專利名稱：雙屏蔽礦物絕緣電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種雙屏蔽礦物絕緣電纜，主要應(yīng)用于高環(huán)境溫度、高輻射場(chǎng)合
的高頻信號(hào)傳輸領(lǐng)域，如冶金、醫(yī)療、航空航天、軍事等的通信領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的雙屏蔽電纜由內(nèi)導(dǎo)體、絕緣介質(zhì)、外導(dǎo)體和護(hù)套4部分組成。內(nèi)導(dǎo)體通常 由一根實(shí)心導(dǎo)體構(gòu)成；絕緣介質(zhì)通常采用聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和氟塑料等，最常用的 絕緣介質(zhì)是損耗小、工藝性能好的聚乙烯；外導(dǎo)體有雙重作用，它既為傳輸回路中的一根導(dǎo) 線，又具有屏蔽作用；外護(hù)套通常采用聚乙烯。由于結(jié)構(gòu)和材料的原因，使得該電纜的使用 環(huán)境受到限制，比如使用條件為7(TC以下，而且使用一段時(shí)間后，會(huì)由于材料老化，導(dǎo)體電 阻變大，絕緣介質(zhì)的漏電流增加；外護(hù)套為聚乙烯材料，機(jī)械強(qiáng)度低，電纜變形后會(huì)破壞其 對(duì)稱性和特性阻抗，使信號(hào)在傳輸中受到影響，該電纜的使用壽命不長(zhǎng)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種可替代現(xiàn)有雙屏蔽電纜的一種雙屏蔽礦物絕緣電 纜，它同樣由內(nèi)導(dǎo)體、內(nèi)絕緣介質(zhì)、外導(dǎo)體、外絕緣介質(zhì)和護(hù)套5部分組成，由于它將有機(jī)材 料全部替換為無(wú)機(jī)材料極大地提高了抵抗周圍損壞因子的能力，不僅使用壽命得到極大提 高，而且使用場(chǎng)合、使用領(lǐng)域也得到拓展。 本實(shí)用新型的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的 —種雙屏蔽礦物絕緣電纜，由內(nèi)到外依次包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣介質(zhì)、外導(dǎo)體、絕緣介 質(zhì)和護(hù)套，其特征在于所述絕緣介質(zhì)為氧化鎂、氧化鋁或二氧化硅。 本實(shí)用新型上述技術(shù)方案中，絕緣介質(zhì)為氧化鎂、氧化鋁或二氧化硅。這類無(wú)機(jī)材 料比起現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)材料具有耐高溫、耐氧化、耐老化、強(qiáng)度高等優(yōu)越性能。上述技術(shù)方 案的實(shí)施使得本實(shí)用新型產(chǎn)品相比現(xiàn)有的產(chǎn)品具有質(zhì)的飛躍，不僅使用壽命更長(zhǎng)而且使用 范圍廣，涉及到了冶金、醫(yī)療、航空航天、軍事等通信領(lǐng)域。 作為優(yōu)選，所述內(nèi)導(dǎo)體為銅芯線；所述絕緣介質(zhì)為氧化鎂；所述外導(dǎo)體為銅管；所 述護(hù)套為銅管、不銹鋼管、銅鎳合金管或高溫合金鋼管。 金屬銅作為導(dǎo)體是因?yàn)樗膶?dǎo)電性能與價(jià)格的性價(jià)比在所有金屬中最高，金屬銅
作為導(dǎo)體也是最為普遍的；氧化鎂作為絕緣介質(zhì)比氧化鋁或二氧化硅性能更佳；外導(dǎo)體是
輸電回路的組成部分，同時(shí)又對(duì)內(nèi)導(dǎo)體起到屏蔽作用；為了滿足在特殊場(chǎng)合使用的需要如
高溫高壓等，護(hù)套采用銅管、不銹鋼管、銅鎳合金管或高溫合金鋼管。 作為優(yōu)選，所述銅芯線僅有一個(gè)。 綜上所述，本實(shí)用新型具有以下有益效果 1、本實(shí)用新型雙屏蔽礦物絕緣電纜相比現(xiàn)有的雙屏蔽電纜具有壽命更長(zhǎng)而且使 用范圍更廣的優(yōu)點(diǎn)； 2、本實(shí)用新型雙屏蔽礦物絕緣電纜性能優(yōu)越，傳輸?shù)男盘?hào)受干擾小，可用于冶金、醫(yī)療、航空航天、軍事等通信領(lǐng)域。
圖1是本實(shí)用新型雙屏蔽礦物絕緣電纜的實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖中，1是銅芯線內(nèi)導(dǎo)體，2是內(nèi)氧化鎂絕緣介質(zhì)，3是銅管外導(dǎo)體，4是外氧化鎂絕
