專利名稱：具有封裝單元的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
說明一種具有封裝單元(Verkapselungsanordnung)的裝置。本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102008006721. 0、德國(guó)專利申請(qǐng)102008019900. 1、 德國(guó)專利申請(qǐng)102008031405. 6和德國(guó)專利申請(qǐng)102008048472. 5的優(yōu)先權(quán)，它們的公開內(nèi)
容通過回引結(jié)合于此。
背景技術(shù)：
目前，具有有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的濕度敏感的顯示器借助于昂貴的玻璃罩裝 置被封裝，該玻璃罩裝置將OLED顯示器的有源區(qū)域包圍在空腔中。在此，玻璃罩通常借助 于圍繞OLED顯示器的有源區(qū)域的粘合劑層粘合在襯底上，然而該粘合劑層常常由于所應(yīng) 用的材料和/或由于機(jī)械應(yīng)力而不能長(zhǎng)期相對(duì)濕氣和/或氧氣密封。因此需要的是，對(duì)于 該種公知的OLED顯示器，將吸氣劑材料額外地引入到襯底和玻璃罩之間的空腔中，該吸氣 劑材料能夠結(jié)合濕氣和/或氧氣。然而，該種封裝方案對(duì)于所使用的材料有高的要求并且通常在制造中費(fèi)時(shí)且費(fèi)用
尚ο

發(fā)明內(nèi)容
至少一個(gè)實(shí)施方式的任務(wù)是說明一種裝置，該裝置具有器件和用于使該器件相對(duì) 濕氣和/或氧氣封裝的封裝單元。該任務(wù)將通過具有獨(dú)立權(quán)利要求的特征的主題來解決。有利實(shí)施方式和主題的擴(kuò) 展方案在從屬權(quán)利要求中被標(biāo)明，并且從后面的描述和附圖中進(jìn)一步得知。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式的裝置尤其是包括器件和封裝單元。在此，該封裝單元適 合于將該器件相對(duì)濕氣和/或氧氣封裝起來?！胺庋b(verkapseln) ”和“封裝(verkapselung) ”在這里和下文中表示封裝單元的 特性，即形成對(duì)濕氣和/或氧氣的屏障，從而這些物質(zhì)無法滲透該封裝單元。例如，該封裝 單元可以布置在器件和具有濕氣和/或氧氣的周圍大氣之間，從而該器件不受周圍大氣的 侵害。在此，僅僅有封裝該器件的封裝單元就足夠了，例如所通過的方式是封裝單元將該器 件完全地包圍。此外，通過封裝單元的“封裝(verkapseln)”或“封裝(verkapselung) ”也 表示，該封裝單元與其他下文所提及的元件一起封裝器件，所述元件諸如是襯底或遮蓋物。“封裝(verkapseln) ”和“封裝(verkapselung) ”可以在這里和下文中首先表示嚴(yán) 密密封的密封件和抵御濕氣和/或氧氣的屏障。這可以表示，濕氣和/或氧氣不能滲透該 封裝單元。尤其是，該嚴(yán)密密封的封裝單元能夠使器件不受濕氣和/或氧氣的侵害，使得該 器件不會(huì)在其功能作用和/或組成上受到來自周圍大氣的濕氣和/或氧氣的影響和損壞。舉例來說，所述器件可具有至少一個(gè)元件或部分區(qū)域，該元件或部分區(qū)域相對(duì)濕 氣和/或氧氣敏感。該元件或部分區(qū)域例如可能在其功能作用和/或組成上受到濕氣和/ 或氧氣的影響。通過封裝單元能夠?qū)崿F(xiàn)保護(hù)對(duì)濕氣和/或氧氣敏感的元件或?qū)駳夂?或氧氣敏感的部分區(qū)域。此外，所述器件可具有至少一個(gè)元件或部分區(qū)域，該元件或部分區(qū)域?qū)τ跐駳夂? 或氧氣是可滲透的，從而濕氣和/或氧氣能夠滲入到該元件或部分區(qū)域中或者能夠滲透該 元件或部分區(qū)域。這可能是由于例如將濕氣和/氧氣吸收通過該元件或部分區(qū)域和/或使 濕氣和/氧氣擴(kuò)散通過該元件或部分區(qū)域。在這種情況下，通過封裝單元可以實(shí)現(xiàn)，濕氣和 /或氧氣無法滲入和/滲透該可滲透的元件或部分區(qū)域。所述封裝單元可以優(yōu)選地在器件的至少一個(gè)表面上具有至少一個(gè)第一層并且在 該第一層之上具有至少一個(gè)第二層。因此，該第一層可被布置在所述器件的表面和第二層 之間。這里和下文中“之上”、“上面”以及“其上”表示在從器件向外看去的方向上的元 件布置。這尤其能夠表示，布置在第一元件之上或布置在第一元件向上方向上的第二元件 被布置在第一元件背向所述器件的那側(cè)上。在這里或下文中，一個(gè)層或一個(gè)元件被布置或涂覆在另一個(gè)層或另一個(gè)元件“上，， 可以表示，該一個(gè)層或該一個(gè)元件被直接布置為與該另一個(gè)層或該另一個(gè)元件直接機(jī)械和 /或電子接觸。此外也可以表示，該一個(gè)層或該一個(gè)元件間接地布置在該另一個(gè)層或該另一 個(gè)元件上。那樣的話，在此可以有其他層和/或元件布置在該一個(gè)和該另一個(gè)層之間或者 布置在該一個(gè)和該另一個(gè)元件之間。一個(gè)層或一個(gè)元件被布置在兩個(gè)其他層或元件“之間”在這里和下文中可以表示， 該一個(gè)層或該一個(gè)元件被布置為直接地與所述兩個(gè)其他層或元件之一直接機(jī)械和/或電 子接觸或者間接接觸，并且與所述兩個(gè)其他層或元件中的另一個(gè)直接機(jī)械和/或電子接觸 或間接接觸。那樣的話，在此在間接接觸時(shí)，可以有其他層和/或元件布置在該一個(gè)層和所 述兩個(gè)其他層中的至少一個(gè)層之間，或者布置在該一個(gè)元件和所述兩個(gè)其他元件中的至少 一個(gè)元件之間。這里所描述的具有至少第一和第二層的封裝單元可以通過下文中所描述的實(shí)施 方式和實(shí)施例實(shí)現(xiàn)起作用且有效的封裝。這種有效的封裝可以恰好通過至少一個(gè)第一層和 一個(gè)第二層的組合和共同作用來實(shí)現(xiàn)。第一層和第二層可以分別具有適合于通過該第一層和第二層的組合保護(hù)器件免 受環(huán)境的有害影響、即例如免受氧氣和/或濕氣的有害影響的材料。尤其是，該第一層和第 二層可以分別具有無機(jī)材料或者分別由無機(jī)材料制成。第一層可以具有氧化物、氮化物或氮氧化物或者由氧化物、氮化物或氮氧化物制 成。所述氧化物、氮化物或氮氧化物例如可以包括鋁、硅、錫、鋅、鈦、鋯、鉭、鈮或鉿。特別 優(yōu)選地，第一層可以具有硅氮化物(SixNy)-例如Si2N3、硅氧化物(SiOx)-例如SiO2、鋁氧化 物_例如Al2O3，和/或鈦氧化物-例如Ti02。如同下面進(jìn)一步所描述的，第一層可以還進(jìn) 一步地具有透明的導(dǎo)電氧化物(TCO)。替換地或附加地，第一層可以具有金屬或合金，或者 由金屬或合金制成。在此，第一層可以具有鋁或鋁合金。替換地或附加地，第一層也可以具 有之前與氧化物、氮化物和氮氧化物結(jié)合地提到的金屬之一。第一層可以具有陶瓷層形式的和/或結(jié)晶、多晶體、非晶形和/或玻璃態(tài)結(jié)構(gòu)形式 的體積結(jié)構(gòu)。之前所述的材料可以為了制造第一層而例如借助于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積
5("plasma enhanced chemical vapor deposition",PECVD)$]ft，^TMgll] + ·
器件之上和/或圍繞器件生成等離子體，其中為該空間輸送至少兩種氣態(tài)初始化合物，這 兩種氣態(tài)初始化合物可以在等離子體中電離并且可以互相激勵(lì)來反應(yīng)。相對(duì)于無等離子體 的CVD方法，通過產(chǎn)生等離子體可以降低至少一個(gè)器件表面為了產(chǎn)生第一層而應(yīng)被加熱到 的溫度。尤其有利的是，在高于最高溫度的溫度時(shí)，器件會(huì)有不可逆轉(zhuǎn)的損害。對(duì)于尤其在 下文中描述的器件以及在此特別是對(duì)于有機(jī)電子器件來說，該最高溫度例如約為120°C，從 而涂覆第一層的溫度可小于120°C并且優(yōu)選地小于或等于80°C。替換于此地，第一層可以通過物理氣相沉積-例如噴鍍、離子增強(qiáng)沉積方法或熱 蒸發(fā)-被涂覆。此外，第一層也可以具有玻璃或由玻璃制成。在此，玻璃可以例如具有一種或多種 上文所述的氧化物。該玻璃可通過等離子體噴涂來涂覆或被涂覆。在等離子體噴涂時(shí)，可以通過高電壓在至少一個(gè)陽極和至少一個(gè)陰極之間的所謂 等離子體燃燒器中產(chǎn)生電弧，通過該電弧，氣體或氣體混合物可以被傳導(dǎo)并且由此被電離。 該氣體或氣體混合物例如可以具有氬、氮、氫和/或氦。在通過電弧和氣流或混合氣流產(chǎn)生 的等離子體流中，可以為第一層噴灑例如粉末狀的材料。該粉末狀的材料能夠通過等離子 體的溫度而被熔化并且可以借助于等離子體流被涂覆到器件的至少一個(gè)表面上。