專利名稱：控片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種控片。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體的制造工藝得到了飛速的發(fā)展，在半導(dǎo)體的制 造流程中，為了防止晶圓邊緣的光阻掉落在機(jī)臺(tái)上而對(duì)機(jī)臺(tái)造成污染，需要采用邊緣光阻 去除工藝，例如晶圓邊緣曝光處理(WEE)或邊緣導(dǎo)角去除(EBR)，去除晶圓邊緣的光阻。在 實(shí)際應(yīng)用中，為了對(duì)邊緣光阻去除工藝進(jìn)行優(yōu)化，通常需要在當(dāng)前的WEE或EBR參數(shù)下去除 控片邊緣的光阻，當(dāng)控片邊緣的光阻被去除后，測(cè)量控片上保留的光阻與控片邊沿的距離， 如果控片上保留的光阻與控片邊沿的距離達(dá)不到工藝標(biāo)準(zhǔn)，則調(diào)整當(dāng)前的WEE或EBR參數(shù) 以達(dá)到優(yōu)化邊緣光阻去除工藝的目的，用于優(yōu)化邊緣光阻去除工藝的控片也稱光片，光面 表面不具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，只具有硅襯底。在現(xiàn)有技術(shù)中，可采用光學(xué)顯微鏡(OM)來測(cè)量控 片上保留的光阻與控片邊沿的距離，具體來說，將去除邊緣光阻的控片放置于OM之下，OM 將視野中的圖像傳送至電腦(PC)，這樣，PC上就可呈現(xiàn)出OM的視野中的圖像即去除邊緣光 阻后的控片的圖像，然后操作人員采用相關(guān)的軟件對(duì)圖像進(jìn)行處理，從而可獲取控片上保 留的光阻與控片邊沿的距離?？梢?，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)測(cè)量控片上保留的光阻與控片邊沿的距離時(shí)，首先需要獲 取去除邊緣光阻后的控片的圖像，然后對(duì)圖像進(jìn)行處理才能獲取控片上保留的光阻與控片 邊沿的距離，操作比較復(fù)雜。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種控片，能夠降低邊緣光阻去除工藝的優(yōu)化流程的 復(fù)雜性。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的一種控片，自所述控片邊緣，沿所述控片徑向方向開設(shè)有一個(gè)以上組凹槽；其中，每組凹槽中的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺的單位刻度為間距排列、且每組凹槽的總 長(zhǎng)度為預(yù)設(shè)標(biāo)尺的最大測(cè)量長(zhǎng)度，以使每組凹槽可作為所述預(yù)設(shè)標(biāo)尺測(cè)量經(jīng)邊緣光阻去除 工藝后在控片上保留的光阻與控片邊緣的距離。所述預(yù)設(shè)標(biāo)尺的最大測(cè)量長(zhǎng)度為4毫米至10毫米中的任一尺寸。一個(gè)以上組凹槽等角度分布于所述控片表面。有4組凹槽、以90度為間隔等角度分布于所述控片表面。可見，本實(shí)用新型提供了一種控片，自控片邊緣，沿控片徑向方向開設(shè)有若干組凹槽，每組凹槽中的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺的單位刻度為間距排列、且每組凹槽的總長(zhǎng)度為預(yù)設(shè) 標(biāo)尺的最大測(cè)量長(zhǎng)度，以使每組凹槽可作為所述預(yù)設(shè)標(biāo)尺測(cè)量經(jīng)邊緣光阻去除工藝后在控 片上保留的光阻與控片邊緣的距離，這樣，可根據(jù)控片上的預(yù)設(shè)標(biāo)尺的讀數(shù)直接測(cè)量出控 片上保留的光阻與控片邊沿的距離，如果控片上保留的光阻與控片邊沿的距離不滿足工藝標(biāo)準(zhǔn)，則調(diào)整當(dāng)前的邊緣光阻去除工藝的參數(shù)，例如WEE或EBR的參數(shù)，從而簡(jiǎn)化了邊緣光 阻去除工藝的優(yōu)化流程，降低了邊緣光阻去除工藝的優(yōu)化流程的復(fù)雜性。

圖1為本實(shí)用新型所提供的一種控片的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。圖2為采用本實(shí)用新型所提供的控片的邊緣光阻去除工藝的優(yōu)化方法的實(shí)施例 的流程圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施 例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖1為本實(shí)用新型所提供的一種控片的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，如圖1所示，自控片101 邊緣，沿控片101徑向方向開設(shè)有若干組凹槽，每組凹槽中的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺102的單位 刻度為間距排列、且每組凹槽的總長(zhǎng)度為預(yù)設(shè)標(biāo)尺102的最大測(cè)量長(zhǎng)度，以使每組凹槽可 作為所述預(yù)設(shè)標(biāo)尺102測(cè)量經(jīng)邊緣光阻去除工藝后在控片101上保留的光阻與控片101邊 緣的距離。需要說明的是，預(yù)先采用光刻和蝕刻的方法在控片101邊緣形成若干組凹槽，每 組凹槽中的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺102的單位刻度為間距排列、且每組凹槽的總長(zhǎng)度為預(yù)設(shè)標(biāo) 尺102的最大測(cè)量長(zhǎng)度，其中，光刻和蝕刻的具體方法為預(yù)先形成包括若干組凹槽圖案的 掩膜，然后在旋涂有光阻的控片上施加掩膜，并進(jìn)行曝光、顯影，從而在控片101上形成若 干組凹槽的光阻圖案，按照若干組凹槽的光阻圖案進(jìn)行干法蝕刻，最終在控片101上形成 若干組凹槽，其中，干法蝕刻的氣體主要為溴化氫(HBr)氣體。