專利名稱：Apparatus and method for processing substrate的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及處理襯底的裝置和方法，更具體地，涉及一種利用等離子體來處理襯 底的裝置和方法。
背景技術：
半導體器件在硅襯底上具有多個層。這些層通過淀積工藝而淀積在襯底上。淀積 工藝有幾個重要問題，這些在評價淀積膜和選擇淀積方法時非常重要。其中一個重要問題是淀積膜的品質(zhì)。所述品質(zhì)包括復合、污染級、缺陷密度以及機 械和電氣特性?？梢愿鶕?jù)淀積條件改變膜的復合，這在得到特定復合物時非常重要。另一個重要問題是晶片的均勻厚度。具體地說，在具有臺臺階的非平坦圖案頂部 處淀積的膜的厚度非常重要。可以通過臺階覆蓋來確定所淀積的膜的厚度是否均勻，其中， 所述臺階覆蓋被定義為將在臺階部分處淀積的膜的最小厚度除以在圖案頂部淀積的膜的 厚度所得到的值。與淀積相關的另一個問題是空間填充，這包括間隙填充，該間隙填充用于利用包 括氧化膜的絕緣薄膜填充在金屬線之間限定的間隙。提供這些間隙，以對金屬線進行物理 和電氣絕緣。在上述問題中，均勻性是與淀積工藝相關的重要問題中的一個。不均勻的膜導致 金屬線的高電阻，這增加了機械破損的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
技術問題本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠確保處理均勻性的襯底處理裝置和方法。本發(fā)明的另一個目的是提供一種能夠確保優(yōu)良的臺階覆蓋的襯底處理裝置和方法。根據(jù)以下對本發(fā)明的詳細說明以及附圖，本發(fā)明的其它目的將變得更加明顯。技術方案根據(jù)本發(fā)明一個方面，提供了一種襯底處理裝置，該襯底處理裝置包括腔室，其 限定對襯底執(zhí)行處理的處理空間；第一供應部件，其被配置為向所述處理空間提供第一源 氣體；等離子體源，其被配置為在所述處理空間中生成電場，以從所述第一源氣體生成活性 基(radical)；以及第二供應部件，其位于所述第一供應部件下方，用于向所述襯底提供第
二源氣體。該襯底處理裝置還可以包括安裝在所述腔室內(nèi)的支承部件，并且所述第二供應部 件可以設有供應噴嘴，所述供應噴嘴的下端對應于置于所述支承部件上的所述襯底的中 心，以向所述襯底的中心供應所述第二源氣體。所述腔室可以包括頂部開口的下部腔室，和被配置為開口且封閉所述下部腔室的 頂部的上部腔室，所述第一供應部件可以包括在所述上部腔室的與所述處理空間相對的頂
5板處安裝的噴射板，以朝下向所述處理空間供應所述第一源氣體，并且可以在所述噴射板 和所述上部腔室的所述頂板之間限定緩沖空間。所述腔室可以包括頂部開口的下部腔室，和被配置為開口且封閉所述下部腔室的 頂部的上部腔室，所述等離子體源可以包括被配置為包圍所述上部腔室的側面的第一段和 第二段，并且，所述第一段和所述第二段可以從所述上部腔室的一端向另一端交替布置。所述襯底處理裝置還可以包括第一功率源，其連接到所述第一段，用于向所述第 一段供應第一電流；和第二功率源，其連接到所述第二段，用于向所述第二段供應第二電 流。所述襯底處理裝置還可以包括置于所述第二供應部件下方的擴散板。所述襯底處理裝置還可以包括安裝在所述腔室中的支承部件，所述第二供應部件 可以包括被設置為總體上與置于所述支承板上的所述襯底平行的噴射板，并且所述處理空 間可以被分隔為第一處理空間和第二處理空間，該第一處理空間被限定在所述噴射板上方 以使得能向該第一處理空間內(nèi)供應所述第一源氣體，該第二處理空間被限定在所述噴射板 下方以使得能向該第二處理空間內(nèi)供應所述第二源氣體。