例如可以 以平均顆粒大小小于或等于幾百微米，優(yōu)選地小于或等于100微米，并且遠(yuǎn)大于或等于100 納米，優(yōu)選地大于或等于1微米來提供該粉末狀材料。所提供的材料越細(xì)，也就是說平均顆 粒大小越小，則第一層可以被涂覆得越均勻。所提供的材料越粗造，也就是說平均顆粒大小 越大，則第一層可以被涂覆得越快。此外，第一層的結(jié)構(gòu)和質(zhì)量取決于速度、溫度和/或等 離子體氣體的成份。替換于等離子體噴涂，具有玻璃的第一層也可以借助于火焰噴涂或者借助于熱蒸 發(fā)方法來涂覆。此外，第一層也可以具有由至少兩個(gè)不同材料的層組成的層序列。這可以表示，具 有至少兩個(gè)不同層的層序列被涂覆作為第一層。該層序列例如可以具有一個(gè)具有氧化物的 層和一個(gè)具有氮化物的層。該層序列還可以具有多個(gè)具有第一材料(例如氮化物)的第一 層和/或多個(gè)具有第二材料(例如氧化物)的第二層，這些第一層和第二層交替地彼此相 疊地被涂覆。以“N”表示含有氮化物的層，以“0”表示含有氧化物的層，從而第一層所具有 的層序列例如構(gòu)成NON或NONON次序或者是ONO或0Ν0Ν0次序。第一層的層序列中的層可 以分別具有大于或等于50納米并且優(yōu)選地大于或等于100納米的厚度。通過被構(gòu)造為疊 層的第一層的多個(gè)層，可以減少第一層內(nèi)的晶格缺陷的擴(kuò)展，該晶格缺陷例如是孔或錯(cuò)位， 并且可以在疊層中的一個(gè)層上限制該層的晶格缺陷并且該晶格缺陷不會(huì)在整個(gè)第一層上 延伸。通過所述的涂覆第一層的方法，可以成本低地以高生長(zhǎng)速率來涂覆該第一層。尤 其是，在涂覆后第一層可具有大于或等于50納米的厚度并且尤其優(yōu)選地具有大于或等于 100納米的厚度。此外，該第一層可以具有小于或等于2微米并且優(yōu)選地小于或等于1微米 的厚度。通過這種厚度的第一層，該封裝單元除了封裝以外也實(shí)現(xiàn)了對(duì)器件相對(duì)有害的外 部影響的機(jī)械保護(hù)。通過所述方法，尤其是當(dāng)器件的溫度小于120°C并且特別優(yōu)選地小于80°C時(shí)，第一層能夠直接涂覆到器件上而不會(huì)損壞器件或器件的部分。第一層的體積結(jié)構(gòu)可以例如以晶體和/或多晶體的形式存在。在此可能的是，第 一層的體積結(jié)構(gòu)具有例如結(jié)構(gòu)和/或晶格缺陷，例如損壞、晶粒邊界和/或疊層缺陷。第一 層的體積結(jié)構(gòu)在此可以取決于上面所描述的涂覆方法和/或取決于在上面涂覆第一層的 所述表面的表面結(jié)構(gòu)。器件例如可能在上面布置有封裝單元的至少一個(gè)表面上具有臟物、 灰塵或其他微粒形式的污染物，這些污染物例如是由于器件本身的制造過程中引起的。這 種類型的微粒能夠部分地覆蓋和/或遮住器件的表面，從而第一層無法均勻地并且表面覆 蓋地涂覆在器件的表面上。因此促使形成第一層中的不期望的孔或穿孔。尤其是，前面所述第一層的體積結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)和晶格缺陷以及第一層的表面結(jié)構(gòu)中 的孔都可能形成不期望的濕氣和/或氧氣的滲透路徑，該滲透路徑能夠?qū)崿F(xiàn)通過第一層的 擴(kuò)散或者至少簡(jiǎn)化通過第一層的擴(kuò)散。此外，第一層在其背向器件的表面上_在該表面上布置第二層_具有宏觀拓?fù)湫?結(jié)構(gòu)形式的表面結(jié)構(gòu)，例如斜坡、凸起、角、邊緣、折角、凹陷、槽、溝、微透鏡和/或棱鏡，和/ 或具有微觀拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)形式的表面結(jié)構(gòu)，例如表面粗糙度和/或孔。此處，借助可見光可分辨 的表面結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)歸為宏觀結(jié)構(gòu)，而恰好不能借助可見光分辨的是微觀結(jié)構(gòu)。這可以表示， 此處稱為宏觀的結(jié)構(gòu)具有大于或等于約400納米的尺寸，而微觀結(jié)構(gòu)具有小于約400納米 的尺寸。表面結(jié)構(gòu)可取決于所述涂覆方法本身，或者尤其是在宏觀結(jié)構(gòu)的情況下也可以通 過適合的其他方法步驟來制造，例如通過掩膜的切割和/或后續(xù)借助于機(jī)械和/或化學(xué)蝕 刻方法的處理。宏觀結(jié)構(gòu)例如可以對(duì)用于光折射和/或光散射的透明的封裝單元是合適 的，特別是對(duì)于具有下文中進(jìn)一步描述的實(shí)施為OLED的器件的裝置是合適的，其中在該器 件中光可以穿過該封裝單元被發(fā)射。第二層可適合于結(jié)合第一層實(shí)現(xiàn)嚴(yán)密密封的封裝單元。對(duì)此，第二層可尤其適合 于密封上文所述的可能在第一層中出現(xiàn)的滲透路徑。為此，第二層可以直接布置在第一層之上并且與第一層直接接觸。這可以表示，第 二層與第一層具有共同的界面并且此外具有背向該共同的界面的上表面。第二層可以被構(gòu) 造為使得該第二層可以至少部分地或近似地跟隨第一層的表面結(jié)構(gòu)，這就表示尤其是第二 層的上表面至少部分或近似地跟隨所述界面的拓?fù)湫谓Y(jié)構(gòu)。第二層的上表面至少部分地跟隨第一層和第二層之間的界面，并且由此至少部分 地跟隨第一層的表面結(jié)構(gòu)，這在這里和下文中表示，第二層的上表面同樣具有拓?fù)湫蔚谋?面結(jié)構(gòu)。在此，第二層的上表面的拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)可以優(yōu)選地構(gòu)造為與第一層的背向器件 的表面的拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)相同或相似。尤其是在結(jié)合兩個(gè)或兩個(gè)以上拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)的情 況下，“相同”或“相似”可以表示，所述兩個(gè)或兩個(gè)以上拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)具有相同或相似高 度輪廓，這些高度輪廓具有彼此相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)，例如凸起和凹陷。舉例來說，所述兩個(gè)或兩 個(gè)以上拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)在該意義下分別具有在橫向上以特定的特征性的次序彼此相鄰地 布置的凸起和凹陷，這些凸起和凹陷例如在不考慮所述兩個(gè)或兩個(gè)以上拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)的 凸起和凹陷的相對(duì)高度差的情況下是相同的。換句話說，至少部分地跟隨另一平面的拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)的表面可以具有凸起或凹 陷，該凸起布置在另一平面的拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)的凸起之上，該凹陷布置在另一平面的拓?fù)?br> 7形表面結(jié)構(gòu)的凹陷之上。此處，該表面的相鄰的凸起和凹陷之間的相對(duì)高度差也可以與另 一平面的拓?fù)湫伪砻娼Y(jié)構(gòu)的相應(yīng)的凸起和凹陷的相對(duì)高度差不同。換句話說，這可以表示，第二層的上表面和第一層與第二層之間的界面平行地或 至少近似平行地伸展。由此，第二層可以具有如下厚度該厚度與第一層的背向器件的表面 的表面結(jié)構(gòu)無關(guān)或者近似無關(guān)。關(guān)于第二層的厚度，“近似平行”、“近似無關(guān)”和“近似保持 相同”可以表示該厚度與第二層的總厚度相比具有小于或等于10%并且優(yōu)選地小于或等于 5%的厚度變化。第二層具有這種小厚度變化的這種構(gòu)造方式也可以稱為所謂的“保形涂覆 (conformal coating)，，。此外，第二層所具有如下厚度該厚度小于至少一些結(jié)構(gòu)的尺寸并且尤其小于上 面所述的第一層的表面結(jié)構(gòu)的宏觀結(jié)構(gòu)。尤其是，第二層也可跟隨第一層的表面結(jié)構(gòu)的那 些微觀結(jié)構(gòu)，這些微觀結(jié)構(gòu)的尺寸大于第二層的厚度。此外，第二層的厚度可以與第一層的體積結(jié)構(gòu)無關(guān)。這可以表示，第一層即使在該 第一層的部分區(qū)域上也不具有大于10%的厚度變化并且尤其優(yōu)選地也不具有大于5%的 厚度變化，其中在這些部分區(qū)域中存在上文所述的第一層的體積結(jié)構(gòu)的晶格和/或結(jié)構(gòu)缺 陷并且這些晶格和/或結(jié)構(gòu)缺陷尤其是擴(kuò)展到與第二層的共同界面。