專利名稱：半導(dǎo)體外延設(shè)備中用于去除基座表面雜質(zhì)的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
半導(dǎo)體外延設(shè)備中用于去除基座表面雜質(zhì)的裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及制造半導(dǎo)體外延設(shè)備的改進(jìn)，尤其涉及一種半導(dǎo)體外延設(shè)備中用
于去除基座表面雜質(zhì)的裝置。背景技術(shù)：
單晶硅外延，是在拋光硅片表面通過化學(xué)氣相沉積的方法再生長一層幾微米到幾 十微米單晶硅層。硅外延材料是集成電路和分立器件中重要的基礎(chǔ)材料。硅外延片能夠提 供拋光片所沒有的電參數(shù)，去除許多在晶體生長和加工成襯底材料過程中形成的表面和近 表面缺陷。單晶硅外延片主要用于CMOS邏輯電路、DRAM和分立器件制造。外延技術(shù)是解 決大直徑單晶硅片表面缺陷的一種重要手段。 外延爐是硅外延的關(guān)鍵設(shè)備，外延爐的性能直接影響硅外延片的質(zhì)量。 基座是單晶硅外延設(shè)備中重要的硅片支撐和受熱的部件。該部件通常由一定形狀 的石墨外表面鍍一層碳化硅制造而成。在國際上現(xiàn)在通用的平板式外延爐中，基座既起著 支撐硅片的作用，又起著加熱硅片的作用。由于結(jié)構(gòu)的方面的設(shè)計(jì)，現(xiàn)在平板式外延爐的基 座硅片支撐面(基座正面)及其背面通常有大量的雜質(zhì)多晶硅沉淀?；娴碾s質(zhì)多晶 硅通常采用在高溫環(huán)境下通入氯化氫，使其和雜質(zhì)多晶硅反應(yīng)的方法去除掉。由于平板外 延爐本身結(jié)構(gòu)上的限制，上述方法只能將基座正面與氣流方向?qū)?yīng)區(qū)域的雜質(zhì)多晶硅去除 掉，而基座背面大量的雜質(zhì)多晶硅不能去除。而背面殘留的雜質(zhì)多晶硅在外延中勢必影響 到硅外延晶片的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種用于去除基座表面雜質(zhì)的裝置，能 夠去除基座背面殘留的雜質(zhì)，提高外延工藝質(zhì)量。 為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體外延設(shè)備中用于去除基座表面 雜質(zhì)的裝置，包括第一固定件，其形狀與基座正面的結(jié)構(gòu)互補(bǔ)，用于將基座的正面固定在 所述雜質(zhì)去除裝置上；第二固定件，其形狀與基座的背面形狀相同，用于同外延設(shè)備在正常 生長狀態(tài)下用于固定基座的基座固定裝置相連接，以將所述雜質(zhì)去除裝置固定至基座固定 裝置上；以及連接件，用于連接第一固定件與第二固定件。 作為可選的技術(shù)方案，所述第一固定件包括一突出水平表面的卡緊裝置，所述卡 緊裝置的內(nèi)徑等于基座表面圓環(huán)狀突起的外徑，所述圓環(huán)沿垂直于水平表面方向的厚度不 小于基座表面圓形凹陷的深度。 作為可選的技術(shù)方案，所述第二固定件包括兩個(gè)外徑不同的圓柱體，兩個(gè)圓柱體 首尾相接，外徑較小的一圓柱體用于卡入固定基座的裝置中以將所述雜質(zhì)去除裝置固定在 原用于固定基座的裝置的表面。 作為可選的技術(shù)方案，所述連接裝裝置包括一圓盤，圓 的一表面上安放有第一 固件，另一相對的表面安放第二固定件。[0010] 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，所提供的裝置能夠?qū)⒒员趁嫦蛏系姆绞桨卜旁诜磻?yīng)
室中，因此可以專用于清潔基座背面的雜質(zhì)。

附圖1所示為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
所述裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 附圖2為附圖1的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體外延設(shè)備中用于去除基座表面雜質(zhì)的 裝置的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)說明。 附圖1所示為本具體實(shí)施方式