所述襯底處理裝置還可以包括第二供應管線，該第二供應管線連接到所述噴射 板，用于向所述噴射板供應所述第二源氣體，并且所述噴射板可以具有第一噴射孔和第二 噴射孔，所述第一噴射孔以連通方式連接在所述第一處理空間和所述第二處理空間之間， 以將提供給所述第一處理空間的所述第一源氣體噴射到所述第二處理空間中，所述第二噴 射孔連接到所述第二供應管線，以將所述第二源氣體噴射到所述第二處理空間中。所述等離子體源可以包括上部等離子體源和下部等離子體源，該上部等離子體源 被配置為包圍所述第一處理空間，該下部等離子體源被配置為包圍所述第二處理空間，并 且，所述襯底處理裝置還可以包括第一功率源，其連接到所述上部等離子體源，用于向所 述上部等離子體源供應第一電流；和第二功率源，其連接到所述下部等離子體源，用于向所 述下部等離子體源供應第二電流。所述襯底處理裝置還可以包括安裝在所述腔室中的支承部件，所述第一供應部件 可以包括在所述腔室的與所述處理空間相對的頂板處安裝的擴散板，該擴散板被設置為總 體上與置于所述支承部件上的所述襯底平行，并且，可以在所述擴散板和所述腔室的所述 頂板之間限定緩沖空間，以使得能向該緩沖空間中供應所述第一源氣體。所述襯底處理裝置還可以包括安裝在所述腔室中的支承部件，所述第二供應部件 可以包括被設置為總體上與置于所述支承部件上的所述襯底平行的第一噴射板、設置在所 述第一噴射板下方且與所述第一噴射板間隔開的第二噴射板、以及被配置為將所述第一噴 射板上方的空間與所述第二噴射板下方的空間互連的連接管線，并且所述處理空間可被分 隔為第一處理空間和第二處理空間，該第一處理空間被限定在所述第一噴射板上方以使得 能向該第一處理空間內(nèi)供應第一源氣體，該第二處理空間被限定在所述第二噴射板下方以 使得能向該第二處理空間內(nèi)供應第二源氣體。所述第二供應部件可以具有設置在所述第一噴射板和所述第二噴射板之間的供 應噴嘴，所述供應噴嘴的下端對應于置于所述支承部件上的所述襯底的中心，以向下供應 所述第二源氣體。所述等離子體源可以包括被配置為包圍所述第一處理空間的上部等離子體源和被配置為包圍所述第二處理空間的下部等離子體源，并且，所述襯底處理裝置還可以包括 第一功率源，其連接到所述上部等離子體源，用于向所述上部等離子體源供應第一電流；和 第二功率源，其連接到所述下部等離子體源，用于向所述下部等離子體源供應第二電流。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種襯底處理方法，該襯底處理方法包括以下 步驟向腔室中限定的處理空間供應第一源氣體；在所述處理空間中生成電場，以從所述 第一源氣體生成活性基；以及向置于所述處理空間中的所述襯底供應第二源氣體。所述供應第二源氣體的步驟包括利用供應噴嘴來向所述襯底的中心供應所述第 二源氣體，其中所述供應噴嘴的下端被設置為對應于所述襯底的中心。所述襯底處理方法還可以包括以下步驟利用擴散板向所述襯底擴散所述活性基 和所述第二源氣體?？梢酝ㄟ^在與所述襯底平行地設置的噴射板上形成的第二噴射孔將所述第二源 氣體供應到限定在所述噴射板的一側的第二處理空間內(nèi)，并且，可以將所述第一源氣體供 應到限定在所述噴射板的另一側的第一處理空間內(nèi)，隨后通過在所述噴射板上形成的第一 噴射孔將所述第一源氣體供應到所述第二處理空間內(nèi)。可以通過在與所述襯底平行地設置的第二噴射板上形成的第二噴射孔將所述第 二源氣體供應到限定在所述第二噴射板下方的第二處理空間內(nèi)，并且，可以將所述第一源 氣體供應到在置于所述第二噴射板上方的第一噴射板上方限定的第一處理空間內(nèi)，隨后通 過被配置為將所述第一處理空間和所述第二處理空間互連的連接管線將所述第一源氣體 供應到所述第二處理空間內(nèi)。所述在所述處理空間中生成電場的步驟包括分別在所述第一處理空間和所述第 二處理空間中生成電場的步驟。有益效果根據(jù)本發(fā)明，可以確保優(yōu)良的臺階覆蓋。


