專利名稱：電氣電子設(shè)備用銅合金材料及電氣電子零件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電氣電子設(shè)備用銅合金材料及電氣電子零件。
背景技術(shù)：
電氣電子設(shè)備用的零件、例如連接器的彈性觸點(diǎn)材料要求強(qiáng)度、抗應(yīng)力松弛性能、 導(dǎo)電性、彎曲加工性、耐熱性、鍍敷粘附性、遷移性能等性能。目前多使用磷青銅，但磷青銅 不能完全滿足上述的性能，從而廣泛使用更高強(qiáng)度且抗應(yīng)力松弛性能優(yōu)異的鈹銅。但是，鈹銅價(jià)格非常昂貴，且金屬鈹被作為環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)處理。于是，作為代替這 些材料的合金，在銅中添加了鎳(Ni)和硅(Si)的科森合金(Cu-Ni-Si系合金)備受關(guān)注?？粕辖鹗鞘筂2Si金屬間化合物的微細(xì)粒子在Cu內(nèi)分散析出進(jìn)行強(qiáng)化的析出 硬化型合金，迄今為止有關(guān)于規(guī)定Ni及Si的添加量及Ni/Si以實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度及高導(dǎo)電性的 報(bào)告(參照專利文獻(xiàn)1、2、3)。目前，科森合金中，Ni和Si的含量的質(zhì)量％的比值、即Ni (質(zhì) 量％)廣1(質(zhì)量％)的值(以下記作Ni/Si)可以在以主要有助于強(qiáng)化的Ni2Si化合物的化 學(xué)計(jì)量比4. 2為中心的范圍，對(duì)于Ni/Si而言，在專利文獻(xiàn)1中Ni/Si = 3 7，另外，專利 文獻(xiàn)2中Ni/Si = 3. 5 5. 5，專利文獻(xiàn)3中Ni/Si = 4 5。另外，專利文獻(xiàn)1中，認(rèn)為由 于固溶Si可能使導(dǎo)電率降低，故使固溶Si量盡可能降低，優(yōu)選與M2Si組成相比使M量稍 稍過(guò)剩，更優(yōu)選Ni/Si = 4. 5。專利文獻(xiàn)2中也擔(dān)心比值偏離Ni/Si = 4. 2時(shí)的固溶Ni及 Si的增加導(dǎo)致的導(dǎo)電率降低，優(yōu)選接近Ni2Si的化學(xué)計(jì)量比Ni/Si = 4. 2的值。專利文獻(xiàn)1 (日本)特開(kāi)2001-181759號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 (日本)特開(kāi)2006-233314號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 (日本)特開(kāi)2006-283059號(hào)公報(bào)但是，如這些專利文獻(xiàn)所代表，Ni/Si在現(xiàn)有合金中，雖然認(rèn)為以Ni2Si的化學(xué)計(jì)量 比為良好或以與附#1的化學(xué)計(jì)量比相比M過(guò)剩的值為良好，但其范圍的限定寬且模糊。 另外，雖然進(jìn)行了很多維持強(qiáng)度和導(dǎo)電 的平衡的研究，但對(duì)于具有高強(qiáng)度且良好的彎曲 加工性的條件卻沒(méi)有充分研究。

發(fā)明內(nèi)容
0009]于是，本發(fā)明的課題在于，提供具有特別高的強(qiáng)度和良好的彎曲加工性的電氣電 子設(shè)備用銅合金材料及使用該銅合金材料的電氣電子零件。本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有的Ni/Si范圍中，有在與Ni2Si化學(xué)計(jì)量比相比Si過(guò)剩的 一側(cè)晶粒變得微細(xì)，且時(shí)效強(qiáng)度提高的區(qū)域；該銅合金與現(xiàn)有的科森合金相比，雖然犧牲了 一些導(dǎo)電率，但與彈簧用磷青銅C5210的12% IACS相比導(dǎo)電率高，且具有與高強(qiáng)度鈹銅 C17200的25% IACS同等以上的導(dǎo)電率，保有作為連接器用途足夠的導(dǎo)電率，且可保有高強(qiáng) 度和良好的彎曲加工性。本發(fā)明基于該見(jiàn)解直至完成本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明，提供以下的發(fā)明(1) 一種電氣電子設(shè)備用銅合金材料，含有3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si的質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2. 