然后在控片101的整個(gè)表面涂覆光阻，并按照當(dāng)前的WEE或EBR參數(shù)去除控片101 邊緣的光阻，最后可根據(jù)控片101上預(yù)設(shè)標(biāo)尺102的讀數(shù)直接測(cè)量出控片101上保留的光 阻與控片邊沿的距離，如果控片101上保留的光阻與控片101邊沿的距離不滿足工藝標(biāo)準(zhǔn)， 則調(diào)整當(dāng)前的邊緣光阻去除工藝的參數(shù)，例如WEE或EBR參數(shù)，以對(duì)邊緣光阻去除工藝進(jìn)行 優(yōu)化。在實(shí)際應(yīng)用中，若干組凹槽等角度分布于所述控片101表面，當(dāng)進(jìn)行TOE或EBR 時(shí)，控片101處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)，控片101上保留的光阻的形狀近似為圓形，所以在控片101的 邊緣無需設(shè)置過多組凹槽，在本實(shí)用新型中，有4組凹槽、以90度為間隔等角度分布于控片 101表面。優(yōu)選地，預(yù)設(shè)標(biāo)尺102的最大測(cè)量長(zhǎng)度為4毫米至10毫米中的任一尺寸。采用本實(shí)用新型所提供控片能夠簡(jiǎn)化邊緣光阻去除工藝的優(yōu)化流程，圖2為采用 本實(shí)用新型所提供的控片的邊緣光阻去除工藝的優(yōu)化方法的實(shí)施例的流程圖，如圖2所 示，該方法包括步驟201，提供一控片，自控片邊緣，沿控片徑向方向開設(shè)有四組凹槽，每組凹槽中 的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺的單位刻度為間距排列，且四組凹槽以90度為間隔等角度分布于控 片表面。步驟202，在控片的整個(gè)表面涂覆光阻，并按照當(dāng)前的WEE或EBR參數(shù)去除控片邊緣的光阻。步驟203，根據(jù)預(yù)設(shè)標(biāo)尺的讀數(shù)來讀取控片上保留的光阻與控片邊沿的距離，如果控片上保留的光阻與控片邊沿的距離不滿足工藝標(biāo)準(zhǔn)，則調(diào)整當(dāng)前的WEE或EBR參數(shù)，并執(zhí) 行步驟202 ；如果控片上保留的光阻與控片邊沿的距離滿足工藝標(biāo)準(zhǔn)，則結(jié)束流程。預(yù)先采用光刻和蝕刻的方法在控片邊緣形成若干組凹槽，每組凹槽中的各凹槽以 預(yù)設(shè)標(biāo)尺的單位刻度為間距排列。這樣，就能夠根據(jù)預(yù)設(shè)標(biāo)尺的讀數(shù)來讀取控片上保留的 光阻與控片邊沿的距離，并判斷該距離是否滿足工藝標(biāo)準(zhǔn)，以此來調(diào)整工藝參數(shù)以達(dá)到優(yōu) 化工藝的目的，整個(gè)操作流程比較簡(jiǎn)單。至此，本流程結(jié)束。可見，本實(shí)用新型所提供的控片包括沿控片徑向方向開設(shè)的若干組凹槽，每組凹 槽中的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺的單位刻度為間距排列、且每組凹槽的總長(zhǎng)度為預(yù)設(shè)標(biāo)尺的最大 測(cè)量長(zhǎng)度，這樣，可根據(jù)控片上預(yù)設(shè)標(biāo)尺的讀數(shù)直接測(cè)量出控片上保留的光阻與控片邊沿 的距離，如果控片上保留的光阻與控片邊沿的距離不滿足工藝標(biāo)準(zhǔn)，則調(diào)整當(dāng)前的邊緣光 阻去除工藝的參數(shù)，例如WEE或EBR的參數(shù)，從而降低了邊緣光阻去除工藝的優(yōu)化流程的復(fù) 雜性。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換以及改進(jìn)等，均應(yīng)包含 在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種控片，其特征在于，自所述控片邊緣，沿所述控片徑向方向開設(shè)有一個(gè)以上組凹槽；其中，每組凹槽中的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺的單位刻度為間距排列、且每組凹槽的總長(zhǎng)度為預(yù)設(shè)標(biāo)尺的最大測(cè)量長(zhǎng)度，以使每組凹槽可作為所述預(yù)設(shè)標(biāo)尺測(cè)量經(jīng)邊緣光阻去除工藝后在控片上保留的光阻與控片邊緣的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控片，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)尺的最大測(cè)量長(zhǎng)度為4毫米至 10毫米中的任一尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的控片，其特征在于，一個(gè)以上組凹槽等角度分布于所述控 片表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控片，其特征在于，有4組凹槽、以90度為間隔等角度分布于 所述控片表面。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種控片，自所述控片邊緣，沿所述控片徑向方向開設(shè)有一個(gè)以上組凹槽；其中，每組凹槽中的各凹槽以預(yù)設(shè)標(biāo)尺的單位刻度為間距排列、且每組凹槽的總長(zhǎng)度為預(yù)設(shè)標(biāo)尺的最大測(cè)量長(zhǎng)度，以使每組凹槽可作為所述預(yù)設(shè)標(biāo)尺測(cè)量經(jīng)邊緣光阻去除工藝后在控片上保留的光阻與控片邊緣的距離。采用該控片能夠降低邊緣光阻去除工藝的優(yōu)化流程的復(fù)雜性。
文檔編號(hào)H01L21/00GK201570490SQ20092021017
公開日2010年9月1日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者吳逸豐, 肖楠 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司