此外，第二層的厚度尤其是也可以與第一層面向第二層的表面中的開口、凸起、凹 陷和孔無關(guān)。當(dāng)這種類型的表面結(jié)構(gòu)在其尺寸方面大于第二層的厚度時(shí)，這些表面結(jié)構(gòu)可 以通過第二層被以均勻的并且在上述意義下至少幾乎相同的厚度覆蓋，所通過的方式是第 二層跟隨所述表面結(jié)構(gòu)。當(dāng)表面結(jié)構(gòu)在其尺寸方面小于或等于第二層的厚度時(shí)，第二層可 以覆蓋這些表面結(jié)構(gòu)，而不需要跟隨這些表面結(jié)構(gòu)，并且在此第二層同樣可以具有上述意 義下的至少幾乎保持相同的厚度。特別地，第二層可以密封第一層中的開口和/或孔，所述開口和/或孔具有大于或 等于10并且特別優(yōu)選地大于或等于30的深度直徑比。當(dāng)?shù)谝粚铀哂械谋砻娼Y(jié)構(gòu)具有懸 垂結(jié)構(gòu)、尤其是具有負(fù)角度的宏觀的懸垂結(jié)構(gòu)時(shí)，所述封裝單元也可以具有這里所描述的 至少近似與第二層的厚度相等的厚度。此外，第二層可以具有與第一層的面向第二層的表面的表面結(jié)構(gòu)無關(guān)的體積結(jié) 構(gòu)。此外，第二層可以具有與第一層的體積結(jié)構(gòu)無關(guān)的體積結(jié)構(gòu)。這可以表示，第一層的特 定于表面和/或體積的特性和特征_例如上文所提及的第一層的表面結(jié)構(gòu)和/或體積結(jié)構(gòu) 中晶格和/或結(jié)構(gòu)缺陷_不會(huì)影響第二層的體積結(jié)構(gòu)。如與第一層相關(guān)聯(lián)地描述的，第二層可以具有氧化物、氮化物和/或氮氧化物。特 別優(yōu)選地，第二層可以具有鋁氧化物_例如Al2O3,和/或鉭氧化物-例如Ta205。尤其是，第二層所具有如下的體積結(jié)構(gòu)該體積結(jié)構(gòu)具有比第一層更高的非晶形 性、也就是所包含的材料的短程有序(Nahordmmg)和/或長(zhǎng)程有序(Fernordrumg)的不規(guī) 則性。這尤其可以表示，第二層具有一種高非結(jié)晶形性，使得無法確定結(jié)晶度或結(jié)晶結(jié)構(gòu)。 在此，第二層可以是完全非晶形的，從而形成第二層的材料不具有可測(cè)量的短程有序和/ 或長(zhǎng)程有序，而是具有純統(tǒng)計(jì)學(xué)的不規(guī)則分布。作為確定第二層以及第一層的非晶形性的參考，在此例如可以在倫琴射線衍射儀 中使用對(duì)于專業(yè)人員公知的平角尺測(cè)量，在平角尺測(cè)量的情況下可以確定非晶形層沒有結(jié) 晶、分晶和/或多晶結(jié)構(gòu)形式的結(jié)晶度。
例如借助倫琴射線衍射在條紋入射(GIXRD)的情況下測(cè)量封裝單元，所述封裝單 元具有第一層和第一層之上的第二層以及在該第一層和第二層之間的厚度為100納米的 SiO2層，其中第二層由Al2O3制成并且厚度為10納米，第一層具有厚度分別為200納米的兩 個(gè)SiNx層。在此，可以借助GIXRD方法來證實(shí)第二層中沒有結(jié)晶材料。雖然具有結(jié)晶的、也就是說不是非晶形的體積結(jié)構(gòu)的層通常比具有非晶形體積 結(jié)構(gòu)的層具有更大的厚度，但是結(jié)合這里所描述的具有封裝單元的裝置意外地確定，當(dāng)?shù)?二層具有高的非晶形性時(shí)，該第二層仍然在結(jié)合第一層的情況下實(shí)現(xiàn)了嚴(yán)密密封的封裝單 元。在此尤其有利的是，非晶形的第二層不會(huì)繼續(xù)第一層的結(jié)構(gòu)和/或晶格缺陷，從而由此 也不會(huì)構(gòu)成穿過封裝單元的濕氣和/或氧氣的連續(xù)滲透路徑。正是通過第一層與非晶形的 第二層的組合可以實(shí)現(xiàn)如下封裝單元該封裝單元具有相對(duì)于濕氣和/或氧氣的嚴(yán)密的密 封性，并且同時(shí)具有足夠大的總厚度，以保證對(duì)器件的機(jī)械保護(hù)。第二層可以以一定的方法制造在第一層之上，在該方法中，第一層的表面結(jié)構(gòu)和/ 或體積結(jié)構(gòu)不會(huì)影響要涂覆的第二層的體積結(jié)構(gòu)。尤其是，第二層可以借助一定的方法被 制造，使得第二層所涂覆的一種或多種材料以非長(zhǎng)程有序的方式、即不規(guī)則分布的方式被 涂覆以用于制造非晶形的體積結(jié)構(gòu)。在此，該第二層可以例如以一種或多種要涂覆的材料 的單個(gè)層的形式、即所謂的單層的形式被涂覆，其中表面結(jié)構(gòu)的每個(gè)單層都跟隨要涂層的 面。在此，單層的組成部分和材料以統(tǒng)計(jì)形式分布并且彼此獨(dú)立地分布和涂覆在整個(gè)要被 涂層的面上，其中特別優(yōu)選地以單層連續(xù)覆蓋整個(gè)面。在此，要被涂層的平面可以是第一層 的背向器件的表面或是已經(jīng)涂覆在第一層上的單層。利用其可覆這種單個(gè)層的方法可稱為原子層沉積的變型。原子層沉積(“atomic layer deposition",ALD)可以表示如下方法，其中與上面所述的CVD方法相比首先將至少 兩種氣態(tài)初始化合物中的第一種輸送給其中提供所述器件的空間以便在表面上制造第一 層。該第一初始化合物能夠吸附在表面上。對(duì)于這里所描述的封裝單元來說有利的是，第 一初始化合物不規(guī)則地并且不是以長(zhǎng)程有序的方式吸附在表面上。在以第一起始化合物優(yōu) 選完全地或幾乎完全地遮蓋表面以后，可以輸送至少兩種氣態(tài)初始化合物中的第二種。該 第二初始化合物可以與盡可能不規(guī)則地但是優(yōu)選完全表面覆蓋地吸附在所述表面上的第 一初始化合物發(fā)生反應(yīng)，通過這種方式可以構(gòu)造第二層的單層。如在CVD方法時(shí)那樣，有利 的是，至少一個(gè)表面被加熱到高于室溫的溫度。通過這種方式初始化形成單層的反應(yīng)。表 面溫度，例如也可以是器件溫度、即器件的溫度，在此可以依賴于反應(yīng)物、即第一和第二初 始化合物。通過重復(fù)這些方法步驟，多個(gè)單層可以依次地彼此重疊地涂覆。在此對(duì)于制造 這里所描述的封裝單元來說有利的是，單個(gè)單層的材料或初始化合物的布置在單層和單層 之間是彼此獨(dú)立的，從而能夠不僅在沿著要被涂層的表面的延伸平面的橫向上而且也在高 度上構(gòu)造非晶形的體積結(jié)構(gòu)。結(jié)合上文所述用于第二層的材料，第一和第二初始化合物例如可以是金屬有機(jī)化 合物，例如三甲基金屬化合物以及含氧化合物。為了制造具有Al2O3的第二層，可以提供例 如三甲基鋁作為第一初始化合物，水或N2O作為第二初始化合物。替換于此地，也可以提供 水或N2O作為第一初始化合物。當(dāng)以水作為第一初始化合物時(shí)意外地確定，可以直接在器件的表面上涂覆由水制 成的單層，而不會(huì)損害器件本身。在此的前提是，在不輸送第二初始化合物的情況下水在器件的表面上停留的時(shí)間必須短于水在器件中擴(kuò)散所需的擴(kuò)散時(shí)間。這可能是如下情況具 有范圍在幾毫秒至10毫秒或者也可以是幾十毫秒的時(shí)鐘頻率的第一和第二初始化合物被 交替地輸送。原子層沉積、的無等離子體的變型("plasma-less atomic layer deposition", PLALD)在此可以表示一種ALD方法，對(duì)于該方法如在下文中所述那樣不生成等離子體，而 是為了形成單層，上述初始化合物的反應(yīng)只有在高于要鍍層表面的溫度的情況下才開始。在PLALD方法中，至少一個(gè)表面和/或器件的溫度例如可以大于或等于60°C并且 小于或等于120°C。^ ^^ J^Κ ( "plasma enhanced atomic layer deposition", PEALD)可以表示如下ALD方法，其中在生成等離子體的同時(shí)輸送第二初始化合物，由此可 以如在PECVD方法中那樣激勵(lì)第二初始化合物。由此，與無等離子體的ALD方法相比，所述 至少一個(gè)表面被加熱到的溫度可以降低并且通過等離子體生成仍然可以發(fā)起初始化合物 之間的反應(yīng)。在此，所述單層例如可以在小于120°C并且優(yōu)選小于或等于80°C的溫度下被 涂覆。為了生成其他單層，可以重復(fù)輸送第一初始化合物并且之后輸送第二初始化合物的 步驟。第二層的非晶形性的程度可以通過選擇適當(dāng)?shù)某跏蓟衔?、溫度、等離子體條件 和/或氣壓來實(shí)現(xiàn)。第二層可以根據(jù)涂覆方法被涂覆為厚度大于或等于1納米，優(yōu)選地大于或等于5 納米并且特別優(yōu)選地大于或等于10納米以及小于或等于500納米。尤其是，第二層可以具 有小于或等于200納米、優(yōu)選地小于或等于100納米并且特別優(yōu)選地小于或等于50納米的 厚度。這可以表示，第二層具有大于或等于一個(gè)單層，優(yōu)選地大于或等于10個(gè)單層并且小 于或等于5000個(gè)單層，所述單層是第二層的材料的單層。