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      使用超薄四方扁平及管腳微縮結(jié)構(gòu)封裝的集成電路的制作方法

      文檔序號(hào):7192952閱讀:221來源:國(guó)知局
      專利名稱:使用超薄四方扁平及管腳微縮結(jié)構(gòu)封裝的集成電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及集成電路的技術(shù)領(lǐng)域,特別與一種使用超薄四方 扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的集成電路有關(guān),適用于需使用微縮封裝集成 電路的各類便攜式電子產(chǎn)品如手機(jī),多媒體播放器,筆記本電腦等其 它產(chǎn)品。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有技術(shù)中,微縮封裝集成電路采用的是晶圓級(jí)封裝工藝,如圖
      l至圖4所示,此封裝主要由表面保護(hù)層10、晶粒功能層20和管腳 30組成。其中,表面保護(hù)層10—般采用聚酰亞胺(Polyimide, PI) 類材料;晶粒功能層20由硅材料構(gòu)成;管腳30 —般采用含錫量高的 金屬球。
      現(xiàn)有產(chǎn)品的缺點(diǎn)如下 (1)成本高。如圖4所示,為了搭配現(xiàn)有各類便攜式電子產(chǎn)品 主板上的焊墊方陣,此產(chǎn)品要求配套的內(nèi)部集成電路必須做到相應(yīng)大 小(如1.5X1.5mm, 2.0X2.0等等),由于結(jié)構(gòu)的局限,目前必須 使用同樣面積大小的晶粒,但是從目前電路設(shè)計(jì)能力來看,約l/4大 小的區(qū)域就足夠能實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有的產(chǎn)品電性功能,3/4的面積可不需要使 用即可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品電性功能,晶粒是按照面積來計(jì)算成本的,這樣就大 大增加了產(chǎn)品成本。(2) 生產(chǎn)周期長(zhǎng)。目前的產(chǎn)品使用了類似晶圓制造技術(shù),多采 用光罩和金屬濺射的工藝來連接晶粒的電路和外圍的管腳30,生產(chǎn) 流程繁瑣,如圖5所示,標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)周期約在15天左右。
      (3) 技術(shù)壁壘。如圖5所示,由于國(guó)外一些知名的公司例如TI, 開發(fā)此結(jié)構(gòu)比較早,對(duì)于濺射球下金屬UBM (Under Ball Metal)設(shè) 置了很多專利壁壘,這樣在國(guó)內(nèi)就很難進(jìn)行產(chǎn)品擴(kuò)張,成本居高不下。 同時(shí)如流程所示,至"切割"工序前都是采用晶圓級(jí)技術(shù),例如"光 刻出新焊盤窗口","印字",這就導(dǎo)致了對(duì)于制造設(shè)備精度要求非 常高,只有少數(shù)的幾家國(guó)外公司能提供加工設(shè)備,從而新設(shè)備壁壘而 其投資額很大,目前國(guó)內(nèi)只有江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司(Jiangyin Changdian Advanced Packaging Co. , Ltd.)—條生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)能 力。
      (4) 產(chǎn)品對(duì)使用環(huán)境要求苛刻。如圖1所示,由于晶粒功能層 20 (硅材料構(gòu)成)直接裸露來外面,硅材料比較脆,在實(shí)際使用過程 中容易產(chǎn)生邊緣崩缺和表面電路劃傷、掉球等。
      基于上述現(xiàn)有產(chǎn)品存在的缺點(diǎn),本發(fā)明對(duì)微縮封裝集成電路的結(jié) 構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),本案由此產(chǎn)生。

      實(shí)用新型內(nèi)容
      本實(shí)用新型目的在于提供一種使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu) 封裝的集成電路,以降低成本,縮短生產(chǎn)周期,簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝避開技 術(shù)壁壘,解決產(chǎn)品品質(zhì)缺陷。
      為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案為-使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的集成電路,包括晶粒功能層、粘合材料、金線、引線框、管腳和環(huán)氧樹脂,晶粒功能層疊置在 粘合材料上,引線框布設(shè)在粘合材料的下方及周圍,管腳位于引線框 下方并與引線框連通,通過引線框把中間區(qū)域的至少一個(gè)管腳與四周 邊側(cè)至少一個(gè)管腳連通起來,金線連接晶粒功能層和引線框,環(huán)氧樹 脂將晶粒功能層、粘合材料、金線、引線框和管腳封裝在一起,且管 腳的接線部位暴露在環(huán)氧樹脂外。