8 3.8的范圍內(nèi)，且含有0.01質(zhì)量％ 以上0. 2質(zhì)量％以下的Mg、0. 05質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Sn、0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì) 量％以下的Zn，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，在對(duì)厚度t = 0. 20mm、 寬度w = 2. Omm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R = 0. Imm的90° W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。(2) 一種電氣電子設(shè)備用銅合金材料，含有3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Ni， 且Si的含量以Ni和Si的質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2. 8 3. 8的范圍內(nèi)，且含有0.01質(zhì)量％ 以上0. 2質(zhì)量％以下的Mg、0. 05質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Sn、0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì) 量％以下的Zn，還含有合計(jì)0. 005質(zhì)量％以上2. 0質(zhì)量％以下的選自Ag、Co、及Cr構(gòu)成的 組的一種以上，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，在對(duì)厚度t = 0. 20mm、 寬度w = 2. Omm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R = 0. Imm的90° W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。(3)如⑴或⑵所述的電氣電子設(shè)備用銅合金材料，其特征在于，將鑄造好的鑄 塊進(jìn)行熱軋、坯料軋制(冷軋)、及固溶化處理后，按順序?qū)嵤┸堉坡? 50%的中間軋制 (冷軋)、400 600°C下的0. 5 12小時(shí)的時(shí)效處理、軋制率30%以下的精軋(冷軋)、及 低溫退火處理來(lái)制造。(4)如(1)或(2)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金材料，其特征在于，將鑄造好的鑄 塊進(jìn)行熱軋、坯料軋制(冷軋)、及固溶化處理后，在300 400°C下實(shí)施0. 5 8小時(shí)的時(shí) 效處理，進(jìn)而在425 600°C下實(shí)施0. 5 12小時(shí)的時(shí)效處理，且按順序?qū)嵤┚?冷軋)、 及低溫退火處理來(lái)制造。(5)如(1)或(2)所述的電氣電子設(shè)備用銅合金材料，其特征在于，將鑄造好的鑄 塊進(jìn)行熱軋、坯料軋制(冷軋)、及固溶化處理后，實(shí)施軋制率5 50%的中間軋制(冷軋)、 300 400°C下的0. 5 8小時(shí)的時(shí)效處理，進(jìn)而在425 600°C下實(shí)施0. 5 12小時(shí)的時(shí) 效處理，且按順序?qū)嵤┸堉坡?0%以下的精軋(冷軋)、及低溫退火處理來(lái)制造。(6) 一種電氣電子零件，對(duì)電氣電子設(shè)備用銅合金材料進(jìn)行加工而得到，所述電氣 電子設(shè)備用銅合金材料含有3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si 的質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2. 8 3. 8的范圍內(nèi)，且含有0.01質(zhì)量％以上0.2質(zhì)量％以下的 Mg、0. 05質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Sn、0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Zn，剩余部分 由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，所述銅合金材料在對(duì)厚度t = 0. 