專(zhuān)利名稱(chēng)：回授式組件塊與二極管橋式整流器及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及半導(dǎo)體整流器，且更具體地涉及用于改進(jìn)二極管電橋的性能的 回授式自動(dòng)控制結(jié)構(gòu)及用于這種結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
全電橋或半電橋的二極管電橋是非常常見(jiàn)的電路元件，用以執(zhí)行對(duì)振蕩輸出信 號(hào)的整流。半電橋由兩個(gè)二極管構(gòu)成，并具有三個(gè)外部電極。它們通常在開(kāi)關(guān)模式電源 電路中用于輸出整流，諸如正激、推挽、半電橋和全電橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。對(duì)于信號(hào)的一種極 性，電流流過(guò)一個(gè)二極管(處于導(dǎo)通狀態(tài))，且不流過(guò)另一個(gè)二極管(處于截止?fàn)顟B(tài))。 對(duì)于相反的極性，二極管切換它們的狀態(tài)導(dǎo)通的二極管變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，截止的二極管 變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。這種兩個(gè)二極管之間的電流切換導(dǎo)致整流。在信號(hào)整流期間的能量損耗由各個(gè)二極管的性能所決定。對(duì)于實(shí)際二極管的實(shí) 現(xiàn)方式，其受理想二極管的公式所限制IF/IR<exp (qVF/kT)其中，If是正向電流，Vf是正向偏壓，Ir是漏電流，以及室溫T下kT/q = 0.0259V。因此，某些整流比要求正向電壓降大于一些限定值Vf > 0.02591n (1+IF/IR)例如，對(duì)于導(dǎo)電電流為IOA漏電流為10μ A的二極管，則正向電壓降大于 0.358。一些二極管接近于該理論限定值，因此給通過(guò)常規(guī)技術(shù)來(lái)進(jìn)行改進(jìn)的空間非常 小。一旦電子器件在較低電壓下運(yùn)行，則該理論限定值將導(dǎo)致二極管效率非常低。例 如，如果電源采用3.3V，則在半電橋上的損耗將是大約0.358/3.3 = 11%。對(duì)現(xiàn)代開(kāi)關(guān) 模式電源來(lái)說(shuō)，這種在整流上的高能量損耗是不可接受的。為了克服整流器電橋在低壓應(yīng)用中的高損耗，采用同步整流。一種方法是采用 MOSFET來(lái)執(zhí)行二極管的整流功能。然而，同步整流的電路的實(shí)現(xiàn)方式非常復(fù)雜。需要 控制器來(lái)提供柵電壓并將MOSFET從導(dǎo)通變到截止?fàn)顟B(tài)。需要傳感器告知控制器所施加 的電壓的信號(hào)已經(jīng)變化。這種附加的信號(hào)處理降低了由同步整流器構(gòu)成的半電橋的運(yùn)行 速度。因此，人們需要復(fù)雜得多的且昂貴的電路替代兩個(gè)二極管。所以，長(zhǎng)期以來(lái)都存在對(duì)一種橋式整流器的需要，該橋式整流器能夠在低壓下 高效工作，而無(wú)需復(fù)雜電路，且沒(méi)有常規(guī)同步整流器的頻率范圍限制。

發(fā)明內(nèi)容