所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，這些附圖被并入本申請中且構成 本申請的一部分，例示了本發(fā)明的實施方式，且與文字說明一起用來解釋本發(fā)明的原理。附 圖中圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置的圖；圖2是示出圖1中的噴射板的底部的圖；圖3是示出圖1中的擴散板的圖；圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的襯底處理裝置的圖；圖5是示出圖4中的噴射板的圖；圖6是示意性示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的襯底處理裝置的圖；圖7是示意性示出根據(jù)本發(fā)明又一實施方式的襯底處理裝置的圖；圖8是示出圖7中的下噴射板的圖。
具體實施例方式以下，將參照附圖，S卩，圖1至圖8詳細說明本發(fā)明的示例實施方式?？梢砸愿鞣N形式修改本發(fā)明的實施方式，因此，不應當將本發(fā)明的范圍理解為限于如下所述的實施方式。 提供這些實施方式是為了向與本發(fā)明相關的領域的普通技術人員更清楚地說明本發(fā)明。因 此，為了更清楚地說明，可能夸大附圖中所示的組件的形狀。同時，盡管本發(fā)明適用于各種等離子體處理，但是，作為示例，將在以下說明電感 耦合等離子體(ICP)類型的等離子體處理。并且，盡管本發(fā)明適用于各種待處理的物體，但 是，以下將說明襯底作為示例。圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置的圖。圖2是示出圖1 中的噴射板的底部的圖，并且，圖3是示出圖1中的擴散板的圖。襯底處理裝置包括限定了處理空間的腔室10，在該處理空間內(nèi)對襯底W執(zhí)行處 理。腔室10包括頂部開口的下部腔室12，和被配置為封閉下部腔室12的開口頂部的上部 腔室14。在下部腔室12中，對襯底W執(zhí)行處理。在上部腔室14中，從第一源氣體生成活性 基，這將在下面進行說明。在下部腔室12中安裝了支承板20。襯底W置于支承板20上。通過形成在下部 腔室12的一側處的入口 12a將襯底W引入下部腔室12中。將所引入的襯底W置于支承板 20上。支承板20可以是靜電吸盤(E-chuck)。并且，可以向襯底W的后部噴射預定壓力的 氦氣(He)，以便準確地控制置于支承板20上的襯底W的溫度。氦氣呈現(xiàn)出非常高的導熱性 能。在下部腔室12的底部形成有排氣口 12c。通過與排氣口 12c相連接的排氣管線 12d向外部排放處理氣體以及反應副產(chǎn)品。在排氣管線12d上安裝有泵12e，以強制排放所 述反應副產(chǎn)品。同時，可以通過排氣口 12c將腔室10的內(nèi)部壓力降低到預定的真空度。在 下部腔室12的側壁處安裝有閘閥12b，以便開啟或者關閉入口 12a，通過入口 12a將襯底W 引入下部腔室12，或者從下部腔室12中取出。如圖1和圖2所示，在與處理空間相對的上部腔室14的頂板處安裝有噴射板40。 噴射板40被設置為總體上平行于置于支承板20上的襯底W。噴射板40與上部腔室14的 頂板隔開預定距離，從而在噴射板40和上部腔室14的頂板之間限定了緩沖空間。