在此，一個(gè)單層通常相當(dāng)于約十 分之一納米。由于第二層的高的厚度和質(zhì)量，這種厚度足以在結(jié)合第一層的情況下保證極 為有效地保護(hù)位于其下面的器件免受濕氣和/或氧氣的侵害。第二層的厚度越薄，制造第 二層的時(shí)間和材料成本越少，由此可以產(chǎn)生更高的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。第二層的厚度越厚，第二層對(duì) 例如機(jī)械損害的抵抗能力越強(qiáng)，并且封裝單元的嚴(yán)密封裝性能的持久性越大。由于第二層的小厚度，可以保證短的制造時(shí)間、進(jìn)而保證這里所描述的封裝單元 的高的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。尤其是，該封裝單元可以直接地并且無間隔地布置在所述器件上。這可 以表示，封裝單元的第一層直接地并且無間隔地布置在所述器件上。此外，封裝單元可以具有布置在第一層和所述器件之間的第三層。該第三層在此 可以尤其具有如結(jié)合第二層所描述的無機(jī)材料。此外，第三層是非晶形的。另外，該第三層 可以具有如結(jié)合第二層所描述的一個(gè)或多個(gè)其他特征。此外，第二層和第三層可以以相同 的方式構(gòu)造。第一層可以直接地并且無間隔地布置在第三層上。此外，第三層可以直接地布置 在所述器件上。在此，第三層可以為第一層實(shí)現(xiàn)與所述器件的表面無關(guān)的均勻的涂覆表面。尤其是，可以直接將封裝單元布置在器件的表面上。這可以表示，直接地并且無間 隔地在器件的表面上布置第一層或必要時(shí)第三層。這可以尤其表示，所述封裝單元不具有 通常在已知封裝的情況下所需要有機(jī)平面化層或者不必涂覆在這種有機(jī)平面化層上。如同 在下文進(jìn)一步實(shí)施的那樣，所述器件的表面例如通過電極形成所述器件的無機(jī)光輸出耦合層或者其他的功能層。此外，所述封裝單元可以具有多個(gè)第一層和多個(gè)第二層，它們交替地彼此相疊地 布置在所述器件上，其中在這些第一和第二層中首先布置在器件上的層是第一層。所述多 個(gè)第一或第二層中的第一和第二層可以分別以相同的或不同的方式構(gòu)造。在此，在這里或 在其他前述描述的上下文中，“多個(gè)”可以表示數(shù)量至少為2。通過具有第一和第二層的層 結(jié)構(gòu)的這種重復(fù)可以改進(jìn)器件的封裝。此外可以提高封裝單元的機(jī)械穩(wěn)固性。通過對(duì)各個(gè) 第一和第二層的材料的適當(dāng)選擇可以調(diào)節(jié)封裝單元的光學(xué)特性。此外，所述裝置可以具有多個(gè)封裝單元，該多個(gè)封裝單元被布置在器件的不同表 面上。此外，所述封裝單元可以在第二層上具有保護(hù)層。在此，該保護(hù)層可以直接地布置 在第二層上。尤其是，該保護(hù)層可以實(shí)現(xiàn)對(duì)位于其下方的第一和第二層的額外機(jī)械保護(hù)。該 保護(hù)層所具有大于或等于1微米并且小于或等于100微米的厚度。尤其是，該保護(hù)層可以 具有大于或等于5微米并且優(yōu)選地大于或等于10微米的厚度。在此，保護(hù)層可以具有有機(jī)材料，尤其是例如塑料-諸如硅氧烷、環(huán)氧化物、丙烯 酸酯-例如甲基丙烯酸甲酯、酰亞胺、碳酸酯、烯烴、苯乙烯、氨基甲酸乙酯(Urethane)或者 其單體、低聚物或聚合物形式的衍生物以及此外混合物、共聚體或者與它們的化合物。保護(hù) 層例如可以包括或者可以是環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚 丙烯酸酯、聚氨酯或者諸如聚硅氧烷的硅樹脂及其混合物。在此，保護(hù)層例如可以是透明 的。此外，保護(hù)層可以具有噴漆或被構(gòu)造為噴漆，所述噴漆包括前述材料中的至少一 種并且例如可以借助于連續(xù)噴漆設(shè)備來涂覆。此外，所述噴漆可以是可UV硬化的噴漆和/ 或含粘合劑或含溶劑的噴漆。由于通過封裝單元的第一和第二層實(shí)現(xiàn)器件的嚴(yán)密封裝，從而保護(hù)層還可以具有 如下材料所述材料可以是由于例如會(huì)損害器件而原本不兼容的。所以，保護(hù)層例如可以作 為具有溶劑的溶液來涂覆，該溶液可能對(duì)未封裝的器件具有有害的影響。在上面布置有封裝單元的器件的表面可以是平坦的或彎曲的。此外，該表面還可 以具有至少兩個(gè)表面區(qū)域，這兩個(gè)表面區(qū)域相對(duì)彼此互相或凹或凸地傾斜。該表面在此也 可以具有一個(gè)或多個(gè)邊緣和/或折角。為此，表面的兩個(gè)或兩個(gè)以上的表面區(qū)域可以例如 形成共同的邊緣和/或折角。此外，在器件的表面上可能如上所述的那樣堆積顆粒、塵垢或 灰塵，它們?cè)斐闪瞬灰?guī)則的表面結(jié)構(gòu)。所述器件可以具有襯底或就是襯底。該襯底可以在此例如適合作為電子元件、特 別是光電元件的支撐元件。例如，襯底可以具有玻璃、石英和/或半導(dǎo)體材料或者由它們制 成。此外，襯底還可以具有塑料薄膜或具有一層或多層塑料薄膜的層壓板或者由它們制成。 所述塑料可以具有一種或多種聚烯烴，諸如密度更高或更低的聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)。 此外，所述塑料也可以具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或優(yōu)選地具有聚碳酸 酯(PC)、聚乙烯對(duì)苯二酸酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PEN)。此外，所述襯底具有金屬，尤其是例如金屬薄膜。包括金屬薄膜或?qū)嵤榻饘俦∧?的襯底可以例如具有鋁薄膜、銅薄膜、不銹鋼薄膜或者是由它們構(gòu)成的組合或疊層。所述襯底可以具有一種或多種上述材料，并且在此可以以透明、部分透明或者不透明的形式實(shí)施。在此，所述襯底至少在部分區(qū)域相對(duì)濕氣和/或氧氣敏感或者替換地或附加地可 以滲透濕氣和/或氧氣。在這種情況下，在上面布置有封裝單元的表面可以在敏感的和/ 或可滲透的區(qū)域中包括襯底表面或者作為襯底表面。因此，通過該封裝單元可以實(shí)現(xiàn)襯底 相對(duì)周圍大氣的密封，從而襯底可以在一方面受到保護(hù)。另一方面，該封裝單元可以密封襯 底的可滲透部分區(qū)域，從而包括該襯底的裝置利用該封裝單元被構(gòu)造成嚴(yán)密密封的襯底， 在該襯底上能夠涂覆例如潮濕和/或氧氣敏感的其他部件。在滲透濕氣和/或氧氣的和/或濕氣和/或氧氣敏感的襯底材料的情況下，該襯 底也可以完全地被封裝單元包圍，從而封裝單元被涂覆在所有的襯底表面上。通過這種方 式，為裝置所使用的襯底材料其本身并不密封并且如同下文中結(jié)合器件所描述的那樣可以 被涂覆在其他元件上。襯底例如可以具有塑料薄膜或者由塑料薄膜制成，該塑料薄膜可在其機(jī)械特性如 柔性方面適用于所述裝置。但是在此，襯底的塑料例如可以滲透濕氣和/或氧氣，和/或具 有對(duì)于該裝置和/或器件來說不適合的較高的水?dāng)U散速率。通過將封裝單元布置在襯底的 一個(gè)或優(yōu)選全部表面上，該襯底還可以具有其機(jī)械特性并且同時(shí)借助該封裝單元相對(duì)濕氣 和/或氧氣密封。此外，該襯底還具有至少一個(gè)第一襯底層和一個(gè)第二襯底層，其中該第二襯底層 例如滲透濕氣和/或氧氣和/或?qū)駳夂?或氧氣敏感，而第一襯底層不滲透濕氣和/或 氧氣并且對(duì)濕氣和/或氧氣不敏感。在這種情況下，該封裝單元可以布置在第二襯底層上 方或直接布置在第二襯底層上，從而第一和第二襯底層被封裝單元完全地包圍或者第二襯 底層被封裝單元和第一襯底層一起完全地包圍。第一襯底層例如可以是金屬薄膜，在該金屬薄膜上涂覆第二襯底層，該第二襯底 層的形式為具有塑料的平面化的塑料層，所述塑料例如滲透濕氣和/或氧氣。如在下文中 所描述的那樣，這種平面化的塑料層由于對(duì)于器件來說不合適的高粗糙度而是有利的。借 助該封裝單元又可以阻止塑料層的不合適的高導(dǎo)水性或滲水性。構(gòu)造為平面化塑料層的第 二襯底層可以具有上文中所述的塑料材料之一，并且替換地或附加地也可以具有其他聚合 物，尤其是氟化物處理過的聚合物、聚對(duì)二甲苯、甲基環(huán)戊烯酮(Cyclotene)、聚丙烯酸酯以 及組合或?qū)有蛄?。此外，所述器件可以?gòu)造成電子器件。尤其是，所述器件可以具有或被構(gòu)造為無機(jī) 發(fā)光二極管(LED)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、無機(jī)光電二極管(PD)、有機(jī)光電二極管(OPD)、 無機(jī)太陽能電池(SC)、有機(jī)太陽能電池(OSC)、無機(jī)晶體管-尤其是無機(jī)薄膜晶體管(TFT)、 有機(jī)晶體管-尤其是有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)、集成電路(IC)或多個(gè)所述元件或所述元件的組合。實(shí)施為電子器件的所述器件例如可以具有襯底。該襯底在此根據(jù)上文中的描述被 實(shí)施。此外，該襯底可以已經(jīng)根據(jù)上文中的描述被實(shí)施為具有第一封裝單元的裝置。被實(shí) 施為襯底的裝置因此可以作為嚴(yán)密密封的襯底用作上級(jí)裝置的器件，該上級(jí)裝置具有根據(jù) 上文所描述的第二封裝單元以用于封裝例如器件的功能區(qū)域和/或?qū)?。此外，該器件可以具有功能層序列，該功能層序列具有至少一個(gè)第一電極和一個(gè) 第二電極，在該至少一個(gè)第一和第二電極之間布置有一個(gè)或多個(gè)無機(jī)和/或有機(jī)功能層。
