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      系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器的制作方法

      文檔序號(hào):7190695閱讀:346來源:國知局
      專利名稱:系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器。
      背景技術(shù)
      隨著電子產(chǎn)品功能與應(yīng)用快速增加,封裝技術(shù)亦朝著高密度、微小型、多晶片 及三維尺度等方向發(fā)展,因此出現(xiàn)了所謂晶圓級(jí)封裝(waferlevel package)、三維封裝 (three-D package)、多晶片封裝(multi-chippackage, MCP)禾口系統(tǒng)級(jí)封裝(System In Package, SIP)等超高密度的封裝結(jié)構(gòu)。其中,最佳狀態(tài)是在一個(gè)硅晶片內(nèi),能將所有集成 電路容納進(jìn)去,即所謂的系統(tǒng)化晶片(system on chip, S0C),但要制造此種S0C,其制程頗 為復(fù)雜,產(chǎn)能無法提升,且良率下降及成本上升。 因此,近來一種將數(shù)個(gè)構(gòu)成SOC的電路裝置,設(shè)置成一個(gè)一個(gè)的集成電路晶片,再
      將這些集成電路晶片安裝在一個(gè)封裝模組的SIP技術(shù),便受到業(yè)者的重視。 SIP由于具備異質(zhì)整合特性,被廣泛應(yīng)用在各種微小化需求上,加上高密度與高傳
      輸?shù)母唠A封裝制程,讓IC在輕薄短小之余,仍可擁有更強(qiáng)大效能,同時(shí)SiP提供了不同半導(dǎo)
      體制程技術(shù)以及不同功能晶片的整合封裝方式,更拓展SiP應(yīng)用層面,因此常用于開發(fā)需
      要整合大量記憶體,時(shí)間短,量小但多樣化的產(chǎn)品,如數(shù)字相機(jī)、MP3 Player、PND等,甚至連
      手機(jī)等通訊產(chǎn)品也可運(yùn)用SiP搶占市場(chǎng)。 故與SOC技術(shù)相比,SIP具有體積小、高頻、高速、短生產(chǎn)周期與低成本的優(yōu)點(diǎn),并 可將不同功能的晶片,例如記憶體晶片(DRAM)與邏輯晶片(Logic),整合并封裝于同一封 裝結(jié)構(gòu)內(nèi),相較之下可大幅減少個(gè)別封裝的體積,進(jìn)而使電子產(chǎn)品具高效率與多功能的優(yōu) 點(diǎn),并同時(shí)滿足微型化的需求。況且,此種SIP雖不較具有快閃記憶體晶片的移動(dòng)裝置來得 高階,但隨著容量不斷推升,且其成本較快閃記憶體晶片便宜甚多,因此,已漸漸為市場(chǎng)所 應(yīng)用。 圖1所示,即為現(xiàn)有一種SIP的使用方式,由于目前的SIP記憶模組卡10其體積 比標(biāo)準(zhǔn)USB 2. 0插座13還小,因此為使其能與USB 2. 0插座13電性連接,坊間出現(xiàn)一種寬 度尺寸與USB 2. 0相同的盒體12,可供SIP記憶模組卡10置入,然后再插入U(xiǎn)SB 2. 0插座 13,雖然其厚度(tl)約僅有標(biāo)準(zhǔn)USB 2.0插頭14的一半,但向上的金手指11恰可與該USB 2. 0插座13的下半段槽口形成電性連接而使用,使其猶如一迷你型移動(dòng)碟。 惟查,目前SIP記憶模組卡10的應(yīng)用,除了使用盒體12與USB 2. 0插座13連接 使用外,要不然就是直接以表面接合方式固定在一印刷電路板上,并沒有專用的連接器可 供使用,因此,其使用范圍及應(yīng)用層面即受到局限;故,仍有改善空間。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問題在于,克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷,而提 供一種系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器,使其可依需求將SIP記憶模組卡迅速與電路主機(jī)板 連接使用,達(dá)到使用便捷,并具有增進(jìn)應(yīng)用領(lǐng)域的功效。[0009] 為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)手段包含 —絕緣基體,設(shè)置在一電路板(PCB)表面,其具備一基板,并于基板上分別設(shè)有一
      左側(cè)墻、一右側(cè)墻及一內(nèi)側(cè)墻,據(jù)以形成一外側(cè)呈開口的容置槽,且該基板上配合一系統(tǒng)級(jí)