      其中,所述管腳中設(shè)有一個(gè)校驗(yàn)管腳,該校驗(yàn)管腳暴露的部位形 狀與其它管腳不同。
      所述引線框側(cè)面呈上大下小的倒梯形。
      所述引線框與其下方的管腳一體成型。
      本實(shí)用新型采用了超薄四方扁平封裝UTQFN (Utra Thin Qual Flat No-Lead)和引腳上封裝COL (Chip on Lead)技術(shù),使得中間 區(qū)域的至少一個(gè)管腳得以透過引線框的導(dǎo)腳和焊線工藝與四周邊側(cè) 的至少一個(gè)管腳連通,進(jìn)而通過金線連接到晶粒的電路上。
      本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)
      (1) 降低成本。本實(shí)用新型通過環(huán)氧樹脂封裝能實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有產(chǎn) 品同樣大小,通過布設(shè)用于連接管腳的引線框能實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有產(chǎn)品同樣 位置的管腳功能,但晶粒的大小卻小了很多,這樣就大大降低了產(chǎn)品 成本。
      (2) 縮短生產(chǎn)周期。由于采用的是焊線工藝,標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)周期 只需要5天即可。
      (3) 簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝避開技術(shù)壁壘。由于采用的是傳統(tǒng)而且主流 的焊線工藝,而且是單晶粒作業(yè),對(duì)于封裝設(shè)備精度要求不高,設(shè)備 投資較小而且沒有專利技術(shù)壁壘,有利于快速具備批量生產(chǎn)能力。
      (4) 解決產(chǎn)品品質(zhì)缺陷。由于采用了傳統(tǒng)的封裝工藝,晶粒的外圍由環(huán)氧樹脂包裹,就不存在由于晶粒裸露在外而產(chǎn)生的品質(zhì)缺
      陷。特別是采用UTQFN的"Pull Back"工藝,將引線框設(shè)計(jì)為側(cè)面 呈上大下小的倒梯形,也解決了管腳容易脫落的問題。


      圖1是現(xiàn)有微縮封裝集成電路的立體示意圖一; 圖2是現(xiàn)有微縮封裝集成電路的立體示意圖二; 圖3是現(xiàn)有微縮封裝集成電路的側(cè)視圖; 圖4是現(xiàn)有微縮封裝集成電路的仰視圖; 圖5是現(xiàn)有微縮封裝集成電路的生產(chǎn)工藝流程圖; 圖6是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖7是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的立體示意圖一; 圖8是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的立體示意圖二; 圖9是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的仰視圖; 圖IO是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的側(cè)剖圖11是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例與現(xiàn)有微縮封裝集成電路的等比 例比較圖12是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例引線框、管腳和環(huán)氧樹脂的位置 示意圖。
      具體實(shí)施方式
      如圖6至圖10所示,此為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例。 使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的1.5mmX 1.5mm集成電
      6路,包括晶粒功能層l、粘合材料4、金線2、引線框5、管腳6和環(huán) 氧樹脂3。
      其中,晶粒功能層1疊置在粘合材料4上,通過粘合材料4將晶 粒功能層1固定于引線框5上方。粘合材料4可以選擇不導(dǎo)電粘合材 料例如ABLEC0AT8006NS ,也可以選擇導(dǎo)電的粘合材料例如 CRM-1076WA, EN4900GC。
      引線框5布設(shè)在粘合材料4的下方及周圍。具體布設(shè)位置可與現(xiàn) 有產(chǎn)品的管腳對(duì)應(yīng),以使所連接的管腳6具有與現(xiàn)有產(chǎn)品同樣位置的 管腳功能。本實(shí)施例還將引線框5設(shè)計(jì)成側(cè)面呈上大下小的倒梯形, 如圖12所示,其作用是卡住管腳6及散熱片,防止管腳6及散熱片 掉下去,此工藝稱為Pull Back工藝。