12尤其是，所述功能層序列可以布置在襯底上。如果所述器件具有例如LED、OLED、PD、OPD、SC和/或0SC，則所述功能層序列可具 有有源區(qū)域，該有源區(qū)域適合于在器件或裝置運(yùn)行時(shí)生成或檢測(cè)電磁射線。此外，該器件可 以具有透明的襯底。此外，替換地或附加地，所述封裝單元對(duì)于在運(yùn)行時(shí)輻射或檢測(cè)到的電 磁射線是至少部分透明的。此外，第一電極和/或第二電極可以是透明的，并且例如具有透明的導(dǎo)電氧化物 或者由透明的導(dǎo)電氧化物組成。具有這種材料的電極可以尤其被構(gòu)造為陽極、也就是注入 空穴的材料。透明的導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide，“TC0”)是透明的導(dǎo)電 的材料，一般來說是金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鈣、氧化鈦、氧化銦或氧化錫銦 (ITO)。除了二元的金屬氧化合物、例如ZnO、SnO2或In2O3之外，三元的金屬氧化合物 或者不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO的組，所述三元的金屬氧化合物例如是 Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、Mgln204、Galn03、Zn2In2O5 或者 In4Sn3O12。此外，TCO 不一定對(duì)應(yīng)于 化學(xué)計(jì)量組成并且也可以是P摻雜的或者η摻雜的。此外，第一和/或第二電極可以具有金屬，所述金屬例如可以用作為陰極材料，也 就是用作為注入電子的材料。作為陰極材料，尤其鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣或鋰及其化合物、 組合物和合金可以被證明為有利的。替換地或附加地，一個(gè)或兩個(gè)電極也可以具有組合物， 尤其是由TCO和/或金屬制成的層序列。一個(gè)或多個(gè)功能層可以具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的小的非聚 合分子(“small molecule”，小分子)或者它們的組合。特別有利的是，實(shí)施為有機(jī)電子器 件的具有0LED、0PD、OSC和/或OTFT的所述器件具有功能層，該功能層被實(shí)施為空穴傳輸 層，以例如在OLED的情況下實(shí)現(xiàn)將空穴有效地注入到電致發(fā)光層中或電致發(fā)光區(qū)域中。作 為空穴傳輸層的材料，例如叔胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電聚苯胺或者聚乙烯二氧噻吩可以被證明 為有利的。此外有利的是，將功能層實(shí)施為電致發(fā)光層。對(duì)此合適的材料是具有基于熒光或 磷光的射線發(fā)射的材料，例如聚芴、聚噻吩或聚苯或者其衍生物、化合物、混合物或共聚物。 根據(jù)功能層中的材料，所生成的第一射線可以具有從紫外到紅光譜區(qū)域的各個(gè)波長(zhǎng)或范圍 或者它們的組合。如果所述器件具有LED、PD、SC和/或TFT，則一個(gè)或多個(gè)功能層可以具有外延層 序列，也就是外延生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層序列，或者被實(shí)施為該外延層序列。在此，所述半導(dǎo)體層 序列例如具有基于InGaAIN、InGaAlP和/或AlGAs的III -V族化合物半導(dǎo)體和/或具有Be、 Mg、Ca和Sr中的一種或多種元素以及0、S和Se中的一種或多種元素的II -VI族化合物半 導(dǎo)體。例如ZnO、ZnMgO, CdS、ZnCdS和MgBeO屬于I I-VI族化合物半導(dǎo)體材料。具有一個(gè)或多個(gè)OLED和/或一個(gè)或多個(gè)LED的器件能夠尤其被構(gòu)造成照明裝置 或顯示器并且具有大面積構(gòu)造的有效照明平面。在此“大面積”可以表示，所述器件具有大 于或等于幾個(gè)平方毫米、優(yōu)選大于或等于一個(gè)平方厘米并且特別優(yōu)選大于或等于一個(gè)平方 分米的面積。所述器件的實(shí)施方式的所提到的列舉不應(yīng)該被局限地理解。更確切地，所述器件 可以具有對(duì)于專業(yè)人員公知的、因此在此沒有進(jìn)一步實(shí)施的其他電子元件和/或功能層序 列。
所述封裝單元可以布置在上文中所描述的功能層序列的一個(gè)或多個(gè)表面上。如果 所述器件具有在上面布置有功能層序列的襯底，則所述封裝單元可以延伸通過襯底的至少 部分區(qū)域和功能層序列，由此該功能層序列被襯底和封裝單元完全地包圍。如果所述器件 具有如上所描述的滲透濕氣和/或氧氣和/或濕氣和/或氧氣敏感的襯底，則該器件可以 被封裝單元完全地包圍。這可以表示，在器件的所有暴露的表面上并且因此在襯底和功能 層序列的所有暴露的表面上布置有封裝單元。替換地或附加地，第一封裝單元可以直接布置在襯底上，借助該第一封裝單元將 襯底封裝。在以這種方式封裝的襯底上可以布置功能層序列并且借助第二封裝單元來封裝 該功能層序列。第一和第二封裝單元在此可以以彼此相同或不同的方式實(shí)施并且可以具有 一個(gè)或多個(gè)上文中所述的特征。此外，所述器件例如可以具有蓋子形式的遮蓋物，該遮蓋物位于具有功能層序列 的襯底上方。所述封裝單元例如可以布置在遮蓋物和襯底之間。尤其是，該遮蓋物例如可 以借助圍繞功能層序列的連接材料膠合到襯底上，該連接材料例如是玻璃焊料、玻璃料和/ 或膠合材料。所述封裝單元在此可以圍繞地布置在連接材料上和/或襯底上和/或遮蓋物 上。由此可以密封穿過連接材料和/或沿著連接材料與襯底和/或遮蓋物之間的界面的濕 氣和/或氧氣的可能滲透路徑。在此，這里所描述的裝置和封裝單元也可以在極端環(huán)境條件下嚴(yán)密密封。例如，這 里所描述的裝置和封裝單元可以在升高的溫度下_例如大于或等于40°C、大于或等于60°C 并且尤其是大于或等于85°C -以及在相對(duì)空氣濕度大于或等于85%并且尤其是大于或等 于90%的情況下在長(zhǎng)于500小時(shí)內(nèi)嚴(yán)密密封。這樣的要求例如是對(duì)用于汽車應(yīng)用的裝置 提出的，所述要求根據(jù)專業(yè)人員公知的汽車標(biāo)準(zhǔn)來要求，所述汽車標(biāo)準(zhǔn)例如標(biāo)準(zhǔn)AEC QlOl 或其基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JESD22-A101或者標(biāo)準(zhǔn)IEC68-2-78。在此，從這些標(biāo)準(zhǔn)得出的典型 的測(cè)試條件例如可以是60°C，90%相對(duì)空氣濕度；85°C，85%相對(duì)空氣濕度；或者也可以是 440°C，93%相對(duì)濕度，在這樣的條件下要被測(cè)試的裝置必須在長(zhǎng)于12小時(shí)、16小時(shí)、24小 時(shí)，2、4、10、21或56天的時(shí)間內(nèi)保持有效?？紤]到這里描述的封裝單元，這表示，該封裝單 元在所述條件下保持嚴(yán)密密封。例如，這里所描述的封裝單元可以在溫度大于或等于60°C且相對(duì)空氣濕度大于或 等于85%的條件下或者在上文中所述的條件之一的條件下在長(zhǎng)于500小時(shí)的時(shí)間內(nèi)為嚴(yán) 密密封。根據(jù)上文中所述的實(shí)施方式，例如將具有封裝單元的裝置在被實(shí)施為OLED的器 件上來制造，并且在濕度試驗(yàn)中測(cè)試密封性。在此，該OLED具有1平方厘米的有效平面，該 有效平面在運(yùn)作時(shí)可以看作是照明平面(“光亮圖像”)。通過所述封裝單元可以實(shí)現(xiàn)，在 周圍溫度為60°C且相對(duì)空氣濕度為90%時(shí)，504小時(shí)之后在有效平面的光亮圖像中絲毫不 會(huì)產(chǎn)生黑斑，或在制造完OLED時(shí)已經(jīng)存在的黑斑不會(huì)增長(zhǎng)。在此在大多數(shù)情況下將光亮圖 像中的圓形區(qū)域稱為黑斑，所述圓形區(qū)域在施加電壓時(shí)不會(huì)(再)發(fā)光并且因此相對(duì)其被 照亮的周圍環(huán)境呈現(xiàn)為暗色或黑色。因此，這里所描述的封裝單元可具有小于每平方厘米一個(gè)缺陷的缺陷密度。