提出一種回授式組件塊(RBB)作為新的半導(dǎo)體器件，具體地，其被成對(duì)用于形 成高效的二極管半電橋，該二極管半電橋能夠在低壓下運(yùn)行而沒(méi)有不可接受的損耗。每 一 RBB具有4個(gè)電極源極、漏極、柵極和探測(cè)極。在一實(shí)施例中，在每一 RBB的源 極和漏極之間的電流可以由柵極電壓所控制。第一 RBB的探測(cè)電極為第二 RBB的柵電極 提供回授信號(hào)。來(lái)自探測(cè)電極的該信號(hào)可以被用于在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間開(kāi)關(guān)鄰近的半 導(dǎo)體器件，該鄰近的半導(dǎo)體器件形成一對(duì)中的第二器件。因此，根據(jù)本發(fā)明用一對(duì)RBB 構(gòu)成的半電橋僅僅具有三個(gè)外部接點(diǎn)。由兩個(gè)RBB制成的具有共陽(yáng)極或共陰極的半電橋 實(shí)施例顯示出比理想二極管性能更好的性能，類(lèi)似于同步整流器。由于半電橋僅僅有三 個(gè)接點(diǎn)，避免了常規(guī)同步整流器控制信號(hào)的復(fù)雜性。


圖1示出了示意性的4-端子回授式組件塊(RBB)的結(jié)構(gòu)。源極和漏極之間的 電流由柵電極所控制。探測(cè)電極可以被用作附加電流控制或作為回授信號(hào)的源；圖2示出了將兩個(gè)圖1所示的RBB組合形成的回授式半電橋。每一 RBB的探 測(cè)電極被連接到另一RBB柵電極用于在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間自動(dòng)切換。在一實(shí)施例中， 兩個(gè)n型(ρ型)RBB將構(gòu)成共陽(yáng)極(共陰極)的回授式半電橋。圖3示意了組合成二極管全電橋的共陽(yáng)極和共陰極半電橋，電流用箭頭指示。圖4圖示出正向電壓降隨所施加電流的變化圖。與20 μ A漏電流的理想二極管 (藍(lán))相比，共陽(yáng)極(紅)和共陰極(綠)半電橋具有更小的電壓降。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的回授式半電橋的示意性I-V曲線(xiàn)。負(fù)電阻區(qū)對(duì)應(yīng)于柵 電壓超過(guò)閾電壓時(shí)從截止到導(dǎo)通狀態(tài)的自動(dòng)切換。圖6示出回授式半電橋倍流整流設(shè)計(jì)。圖7示出根據(jù)本發(fā)明一方面構(gòu)造的倍流器的電流(綠)和電壓(紅)波形。正 向恢復(fù)發(fā)生在3μ S處，反向恢復(fù)在4μ S處。中間的正向電壓降為0.05V。圖8示出根據(jù)本發(fā)明的回授式半電橋的反向恢復(fù)。第一負(fù)峰對(duì)應(yīng)于RBB從導(dǎo)通 到截止?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)換。第二負(fù)峰對(duì)應(yīng)于第一 RBB上的電壓足夠大以致能夠?qū)⑵鋵?dǎo)通時(shí)鄰近 的RBB從截止到導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。圖9示出根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例的在利用柵極掩模垂直刻蝕穿過(guò)絕緣氧化 物、多晶柵極和柵極氧化物(可以留下一些柵極氧化物以降低溝道效應(yīng))后的半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)。已經(jīng)完成對(duì)源極和探測(cè)電極的接點(diǎn)As注入。圖10示出在將探測(cè)極掩模放置在柵極掩模上以覆蓋探測(cè)極接點(diǎn)開(kāi)口并且已經(jīng)完 成P阱硼注入后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖11示意了在完成光阻劑的各向同性灰化后以為下一步驟提供自對(duì)準(zhǔn)掩模的半 導(dǎo)體。圖12示意了在完成溝道硼注入后的結(jié)果，其應(yīng)該均勻地影響器件的閾電壓。圖13示意了去除兩層掩模后的結(jié)構(gòu)。圖14示意了已沉積絕緣氧化物并將絕緣掩模放置于頂部時(shí)的結(jié)構(gòu)。圖15示出執(zhí)行垂直的氧化物刻蝕后的結(jié)構(gòu)。