20mm、寬度w = 2. Omm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R = 0. Imm的90° W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。(7) 一種電氣電子零件，對(duì)電氣電子設(shè)備用銅合金材料進(jìn)行加工而得到，所述電氣 電子設(shè)備用銅合金材料含有3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si 的質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2. 8 3. 8的范圍內(nèi)，且含有0.01質(zhì)量％以上0.2質(zhì)量％以下的 Mg、0. 05質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Sn、0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Zn，還含有合 計(jì)0. 005質(zhì)量％以上2. 0質(zhì)量％以下的選自Ag、Co、及Cr構(gòu)成的組的一種以上，剩余部分 由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，所述銅合金材料在對(duì)厚度t = 0. 20mm、寬度w = 2. Omm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R = 0. Imm的90° W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。本發(fā)明的電氣電子設(shè)備用銅合金材料，與現(xiàn)有的彈簧用磷青銅C5210的12% IACS 相比，導(dǎo)電率高，且具有與高強(qiáng)度鈹銅C17200的25% IACS同等以上的導(dǎo)電率，作為連接器 用途具有足夠的導(dǎo)電率，還具有極高的強(qiáng)度，且具有良好的彎曲加工性。另外，本發(fā)明的電 氣電子零件通過(guò)加工所述電氣電子設(shè)備用銅合金材料而得到，因此，具有極高的強(qiáng)度，并且具有連接器用途的零件所要求的良好的彎曲加工性。根據(jù)下述的記載將更明確本發(fā)明的上述及其它特征及優(yōu)點(diǎn)。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明中，通過(guò)將Ni含量設(shè)為3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下，可實(shí)現(xiàn)良好的彎 曲加工性，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)極高的強(qiáng)度。若M含量超過(guò)上限值，則在鑄造時(shí)及熱加工時(shí)，對(duì)強(qiáng)度 沒(méi)有影響的粗大的化合物結(jié)晶或析出，不能得到與含量相應(yīng)的強(qiáng)度，另外熱加工性及彎曲 加工性降低。另外，在M含量不足下限值的情況下，導(dǎo)電性提高，但有強(qiáng)度降低的趨勢(shì)。將Ni/Si (含量的質(zhì)量比)規(guī)定在2. 8 3. 8的范圍。通過(guò)設(shè)為該范圍，除Ni2Si 的析出以外，還可期待Ni3Si2的析出，由于Ni2Si及Ni3Si2的析出密度也提高，所以時(shí)效處 理帶來(lái)的拉伸強(qiáng)度提高。另外，通過(guò)固溶Si量的增加，能夠?qū)⒐倘芑幚頃r(shí)的晶粒直徑控 制為較小，因此，在彎曲加工性方面也能夠良好地發(fā)揮作用。在大于上限值的情況下，不能 得到所要求的時(shí)效強(qiáng)度提高的效果。另外，在不足下限值時(shí)，不能得到所要求的時(shí)效強(qiáng)度 提高的效果，并且，固溶Si量在晶?？刂频男Ч陨希箤?dǎo)電率降低，帶來(lái)不良影響的效果 大。更優(yōu)選的范圍是Ni/Si以3. 3為中心，為3.0 3. 5。在該范圍內(nèi)可得到拉伸強(qiáng)度、導(dǎo) 電率及彎曲加工性的平衡良好的材料。Mg雖然改善抗應(yīng)力松弛性能，但將其含量規(guī)定在0. 01質(zhì)量％以上0. 2質(zhì)量％，其 理由是由于，不足0. 01質(zhì)量％時(shí)，不能顯出抗應(yīng)力松弛性能的改善，超過(guò)0. 2質(zhì)量％時(shí)，對(duì) 彎曲加工性帶來(lái)不良影響。