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本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和有利實(shí)施方式以及擴(kuò)展方案在下文中結(jié)合圖IA至6E所描述 的實(shí)施方式給出。圖1示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的裝置的示意圖；圖2至圖14示出根據(jù)進(jìn)一步實(shí)施例的裝置的示意圖，以及圖15至圖16C示出根據(jù)進(jìn)一步實(shí)施例的封裝單元的截面的示意圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例和圖中可以設(shè)置分別具有相同附圖標(biāo)記的相同或者作用相同的構(gòu)件。所 示出的元件及其相互之間的尺寸關(guān)系原則上不應(yīng)視為成比例的，更確切地說，諸如層、部 件、器件以及區(qū)域之類的各個(gè)元件為了更好的可表示性和/或?yàn)榱烁玫睦斫舛赡鼙灰?過度厚或大的尺寸示出。圖1示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的裝置100。該裝置100具有器件1，該器件1在所示出 的實(shí)施例中被純粹示意性地表示并且可以根據(jù)發(fā)明內(nèi)容部分中的描述來實(shí)施。器件1尤其 是具有表面19，該表面19對(duì)濕氣和/或氧氣敏感。在器件1的表面19上布置有封裝單元2。該封裝單元2具有第一層21和在該第 一層21之上的第二層22。在所示實(shí)施例中，第一層21借助PECVD方法直接涂覆在器件的 表面19上并且該第一層21由具有氮化硅的無機(jī)材料構(gòu)成。通過該P(yáng)ECVD方法，產(chǎn)生具有 晶體至多晶體的體積結(jié)構(gòu)的第一層21，該體積結(jié)構(gòu)在所示實(shí)施例中具有為幾百納米的厚 度?？商鎿Q于此地，該第一層也可以具有在發(fā)明內(nèi)容部分中所描述的其他材料，這些材料例 如也可以借助上面所述的其他涂覆方法被涂覆到器件1的表面19上。在第一層21背向器件1的表面219上直接涂覆第二層22。從而表面219構(gòu)成第 一層和第二層之間的界面。第二層22具有無機(jī)材料并且在所示實(shí)施例中尤其是由氧化鋁 構(gòu)成。該氧化鋁借助于發(fā)明內(nèi)容部分中詳細(xì)描述的原子層沉積法被涂覆，該方法的方法參 數(shù)被調(diào)整為使得第二層具有與第一層的體積結(jié)構(gòu)無關(guān)地構(gòu)造的體積結(jié)構(gòu)。這表明，在所示 實(shí)施例中存在的第一層21的晶體至多晶體結(jié)構(gòu)不會(huì)以外延或近似外延的方式在第二層中 延伸，從而對(duì)第二層22的體積結(jié)構(gòu)沒有影響。在此，第二層22被實(shí)施為使得第二層22的 體積結(jié)構(gòu)比第一層21的體積結(jié)構(gòu)具有更大的非晶形性。尤其是，所示實(shí)施例中的第二層22 為非晶形的并且不具有可檢測(cè)的結(jié)晶度。與之相關(guān)地在圖15中示出的裝置100的截面，其中放大地示出具有第一層和第二 層21，22的封裝單元2。從圖15可以看出，第一層21的在上面涂覆有第二層22的表面219 具有粗糙度形式的表面結(jié)構(gòu)，該粗糙度例如取決于在器件1上涂覆第一層的涂覆方法。此外，第一層21的體積結(jié)構(gòu)具有例如是孔或摻入物之類的結(jié)構(gòu)或晶格缺陷8，這 些缺陷僅僅示意性地并且純粹以舉例方式表示。在此如所示那樣，結(jié)構(gòu)和晶格缺陷8能夠 延伸到表面219，也就是延伸到第一層和第二層21，22之間的界面。結(jié)構(gòu)和晶格缺陷8例 如也能夠由于顆粒和/或污染物而在表面19上引起，這些顆粒和/或污染物在涂覆第一層 21時(shí)覆蓋和/或遮住表面19的區(qū)域，由此第一層21的不均勻涂覆可能造成以提高了的趨 勢(shì)形成結(jié)構(gòu)和晶格缺陷。第二層22被構(gòu)造為使得這樣的結(jié)構(gòu)和晶格缺陷8不會(huì)影響第二層22的體積結(jié)構(gòu)。因此，該第二層22以均勻的非晶形的結(jié)構(gòu)構(gòu)造并且完全地覆蓋第一層21，由此密封也 有可能通過第一層21的體積結(jié)構(gòu)的晶格和結(jié)構(gòu)缺陷8形成的濕氣和/或氧氣的滲透路徑。 由此，可以借助封裝單元2并且尤其是借助第一層和第二層21，22的組合實(shí)現(xiàn)對(duì)器件1的 嚴(yán)密密封并且尤其是表面19相對(duì)于濕氣和/或氧氣的嚴(yán)密密封。此外，第二層22還具有厚度，該厚度純粹以舉例的方式在兩個(gè)位置處以附圖標(biāo)記 9標(biāo)出。從圖15可以看出，第二層22以發(fā)明內(nèi)容部分所描述的方式跟隨在第一層的表面 219的表面結(jié)構(gòu)之后，從而第二層22的厚度9幾乎與第一層21的表面結(jié)構(gòu)無關(guān)。這尤其表示，不僅是第二層22的體積結(jié)構(gòu)、而且第二層22的厚度9的厚度變化都 至少幾乎與第一層21的體積結(jié)構(gòu)和表面結(jié)構(gòu)無關(guān)。在此，厚度9的厚度變化小于10%。如 圖15所示，第二層被構(gòu)造為使得該第二層能夠至少幾乎跟隨第一層21的表面結(jié)構(gòu)的微觀 結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖16A至16C，與此相關(guān)地示出封裝單元2的其他切面，其中第一層21所具有 的表面結(jié)構(gòu)具有純粹示例性示出的宏觀結(jié)構(gòu)。在圖16A中，第一層21在表面219中具有開 口或凹陷，該開口或凹陷具有大于1的深度直徑比。第二層22跟隨第一層21的表面結(jié)構(gòu) 并且在此以幾乎保持相同的厚度覆蓋開口的表面。此處，第一層21中的開口的深度直徑比 大于或等于10并且特別優(yōu)選地大于或等于30。在圖16B中，第一層21的表面219具有外伸的部分區(qū)域，而圖16C中的第一層21 具有向下擴(kuò)展的開口。盡管在第一層21的表面結(jié)構(gòu)的這種結(jié)構(gòu)上涂覆第二層的角度為負(fù) 角，第二層仍然能夠以如圖15所示的幾乎保持相同的厚度被構(gòu)造。替換或附加于圖15至圖16C中所示的結(jié)構(gòu)，第一層21和尤其是第一層21的表面 219可以具有如發(fā)明內(nèi)容部分所描述的其他結(jié)構(gòu)或表面結(jié)構(gòu)。通過第二層22的體積結(jié)構(gòu)和厚度至少幾乎與第一層的體積和表面結(jié)構(gòu)無關(guān)，可 以實(shí)現(xiàn)第二層在第一層上的一致、均勻和完全覆蓋的布置。通過這種方式，封裝單元2可以 具有第一層21的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合第二層22的優(yōu)點(diǎn)。下面示出所述裝置的進(jìn)一步的實(shí)施例，描述結(jié)合圖1和圖15至圖16C所示的實(shí)施 例的修改方案。在圖2中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置200，其中封裝單元2將器件1完全地圍繞 和包圍。這表示，在上面布置有第一層21和第二層22的器件1的表面19包括器件1的所 有表面。因此，通過第一層和第二層21，22能夠?qū)崿F(xiàn)封裝單元2，該封裝單元2也可以被布 置在不同的相對(duì)于彼此彎曲和傾斜的表面上，并且該封裝單元2也可以延伸通過折角和邊緣。圖2的器件1例如可以是可滲透濕氣和氧氣的柔性塑料薄膜，該柔性塑料薄膜例 如應(yīng)當(dāng)被用作為電子器件的柔性襯底。通過布置在所有側(cè)面的在器件1的所有表面、折角 和邊緣之上延伸的封裝單元2，所示裝置200被構(gòu)造為柔性的嚴(yán)密密封的襯底。在圖3中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置300，該實(shí)施例如同在之前的實(shí)施例中那 樣具有例如被構(gòu)造為襯底10的器件1。該襯底10具有第一襯底層11和在該第一襯底層11 之上的第二襯底層12。第一襯底層11被構(gòu)造成具有足夠厚度的金屬薄膜-諸如不銹鋼薄 膜，以便對(duì)濕氣和氧氣密封。這種類型的金屬薄膜由于其柔韌性、密封性、穩(wěn)定性和導(dǎo)電性 而非常適合于作為電子器件的襯底材料，所述電子器件諸如柔性O(shè)LED和/或柔性0PV。