在上部 腔室14的頂板處形成有供應孔16a。供應孔16a連接到第一供應管線17a。第一供應管線 17a供應第一源氣體。通過供應孔16a向緩沖空間中供應第一源氣體。通過形成在噴射板 40處的噴射孔42a和42b向處理空間內(nèi)噴射供應到所述緩沖空間中的第一源氣體。利用閥 門17b來開啟和關閉第一供應管線17a。在上部腔室14的外周安裝有等離子體源16和18。按以下方式來設置等離子體源 16和18，即，使得等離子體源16和18包圍上部腔室14的側面。等離子體源16和18包括 第一段16和第二段18。第一段16和第二段18連接到射頻(RF)發(fā)生器。在第一段16、第 二段18與RF發(fā)生器之間連接有匹配單元19，以進行阻抗匹配。從上部腔室14的上端到上 部腔室14的下端交替設置第一段16和第二段18，使得在上部腔室14中生成更均勻的電 場。向第一段16和第二段18供應由RF發(fā)生器生成的射頻電流。第一段16和第二段 18將射頻電流轉換為磁場，并從供應到腔室10中的第一源氣體生成活性基。第一源氣體包 括一氧化二氮(N2O)或者氨氣(NH3)。襯底處理裝置還包括供應單元30。供應單元30包括安裝在噴射板40下方的供
8應噴嘴32、連接到供應噴嘴32的第二供應管線34、以及被配置為開啟和關閉第二供應管線 34的閥門34a。如圖1所示，供應噴嘴32安裝在噴射板40下方，而使供應噴嘴32的下端 面對置于支承板20上的襯底W的中心，以向襯底W的中心供應第二源氣體。第二供應管線 34連接到供應噴嘴32，以向供應噴嘴32供應第二源氣體。第二源氣體包括含硅氣體，如硅 烷(SiH4)。如圖1和圖3所示，襯底處理裝置還包括在下部腔室12的上端處安裝的擴散板 50。擴散板50被設置為總體上平行于置于支承板20上的襯底W，并位于供應噴嘴32下方。 在擴散板50上方，從第一源氣體生成活性基。所生成的活性基通過形成在擴散板50處的 擴散孔52擴散到擴散板50下方。并且，供應噴嘴32將第二源氣體噴射到擴散板50上方。 所噴射的第二源氣體與所述活性基發(fā)生反應，同時，所噴射的第二源氣體通過形成在擴散 板50處的擴散孔52擴散到擴散板50下方。以下，將參照圖1至圖3說明根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的襯底處理方法。向在上 部腔室14的頂板和噴射板40之間限定的緩沖空間供應通過第一供應管線17a供應的第一 源氣體，隨后將該第一源氣體通過噴射孔42a和42b供應到所述處理空間內(nèi)。安裝在上部 腔室14的側面的第一段16和第二段18將從外部供應的射頻電流轉換為磁場，并從供應到 所述處理空間中的第一源氣體生成活性基。另一方面，供應噴嘴32將第二源氣體供應到擴 散板50上方。所噴射的第二源氣體與活性基發(fā)生反應，同時，通過形成在擴散板50處的擴 散孔52擴散到擴散板50下方，從而在襯底上淀積膜。圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的襯底處理裝置的圖，圖5是示出圖4 中的噴射板的圖。以下，將僅說明此實施方式中與圖1所示的前述實施方式存在區(qū)別的組 件，根據(jù)之前參照圖1所做的說明將理解對省略的組件的說明。供應單元30還包括置于支承板20上方的噴射板32。噴射板32被設置為總體上 平行于置于支承板20上的襯底W。噴射板32將所述處理空間分隔成在噴射板32上方限定 的第一處理空間以及在噴射板32下方限定的第二處理空間。如圖4和圖5所示，噴射板32 包括第一噴射孔32a和第二噴射孔32b。第一噴射孔32a和第二噴射孔32b圍繞噴射板32 的中心同心排列。