Mg的含量?jī)?yōu)選為0. 05質(zhì)量％以上0. 15質(zhì)量％以下。Sn與Mg相互關(guān)聯(lián)，使抗應(yīng)力松弛性能更進(jìn)一步提高。將其含量規(guī)定在0. 05質(zhì)量％ 以上1.5質(zhì)量％的理由是由于，不足0. 05質(zhì)量％時(shí)，不能充分得到其效果，超過(guò)1.5質(zhì)量％ 時(shí)，導(dǎo)電率降低。Sn的含量?jī)?yōu)選為0. 1質(zhì)量％以上0.7質(zhì)量％以下。Zn對(duì)彎曲加工性有一定改善。優(yōu)選將Zn量規(guī)定在0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以 下，由此，即使將Mg添加至最大0.2質(zhì)量％，也能夠得到實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題的水平的彎曲加工 性。另外，Zn改善鍍Sn及鍍錫的粘附性及遷移性能。Zn量超過(guò)1.5質(zhì)量％時(shí)，導(dǎo)電性降 低。Zn的含量?jī)?yōu)選為0.3質(zhì)量％以上1.0質(zhì)量％以下。本發(fā)明的銅合金材料中，在上述成分的基礎(chǔ)上，還可以含有合計(jì)0. 005 2. 0質(zhì) 量％的々8、&)、(>的一種或兩種以上。Ag在使耐熱性及強(qiáng)度提高的同時(shí)，阻止晶粒的粗大化，改善彎曲加工性。Ag量不 足0. 005質(zhì)量％時(shí)，不能充分得到其效果，超過(guò)0.3質(zhì)量％而添加，雖然在特性上也沒(méi)有不 良影響，但成本升高。從這些觀點(diǎn)來(lái)看，Ag的含量設(shè)為0. 005 0. 3質(zhì)量％。Co與Ni相同，與Si形成化合物，使強(qiáng)度提高。Co的含量不足0.05質(zhì)量％時(shí)，不 能充分得到其效果，超過(guò)2. 0質(zhì)量％時(shí)，固溶化處理后也存在對(duì)強(qiáng)度沒(méi)有幫助的結(jié)晶 析出 物，彎曲加工性劣化。Cr作為與Ni或Si的第二相析出，對(duì)晶粒直徑的控制有效。不足0. 05質(zhì)量％時(shí)， 不能充分得到其效果，超過(guò)1.0質(zhì)量％時(shí)，彎曲加工性劣化。在添加兩種以上的上述Ag、Co、Cr的情況下，根據(jù)要求性能在0. 005 2. 0質(zhì)量％ 的范圍內(nèi)決定。本發(fā)明的電氣電子設(shè)備用銅合金材料優(yōu)選進(jìn)行了鑄造、熱軋、坯料軋制、固溶化處理后，通過(guò)實(shí)施中間軋制、時(shí)效處理、精軋、低溫退火處理的工序而制造。本發(fā)明的電氣電子設(shè)備用銅合金材料的形狀沒(méi)有特別限定，列舉板、條、線、棒、箔寸。下面，對(duì)本發(fā)明的銅合金材料的優(yōu)選的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。下面，作為代表 例，對(duì)制造銅合金板或銅合金條的方法進(jìn)行詳述。本發(fā)明中，通過(guò)通常的DC法(Direct Chill Casting)等進(jìn)行鑄造。熱軋優(yōu)選的 是，將鑄塊在850 1000°C的溫度下實(shí)施了 0.5 12小時(shí)的均質(zhì)化處理之后，在700 950°C的溫度下進(jìn)行軋制，之后為防止冷卻中的析出而進(jìn)行水冷。在熱軋后，將氧化膜進(jìn)行 端面切削，之后通過(guò)冷軋進(jìn)行軋制。下面，將該冷軋稱為坯料軋制。坯料軋制以在中間軋制、 精軋中得到規(guī)定的加工率的板厚進(jìn)行軋制。固溶化處理優(yōu)選的是，在材料實(shí)體溫度為800 9500°C下進(jìn)行，保持3 60秒程 度后，為防止析出而以冷卻速度為15°C/秒以上(更優(yōu)選為30°C/秒以上)的冷卻速度進(jìn) 行冷卻。在固溶化處理溫度低于800°C的情況下，存在下述等問(wèn)題不能得到健全的再結(jié)晶 組織，對(duì)彎曲加工性帶來(lái)不良影響，另外，Ni、Si的固溶量不充分，時(shí)效處理時(shí)的Ni-Si系析 出物的析出量不充分，不能得到屈服強(qiáng)度。在固溶化處理溫度高于950°C的情況下，引起再 結(jié)晶粒的粗大化，導(dǎo)致強(qiáng)度降低、顯出各向異性、彎曲加工性劣化。對(duì)于中間軋制，為使時(shí)效處理中的拉伸強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度提高而進(jìn)行冷軋。