然而，金屬薄膜通常具有相對(duì)高的表面粗糙度，該相對(duì)高的表面粗糙度使得需要昂貴的并且 費(fèi)用高的平滑方法或者平面化層。在所示實(shí)施例中，第二襯底層12具有在發(fā)明內(nèi)容部分中 所述的聚合物，該聚合物適合于將構(gòu)造成金屬薄膜的第一襯底層11平面化。然而由于這種 聚合物通?？梢詽B透濕氣和/或氧氣，所以在襯底10的通過第二襯底層12形成的表面19 上布置具有第一層和第二層的封裝單元2。通過這種方式，第二襯底層12、進(jìn)而襯底10以 及器件1都會(huì)嚴(yán)密地相對(duì)濕氣和氧氣密封和封裝，從而裝置300同樣地可以被用作為柔性 的、嚴(yán)密密封的襯底。如果第一和第二層21，22具有例如在發(fā)明內(nèi)容部分中所描述的導(dǎo)電 材料或半導(dǎo)體材料，則裝置300可以額外地用作為導(dǎo)電襯底。在圖4中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置400，其中構(gòu)造成襯底10的器件1具有第 一和第二襯底層11、12。具有第一和第二層21、22的封裝單元被布置在第一和第二襯底層 11、12的所有暴露的表面上并且因此完整地包圍和封裝所示實(shí)施例中的器件1。在圖5中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置500，其中構(gòu)造成襯底10的器件1同樣地 具有第一和第二襯底層11、12。該器件1的在上面涂覆有封裝單元2的表面19在所示實(shí)施 例中包括器件1的邊界區(qū)域并且尤其是覆蓋第一和第二襯底層11、12之間的連接面或連接 縫隙。通過這種方式，諸如粘合劑的連接材料被封裝和保護(hù)起來以避免濕氣和/或氧氣，其 中借助所述粘合劑使第一和第二襯底層11、12互相膠合。除了在之前的實(shí)施例中實(shí)施為襯底的器件1以外，器件1還可以具有根據(jù)說明書 的發(fā)明內(nèi)容部分所述的其他器件特征。在圖6中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置600的切面，該裝置600對(duì)比于到目前為 止示出的實(shí)施例在器件1的表面19上具有如下封裝單元2 該封裝單元2具有多個(gè)第一層 和多個(gè)第二層。在此，第一層21、21’和第二層22、22’互相交疊地布置，從在器件1的表面 19上的第一層21開始。除了所示的兩個(gè)第一層和兩個(gè)第二層21、21’、22、22’，該封裝單元 2還可以具有其他的第一和第二層。第一和第二層21、21’、22、22’可以被構(gòu)造為分別彼此等同或者也可以被構(gòu)造為 彼此不同，并且例如可以具有不同的材料，這些材料具有不同的光學(xué)特征，例如不同的折射 率。通過由第一和第二層21、22或21’、22’組成的層組合的重復(fù)，也可以提高封裝單元2 的機(jī)械穩(wěn)固性。在圖7中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置700的切面，該裝置700所具有的封裝單 元2除了第一和第二層21、22以外還具有第三層23。在此該第三層23布置在第一層21和 器件1之間并且被直接布置在器件1的表面19上。該第三層23具有無機(jī)材料，該無機(jī)材 料例如可以與第二層22的材料相同并且在其體積結(jié)構(gòu)和厚度變化方面被像第二層22那樣 構(gòu)造。尤其是，第三層23被構(gòu)造為使得該第三層23跟隨器件1的表面19的表面結(jié)構(gòu)并且 具有非晶形的體積結(jié)構(gòu)。通過該第三層例如可以提供一致的層或表面以用于布置第一層，由此可以提高第 一層21的質(zhì)量。所有之前和在后面示出的實(shí)施例可以替代于所示的封裝單元而具有根據(jù)圖6和/ 或圖7的具有多個(gè)第一和第二層21、21’、22、22’和/或第三層23的封裝單元。在下面的圖8至圖14中示出具有器件1的裝置，這些器件1純粹示例性地被構(gòu)造 成0LED。對(duì)此替換地或附加地，器件1也可以具有其他在發(fā)明內(nèi)容部分中所描述的電子器件的特征。以下實(shí)施例的器件1在襯底上具有功能層，從這些功能層中分別純粹示例性地示 出第一和第二電極13和15，在該兩個(gè)電極之間布置有具有有源區(qū)域的有機(jī)功能層14。該 有源區(qū)域適合于，在各個(gè)裝置或各個(gè)器件運(yùn)行時(shí)發(fā)射電磁射線。在此，實(shí)施為OLED的器件 1例如可以具有透明襯底以及透明的布置在襯底之上有機(jī)功能層14之下的第一電極13，從 而在有源區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的電磁射線可以穿過襯底而被發(fā)射。這種實(shí)施也可以被稱為所謂的 “底部發(fā)射器(Bottom-Emitter) ”。替換地或附加地，從襯底向外看去上面的第二電極15也可以是透明的，在必要時(shí) 布置在該第二電極15之上的封裝單元2或遮蓋物也可以是透明的。這種裝置可以將在有 源區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的電磁射線在離開襯底的方向上和從襯底向外看去向上的方向上發(fā)射，并且 能夠被稱為所謂的“頂部發(fā)射器(Top Emitter)”。同時(shí)被實(shí)施為底部發(fā)射器和頂部發(fā)射器 的裝置能夠在運(yùn)行時(shí)在兩側(cè)發(fā)射電磁射線并且在關(guān)斷狀態(tài)下是透明的。在器件被實(shí)施為頂部發(fā)射器的情況下，在第二電極15上可額外地涂覆光輸出耦 合層(未示出)，該光輸出耦合層例如具有硒化物或硫化物，諸如硒化鋅或硫化鋅。如果在有源區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的電磁射線穿過封裝單元2被發(fā)射，則第二層22可以尤其 具有射線輸出耦合結(jié)構(gòu)形式的表面結(jié)構(gòu)，其中所述射線輸出耦合結(jié)構(gòu)具有粗糙部、微透鏡 和/或棱鏡。因此，通過該一致的、跟隨第一層21的表面結(jié)構(gòu)的第二層22能夠?qū)崿F(xiàn)如下類 型的封裝單元2 該封裝單元2將對(duì)器件1的嚴(yán)密密封和封裝以及光學(xué)功能相結(jié)合。在圖8中示出裝置800的實(shí)施例，其中具有第一和第二層21、22的封裝單元2布 置在功能層13、14和15之上。在上面涂覆有功能層13、14和15的襯底10在所示實(shí)施例 中由玻璃制成。在此在所示實(shí)施例中，襯底10具有約為700微米的厚度，由I TO構(gòu)成的 作為第一電極的功能層13具有約為118微米的厚度，構(gòu)造為有機(jī)功能層的層14具有約為 120納米的厚度，并且由鋁構(gòu)成的作為第二電極的功能層15具有約為200納米的厚度。封 裝單元200的第一層21的厚度為500納米并且包括如下疊層該疊層具有厚度為200納米 的SiNx層、在SiNx層之上的厚度為100納米的SiO2層以及在SiO2層之上的厚度為200納 米的另一 SiNx層。封裝單元2的第二層22由厚度為10納米Al2O3制成。如同在
發(fā)明內(nèi)容
部分所描述的那樣，對(duì)于該封裝單元2在第二層中沒有檢測(cè)到結(jié)晶的Al2O3，從而該第二層 完全是非晶形的。對(duì)于這種裝置800，如同在發(fā)明內(nèi)容部分中所描述的那樣，在60°C和90%相對(duì)空 氣濕度的條件下，并且在一平方厘米的有源面積中，在504小時(shí)之后仍然沒有發(fā)現(xiàn)上文所 描述的黑色斑點(diǎn)形式的新形成的缺陷。通過將封裝單元2直接布置在器件1上或直接布置在功能層13、14和15上，而不 必應(yīng)用額外的有機(jī)平面化層，可以在技術(shù)上簡(jiǎn)單地且便宜地布置封裝單元2。相反，在器件 1和封裝單元2之間存在有機(jī)平面化層的情況下，必須以技術(shù)上成本高的方式確保相對(duì)濕 氣和氧氣通常不是嚴(yán)密密封的該有機(jī)平面化層被封裝單元完全地覆蓋和包圍，因?yàn)榉駝t的 話通過該平面化層可以形成到達(dá)功能層13、14、15的滲透路徑。在圖9中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置900，該實(shí)施例具有根據(jù)圖2的具有封裝單 元2的裝置200作為襯底。布置在被構(gòu)造為柔性且嚴(yán)密密封襯底的裝置之上的功能層13、 14和15利用另一個(gè)具有第一層21’和第二層22’的封裝單元2’被封裝。在此，封裝單元2和2’可以以相同或不同的方式來實(shí)施。在圖10中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置1000，其中對(duì)比之前的兩個(gè)實(shí)施例，諸如 塑料薄膜的襯底10與功能層13、14和15 —起被封裝單元2共同完全包圍地封裝。