      管腳6位于引線框5下方并與引線框5連通。本實(shí)施例中引線框 5與其下方的管腳6是一體成型(本實(shí)用新型也可以采用分體成型)。 在本實(shí)用新型中,使用了引腳上封裝COL (Chip on Lead)技術(shù),使 得中間的管腳61得以透過引線框5與四周邊側(cè)至少一個(gè)管腳6連通 并進(jìn)而通過金線2連接到晶粒的電路上。金線2連接晶粒功能層1和 引線框5。當(dāng)然,對(duì)具備多個(gè)中間管腳的產(chǎn)品而言,根據(jù)設(shè)計(jì)要求, 通過該工藝均使得其中間區(qū)域至少一個(gè)管腳與周邊至少一個(gè)管腳連 通起來,進(jìn)而通過金線連接到晶粒功能層的電路上,如對(duì)應(yīng)16個(gè)管 腳,其中間區(qū)域?yàn)樗膫€(gè)管腳,對(duì)應(yīng)20個(gè)管腳,其中間區(qū)域?yàn)榱鶄€(gè)管 腳等等。15960200161
      為了便于產(chǎn)品安裝在電子產(chǎn)品上時(shí)能夠快速、準(zhǔn)確地定位第一管 腳,本實(shí)施例管腳6中還設(shè)有一個(gè)校驗(yàn)管腳61,該校驗(yàn)管腳61暴露 的接線部位形狀與其它管腳6不同,本實(shí)施例中采用半圓結(jié)構(gòu),見圖 9,當(dāng)然,校驗(yàn)管腳61還可以是其它可指示第一管腳位置的形狀,在此不一一贅述。
      環(huán)氧樹脂3將晶粒功能層1、粘合材料4、金線2、引線框5和 管腳6封裝在一起,且管腳6的接線部位暴露在環(huán)氧樹脂3外。 圖10中虛線7為產(chǎn)品使用時(shí)的信號(hào)流。
      配合圖ll所示,中間所示為本實(shí)用新型的產(chǎn)品,左邊所示為現(xiàn) 有產(chǎn)品,本實(shí)用新型通過環(huán)氧樹脂3封裝后與現(xiàn)有產(chǎn)品同樣大小,而 且,通過布設(shè)用于連接管腳6的引線框5,本實(shí)用新型能實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有 產(chǎn)品同樣位置的管腳功能,但是,如圖11右邊所示,本實(shí)用新型晶 粒的大小卻小了很多,這樣就大大降低了產(chǎn)品成本。
      權(quán)利要求1、使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的集成電路,其特征在于包括晶粒功能層、粘合材料、金線、引線框、管腳和環(huán)氧樹脂,晶粒功能層疊置在粘合材料上,引線框布設(shè)在粘合材料的下方及周圍,管腳位于引線框下方并與引線框連通,通過引線框把中間區(qū)域的至少一個(gè)管腳與四周邊側(cè)至少一個(gè)管腳連通起來,金線連接晶粒功能層和引線框,環(huán)氧樹脂將晶粒功能層、粘合材料、金線、引線框和管腳封裝在一起,且管腳的接線部位暴露在環(huán)氧樹脂外。
      2、 如權(quán)利要求1所述使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的集 成電路,其特征在于所述管腳中設(shè)有一個(gè)校驗(yàn)管腳,該校驗(yàn)管腳暴 露的部位形狀與其它管腳不同。
      3、 如權(quán)利要求1所述使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的集 成電路,其特征在于所述引線框側(cè)面呈上大下小的倒梯形。
      4、 如權(quán)利要求1所述使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的集 成電路,其特征在于所述引線框與其下方的管腳一體成型。
      專利摘要本實(shí)用新型公開一種使用超薄四方扁平及管腳微結(jié)構(gòu)封裝的集成電路,包括晶粒功能層、粘合材料、金線、引線框、管腳和環(huán)氧樹脂,晶粒功能層疊置在粘合材料上,引線框布設(shè)在粘合材料的下方及周圍,管腳位于引線框下方并與引線框連通,通過引線框把中間區(qū)域的至少一個(gè)管腳與四周邊側(cè)至少一個(gè)管腳連通起來,金線連接晶粒功能層和引線框,環(huán)氧樹脂將晶粒功能層、粘合材料、金線、引線框和管腳封裝在一起,且管腳的接線部位暴露在環(huán)氧樹脂外。此結(jié)構(gòu)可以降低成本,縮短生產(chǎn)周期,簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝避開技術(shù)壁壘,解決產(chǎn)品品質(zhì)缺陷。
      文檔編號(hào)H01L23/13GK201430137SQ20092013716
      公開日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2009年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月13日
      發(fā)明者山 關(guān), 曹福兵 申請(qǐng)人:矽恩微電子(廈門)有限公司
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