并且，從噴射板32的中心到噴射板32的邊緣交替布置第一噴射孔32a 和第二噴射孔32b。第一噴射孔32a以連通方式連接到第二供應管線34。第二供應管線34向第一噴 射孔32a供應第二源氣體。通過第一噴射孔32a將所述第二源氣體供應到第二處理空間中。 第二噴射孔32b被形成為貫穿噴射板32，使得第一處理空間和第二處理空間通過第二噴射 孔32b相互連通。以下，將參照圖4和圖5來詳細說明根據(jù)本發(fā)明一實施方式的襯底處理方法。向 在噴射板32上方限定的第一處理空間供應通過第一供應管線17a供應的第一源氣體。安 裝在上部腔室14的側面處的第一段16和第二段18將從外部供應的射頻電流轉換為磁場， 并從供應到所述處理空間中的第一源氣體生成活性基。通過噴射板32的第二噴射孔32b 向第二處理空間供應所生成的活性基。另一方面，第二供應管線34向第一噴射孔32a供應 第二源氣體。通過第一噴射孔32a將所述第二源氣體供應到第二處理空間(限定在襯底W 上方)內(nèi)。在該第二處理空間中，第二源氣體與活性基發(fā)生反應，在襯底W上淀積膜。圖6是示意性示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的襯底處理裝置的圖。以下，將僅說明此實施方式中與圖4和圖5所示的前述實施方式存在區(qū)別的組件，根據(jù)之前參照圖4和 圖5所做的說明將理解對省略的組件的說明。等離子體源包括被配置為包圍第一處理空間的上部等離子體源16a和18a以及被 配置為包圍第二處理空間的下部等離子體源16b和18b。上部等離子體源16a和18a以及 下部等離子體源16b和18b分別連接到不同的射頻(RF)發(fā)生器。在上部等離子體源16a 和18a與相應的RF發(fā)生器之間以及在下部等離子體源16b和18b與相應的RF發(fā)生器之間 分別連接有匹配單元19a和19b，以進行阻抗匹配。并且，上部等離子體源16a和18a包括第一上部段16a和第二上部段18a。下部等 離子體源16b和18b包括第一下部段16b和第二下部段18b。從上部腔室14的上端至與 噴射板32的頂部相對應的高度交替地布置第一上部段16a和第二上部段18a。從與噴射 板32的底部相對應的高度至上部腔室14的下端交替地布置第一下部段16b和第二下部段 18b。因此，可以在噴射板32上方或者下方生成不同的電場或者同樣的電場(例如，電場的 強度或者密度)，從而控制處理速率(例如，均勻性)。向第一上部段16a和第二上部段18a供應從相應RF發(fā)生器供應到上部等離子體 源16a和18a的射頻電流。第一上部段16a和第二上部段18a將射頻電流轉換為磁場，并 從供應到第一處理空間中的第一源氣體生成活性基。通過噴射板32的第二噴射孔32b將 所生成的活性基供應到第二處理空間中。向第一下部段16b和第二下部段18b供應從相應RF發(fā)生器供應到下部等離子體 源16b和18b的射頻電流。第一下部段16b和第二下部段18b將射頻電流轉換為磁場。因 此，供應到第二處理空間中的活性基與第二源氣體相互產(chǎn)生反應，以在襯底W上淀積膜。圖7是示意性示出根據(jù)本發(fā)明再一實施方式的襯底處理裝置的圖，圖8是示出圖7 中的下部噴射板的圖。以下，將僅說明此實施方式中與圖1所示的前述實施方式存在區(qū)別 的組件，根據(jù)之前參照圖1所做的說明將理解對省略的組件的說明。如圖7所示，在與處理空間相對的上部腔室14的頂板處安裝有擴散板40。擴散板 40被設置為總體上平行于置于支承板20上的襯底W。擴散板40與上部腔室14的頂板隔 開預定距離，從而在擴散板40和上部腔室14的頂板之間限定了緩沖空間。