      封裝(SIP)記憶模組卡的金手指位置,設(shè)有與之對(duì)應(yīng)的四道縱向端子槽; 四支導(dǎo)電金屬端子,分別設(shè)在該端子槽內(nèi),且內(nèi)側(cè)端與該絕緣基體的后側(cè)墻呈固
      定狀,并使該導(dǎo)電金屬端子的內(nèi)側(cè)端與該電路板呈電性連接,再者使其外側(cè)所形成的彈性
      部凸露于該基板表面; —蓋體,配合該絕緣基體的外形,而罩蓋在該左、右側(cè)墻及內(nèi)側(cè)墻上,據(jù)以構(gòu)成一 可供系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)記憶模組卡插入呈電性導(dǎo)通的專用連接器。 本實(shí)用新型的有益效果是,使其可依需求將SIP記憶模組卡迅速與電路主機(jī)板連 接使用,達(dá)到使用便捷,并具有增進(jìn)應(yīng)用領(lǐng)域的功效。

      [0014]
      以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。圖1是現(xiàn)有SIP使用的示意圖。圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的分解立體圖。圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的組合立體圖。圖4是圖3所示4-4斷面剖視圖。圖5是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的立體示意圖,其顯示滑塊在外端。圖6是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的俯視部分剖視圖。圖6A是圖6所示6A-6A斷面剖視圖。圖7是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的立體示意圖,其顯示滑塊內(nèi)移。圖8是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的俯視部分剖視圖。圖8A是圖8中8A-8A斷面剖視圖。圖中標(biāo)號(hào)說明20絕緣基體21基板22左側(cè)墻23右側(cè)墻231滑槽24內(nèi)側(cè)墻241凸柱242定位孔25容置槽26端子槽 27裝設(shè)槽28卡制凸塊29凸體30導(dǎo)電金屬端子[0040]31內(nèi)側(cè)端32彈性部40蓋體41舌片42左側(cè)片43右側(cè)片44沖孔45接地片50電路板51凹孔60退卡裝置61滑塊62彈簧63 口字去掉下面一橫型桿631外端部632內(nèi)端部611滑軌曲道612橫向推臂613容置容間614第一定位部615第二定位部70連接器
      具體實(shí)施方式首先,請(qǐng)參閱圖2 圖4所示,本實(shí)用新型第一實(shí)施例包含有 —絕緣基體20,設(shè)置在一電路板50表面,其具備一基板21,并于基板21上分別設(shè) 有一左側(cè)墻22、一右側(cè)墻23及一內(nèi)側(cè)墻24,據(jù)以形成一外側(cè)呈開口的容置槽25,且該基板 21上配合一系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)記憶模組卡10的金手指11位置,設(shè)有與之對(duì)應(yīng)的四道縱向 端子槽26。 本實(shí)施例中所揭示的SIP記憶模組卡10,其尺寸約在長(zhǎng)24.8X寬11.3X厚 1. 4mm,因此該容置槽25的寬度約為11. 4mm,以讓SIP記憶模組卡10嵌入,至于長(zhǎng)度則較無 限定,只要足夠?qū)щ娊饘俣俗友b設(shè)即可。此外,絕緣基體20底面設(shè)有一凸體29,可套入該電 路板50的凹孔51內(nèi),以達(dá)定位之用。 四支導(dǎo)電金屬端子30,分別設(shè)在前述端子槽26內(nèi),其可與該絕緣基體20 —體射出 成型,但不限于此;亦即其可于絕緣基體20射出成型后,再將導(dǎo)電金屬端子30以機(jī)具裝設(shè) 在端子槽26內(nèi)。然,無論是一體成型或機(jī)具裝設(shè),該等導(dǎo)電金屬端子30的內(nèi)側(cè)端31與該 絕緣基體20的內(nèi)側(cè)墻24呈固定狀,并與該電路板50呈電性連接,再者其外側(cè)所形成的彎 折彈性部32凸露于基板21表面。 —蓋體40,配合該絕緣基體20的外形而罩蓋在左、右側(cè)墻22、23及內(nèi)側(cè)墻24上,
