專利名稱：一種溫度補(bǔ)償衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種微波射頻領(lǐng)域內(nèi)使用的標(biāo)準(zhǔn)元器件，尤其涉及一種溫度補(bǔ)償
衰減片。
背景技術(shù)：
高頻及微波有源器件的溫度特性會(huì)跟隨外圍環(huán)境溫度的變化產(chǎn)生漂移，如高頻及 微波功率放大器，其增益會(huì)跟隨溫度的變化而變化，功率放大器的輸出功率也相應(yīng)地發(fā)生 變化，進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的特性指標(biāo)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于高頻及微波領(lǐng)域中的溫度補(bǔ)償衰減片。 本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為一種溫度補(bǔ)償衰減片，包括陶瓷基體；導(dǎo)體漿 料形成的輸入端、輸出端和接地端連接在所述陶瓷基體上；電阻漿料形成的膜狀電阻包括 第一、第二和第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻電連接于所述輸入端和輸出端之間，所述第 二膜狀電阻電連接于所述輸入端和接地端之間，所述第三膜狀電阻電連接于所述輸出端和 接地端之間；所述膜狀電阻上連接有介質(zhì)漿料形成的封蓋層。 優(yōu)選地，所述第一膜狀電阻與所述輸入端和輸出端為面接觸；所述第二膜狀電阻 與所述輸入端和接地端之間為面接觸；所述第三膜狀電阻與所述輸出端和接地端之間為面 接觸。 優(yōu)選地，所述輸入端和輸出端均有兩條相交的直角邊與所述陶瓷基體的外邊緣平 齊，所述接地端有三條直角邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊。 優(yōu)選地，所述第一、第二和第三膜狀電阻均有一條邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊。 優(yōu)選地，所述第一、第二和第三膜狀電阻之間彼此不相接觸。 優(yōu)選地，所述第一膜狀電阻與第二和第三膜狀電阻的溫度系數(shù)相反。 本實(shí)用新型的有益效果為利用電阻漿料形成的膜狀電阻，形成一種寬頻帶的衰
減量隨溫度變化而變化的溫度補(bǔ)償衰減片，通過將該溫度補(bǔ)償衰減片接入高頻或者微波有
源電路中，可以補(bǔ)償由于溫度變化而帶來的高頻或者微波有源器件的增益的變動(dòng)，可以在
溫度變化較大的環(huán)境內(nèi)保證高頻或者微波有源器件的頻率特性。

圖1為本實(shí)用新型所述溫度補(bǔ)償衰減片的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本實(shí)用新型所述溫度補(bǔ)償衰減片的內(nèi)部連接關(guān)系示意圖； 圖3為本實(shí)用新型所述溫度補(bǔ)償衰減片的封蓋層的位置關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施方式現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)的說明。[0015] —種溫度補(bǔ)償衰減片，如圖l所示，包括陶瓷基體4。導(dǎo)體漿料形成的連接端3包 括如圖2所示的輸入端31、輸出端31和接地端33，連接端3連接在所述陶瓷基體4上。電 阻漿料形成的膜狀電阻2包括如圖2所示的第一膜狀電阻21、第二膜狀電阻23和第三膜狀 電阻22，所述第一膜狀電阻21電連接于所述輸入端32和輸出端31之間，所述第二膜狀電 阻23電連接于所述輸入端32和接地端33之間，所述第三膜狀電阻22電連接于所述輸出 端31和接地端33之間。所述膜狀電阻3上連接有介質(zhì)漿料形成的封蓋層1。 如圖2所示，所述第一膜狀電阻21與所述輸入端32和輸出端31可以為面接觸； 所述第二膜狀電阻23與所述輸入端32和接地端33之間可以為面接觸；所述第三膜狀電阻 22與所述輸出端31和接地端33之間可以為面接觸。 如圖2所示，所述輸入端32和輸出端31可以均有兩條相交的直角邊與所述陶瓷
基體4的外邊緣平齊，所述接地端33可以有三條直角邊與所述陶瓷基體4的外邊緣平齊，
在輸入端32、輸出端31和接地端33在陶瓷基體4上形成一個(gè)倒"T"形間隙。 所述第一膜狀電阻21、第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22之間彼此不相接觸，即
不相連通。 所述第一膜狀電阻21、第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22可以均有一條邊與所 述陶瓷基體4的外邊緣平齊。 所述第一膜狀電阻21與第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22的溫度系數(shù)相反，如 第一膜狀電阻21為負(fù)溫度系數(shù)，而第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22為正溫度系數(shù)，如 此可以提供較強(qiáng)的隔離度。 如圖3所示，所述封蓋層1可以完全覆蓋所述的膜狀電阻2，起到保護(hù)作用，而輸入 端32、輸出端31和接地端33均有一部分裸露在外。 綜上所述僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例，并非用來限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍。 即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化及修飾，皆應(yīng)屬于本實(shí)用新型的技 術(shù)范疇。
權(quán)利要求一種溫度補(bǔ)償衰減片，包括陶瓷基體；其特征在于，導(dǎo)體漿料形成的輸入端、輸出端和接地端連接在所述陶瓷基體上；電阻漿料形成的膜狀電阻包括第一、第二和第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻電連接于所述輸入端和輸出端之間，所述第二膜狀電阻電連接于所述輸入端和接地端之間，所述第三膜狀電阻電連接于所述輸出端和接地端之間；所述膜狀電阻上連接有介質(zhì)漿料形成的封蓋層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度補(bǔ)償衰減片，其特征在于所述第一膜狀電阻與所 述輸入端和輸出端為面接觸；所述第二膜狀電阻與所述輸入端和接地端之間為面接觸；所 述第三膜狀電阻與所述輸出端和接地端之間為面接觸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度補(bǔ)償衰減片，其特征在于所述輸入端和輸出端均 有兩條相交的直角邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊，所述接地端有三條直角邊與所述陶瓷 基體的外邊緣平齊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種溫度補(bǔ)償衰減片，其特征在于所述第一、第二和第三膜 狀電阻均有一條邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度補(bǔ)償衰減片，其特征在于所述第一、第二和第三膜 狀電阻之間彼此不相接觸。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的一種溫度補(bǔ)償衰減片，其特征在于所述第一膜 狀電阻與第二和第三膜狀電阻的溫度系數(shù)相反。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種溫度補(bǔ)償衰減片，屬于微波射頻領(lǐng)域內(nèi)使用的標(biāo)準(zhǔn)元器件，包括陶瓷基體；導(dǎo)體漿料形成的輸入端、輸出端和接地端連接在所述陶瓷基體上；電阻漿料形成的膜狀電阻包括第一、第二和第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻電連接于所述輸入端和輸出端之間，所述第二膜狀電阻電連接于所述輸入端和接地端之間，所述第三膜狀電阻電連接于所述輸出端和接地端之間；所述膜狀電阻上連接有介質(zhì)漿料形成的封蓋層。本實(shí)用新型所述溫度補(bǔ)償衰減片可以補(bǔ)償由于溫度變化而帶來的高頻或者微波有源器件的增益的變動(dòng)，可以在溫度變化較大的環(huán)境內(nèi)保證高頻或者微波有源器件的頻率特性。
文檔編號(hào)H01P1/22GK201490310SQ20092016329
公開日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月2日
發(fā)明者劉汛 申請(qǐng)人:深圳市禹龍通電子有限公司