中間軋制 中，在銅合金母相中導(dǎo)入位錯(cuò)，它們的一部分在下一工序的時(shí)效處理中作為Ni-Si系化合 物的異質(zhì)核生成部位發(fā)揮功能，有助于化合物高密、微細(xì)地形成，且進(jìn)一步提高Ni/Si的控 制帶來(lái)的析出密度增加的效果。由于中間軋制也提高時(shí)效強(qiáng)度，因此優(yōu)選導(dǎo)入，但軋制率過(guò) 高時(shí)，時(shí)效強(qiáng)度提高的效果也會(huì)飽和，另外會(huì)引起彎曲加工性的劣化。因此，優(yōu)選中間軋制 在軋制率5 50%的范圍進(jìn)行。對(duì)于時(shí)效處理，使Ni2Si及Ni3Si2化合物在銅母相中均勻分散析出，使強(qiáng)度、導(dǎo)電 率提高。優(yōu)選使用間歇爐在材料實(shí)體溫度400 600°C下保持0. 5 12小時(shí)。在實(shí)體溫度 低于400°C的情況下，為得到足夠的Ni-Si系化合物的析出量，需要極長(zhǎng)時(shí)間，或者屈服強(qiáng) 度及導(dǎo)電率不充分。在實(shí)體溫度高于600°C的情況下，Ni-Si系化合物粗大化，所以不能充 分得到屈服強(qiáng)度。另外，時(shí)效處理中，在以材料的實(shí)體溫度300 400°C進(jìn)行0. 5 8小時(shí)的時(shí)效處 理后，以實(shí)體溫度425 600°C進(jìn)行0. 5 12小時(shí)的二級(jí)時(shí)效處理，由此提高Ni-Si化合物 的析出密度，可以使強(qiáng)度和彎曲性進(jìn)一步提高。在實(shí)施該二級(jí)時(shí)效處理時(shí)，也可以不實(shí)施上 述的中間軋制，但通過(guò)進(jìn)行中間軋制，可以使強(qiáng)度進(jìn)一步提高。對(duì)于精軋，為提高屈服強(qiáng)度，進(jìn)行冷軋。在時(shí)效處理后的屈服強(qiáng)度充足的情況下， 也可以不導(dǎo)入精軋及之后工序的低溫退火。當(dāng)精軋引起的軋制率過(guò)高時(shí)，彎曲加工性劣化， 使抗應(yīng)力松弛性能劣化，所以優(yōu)選將軋制率設(shè)為30%以下來(lái)實(shí)施。低溫退火是為了在將強(qiáng)度維持一定程度的狀態(tài)下使伸長(zhǎng)性、彎曲加工性及彈性極 限值恢復(fù)而進(jìn)行的。在低溫退火時(shí)的實(shí)體溫度過(guò)高的情況下，引起再結(jié)晶，導(dǎo)致屈服強(qiáng)度降 低，因此，優(yōu)選在實(shí)體溫度300 600°C下進(jìn)行5 60秒的短時(shí)間的退火。在實(shí)體溫度低于 300°C的情況下，伸長(zhǎng)性、彎曲加工性及彈性極限值的恢復(fù)不充分，在實(shí)體溫度高于600°C的 情況下，導(dǎo)致強(qiáng)度降低。
另外，本發(fā)明的電氣電子零件通過(guò)對(duì)上述電氣電子設(shè)備用銅合金材料進(jìn)行適宜加 工而得到。該方法沒(méi)有特別限制，只要利用常規(guī)方法例如通過(guò)沖壓加工等塑性加工制成所 希望的零件形狀即可。實(shí)施例下面，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做更詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。實(shí)施例1將表1所示的組成的銅合金熔解，通過(guò)DC法進(jìn)行鑄造，得到厚度30mm、寬度 100mm、長(zhǎng)度150mm的鑄塊。其次，將這些鑄塊加熱至900°C，在該溫度保持1小時(shí)后，熱軋至 厚度12mm，且迅速進(jìn)行冷卻。其次，在將兩面各切削1. 5mm而除去氧化膜后，通過(guò)坯料軋制 加工至厚度0. 25 0. 50mm。之后，以800 950°C的各種條件進(jìn)行固溶化處理，接著馬上 以15°C/秒以上的冷卻速度進(jìn)行冷卻。接著，實(shí)施軋制率5 50%的中間軋制。其次，在 惰性氣體氛圍中以450 550°C實(shí)施2小時(shí)的時(shí)效處理，之后進(jìn)行軋制率30%以下的精軋， 使最終的板厚達(dá)到0. 20mm。以精軋后在500°C下實(shí)施了 30秒的低溫退火處理的材料進(jìn)行 了以下的各種性能評(píng)價(jià)。另外，本說(shuō)明書(shū)中，各表所示的銅合金的成分(Ni、Si等)的單位 除質(zhì)量比即Ni/Si的值(無(wú)單位)夕卜，均為質(zhì)量％ (mass%)0其次，對(duì)于如上述制造的各銅合金板，調(diào)查⑴晶粒直徑、(2)拉伸強(qiáng)度、(3)導(dǎo)電 率、(4)彎曲加工性。