      5據(jù)以構(gòu)成一可供SIP記憶模組卡10插入呈電性導(dǎo)通的專用連接器70。 本實(shí)施例中,該蓋體40由金屬片所沖壓成型,但不限定于此;再者,該絕緣基體20 的內(nèi)側(cè)墻24頂面包括設(shè)有一橫向凹入的裝設(shè)槽27,且該左、右側(cè)墻22、23的外表面設(shè)有 二個(gè)卡制凸塊28 ;再者,該蓋體40內(nèi)側(cè)底緣相對(duì)于該裝設(shè)槽27,設(shè)有一可嵌入定位的舌片 41,又其左、右側(cè)相對(duì)于該左、右側(cè)墻22、23,設(shè)有向下彎折的左、右側(cè)片42、43,且該左、右 側(cè)片42、43相對(duì)于該卡制凸塊28,設(shè)有能與其扣合的沖孔44。又,該蓋體42的左、右側(cè)片 42、43底緣包括有向外彎折延伸的接地片45。 請(qǐng)參閱圖5 圖8本實(shí)用新型第二實(shí)施例所示,其是延續(xù)第一實(shí)施例的特征,故相
      同結(jié)構(gòu)以相同圖號(hào)表示,其差異性在于該絕緣基體20于該左、右側(cè)墻22、23其中任一內(nèi)
      側(cè),設(shè)有一滑槽231,且該滑槽231上設(shè)有一 (Push-Push)退卡裝置60,其包括有 —滑塊61,可于該滑槽231上縱向位移,其外端上表面有一個(gè)二段式滑軌曲道
      611,且該滑塊61內(nèi)端向內(nèi)延伸設(shè)有一橫向推臂612; —彈簧62,設(shè)在該滑槽231的內(nèi)側(cè)面與該滑塊61內(nèi)端之間; —口字去掉下面一橫型桿63,其外端部631定位在該滑槽231外側(cè)的定位孔242 上,其內(nèi)端部632位于該滑塊61上所設(shè)的二段式滑軌曲道611內(nèi),以隨著滑塊61的移動(dòng), 令該內(nèi)端部632在該二段式滑軌曲道611內(nèi),依預(yù)定軌跡滑移,使該SIP記憶模組卡10進(jìn) 行插卡或退卡動(dòng)作時(shí),得以定位或退出該連接器70。且,該滑塊61內(nèi)端供該彈簧62設(shè)置的 位置,包括設(shè)有凹形容置空間613,且該滑槽231的內(nèi)側(cè)面包括設(shè)有一供該彈簧62定位的縱 向凸柱241。 基于上述構(gòu)成,本實(shí)施例中,該退卡裝置60設(shè)在右側(cè)墻23的內(nèi)緣面,但不限定于 此,亦即也可設(shè)在左側(cè)墻22內(nèi)緣面。而本實(shí)用新型第二實(shí)施例利用此一退卡裝置60,當(dāng)SIP 記憶模組卡10插入容置槽25時(shí),如圖6所示,其前端頂?shù)衷摍M向推臂612,進(jìn)而帶動(dòng)滑塊61 向內(nèi)位移,此時(shí)該口字去掉下面一橫型桿63的內(nèi)端部632由該滑軌曲道611的第一定位部 614位移至如圖8及圖8A所示的第二定位部615,使得滑塊61被定位在此一位置。且該口 字去掉下面一橫型桿63被該蓋體40的彈片46所壓制,而可順利在滑軌曲道611上滑移, 而不會(huì)脫落。 進(jìn)一步,當(dāng)再按推壓SIP模組卡10時(shí),因口字去掉下面一橫型桿63的內(nèi)端部632 會(huì)脫離該滑軌曲道611的第二定位部615,于是,該滑塊61借由彈簧62的恢復(fù)力,而退出至 圖6所示的位置,順利將SIP記憶模組卡IO退出。至于,該二段式滑軌曲道611的形體及 軌跡,屬現(xiàn)有技術(shù),容不贅述。 本實(shí)用新型借助上述技術(shù)特征,使其可依需求將SIP記憶模組卡10迅速且方便與
      電路板50連接使用,改善現(xiàn)有SIP僅能以表面接合方式與電路板接合或配合其他連接介面
      而與USB 2. 0插座電性連接的缺點(diǎn),進(jìn)而達(dá)到使用便捷并增進(jìn)應(yīng)用層面的目的。 以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上
      的限制,凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與
      修飾,均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。 綜上所述,本實(shí)用新型在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、使用實(shí)用性及成本效益上,完全符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展 所需,且所揭示的結(jié)構(gòu)亦是具有前所未有的創(chuàng)新構(gòu)造,具有新穎性、創(chuàng)造性、實(shí)用性,符合有 關(guān)新型專利要件的規(guī)定,故依法提起申請(qǐng)。