所述裝置10的結(jié)構(gòu)示意圖，附圖2為附圖1的俯視 圖。參考附圖1與附圖2，所述裝置10包括第一固定件110、第二固定件120以及連接件 130。上述裝置10用于將基座(圖中未示出)固定在基座固定裝置(圖中未示出)的表面 進(jìn)行清洗以去除表面雜質(zhì)，所述基座固定裝置是指設(shè)備處在正常生長的狀態(tài)下用于固定基 座的裝置。 所述第一固定件110的形狀與基座正面的結(jié)構(gòu)互補(bǔ)，用于將基座的正面固定至所 述雜質(zhì)去除裝置10。在外延生長過程中，為了將晶圓牢固的放置在基座的表面，因此所述 基座正面通常都具有一突出表面的圓環(huán)，其內(nèi)徑與晶圓的半徑相同，晶圓被牢固地放置在 所述圓環(huán)所圍攏的空間內(nèi)，確保在生長的過程中不會(huì)發(fā)生橫向移動(dòng)。因此，所述第一固定件 IIO應(yīng)當(dāng)互補(bǔ)地包括一突出水平表面的卡緊裝置，所述卡緊裝置可以是同樣是一圓環(huán)或者 多個(gè)呈環(huán)形排列的卡塊等可以對圓環(huán)起到卡緊作用的裝置，所述卡緊裝置的內(nèi)徑等于基座 表面圓環(huán)的外徑，以將基座的正面與第一固定件110相互固定在一起。并且所述卡緊裝置 111沿垂直于水平表面方向的厚度不小于基座表面圓環(huán)的厚度，以保證卡緊裝置111與基 座表面圓環(huán)相互的卡緊結(jié)構(gòu)能夠更為牢固。 所述第二固定件120的形狀與基座的背面形狀相同，用于同外延設(shè)備中的基座固 定裝置相連接，以將所述雜質(zhì)去除裝置10固定至基座固定裝置。 本具體實(shí)施方式
中，第二固定件120包括兩個(gè)外徑不同的圓柱體，兩個(gè)圓柱體首 尾相接，外徑較小的一圓柱體用于卡入固定基座的裝置中以將所述雜質(zhì)去除裝置固定在原 用于固定基座的裝置的表面。 連接件130，用于連接第一固定件110與第二固定件120。 本具體實(shí)施方式
中的連接件130是一圓盤，圓盤的一表面上安放有第一固件110， 另一相對的表面安放第二固定件120。 在清潔基座表面雜質(zhì)的工藝中，將雜質(zhì)去除裝置10安放在反應(yīng)室中，再將基座安 放在雜質(zhì)去除裝置10上，因此能夠?qū)⒒员趁嫦蛏系姆绞桨卜旁诜磻?yīng)室中。在此狀態(tài)下 通入能夠與多晶硅反應(yīng)的清潔氣體，從而將基座背面的雜質(zhì)去除。 并且，為了保護(hù)基座表面的碳化硅層，還可以在基座正面包裹一層多晶硅之后，再 將正面朝下來清潔基座背面，這樣正面的多晶硅能起到保護(hù)基座上的碳化硅層免受腐蝕的 作用。 以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾 也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種半導(dǎo)體外延設(shè)備中用于去除基座表面雜質(zhì)的裝置，其特征在于包括第一固定件，其形狀與基座正面的結(jié)構(gòu)互補(bǔ)，用于將基座的正面固定在所述雜質(zhì)去除裝置上；第二固定件，其形狀與基座的背面形狀相同，用于同外延設(shè)備在正常生長狀態(tài)下用于固定基座的基座固定裝置相連接，以將所述雜質(zhì)去除裝置固定至基座固定裝置上；以及連接件，用于連接第一固定件與第二固定件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一固定件包括一突出水平表面的 卡緊裝置，所述卡緊裝置的內(nèi)徑等于基座表面圓環(huán)狀突起的外徑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述圓環(huán)沿垂直于水平表面方向的厚度 不小于基座表面圓形凹陷的深度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二固定件包括兩個(gè)外徑不同的圓 柱體，兩個(gè)圓柱體首尾相接，外徑較小的一圓柱體用于卡入固定基座的裝置中以將所述雜 質(zhì)去除裝置固定在原用于固定基座的裝置的表面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述連接裝裝置包括一圓盤，圓盤的一表 面上安放有第一固件，另一相對的表面安放第二固定件。
專利摘要一種半導(dǎo)體外延設(shè)備中用于去除基座表面雜質(zhì)的裝置，包括第一固定件，其形狀與基座正面的結(jié)構(gòu)互補(bǔ)，用于將基座的正面固定在所述雜質(zhì)去除裝置上；第二固定件，其形狀與基座的背面形狀相同，用于同外延設(shè)備在正常生長狀態(tài)下用于固定基座的基座固定裝置相連接，以將所述雜質(zhì)去除裝置固定至基座固定裝置上；以及連接件，用于連接第一固定件與第二固定件。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，所提供的裝置能夠?qū)⒒员趁嫦蛏系姆绞桨卜旁诜磻?yīng)室中，因此可以專用于清潔基座背面的雜質(zhì)。
文檔編號H01L21/00GK201549481SQ200920214350
公開日2010年8月11日 申請日期2009年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者吳慶東, 胡平 申請人:上海新傲科技股份有限公司