圖16示意了在放置探測(cè)極掩模以覆蓋探測(cè)極接點(diǎn)并且刻蝕出溝槽以提供到P阱 的接點(diǎn)后的結(jié)構(gòu)。圖17示意了去除光阻劑后的結(jié)構(gòu)以及結(jié)構(gòu)準(zhǔn)備進(jìn)行多層金屬化。圖18示意性示出由兩個(gè)η型(ρ型)MOSFET構(gòu)成的具有共陽(yáng)極(陰極)的回授 式半電橋，被構(gòu)造為具有施加到柵極的漏電壓。該構(gòu)造在工作期間提供導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài) 之間的自動(dòng)切換。圖19示意性示出采用一個(gè)RBB和一個(gè)MOSFET形成的回授式半電橋。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明包括可以被認(rèn)作為回授式組件塊(RBB)的新器件，及其制造方法。在一 實(shí)施例中，該器件尤其適合于構(gòu)成諸如半電橋和全電橋整流器等器件。盡管本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員可以 立刻認(rèn)識(shí)到本發(fā)明可以用于產(chǎn)生多種半導(dǎo)體器件，然而出于清晰的目的， 本發(fā)明將以橋式整流器作為器件以及制造方法在說(shuō)明書(shū)中進(jìn)行描述。首先參考圖1和圖2，示出了總體用100標(biāo)明的RBB結(jié)構(gòu)的物理結(jié)構(gòu)(圖1)和 其成對(duì)地被構(gòu)造為半電橋整流器(圖2)的示意圖。如圖1所示，RBB 100具有4個(gè)電 極源極105、漏極110、柵極115和探測(cè)極120。主電流在源和漏電極之間流動(dòng)。柵 電壓控制MOS柵極115下的窄溝道125的導(dǎo)電性，并且能夠在截止和導(dǎo)通狀態(tài)之間切 換RBB。在閾電壓下發(fā)生從導(dǎo)通到截止的轉(zhuǎn)換，該閾電壓可以通過(guò)調(diào)節(jié)柵極下的摻雜 分布來(lái)調(diào)節(jié)，或通過(guò)改變柵極氧化物127的厚度來(lái)調(diào)節(jié)。至少在一些實(shí)施例中，探測(cè)電 極120的主要目的是提取回授信號(hào)，其可以用作另一個(gè)半導(dǎo)體器件(例如另一個(gè)RBB或 MOSFET)的柵極控制信號(hào)。當(dāng)RBB 100處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，源極105和漏極110之間的電壓降很小，在120處 引起小的探測(cè)信號(hào)。處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，耗盡層邊界隨著施加在源極和漏極之間的電壓而 變化。對(duì)于小的施加電壓，耗盡層邊界130位于探測(cè)極120和源極105之間，并且對(duì)于 小的施加電壓，一般終止在柵極下方。在此狀態(tài)下，從實(shí)際意義上可以將該探測(cè)極認(rèn)為 是基本上短接于漏極，探測(cè)極電壓隨著漏電壓變化。然而，對(duì)于大的施加電壓，耗盡層 邊界135延伸超出探測(cè)電極，探測(cè)極電壓幾乎為常數(shù)，并且?guī)缀醪灰蕾?lài)于漏電壓。這可 以吸引人們想到將探測(cè)極電壓作為能夠向其他器件指示RBB 100處于導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)下 的回授信號(hào)。至少可以通過(guò)修改探測(cè)極接點(diǎn)120的外形尺寸(例如寬度)或通過(guò)改變探 測(cè)極接點(diǎn)下的摻雜分布來(lái)調(diào)節(jié)最大探測(cè)極電壓。轉(zhuǎn)至圖2，該圖更具體地示出如何將兩個(gè)RBB 100組合成回授式半電橋。每一 RBB的柵電極115由來(lái)自另一 RBB的探測(cè)極接點(diǎn)120(和120’)的回授信號(hào)所控制。