      權(quán)利要求一種系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器,其特征在于,包含一絕緣基體,設(shè)置在一電路板表面,其具備一基板,并于該基板上分別設(shè)有一左側(cè)墻、一右側(cè)墻及一內(nèi)側(cè)墻,據(jù)以形成一外側(cè)呈開口的容置槽,且該基板上配合一系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡的金手指位置,設(shè)有與之對(duì)應(yīng)的四道縱向端子槽;四支導(dǎo)電金屬端子,分別設(shè)在該端子槽內(nèi),且內(nèi)側(cè)端與該絕緣基體的內(nèi)側(cè)墻呈固定狀,并使該導(dǎo)電金屬端子的內(nèi)側(cè)端與該電路板呈電性連接,再者使其外側(cè)所形成的彈性部凸露于該基板表面;一蓋體,配合該絕緣基體的外形,而罩蓋在該左、右側(cè)墻及內(nèi)側(cè)墻上,據(jù)以構(gòu)成一可供該系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡插入呈電性導(dǎo)通的專用連接器。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器,其特征在于所述絕緣基體 的內(nèi)側(cè)墻頂面包括設(shè)有一橫向凹入的裝設(shè)槽,且該左、右側(cè)墻的外表面設(shè)有二個(gè)卡制凸塊; 再者,該蓋體內(nèi)側(cè)底緣相對(duì)于該裝設(shè)槽,設(shè)有一可嵌入定位的舌片,又其左、右側(cè)相對(duì)于該 左、右側(cè)墻,設(shè)有向下彎折的左、右側(cè)片,且該左、右側(cè)片相對(duì)于該卡制凸塊,設(shè)有能與其扣 合的沖孔。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器,其特征在于所述蓋體的左、 右側(cè)片底緣包括有向外彎折延伸的接地片。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器,其特征在于所述絕緣基體 于該左、右側(cè)墻其中任一內(nèi)側(cè),設(shè)有一滑槽,且該滑槽上設(shè)有一 (Push-Push)退卡裝置,其 包括一滑塊,可于該滑槽上縱向位移,其外端上表面有一個(gè)二段式滑軌曲道,且該滑塊內(nèi)端 向內(nèi)延伸設(shè)有一橫向的推臂;一彈簧,設(shè)在該滑槽的內(nèi)側(cè)面與該滑塊內(nèi)端之間;一 口字去掉下面一橫型桿,其外端部定位在該滑槽外側(cè)的定位孔上,其內(nèi)端部位于該 滑塊上所設(shè)的二段式滑軌曲道內(nèi),以隨著滑塊的移動(dòng),令該內(nèi)端部在該二段式滑軌曲道內(nèi), 依預(yù)定軌跡滑移,使該SIP記憶模組卡進(jìn)行插卡或退卡動(dòng)作時(shí),得以定位或退出該連接器。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器,其特征在于所述滑塊內(nèi)端 供該彈簧設(shè)置的位置,包括設(shè)有凹形容置空間,且該滑槽的內(nèi)側(cè)面包括設(shè)有一供該彈簧定 位的縱向凸柱。
      專利摘要一種系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡連接器,包含一絕緣基體,設(shè)置在一電路板表面,其具備一基板,并于基板上分別有一左側(cè)墻、一右側(cè)墻及一內(nèi)側(cè)墻,以形成一外側(cè)呈開口的容置槽,基板上配合一系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡的金手指位置,設(shè)有與之對(duì)應(yīng)的四道縱向端子槽;四支導(dǎo)電金屬端子分別設(shè)在端子槽內(nèi),且內(nèi)側(cè)端與絕緣基體的內(nèi)側(cè)墻呈固定狀,導(dǎo)電金屬端子的內(nèi)側(cè)端與電路板呈電性連接,使其外側(cè)形成的彈性部凸露于基板表面;一蓋體配合絕緣基體的外形,罩蓋在左、右側(cè)墻及內(nèi)側(cè)墻上,構(gòu)成一供系統(tǒng)級(jí)封裝記憶模組卡插入呈電性導(dǎo)通的專用連接器。本實(shí)用新型使其可依需求將SIP記憶模組卡迅速與電路主機(jī)板連接使用,達(dá)到使用便捷,并具有增進(jìn)應(yīng)用領(lǐng)域的功效。
      文檔編號(hào)H01R12/71GK201508936SQ20092009859
      公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月3日
      發(fā)明者劉振亞 申請(qǐng)人:劉振亞
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