專利名稱：臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體芯片，尤其是涉及一種臺(tái)面型玻璃鈍化二 極管芯片。
背景技術(shù)：
目前，業(yè)內(nèi)通常采用的臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片的玻璃鈍化方法是 采用刮涂法。其主要方法是將玻璃液刮入芯片溝槽內(nèi)，烘干后進(jìn)行燒結(jié)， 再次將玻璃液刮入芯片溝槽內(nèi)，烘干后進(jìn)行燒結(jié)而成。按上述方法形成的
玻璃為PN結(jié)處較薄，溝槽底部較厚，影響高壓材料的耐壓性能，也降低了 芯片的切割速度。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種耐壓高、可靠性穩(wěn)定的臺(tái)面型玻璃4屯化 二極管芯片。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了以下技術(shù)方案 臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片，包括采用不同的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體 和N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上而在其交界面形成的PN結(jié)。以及 位于臺(tái)面?zhèn)缺诎苍赑N結(jié)外部的鈍化玻璃層。其中，玻璃鈍化層位于PN 結(jié)位置附近的剖面厚度大于玻璃鈍化層位于溝槽底部附近的剖面厚度。
進(jìn)一步，玻璃鈍化層的剖面厚度從PN結(jié)位置附近到溝槽底部位置附近 從大到小呈曲線形的平滑變化。本實(shí)用新型由于采用了上述^t支術(shù)方案，與現(xiàn)有凈支術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)
一、 PN結(jié)周圍玻璃鈍化層較厚，有效提高芯片的耐壓以及可靠性；
二、 芯片溝槽底部玻璃鈍化層較薄，有利于提升芯片切割速率。


圖l是本實(shí)用新型臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述 如圖所示，本實(shí)用新型臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片1，包括采用不同 的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上而在其 交界面形成的PN結(jié)3。以及位于臺(tái)面?zhèn)缺诎苍赑N結(jié)外部的鈍化玻璃層。 其中，玻璃鈍化層在位于PN結(jié)位置附近2的剖面厚度大于位于溝槽底部附 近4的剖面厚度。本實(shí)施例中，玻璃鈍化層的剖面厚度從PN結(jié)位置附近2 到溝槽底部的位置附近4是從大到小呈線形平滑變化的。
如圖所示，PN結(jié)3附近的玻璃厚，溝槽底部4的玻璃薄。采用這種結(jié) 構(gòu)的臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片，在工業(yè)生產(chǎn)中能有效提高芯片的耐壓值 以及可靠性，并能提升芯片切割的速率。
權(quán)利要求1.一種臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片，包括采用不同的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上而在其交界面形成的PN結(jié)；以及位于臺(tái)面?zhèn)缺诎苍赑N結(jié)外部的鈍化玻璃層；其特征在于所述玻璃鈍化層位于所述PN結(jié)位置附近的剖面厚度大于所述玻璃鈍化層位于所述溝槽底部附近的剖面厚度。
2. 如權(quán)利要求1所述臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片，其特征在于所述玻 璃鈍化層的剖面厚度從所述PN結(jié)位置附近到所述溝槽底部位置附近從大 到小呈曲線形的平滑變化。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種臺(tái)面型玻璃鈍化二極管芯片。它包括芯片，臺(tái)面?zhèn)缺阝g化玻璃層，其玻璃鈍化層具有在PN結(jié)附近較厚、在溝槽底部較薄的特點(diǎn)。本實(shí)用新型具有耐壓高，可靠性好，有利于芯片切割等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L29/861GK201413826SQ20092012010
公開日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2009年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月21日
發(fā)明者潘蔡軍 申請(qǐng)人:紹興旭昌科技企業(yè)有限公司