通過形成在擴 散板40處的擴散孔42將供應到緩沖空間中的第一源氣體擴散到所述處理空間中。供應單元30還包括第一噴射板54和第二噴射板50。第一噴射板54被設置為總 體上平行于置于支承板20上的襯底W。第二噴射板50設置在第一噴射板54下方，第二噴 射板50與第一噴射板54間隔開。所述處理空間被分隔為在第一噴射板54上方限定的第 一處理空間以及在第二噴射板50下方限定的第二處理空間。如圖7和圖8所示，供應單元30還包括連接管線56，連接管線56被配置為以連通 方式互連第一處理空間和第二處理空間。各連接管線56的上端連接到第一噴射板54，而 各連接管線56的下端連接到第二噴射板50。并且，在第二噴射板50處形成有多個噴射孔 52。噴射孔52與在第一噴射板54和第二噴射板50之間限定的空間連通。并且，如圖7所示，供應噴嘴32設置在第一噴射板54和第二噴射板50之間限定 的空間中。供應噴嘴32的下端被設置為面對置于支承板20上的襯底W的中心，因此，供應 噴嘴32的下端指向襯底W的中心，以便向第二噴射板50的頂部供應第二源氣體。因此，通 過噴射孔52向第二處理空間內(nèi)供應第二源氣體。
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等離子體源包括被配置為包圍第一處理空間的上部等離子體源16a和18a以及被 配置為包圍第二處理空間的下部等離子體源16b和18b。上部等離子體源16a和18a以及 下部等離子體源16b和18b分別連接到不同的射頻(RF)發(fā)生器。在上部等離子體源16a 和18a與相應RF發(fā)生器之間以及在下部等離子體源16b和18b與相應的RF發(fā)生器之間分 別連接有匹配單元19a和19b，以進行阻抗匹配。并且，上部等離子體源16a和18a包括第一上部段16a和第二上部段18a。下部等 離子體源16b和18b包括第一下部段16b和第二下部段18b。從上部腔室14的上端至與第 一噴射板54的頂部相對應的高度交替地布置第一上部段16a和第二上部段18a。從與第二 噴射板50的底部相對應的高度至上部腔室14的下端交替地布置第一下部段16b和第二下 部段18b。因此，可以在第一噴射板54上方以及在第二噴射板50下方生成不同的電場或者 同樣的電場(例如，電場的強度或者密度)，從而控制處理速率(例如，均勻性)。向第一上部段16a和第二上部段18a供應從相應RF發(fā)生器供應到上部等離子體 源16a和18a的射頻電流。第一上部段16a和第二上部段18a將射頻電流轉換為磁場，并 從供應到第一處理空間中的第一源氣體生成活性基。通過第二噴射板50的噴射孔52向第 二處理空間供應所生成的活性基。向第一下部段16b和第二下部段18b供應從相應RF發(fā)生器供應到下部等離子體 源16b和18b的射頻電流。第一下部段16b和第二下部段18b將射頻電流轉換為磁場。因 此，供應到第二處理空間中的活性基與第二源氣體相互產(chǎn)生反應，以在襯底W上淀積膜。同時，襯底處理裝置還包括清潔單元60，以便清潔腔室10的內(nèi)部。清潔單元60包 括連接到第一供應管線17a的第三供應管線62，和生成腔室64，該生成腔室64被配置為從 外部供應的清潔氣體生成清潔等離子體。通過第三供應管線62和第一供應管線17a向腔 室10供應在生成腔室64中生成的清潔等離子體，從而清潔腔室10的內(nèi)部。清潔氣體包括 三氟化氮(NF3)或者氬氣(Ar)。對于本領域技術人員而言，很明顯，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以 對本發(fā)明做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明致力于覆蓋落入所附權利要求及其等同物的 范圍之內(nèi)的對本發(fā)明的各種修改和變化。工業(yè)實用性從以上說明可明確看出，本發(fā)明可以確保優(yōu)良的臺階覆蓋。因此本發(fā)明具有工業(yè) 實用性。