緣介質(zhì)，5是銅管護(hù)套。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。 本具體實(shí)施例僅僅是對(duì)本實(shí)用新型的解釋，其并不是對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng) 域技術(shù)人員在閱讀完本說(shuō)明書后可以根據(jù)需要對(duì)本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但 只要在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。 實(shí)施例一 —種雙屏蔽礦物絕緣電纜，由內(nèi)到外依次包括銅芯線內(nèi)導(dǎo)體1、內(nèi)氧化鎂絕緣介質(zhì) 2、銅管外導(dǎo)體3、外氧化鎂絕緣介質(zhì)4和銅鎳合金護(hù)套5。導(dǎo)體直徑為0. 3mm，內(nèi)氧化鎂絕緣 介質(zhì)2厚度為0. 45mm，銅管外導(dǎo)體3厚度為0. 15mm，外氧化鎂絕緣介質(zhì)4的厚度為1. 5mm， 銅管護(hù)套5外徑為5mm。該種電纜的特性阻抗為50 Q 。 本實(shí)施例所述的產(chǎn)品是通過下述方法制造的，該方法依次包括如下步驟 ①內(nèi)外絕緣層的壓制和燒結(jié)將造粒好的氧化鎂粉送入干粉壓機(jī)裝料筒進(jìn)行壓制
成內(nèi)絕緣氧化鎂瓷柱和外絕緣氧化鎂瓷柱，將壓制合格的內(nèi)絕緣氧化鎂瓷柱和外絕緣氧化
鎂瓷柱在108(TC的溫度下燒結(jié)，燒結(jié)2小時(shí)后出爐冷卻至12(TC待用； ②內(nèi)屏蔽絕緣導(dǎo)體裝配、拉拔和退火將燒結(jié)后的內(nèi)絕緣氧化鎂瓷柱置入外徑為
30mm的清潔銅管內(nèi)，然后將外徑為5. 2mm的清潔銅棒穿入燒結(jié)后的內(nèi)絕緣氧化鎂瓷柱預(yù)制
孔中裝配成內(nèi)屏蔽絕緣導(dǎo)體坯料，隨后對(duì)所述內(nèi)屏蔽絕緣導(dǎo)體坯料進(jìn)行拉拔，拉拔至外徑
為5. 7mm制得半成品，拉拔過程中需對(duì)所述內(nèi)屏蔽絕緣導(dǎo)體坯料進(jìn)行退火處理； ③內(nèi)屏蔽絕緣導(dǎo)體檢測(cè)對(duì)經(jīng)上述步驟得到的半成品進(jìn)行電氣性能檢測(cè)，合格后
進(jìn)入下道工序； ④護(hù)套裝配、拉拔和退火將步驟①所述的燒結(jié)后的外絕緣氧化鎂瓷柱置入外徑
為22mm的清潔銅管內(nèi)，然后將經(jīng)步驟③檢測(cè)合格的半成品置入本步驟所述的外絕緣氧化
鎂瓷柱的預(yù)制孔中，裝配成雙屏蔽電纜坯料，然后對(duì)所述雙屏蔽絕緣坯料進(jìn)行拉拔至外徑
為5. Omm得到成品，拉拔過程中需對(duì)所述的雙屏蔽電纜坯料進(jìn)行退火； ⑤成品檢測(cè)對(duì)成品的電纜的外觀、外徑、芯線直徑及電氣性能進(jìn)行檢測(cè)。 實(shí)施例二 與實(shí)施例一不同之處僅在于，所述絕緣材料為氧化鋁，所述的護(hù)套為銅鎳合金護(hù)套。 本實(shí)施例所述的產(chǎn)品的制造方法與實(shí)施例一一致。 實(shí)施例三 與實(shí)施例一不同之處僅在于，所述絕緣材料為二氧化硅，所述護(hù)套為高溫合金鋼管。
4[0030] 本實(shí)施例所述的產(chǎn)品的制造方法也與實(shí)施例一相同'
權(quán)利要求一種雙屏蔽礦物絕緣電纜，由內(nèi)到外依次包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣介質(zhì)、外導(dǎo)體、絕緣介質(zhì)和護(hù)套，其特征在于所述絕緣介質(zhì)為氧化鎂、氧化鋁或二氧化硅。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙屏蔽礦物絕緣電纜，其特征在于所述內(nèi)導(dǎo)體為銅芯線；所述絕緣介質(zhì)為氧化鎂；所述外導(dǎo)體為銅管；所述護(hù)套為銅管、不銹鋼管、銅鎳合金管或高溫合金鋼管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙屏蔽礦物絕緣電纜，其特征在于所述銅芯線僅有一個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種雙屏蔽礦物絕緣電纜，主要應(yīng)用于高環(huán)境溫度、高輻射場(chǎng)合的高頻信號(hào)傳輸領(lǐng)域，如冶金、醫(yī)療、航空航天、軍事等的通信領(lǐng)域。一種雙屏蔽電纜，由內(nèi)到外依次包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣介質(zhì)、外導(dǎo)體、絕緣介質(zhì)和護(hù)套，其特征在于所述絕緣介質(zhì)為氧化鎂、氧化鋁或二氧化硅。本實(shí)用新型雙屏蔽礦物絕緣電纜相比現(xiàn)有的雙屏蔽電纜具有壽命更長(zhǎng)而且使用范圍更廣的優(yōu)點(diǎn)；本實(shí)用新型雙屏蔽礦物絕緣電纜性能優(yōu)越，傳輸?shù)男盘?hào)受干擾小，可用于冶金、醫(yī)療、航空航天、軍事等通信領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01B3/10GK201514809SQ20092019853
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2009年10月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月2日
發(fā)明者羅才謨 申請(qǐng)人:久盛電氣股份有限公司