注 意到，得到的回授式半電橋僅僅具有3個(gè)外部接點(diǎn)，外部接點(diǎn)位于共源極105 (和105’ ) 和每一漏極110和110’，這如同所得回授式半電橋由常規(guī)二極管構(gòu)成一樣。這便于基本 上引腳對(duì)引腳的替代二極管電橋，而沒(méi)有現(xiàn)有技術(shù)中的低電壓限制，并且無(wú)需現(xiàn)有技術(shù) 中同步整流器的復(fù)雜控制電路特性。根據(jù)對(duì)外延層摻雜的選擇，RBB 100可以是η型或ρ型。每一 RBB具有固有的 體二極管(body diode)，并且在應(yīng)用于電路中時(shí)，通常代替相同極性的二極管。因此，可 以將兩個(gè)N型RBB組合成共陽(yáng)極半電橋235，并且將兩個(gè)P型RBB組合成共陰極半電橋240，如圖2的底部所示。在半電橋工作期間，其中一個(gè)器件保持導(dǎo)通同時(shí)另一個(gè)器件為 截止。來(lái)自截止器件的回授信號(hào)具有幫助另一個(gè)器件保持導(dǎo)通的合適符號(hào)。在一實(shí)施例中，小心控制柵極氧化物的厚度以及溝道區(qū)中的摻雜，以?xún)?yōu)化器件 的性能。另外，至少在一些實(shí)施例中，在探測(cè)極開(kāi)口內(nèi)，N++摻雜優(yōu)于P++摻雜。為了測(cè)試圖1和2所示設(shè)計(jì)，對(duì)圖3所示的全電橋進(jìn)行了測(cè)試，該全電橋由圖2 所示的共陰極和共陽(yáng)極的半電橋所構(gòu)造。測(cè)試結(jié)果顯示在圖4中。更具體地，圖4是 10A、20V電橋的I-V曲線(xiàn)，并示出了二極管上的正向電壓(縱軸)與施加到電橋上的電 壓的關(guān)系。通過(guò)采用1歐姆的負(fù)載電阻，橫軸上的電流實(shí)際上等于全電橋輸入電壓。電 流為IOA(對(duì)于η型器件電流密度為200A/cm2，對(duì)于ρ型器件電流密度為67A/cm2)時(shí)， 二極管上的正向電壓小于0.05V。曲線(xiàn)405示出了 η型器件(用在全電橋的共陽(yáng)極部分 中)的結(jié)果，曲線(xiàn)410示出了 ρ型器件(用在共陰極半電橋中)的結(jié)果。具有負(fù)微分電阻 的區(qū)域415對(duì)應(yīng)于器件從截止到導(dǎo)通狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。注意到，在所施加電壓為零時(shí)，所有4 個(gè)RBB器件均處于截止?fàn)顟B(tài)。在反向偏置期間，它們保持在截止?fàn)顟B(tài)，而當(dāng)正向偏壓到 達(dá)大約0.5V時(shí)，它們自動(dòng)轉(zhuǎn)到導(dǎo)通狀態(tài)。在截止?fàn)顟B(tài)下相應(yīng)器件的漏電流一般在60 μ A 和160 μ A的數(shù)量 級(jí)?？梢暂^高的VF為代價(jià)通過(guò)改變MOS柵極下的摻雜濃度或者通過(guò) 改變結(jié)構(gòu)的外形參數(shù)來(lái)降低漏電流。本發(fā)明裝置工作時(shí)在所有象限的示意性I-V曲線(xiàn)以500示出在圖5中。除了由于 器件物理結(jié)構(gòu)上導(dǎo)致的負(fù)電阻區(qū)不同外，該曲線(xiàn)看起來(lái)和常規(guī)二極管I-V曲線(xiàn)一樣。包 括負(fù)電阻區(qū)的曲線(xiàn)形狀整體上依賴(lài)于RBB部件的外形尺寸和摻雜濃度，并且因此對(duì)于單 個(gè)RBB為可調(diào)節(jié)的。因此，可以理解，該電橋的性能特性類(lèi)似于用同步整流器構(gòu)成的電橋，但本發(fā) 明的器件不需要一般同步整流器所要求的控制器或與控制器實(shí)現(xiàn)方式相關(guān)聯(lián)的電路。可 以通過(guò)改變摻雜分布和裝置的外形尺寸來(lái)優(yōu)化RBB100的瞬態(tài)行為，以通過(guò)最小EMI來(lái) 提供最大工作頻率，摻雜分布和裝置的外形尺寸具體包括溝道硼的劑量、柵極氧化物厚 度以及探測(cè)開(kāi)口的寬度。