將結(jié)果一并示于表1。(1)晶粒直徑通過(guò)JIS H 0501 (切斷法)求得。(2)拉伸強(qiáng)度使用JIS Z 2201記載的5號(hào)試驗(yàn)片以JIS Z 2241為基準(zhǔn)求得。拉 伸強(qiáng)度化成5MPa的整數(shù)倍表示。(3)導(dǎo)電率以JIS H 0505為基準(zhǔn)求得。(4)彎曲加工性如下求得，將彎曲試驗(yàn)片寬度w設(shè)為2mm，將板厚t設(shè)為0. 20mm, 將彎曲半徑R設(shè)為0. Imm,由此，以R/t的值為0. 5的方式進(jìn)行90° W彎曲試驗(yàn)。試驗(yàn)、評(píng) 價(jià)方法以日本伸銅協(xié)會(huì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)“銅及銅合金薄板條的彎曲加工性評(píng)價(jià)方法(JBMA T307 1999)”為標(biāo)準(zhǔn)。彎曲試驗(yàn)的結(jié)果是，將沒(méi)有裂紋的試樣判定為良好，在表1中標(biāo)注“〇”標(biāo) 記，將產(chǎn)生了裂紋的試樣判定為不良，在表1中標(biāo)注“ X ”標(biāo)記。表 權(quán)利要求
一種電氣電子設(shè)備用銅合金材料，含有3.3質(zhì)量％以上5.0質(zhì)量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si的質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2.8～3.8的范圍內(nèi)，且含有0.01質(zhì)量％以上0.2質(zhì)量％以下的Mg、0.05質(zhì)量％以上1.5質(zhì)量％以下的Sn、0.2質(zhì)量％以上1.5質(zhì)量％以下的Zn，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，在對(duì)厚度t＝0.20mm、寬度w＝2.0mm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R＝0.1mm的90°W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。
2.一種電氣電子設(shè)備用銅合金材料，含有3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Ni，且Si 的含量以Ni和Si的質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2. 8 3. 8的范圍內(nèi)，且含有0. 01質(zhì)量％以上0. 2 質(zhì)量％以下的Mg、0. 05質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Sn、0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下 的Zn，還含有合計(jì)0. 005質(zhì)量％以上2. 0質(zhì)量％以下的選自Ag、Co、及Cr構(gòu)成的組的一種 以上，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，在對(duì)厚度t = 0. 20mm、寬度w = 2. Omm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R = 0. Imm的90° W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電氣電子設(shè)備用銅合金材料，其特征在于，將鑄造好的鑄 塊進(jìn)行熱軋、坯料軋制(冷軋)、及固溶化處理后，按順序?qū)嵤┸堉坡? 50%的中間軋制 (冷軋)、400 600°C下的0. 5 12小時(shí)的時(shí)效處理、軋制率30%以下的精軋(冷軋)、及 低溫退火處理來(lái)制造。
4.如權(quán)利要求1或2所述的電氣電子設(shè)備用銅合金材料，其特征在于，將鑄造好的鑄塊 進(jìn)行熱軋、坯料軋制(冷軋)、及固溶化處理后，在300 400°C下實(shí)施0. 5 8小時(shí)的時(shí)效 處理，進(jìn)而在425 600°C下實(shí)施0. 5 12小時(shí)的時(shí)效處理，且按順序?qū)嵤┚?冷軋)、 及低溫退火處理來(lái)制造。