權利要求
一種襯底處理裝置，該襯底處理裝置包括腔室，其限定對襯底執(zhí)行處理的處理空間；第一供應部件，其被配置為向所述處理空間提供第一源氣體；等離子體源，其被配置為在所述處理空間中生成電場，以從所述第一源氣體生成活性基；以及第二供應部件，其位于所述第一供應部件下方，用于向所述襯底提供第二源氣體。
2.根據(jù)權利要求1所述的襯底處理裝置，該襯底處理裝置還包括安裝在所述腔室內(nèi)的 支承部件，其中，所述第二供應部件設有供應噴嘴，所述供應噴嘴的下端對應于置于所述支承部件上的 所述襯底的中心，以向所述襯底的中心供應所述第二源氣體。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其中， 所述腔室包括頂部開口的下部腔室；和被配置為開口且封閉所述下部腔室的頂部的上部腔室，所述第一供應部件包括在所述 上部腔室的與所述處理空間相對的頂板處安裝的噴射板，以朝下向所述處理空間供應所述 第一源氣體，并且在所述噴射板和所述上部腔室的所述頂板之間限定有緩沖空間。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其中， 所述腔室包括頂部開口的下部腔室；和被配置為開口且封閉所述下部腔室的頂部的上部腔室，所述等離子體源包括被配置為包圍所述上部腔室的側面的第一段和第二段，并且， 從所述上部腔室的一端向另一端交替布置所述第一段和所述第二段。
5.根據(jù)權利要求4所述的襯底處理裝置，該襯底處理裝置還包括 第一功率源，其連接到所述第一段，用于向所述第一段供應第一電流；和 第二功率源，其連接到所述第二段，用于向所述第二段供應第二電流。
6.根據(jù)權利要求1所述的襯底處理裝置，該襯底處理裝置還包括置于所述第二供應部 件下方的擴散板。
7.根據(jù)權利要求1所述的襯底處理裝置，該襯底處理裝置還包括安裝在所述腔室中的 支承部件，其中，所述第二供應部件包括被設置為總體上與置于所述支承板上的所述襯底平行的噴射 板，并且所述處理空間被分隔為第一處理空間和第二處理空間，該第一處理空間被限定在所述 噴射板上方以使得能向該第一處理空間內(nèi)供應所述第一源氣體，該第二處理空間被限定在 所述噴射板下方以使得能向該第二處理空間內(nèi)供應所述第二源氣體。
8.根據(jù)權利要求7所述的襯底處理裝置，該襯底處理裝置還包括第二供應管線，其連接到所述噴射板，用于向所述噴射板供應所述第二源氣體，其中， 所述噴射板具有第一噴射孔和第二噴射孔，所述第一噴射孔以連通方式連接在所述第 一處理空間和所述第二處理空間之間，以將提供給所述第一處理空間的所述第一源氣體噴射到所述第二處理空間中，所述第二噴射孔連接到所述第二供應管線，以將所述第二源氣 體噴射到所述第二處理空間中。
9.根據(jù)權利要求7或8所述的襯底處理裝置，其中，所述等離子體源包括上部等離子體源和下部等離子體源，該上部等離子體源被配置為 包圍所述第一處理空間，該下部等離子體源被配置為包圍所述第二處理空間，并且， 所述襯底處理裝置還包括第一功率源，其連接到所述上部等離子體源，用于向所述上部等離子體源供應第一電 流；和第二功率源，其連接到所述下部等離子體源，用于向所述下部等離子體源供應第二電流。
