專利名稱：一種用于半導(dǎo)體保護(hù)的熔斷體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于半導(dǎo)體保護(hù)的熔斷體，其適用于額定電壓為交流1000V，額定電流為2000A至3900A。
背景技術(shù)：
用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體作為整流設(shè)備及其相關(guān)設(shè)備(包括變頻器、軟啟動(dòng) 等)、半導(dǎo)體元件及其組成的成套設(shè)備的短路保護(hù)之用。熔斷體包括熔管、設(shè)于熔管內(nèi)的 若干片熔體和設(shè)于熔管兩端的接觸板熔管內(nèi)以石英砂填充，每片熔體開(kāi)有數(shù)列等直徑的小 孔。當(dāng)短路電流通過(guò)熔體時(shí)，小孔之間的狹頸由于電流熱效應(yīng)被迅速加熱，局部溫度迅速升 高直至熔體熔斷以分?jǐn)嚯娐?。但是，目前的同類產(chǎn)品中大多數(shù)額定電流都不大，通常需要多 個(gè)并聯(lián)才可以滿足大電流應(yīng)用場(chǎng)合的保護(hù)要求；且熔斷體的熔管材料為普通陶瓷管，不僅 耐高溫性能和耐腐蝕性能較差，而且也不夠美觀。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中額定電流不大的現(xiàn)狀，提供一種用于半導(dǎo)體 設(shè)備保護(hù)的熔斷體，它適用于50Hz的工頻電流，額定電壓至交流1000V，額定電流為2000A 至3900A，它不必拼接即可單獨(dú)保護(hù)大容量設(shè)備。實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是一種用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體，包括熔管、一對(duì) 連接在熔管兩端的接觸板、若干片設(shè)在熔管內(nèi)腔的熔體、填充在熔管內(nèi)腔中的滅弧介質(zhì)及 一設(shè)在熔管側(cè)面的撞擊裝置，其中，所述一對(duì)接觸板的內(nèi)側(cè)面上分別平行地間隔設(shè)有若干道壓痕；所述熔體的表面上在其長(zhǎng)度方向間隔一致地開(kāi)設(shè)多列孔，每列孔中含有多個(gè)尺寸 相同并且縱向間隔距離為δ的小孔，每片熔體的兩頭向同一方向彎折，該彎折面點(diǎn)焊在所 述接觸板的壓痕上，以使若干片熔體等間距地并且與熔管軸線平行地設(shè)置在熔管的內(nèi)腔 中。上述的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體，其中，所述一對(duì)接觸板上分別設(shè)有用于熔 體與母排直接連接的固定螺釘。上述的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體，其中，所述熔管采用95號(hào)氧化鋁陶瓷制作。本實(shí)用新型的用于半導(dǎo)體保護(hù)的熔斷器的技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)。1)額定電流更大，不必拼接即可單獨(dú)保護(hù)大容量設(shè)備；2)熔斷特性穩(wěn)定，對(duì)電路的保護(hù)更為可靠；3)熔體結(jié)構(gòu)改善了電性能和熱性能，工作溫升和散熱能力都得到了改善；4)采用95氧化鋁陶瓷作為熔管，使熔斷器的外形更加美觀。
圖1為本實(shí)用新型的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體中熔體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體中接觸板內(nèi)表面的結(jié)構(gòu)示意 圖。
具體實(shí)施方式
為了能更好地對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行理解，下面通過(guò)具體地實(shí)施例并結(jié)合 附圖進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明請(qǐng)參閱圖1至圖3，本實(shí)用新型的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體，包括熔管1、一對(duì) 接觸板2、若干片熔體3、滅弧介質(zhì)4及撞擊裝置5，其中，熔管采用95號(hào)氧化鋁陶瓷制作；該材料不僅將有良好的耐高溫、耐腐蝕和絕緣性 能，外觀也較為美觀；一對(duì)接觸板2連接在熔管1的兩端，它們的內(nèi)側(cè)面上分別平行地間隔設(shè)有若干道 壓痕20 ；它們的外表面上分別設(shè)有用于熔體3與母排直接連接的固定螺釘6 ； 若干片熔體3設(shè)在熔管1的內(nèi)腔，每片熔體3均采用99. 