5.如權(quán)利要求1或2所述的電氣電子設(shè)備用銅合金材料，其特征在于，將鑄造好的鑄塊 進(jìn)行熱軋、坯料軋制(冷軋)、及固溶化處理后，實(shí)施軋制率5 50%的中間軋制(冷軋)、 300 400°C下的0. 5 8小時(shí)的時(shí)效處理，進(jìn)而在425 600°C下實(shí)施0. 5 12小時(shí)的時(shí) 效處理，且按順序?qū)嵤┸堉坡?0%以下的精軋(冷軋)、及低溫退火處理來(lái)制造。
6.一種電氣電子零件，對(duì)電氣電子設(shè)備用銅合金材料進(jìn)行加工而得到，所述電氣電子 設(shè)備用銅合金材料含有3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si的 質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2. 8 3. 8的范圍內(nèi)，且含有0. 01質(zhì)量％以上0. 2質(zhì)量％以下的Mg、 0. 05質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Sn、0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Zn，剩余部分由 Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，所述銅合金材料在對(duì)厚度t = 0. 20mm、寬度w = 2. Omm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R = 0. Imm的90° W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。
7.一種電氣電子零件，對(duì)電氣電子設(shè)備用銅合金材料進(jìn)行加工而得到，所述電氣電子 設(shè)備用銅合金材料含有3. 3質(zhì)量％以上5. 0質(zhì)量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si的質(zhì) 量比(Ni/Si)計(jì)在2. 8 3. 8的范圍內(nèi)，且含有0.01質(zhì)量％以上0.2質(zhì)量％以下的Mg、0. 05 質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Sn、0. 2質(zhì)量％以上1. 5質(zhì)量％以下的Zn，還含有合計(jì)0. 005 質(zhì)量％以上2. 0質(zhì)量％以下的選自Ag、Co、及Cr構(gòu)成的組的一種以上，剩余部分由Cu及不 可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其特征在于，所述銅合金材料在對(duì)厚度t = 0. 20mm、寬度w = 2. Omm的 試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R = 0. Imm的90° W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋。
全文摘要
本發(fā)明提供電氣電子設(shè)備用銅合金材料及電氣電子零件，電氣電子設(shè)備用銅合金材料含有3.3質(zhì)量％以上5.0質(zhì)量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si的質(zhì)量比(Ni/Si)計(jì)在2.8～3.8的范圍內(nèi)，且含有0.01～0.2質(zhì)量％的Mg、0.05～1.5％以下的Sn、0.2～1.5質(zhì)量％的Zn，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，其中，在對(duì)厚度t＝0.20mm、寬度w＝2.0mm的試驗(yàn)片進(jìn)行了彎曲半徑R＝0.1mm的90°W彎曲時(shí)，不產(chǎn)生裂紋；電氣電子零件通過(guò)加工電氣電子設(shè)備用銅合金材料而形成。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101981213SQ20098011178
公開(kāi)日2011年2月23日 申請(qǐng)日期2009年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月31日
發(fā)明者佐藤浩二, 廣瀨清慈, 金子洋 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社