10.根據(jù)權利要求1所述的襯底處理裝置，該襯底處理裝置還包括安裝在所述腔室中 的支承部件，其中，所述第一供應部件包括在所述腔室的與所述處理空間相對的頂板處安裝的擴散板，該 擴散板被設置為總體上與置于所述支承部件上的所述襯底平行，并且，在所述擴散板和所 述腔室的所述頂板之間限定有緩沖空間，以使得能向該緩沖空間中供應所述第一源氣體。
11.根據(jù)權利要求1或10所述的襯底處理裝置，該襯底處理裝置還包括安裝在所述腔 室中的支承部件，其中，所述第二供應部件包括被設置為總體上與置于所述支承部件上的所述襯底平行的第一噴射板； 設置在所述第一噴射板下方且與所述第一噴射板間隔開的第二噴射板；以及 連接管線，其被配置為將所述第一噴射板上方的空間與所述第二噴射板下方的空間互 連，并且所述處理空間被分隔為第一處理空間和第二處理空間，該第一處理空間被限定在所述 第一噴射板上方以使得能向該第一處理空間內(nèi)供應第一源氣體，該第二處理空間被限定在 所述第二噴射板下方以使得能向該第二處理空間內(nèi)供應第二源氣體。
12.根據(jù)權利要求11所述的襯底處理裝置，其中，所述第二供應部件具有設置在所述 第一噴射板和所述第二噴射板之間的供應噴嘴，所述供應噴嘴的下端對應于置于所述支承 部件上的所述襯底的中心，以向下供應所述第二源氣體。
13.根據(jù)權利要求11所述的襯底處理裝置，其中，所述等離子體源包括被配置為包圍所述第一處理空間的上部等離子體源和被配置為 包圍所述第二處理空間的下部等離子體源，并且， 所述襯底處理裝置還包括第一功率源，其連接到所述上部等離子體源，用于向所述上部等離子體源供應第一電 流；和第二功率源，其連接到所述下部等離子體源，用于向所述下部等離子體源供應第二電流。
14.一種襯底處理方法，該襯底處理方法包括以下步驟 向腔室中限定的處理空間供應第一源氣體；在所述處理空間中生成電場，以從所述第一源氣體生成活性基；以及向置于所述處理空間中的所述襯底供應第二源氣體。
15.根據(jù)權利要求14所述的襯底處理方法，其中，所述供應第二源氣體的步驟包括利 用供應噴嘴來向所述襯底的中心供應所述第二源氣體，其中所述供應噴嘴的下端被設置為 對應于所述襯底的中心。
16.根據(jù)權利要求14所述的襯底處理方法，該襯底處理方法還包括以下步驟利用擴 散板向所述襯底擴散所述活性基和所述第二源氣體。
17.根據(jù)權利要求14所述的襯底處理方法，其中，通過在與所述襯底平行地設置的噴射板上形成的第二噴射孔將所述第二源氣體供應 到限定在所述噴射板的一側的第二處理空間內(nèi)，并且，將所述第一源氣體供應到限定在所述噴射板的另一側的第一處理空間內(nèi)，隨后通過在 所述噴射板上形成的第一噴射孔將所述第一源氣體供應到所述第二處理空間內(nèi)。
18.根據(jù)權利要求14所述的襯底處理方法，其中，通過在與所述襯底平行地設置的第二噴射板上形成的第二噴射孔將所述第二源氣體 供應到限定在所述第二噴射板下方的第二處理空間內(nèi)，并且，將所述第一源氣體供應到在置于所述第二噴射板上方的第一噴射板上方限定的第一 處理空間內(nèi)，隨后通過被配置為將所述第一處理空間和所述第二處理空間互連的連接管線 將所述第一源氣體供應到所述第二處理空間內(nèi)。
19.根據(jù)權利要求17或18所述的襯底處理方法，其中，所述在所述處理空間中生成電 場的步驟包括分別在所述第一處理空間和所述第二處理空間中生成電場的步驟。
全文摘要
文檔編號H01L21/20GK101952940SQ20098010597
公開日2011年1月19日 申請日期2009年2月20日 優(yōu)先權日2008年2月22日
發(fā)明者Yang Il-Kwang 申請人:Eugene Technology Co Ltd