在圖11至圖14中所示出的裝置除了功能層13、14和15的封裝以外還具有玻璃 薄膜或玻璃板形式的或者裝置200形式的遮蓋物17。該遮蓋物17借助圍繞功能層13、14 和15的連接材料16被膠合。根據(jù)圖11的實(shí)施例的裝置1100具有器件1，該器件1所具有的雙層襯底10具有 第一和第二襯底層11、12，這兩個(gè)襯底層在邊界區(qū)域中被封裝單元2封裝。在此，第一襯底 層11被構(gòu)造成金屬薄膜并且第二襯底層12被構(gòu)造成聚合物平面化層，在第二襯底層12上 涂覆有功能層13、14和15。如結(jié)合圖5所描述的那樣，封裝單元2延伸通過第一和第二襯底層21、22之間的 連接處并且進(jìn)一步地通過第二襯底層22的部分區(qū)域。連接材料16被涂覆在封裝單元2上， 從而封裝單元2與遮蓋物17和第一襯底層21 —起封裝第二襯底層22以及功能層13、14 和15。在所示實(shí)施例中，連接材料16由玻璃料構(gòu)成，該玻璃料能夠與遮蓋物17嚴(yán)密密封 地封閉。為此可以將玻璃料材料在涂覆到襯底10上之前在由玻璃薄膜或玻璃板形成的遮 蓋物17上進(jìn)行燒結(jié)。在被涂覆到襯底10上的封裝單元2上之后，連接材料16例如可以借 助激光被熔化并且由此嚴(yán)密密封地連接到封裝單元2上。在圖12中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的裝置1200的切面，該裝置1200具有作為器件 1的襯底10的玻璃襯底。該封裝單元2圍繞連接材料16被布置在連接材料16的部分區(qū)域 和襯底10之上，從而連接材料16和襯底10之間的界面109被封裝單元2密封。由此，濕 氣和/或氧氣的可能的滲透路徑可以通過界面109被長(zhǎng)期地密封，其中該滲透路徑例如可 能是由于器件1的機(jī)械應(yīng)力而形成。在所示實(shí)施例中的連接材料16同樣由玻璃料制成，該玻璃料被在遮蓋物17上進(jìn)行 燒結(jié)并且在例如玻璃襯底的襯底10上借助于激光被熔化?？赡苡捎谠撊刍^程而沿著襯底 10和連接材料之間的界面產(chǎn)生的可能的滲透路徑可以通過該封裝單元2被有效地密封。在圖13和圖14中示出根據(jù)進(jìn)一步實(shí)施例的裝置1300和1400的切面，其中封裝 單元2額外地還延伸通過全部連接材料16和連接材料16與遮蓋物17之間的界面179。由 此，連接材料16和界面179可以長(zhǎng)期被封裝單元2密封。通過這種方式，例如可以將本身 不是嚴(yán)密密封的粘合劑用作連接材料16。裝置1400的封裝單元2額外地還圍繞襯底10和遮蓋物17延伸，由此能夠?qū)崿F(xiàn)更 高的穩(wěn)定性。此外，之前所示實(shí)施例的封裝單元在第二層上具有保護(hù)層(未示出)，該保護(hù)層例 如以噴漆的形式來保護(hù)免受機(jī)械損壞。本發(fā)明不會(huì)由于借助于實(shí)施例的說明而受限于這些實(shí)施例。更確切地，本發(fā)明包 括每一個(gè)新特征以及特征的每一個(gè)組合，這特別包含權(quán)利要求中的特征的每一種組合，即 使在該特征或該組合本身沒有明確地在權(quán)利要求或?qū)嵤├薪o出時(shí)也是如此。
19
權(quán)利要求
一種裝置，包括 器件(1)，以及 封裝單元(2)，其用于相對(duì)濕氣和/或氧氣封裝所述器件(1)，其中 所述封裝單元(2)在所述器件(1)的至少一個(gè)表面(19)上具有第一層(21)和在所述第一層(21)之上的第二層(22)， 所述第一層(21)和所述第二層(22)分別具有無機(jī)材料， 所述第一層(21)直接布置在所述器件(1)上， 所述第二層(22)直接布置在所述第一層(21)上。
2.一種裝置，包括 -器件(1)，以及-封裝單元(2)，其用于相對(duì)濕氣和/或氧氣封裝所述器件(1)， 其中-所述封裝單元(2)在所述器件(1)的至少一個(gè)表面(19)上的第三層(23)上具有第 一層(21)和在所述第一層(21)之上的第二層(22)， -所述第三層(23)直接布置在所述器件(1)上 -所述第一層(21)直接布置在所述第三層(23)上， -所述第二層(22)直接布置在所述第一層(21)上， -所述第一層(21)和所述第二層(22)分別具有無機(jī)材料，以及 -所述第三層(23)具有非晶形的無機(jī)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中-所述第二層(22)和所述第三層(23)以相同的方式構(gòu)造。
4.一種裝置，包括 -器件(1)，以及-封裝單元(2)，其用于相對(duì)濕氣和/或氧氣封裝所述器件(1)， 其中-所述封裝單元(2)在所述器件(1)的至少一個(gè)表面(19)上具有第一層(21)和在所 述第一層(21)之上的第二層(22)，-所述第一層(21)和所述第二層(22)分別具有無機(jī)材料， -所述第二層(22)直接布置在所述第一層(21)上，并且-所述封裝單元(2)在溫度高于或等于60°C且相對(duì)空氣濕度大于或等于85%時(shí)在長(zhǎng)于 500小時(shí)的時(shí)間內(nèi)嚴(yán)密密封。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的裝置，其中-所述第一層(21)和所述第二層(22)分別具有體積結(jié)構(gòu)，并且 -所述第二層(22)的體積結(jié)構(gòu)與所述第一層(21)的體積結(jié)構(gòu)無關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中-所述第二層(22)的體積結(jié)構(gòu)比所述第一層(21)的體積結(jié)構(gòu)具有更高的非晶形性。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中 -所述第二層是非晶形的。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中-所述第二層(22)具有厚度(9)，所述厚度(9)具有與所述第一層(21)的表面結(jié)構(gòu)和 /或體積結(jié)構(gòu)無關(guān)的厚度變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中 -所述厚度變化小于或等于10%。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中-所述封裝單元(2)具有多個(gè)第一層(21，21’ )和多個(gè)第二層(22，22’)，并且 _所述第一層和第二層(21，21’，22，22’)以交替地彼此相疊的方式涂覆。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中-所述封裝單元(2)完全地包圍所述器件(1)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中_所述裝置具有多個(gè)封裝單元(2，2’)，所述多個(gè)封裝單元(2，2’)布置在所述器件(1) 的不同表面上。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的裝置，其中 -所述器件(1)包括襯底(10)，并且-所述封裝單元(2)直接涂覆在所述襯底(10)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至12之一所述的裝置，其中 -所述器件(1)在襯底(10)上具有遮蓋物(17)，并且-所述封裝單元(2)布置在所述遮蓋物(17)和所述襯底(10)之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中-連接材料(16)布置在所述遮蔽物(17)和所述襯底(10)之間，并且 -所述封裝單元(2)封裝所述襯底(10)和所述連接材料(16)之間的和/或所述遮蓋 物(17)和所述連接材料(16)之間的界面(109，179)。
全文摘要
根據(jù)實(shí)施方式的裝置尤其是包括器件(1)和用于封裝器件(1)以抵抗?jié)駳夂?或氧氣的封裝單元(2)，其中該封裝單元(2)在器件(1)的至少一個(gè)表面(19)上具有第一層(21)和在該第一層(21)之上的第二層(22)，該第一層(21)和第二層(22)分別具有無機(jī)材料，并且該第二層(22)直接布置在第一層(21)上。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101933175SQ200980103763
公開日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2009年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月30日
發(fā)明者C·施米德, H·朱爾, K·霍伊澤爾, M·克萊因, R·佩佐爾德, T·施倫克 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司