專利名稱：陶瓷基大功率紅綠藍(lán)led的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種LED的封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種陶瓷基大功率LED的封裝結(jié) 構(gòu)，屬于照明技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，白光LED(發(fā)光二極管)作為一種新型節(jié)能燈光源，以其能耗低、壽命長、亮 度高、響應(yīng)時間短等優(yōu)點(diǎn)開始得到廣泛的應(yīng)用。大功率白光LED普遍采用藍(lán)色晶片涂敷熒 光粉的方法，當(dāng)熒光粉受藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光，藍(lán)光和黃光混合形成白光。此種方法所帶 來的不足是無法實(shí)現(xiàn)高光效與高顯色性。近來使用RGB(紅、綠、藍(lán))三原色晶片發(fā)出的紅、 綠、藍(lán)三種光混合成白光，但傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)封裝的RGB大功率晶片，又帶來混色不均的缺陷。因 此，提供一種新型封裝結(jié)構(gòu)的紅綠藍(lán)LED解決混色不均的缺陷尤為重要。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種紅綠藍(lán)LED的封裝結(jié)構(gòu)，此種封裝結(jié)構(gòu)能避免傳 統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)存在的混色不均缺陷。 本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn) —種陶瓷基大功率紅綠藍(lán)LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷基板1、紅色晶片2、綠色晶片 3、藍(lán)色晶片4、金線6、散熱熱沉8，電路及反射層10通過蝕刻鍍銀方式設(shè)置在陶瓷基板1之 上，散熱熱沉8位于陶瓷基板1下側(cè)的固晶區(qū)域，所述三種晶片通過金線6分別連接到陶瓷 基板1的電路上；所述陶瓷基板1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7，高導(dǎo)熱銀膠5將紅色 晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體7之中，反射腔 體7內(nèi)注入透明硅膠9覆蓋金線6和所述三種晶片，6只引腳10分別設(shè)置在陶瓷基板1的 邊緣。 本實(shí)用新型的目的還可以通過以下技術(shù)措施進(jìn)一步予以實(shí)現(xiàn) 前述的陶瓷基大功率紅綠藍(lán)LED的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述陶瓷基板l的厚度為 0. 5 lmm，長、寬為3 5mm ;所述陶瓷基板1的導(dǎo)熱率為170w/m. K以上，銀膠5導(dǎo)熱率為 20w/m. K以上。 本實(shí)用新型的有益效果是由于本實(shí)用新型的陶瓷基板分二層壓合形成凹杯形反 射腔體7，紅、綠、藍(lán)晶片側(cè)部所發(fā)出的光通過反射腔體從正向射出，能充分混合紅、綠、藍(lán)三 基色，出光均勻，避免了傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)混光不均勻現(xiàn)象。由于本實(shí)用新型陶瓷基板的導(dǎo)熱率 高達(dá)170w/m.K以上，且陶瓷基板下設(shè)有高導(dǎo)熱率的銅質(zhì)或鋁質(zhì)的散熱熱沉，有利于大功率 晶片的散熱。陶瓷基板熱形變系數(shù)極低，可切割成厚度在0. 5 lmm，長寬在3 5mm的微 小的單個發(fā)光單元，易于實(shí)現(xiàn)微型化。

圖1是本實(shí)用新型的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；[0010] 圖2是圖1的A-A剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。 如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型包括陶瓷基板l、邊長在30mil(lmil = 1/1000英寸 =0. 0254mm)以上的紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4、金線6、散熱熱沉8，電路及反射 層10通過蝕刻鍍銀方式設(shè)置在陶瓷基板1之上，散熱熱沉8位于陶瓷基板1下側(cè)的固晶區(qū) 域，紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4分別用金線6焊接到陶瓷基板1的電路上，6只引腳 10分別設(shè)置在陶瓷基板1的邊緣，分開單獨(dú)控制紅、綠、藍(lán)三種顏色的發(fā)光晶片。陶瓷基板 1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7，紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4側(cè)部所發(fā)出的光 通過反射腔體7從正向射出，能充分混合紅、綠、藍(lán)三基色，出光均勻，混光效果好。高導(dǎo)熱 銀膠5將紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體 7之中，反射腔體7內(nèi)注入透明硅膠9覆蓋金線6和紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4，并 進(jìn)行烘烤固化，紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4三種晶片發(fā)光經(jīng)充分混合形成白光，也 可根據(jù)發(fā)光顏色需求，調(diào)節(jié)紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4三種晶片的驅(qū)動電流，混合 成不同的顏色。 本實(shí)用新型采用的陶瓷基板導(dǎo)熱率高達(dá)170w/m.K以上，銀膠導(dǎo)熱率達(dá)到20w/ m. k，有利于大功率晶片的散熱。并且陶瓷基板熱形變系數(shù)極低，可將本實(shí)用新型其切割成 厚度在0. 5 lmm，長寬尺寸在3 5mm的微小的單個發(fā)光單元，易于實(shí)現(xiàn)紅綠藍(lán)LED產(chǎn)品 的微型化。 除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式，凡采用等同替換或等效變 換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種陶瓷基大功率紅綠藍(lán)LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷基板(1)、紅色晶片(2)、綠色晶片(3)、藍(lán)色晶片(4)、金線(6)、散熱熱沉(8)，電路及反射層(10)通過蝕刻鍍銀方式設(shè)置在陶瓷基板(1)之上，散熱熱沉(8)位于陶瓷基板(1)下側(cè)的固晶區(qū)域，紅色晶片(2)、綠色晶片(3)和藍(lán)色晶片(4)、通過金線(6)分別連接到陶瓷基板(1)的電路上；其特征在于，所述陶瓷基板(1)分二層壓合形成凹杯形反射腔體(7)，高導(dǎo)熱銀膠(5)將紅色晶片(2)、綠色晶片(3)和藍(lán)色晶片(4)呈品字形固定在陶瓷基板(1)凹杯形反射腔體(7)之中，反射腔體(7)內(nèi)注入透明硅膠(9)覆蓋金線(6)和紅色晶片(2)、綠色晶片(3)、藍(lán)色晶片(4)，6只引腳(10)分別設(shè)置在陶瓷基板(1)的邊緣。
2. 如權(quán)利要求1所述的陶瓷基大功率紅綠藍(lán)LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陶瓷基 板(1)的厚度為0. 5 lmm，長、寬為3 5mm。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的陶瓷基大功率紅綠藍(lán)LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陶 瓷基板(1)的導(dǎo)熱率為170w/m. K以上，銀膠(5)導(dǎo)熱率為20w/m. K以上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種陶瓷基大功率紅綠藍(lán)LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括陶瓷基板1、紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4、金線6、散熱熱沉8，電路及反射層10通過蝕刻鍍銀方式設(shè)置在陶瓷基板1之上，散熱熱沉8位于陶瓷基板1下側(cè)的固晶區(qū)域，陶瓷基板1分二層壓合形成凹杯形反射腔體7，銀膠5將紅色晶片2、綠色晶片3、藍(lán)色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔體7之中，前述三種晶片通過金線6分別連接到陶瓷基板1的電路上；反射腔體7內(nèi)注入透明硅膠9覆蓋金線6和三種晶片，6只引腳10分別設(shè)置在陶瓷基板1的邊緣。本實(shí)用新型能充分混合RGB三基色，混光均勻，陶瓷基板有利于大功率晶片的散熱及實(shí)現(xiàn)微型化。
文檔編號H01L23/13GK201549499SQ20092018820
公開日2010年8月11日 申請日期2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月13日
發(fā)明者胡建紅 申請人:中外合資江蘇穩(wěn)潤光電有限公司