9%含量的純銀加工制作， 它的表面上在其長(zhǎng)度方向間隔一致地開(kāi)設(shè)多列孔30，每列孔30中含有多個(gè)尺寸相同并且 縱向間隔距離為δ的小孔300;每片熔體3的兩頭向同一方向彎折，該彎折面點(diǎn)焊在接觸 板2的壓痕20上，以使若干片熔體3等間距地并且與熔管1軸線平行地設(shè)置在熔管1的內(nèi) 腔中；借助這些接觸板2上的壓痕20，熔體3在點(diǎn)焊時(shí)得以方便可靠地定位，從而能使熔體 3之間保持對(duì)齊，避免因熔體3之間的搭合而造成溫度異常升高或熔斷短路電流時(shí)拉弧爆 炸，不但保證了熔斷器的穩(wěn)定性，而且還提高了其使用壽命；滅弧介質(zhì)4為石英砂，它填充在熔管1的內(nèi)腔中，用以緊實(shí)熔體3 ；撞擊裝置5設(shè)在熔管1側(cè)面上并且伸到熔管1的內(nèi)腔中，用于反映熔管1內(nèi)腔中 熔體2的開(kāi)斷情況。當(dāng)短路電流通過(guò)熔體3時(shí)，小孔300之間的狹頸由于電流熱效應(yīng)被迅速加熱，局部 溫度迅速升高直至熔體3熔斷以分?jǐn)嚯娐?。本?shí)用新型的用于半導(dǎo)體保護(hù)的熔斷器適用于50Hz的工頻電流，額定電壓至交 流1000V，額定電流為2000A至3900A，不必拼接即可單獨(dú)保護(hù)大容量設(shè)備。本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新 型，而并非用作為對(duì)本實(shí)用新型的限定，只要在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上所述 實(shí)施例的變化、變型都將落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體，包括熔管、一對(duì)連接在熔管兩端的接觸板、若干片設(shè)在熔管內(nèi)腔的熔體、填充在熔管內(nèi)腔中的滅弧介質(zhì)及一設(shè)在熔管側(cè)面的撞擊裝置，其特征在于，所述一對(duì)接觸板的內(nèi)側(cè)面上分別平行地間隔設(shè)有若干道壓痕；所述熔體的表面上在其長(zhǎng)度方向間隔一致地開(kāi)設(shè)多列孔，每列孔中含有多個(gè)尺寸相同并且縱向間隔距離為δ的小孔，每片熔體的兩頭向同一方向彎折，該彎折面點(diǎn)焊在所述接觸板的壓痕上，以使若干片熔體等間距地并且與熔管軸線平行地設(shè)置在熔管的內(nèi)腔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體，其特征在于，所述一對(duì)接觸 板上分別設(shè)有用于熔體與母排直接連接的固定螺釘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)的熔斷體，其特征在于，所述熔管采用 95號(hào)氧化鋁陶瓷制作。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于半導(dǎo)體保護(hù)的熔斷體，包括熔管、一對(duì)連接在熔管兩端的接觸板、若干片設(shè)在熔管內(nèi)腔的熔體、填充在熔管內(nèi)腔中的滅弧介質(zhì)及一設(shè)在熔管側(cè)面的撞擊裝置，所述一對(duì)接觸板的內(nèi)側(cè)面上分別平行地間隔設(shè)有若干道壓痕；所述熔體的表面上在其長(zhǎng)度方向間隔一致地開(kāi)設(shè)多列孔，每列孔中含有多個(gè)尺寸相同并且縱向間隔距離為δ的小孔，每片熔體的兩頭向同一方向彎折，該彎折面點(diǎn)焊在所述接觸板的壓痕上，以使若干片熔體等間距地并且與熔管軸線平行地設(shè)置在熔管的內(nèi)腔中。本實(shí)用新型的用于半導(dǎo)體保護(hù)的熔斷器適用于50Hz的工頻電流，額定電壓至交流1000V，額定電流為2000A至3900A，不必拼接即可單獨(dú)保護(hù)大容量設(shè)備。
文檔編號(hào)H01H85/12GK201562650SQ20092021215
公開(kāi)日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2009年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月10日
發(fā)明者徐鶴, 戎峰, 林海鷗, 沈一敏, 陳妍 申請(qǐng)人:上海電器陶瓷廠有限公司