊上形成有向硅晶片兩側(cè)面的凸出結(jié)構(gòu)5，凸出結(jié)構(gòu)為從硅晶片本體向兩側(cè)形成的 弧形的延伸體，凸出結(jié)構(gòu)的材料與硅晶片的材料一致。凸出結(jié)構(gòu)5的厚度為3-5mm。凸出結(jié) 構(gòu)的表面設(shè)有保護(hù)層6。
權(quán)利要求整流二極管，硅晶片的兩側(cè)面均設(shè)有焊片，各焊片上固定一個導(dǎo)電體，硅晶片以及固定有導(dǎo)電體的焊片通過環(huán)氧樹脂所包覆，其特征在于所述硅晶片為大于四邊以上的多邊型體，該多邊型體的硅晶片的各條邊上形成有向硅晶片兩側(cè)面的凸出結(jié)構(gòu)，凸出結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有保護(hù)層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流二極管，其特征在于所述凸出結(jié)構(gòu)為弧形的延伸體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的整流二極管，其特征在于所述凸出結(jié)構(gòu)的厚度為3—5mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種整流二極管，硅晶片的兩側(cè)面均設(shè)有焊片，各焊片上固定一個導(dǎo)電體，硅晶片以及固定有導(dǎo)電體的焊片通過環(huán)氧樹脂所包覆，所述硅晶片為大于四邊以上的多邊型體，該多邊型體的硅晶片的各條邊上形成有向硅晶片兩側(cè)面的凸出結(jié)構(gòu)，凸出結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有保護(hù)層。本實(shí)用新型有利于提高導(dǎo)通電壓以及散熱性能好的整流二極管。
文檔編號H01L29/861GK201540895SQ20092004921
公開日2010年8月4日 申請日期2009年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月21日
發(fā)明者周哲 申請人:周哲