由于在正向偏壓期間載流子在柵極下的積聚，瞬態(tài)行為一般受 柵極電容的影響。RBB上的柵極氧化物可以是薄的，或，如以下所述，在工藝中移去部 分柵極有助于補(bǔ)償任何電容增加。從以上內(nèi)容可以理解，本發(fā)明的回授式半電橋不需要 附加的電路元件，并且由于它們具有相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而改進(jìn)的性能，還可以提高工作頻 率。對(duì)圖6所示的倍流器整流電路測(cè)試了共陽(yáng)極半電橋的動(dòng)態(tài)行為。該電路可以在 多個(gè)開(kāi)關(guān)模式電源拓?fù)渲杏糜谳敵鲂盘?hào)整流和濾波。圖7示出了一個(gè)工作周期的電流705 和電壓710的典型波形。正向和反向恢復(fù)沒(méi)有顯示出顯著的尖鋒。反向恢復(fù)的細(xì)節(jié)顯示 在圖8中，證明了瞬態(tài)時(shí)間很小。曲線(xiàn)805示出了電壓，曲線(xiàn)810示出了電流。以下在圖9至圖17中描述一種制造RBB的可能方法。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可 以認(rèn)識(shí)到有許多替代方法，因此本發(fā)明并不限制于下面所描述的具體制造方法。另外， 至少在一些實(shí)施例中，期望隔離該器件，并且如果需要，可以根據(jù)應(yīng)用通過(guò)采用保護(hù)環(huán) 結(jié)構(gòu)、隔離器或其他結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)這種隔離。這些結(jié)構(gòu)在本領(lǐng)域是公知的，因此在此不作 描述。進(jìn)一步地，至少在一些實(shí)施例中，期望遍及器件的MOS溝道區(qū)是均一的。一種 實(shí)現(xiàn)這種期望的方法是采用下面所描述的自對(duì)準(zhǔn)工藝。
首先，在襯底910上生長(zhǎng)外延層900。該外延層的摻雜濃度(N或P型)和厚度 依賴(lài)于擊穿電壓和所期望的器件類(lèi)型。為了清楚起見(jiàn)，下面的討論描述的工藝針對(duì)N型 器件，其與P型的工藝互補(bǔ)。

生長(zhǎng)外延層900后，制備30 200A數(shù)量級(jí)的柵極氧化物935，接著制備600 1200A數(shù)量級(jí)的多晶硅層940。然后，覆上厚度在50 1500A數(shù)量級(jí)的絕緣氧化物層 945。隨后得到柵極掩模950，接著垂直刻蝕絕緣氧化物、多晶硅和柵極氧化物。采用穿 過(guò)開(kāi)口 925的As注入制造源極和探測(cè)極930電極的接點(diǎn)。圖9示出了在該階段的結(jié)構(gòu)。如圖10所示，隨后采用任何適合的方法，例如用氮化硅或其他材料，將第二探 測(cè)極掩模1005制備在柵極掩模的頂部。該掩模的布置提供了自對(duì)準(zhǔn)并在MOS溝道區(qū)中 得到了均一的勢(shì)壘層高度。還注入了 P阱硼1010。對(duì)于至少一些實(shí)施例，P阱硼的劑量 優(yōu)選為足夠高以限制主電流流過(guò)該溝道區(qū)。如圖11的1105所示，柵極掩模被各向同性地刻蝕。這提供了對(duì)于溝道硼注入 1205的自對(duì)準(zhǔn)掩模，如圖12所示。在此階段中，還對(duì)探測(cè)極掩模進(jìn)行刻蝕，并且一般覆 蓋1210所指處的調(diào)節(jié)區(qū)。接下來(lái)，如圖13所示，去除柵極掩模和探測(cè)極掩模，沉積絕緣氧化物1405，并 將絕緣掩模1410放置在頂部，如圖14所示。然后，如圖15所示，在1505所指處刻蝕 絕緣氧化物以提供到探測(cè)極和源電極的接點(diǎn)。隨后，將探測(cè)極掩模1600放置在絕緣掩模頂部上。在硅中垂直刻蝕出圖16所 示的溝槽1605，以提供到P阱的接點(diǎn)，并且執(zhí)行P型注入1610以提供對(duì)源電極的歐姆接 觸?；蛘?，在一些實(shí)施例中，通過(guò)穿過(guò)保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的P阱流到陽(yáng)極的空穴電流來(lái)改變P 阱中的電荷。除非到保護(hù)環(huán)的P阱的距離足夠短，否則這將降低器件的運(yùn)行速度。注意 至IJ，由于大部分電子電流流過(guò)柵極下的狹窄溝道，對(duì)于電子流動(dòng)來(lái)說(shuō)仍具有很好的歐姆 接觸。參考圖17，去除光阻劑就結(jié)束了有源區(qū)的工藝。隨后，以MOSFET器件的常規(guī) 方式執(zhí)行多層金屬化，這在此未示出，以使在芯片的頂面產(chǎn)生三個(gè)接觸區(qū)，從而結(jié)束了 RBB制造方法，并得到圖1所示的器件。原則上并不總需要用RBB制造回授式半電橋或二極管。例如，對(duì)于低擊穿電壓 的器件，整個(gè)漏電壓可以用作探測(cè)電壓。那么，可以由2個(gè)MOSFET構(gòu)成回授式半電橋 (圖18)或由RBB和MOSFET的組合構(gòu)成回授式半電橋(圖19)。注意，為了在低電壓 下工作，MOSFET應(yīng)該具有小的閾電壓，并因此具有小的柵極氧化物厚度。由此，對(duì)于 為操作大功率而設(shè)計(jì)的實(shí)施例，實(shí)際上人們不能施加全部漏電壓到低閾值的柵極，因?yàn)?可能損傷該薄的柵極氧化物并破壞了該器件。對(duì)于諸如那些包括在集成電路中的較低功 率的器件，通常其三個(gè)端子都位于頂面上，在許多實(shí)施例中可以將全部漏電壓施加到柵 極。盡管已經(jīng)對(duì)本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例和多種變型作了充分描述，但在此處的教導(dǎo) 下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到還具有許多不背離本發(fā)明的變型和等同替換。因 此，本發(fā)明并不受限于以上描述，而僅僅通過(guò)附后的權(quán)利要求書(shū)所限制。
權(quán)利要求
1.一種可用作半電橋的半導(dǎo)體器件，包括第一漏極接點(diǎn)，可操作地耦合到第一柵極區(qū)、第一源極區(qū)和第一探測(cè)極區(qū)， 第二漏極接點(diǎn)，可操作地耦合到第二柵極區(qū)、第二源極區(qū)和第二探測(cè)極區(qū)， 第一源極接點(diǎn)，所述第一探測(cè)極區(qū)連接到所述第二柵極區(qū)， 所述第一柵極區(qū)連接到所述第二探測(cè)極區(qū)，所述第一源極區(qū)連接到所述第二源極區(qū)，并連接到所述第一源極接點(diǎn)。
2.—種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 在襯底中沉積第一和第二源極結(jié)構(gòu)；在襯底上沉積柵極結(jié)構(gòu)； 在襯底上接出漏極接點(diǎn)；以及在所述第一和第二源極結(jié)構(gòu)之間沉積探測(cè)極結(jié)構(gòu)，用于控制所述源極和漏極結(jié)構(gòu)之 間的電流。
全文摘要
整流器組件塊具有四個(gè)電極源極、漏極、柵極和探測(cè)極。主電流在源極和漏電極之間流動(dòng)。柵電壓控制MOS柵極下的窄溝道的導(dǎo)電性，并且能夠在截止和導(dǎo)通狀態(tài)之間切換RBB。成對(duì)地使用RBB，將其構(gòu)造為三端子的半電橋整流器，其顯示出比理想二極管更好的性能，類(lèi)似于同步整流器，但不需要控制電路。N型和P型對(duì)可以被構(gòu)造為全電橋整流器?？赡苡衅渌M合來(lái)產(chǎn)生各種裝置。
文檔編號(hào)H01L23/48GK102027594SQ200980102923
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月23日
發(fā)明者A·安庫(kù)迪諾伍, V·諾杜伍 申請(qǐng)人:意法半導(dǎo)體有限公司