專利名稱：電容器形成材料和帶有電容器的印刷電路板的制作方法
技術領域：
本申請所提出的發(fā)明，涉及電容器形成材料和帶有電容器的印刷電路板。
背景技術：
本發(fā)明所述的電容器形成材料，擁有在上部電極形成層和下部電極形成層之間具 備介電層的構(gòu)成。并且，該上部電極形成層和下部電極形成層，是通過蝕刻加工等形成電容 器電路。例如，像專利文獻1所述，這種電容器形成材料通常被用作印刷電路板的電容器形 成材料。然而，上部電極形成層/介電層/下部電極形成層的電容器形成材料中，有時在下 部電極形成層與介電層之間的界面、上部電極形成層與介電層之間的界面產(chǎn)生粘附性的問 題。當這些位置上的粘附性降低時，介電層與各電極形成層之間產(chǎn)生縫隙，無法滿足作為所 形成的電容器電路的電容器的品質(zhì)要求。因此，為了解決諸如此類的問題，在專利文獻2中，為了提供一種即使作為電極采 用了價格低廉的Cu的情況下也能充分確保電極膜的導電率的同時，能夠充分防止電極膜 與介電膜之間剝離的薄膜電容器等，公開了 “一種薄膜電容器，其是設置于基板上，且具有 一對電極膜以及設置于該一對電極膜之間的介電膜的薄膜電容器，其特征在于，上述一對 電極膜的至少一方是含Cu的Cu電極膜，上述Cu電極膜與上述介電膜之間設置有含Cu2O的 粘附層，上述介電膜為氧化物介電膜。，，并且，在專利文獻2的0034段所述的介電膜的形成的項目中，記載有“介電膜4采 用下述成膜技術形成溶膠-凝膠法、MOD法(有機金屬化合物沉積法)等溶液涂敷燒成法、 濺射法等PVD (物理氣相沉積)法或CVD (化學氣相沉積)法等”，揭示了溶膠_凝膠法的應 用。另外，如專利文獻2的實施例中0048段的記載，僅公開了使用BST (鈦酸鍶鋇)靶材的 濺射法的應用情況。專利文獻1 :W02006/118236號公報專利文獻2 日本特開2007-329189號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題然而，在專利文獻2所公開的發(fā)明中，當采用溶膠_凝膠法形成介電層時，存在介 電層與電極膜之間的粘附性不充分的問題。即，電極形成層與氧化物介電層之間的粘附性 不能達到實用性水平(0. 3kgf/cm以上)?；谝陨纤?，在市場上需求即使在采用溶膠-凝膠法形成氧化物介電層時，上 部電極形成層與該氧化物介電層之間的粘附性也高、并且具備高電容的印刷電路板制造用 的電容器形成材料以及帶有電容器的印刷電路板。用于解決課題的方法于是，本發(fā)明人等通過悉心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)利用下述發(fā)明能夠提供使電極形成層與介電層之間的粘附性穩(wěn)定、并且具備高電容的印刷電路板制造用的電容器形成材料和帶 有電容器的印刷電路板。下面，就發(fā)明的概要進行說明。電容器形成材料本發(fā)明所涉及的電容器形成材料，在上部電極形成層和下部電 極形成層之間具有氧化物介電層，其特征在于，該上部電極形成層和下部電極形成層中的 至少一方，具有主體金屬層(〃> 々金屬層)以及與該氧化物介電層接觸的金屬_金屬氧 化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)。另外，其特征在于，在主體金屬層與金屬-金屬氧化物混合層之間 具備異種金屬層的三層結(jié)構(gòu)。因此，具備后述的三種類型的層構(gòu)成。以下，按類型分別稱它 們?yōu)轭愋虸 (類型I-a、類型I-b)、類型II (類型ΙΙ-a、類型II_b)、類型III (類型ΙΙΙ-a、類 型 III-b)。電容器形成材料的制造方法本發(fā)明所涉及的電容器形成材料的制造方法，根據(jù) 電容器形成材料的類型，優(yōu)選采用下述三種制造方法。本發(fā)明所涉及的類型I的電容器形成材料的制造方法，其特征在于，在下部電極 形成層的表面形成氧化物介電層，在該氧化物介電層的表面，形成主體金屬層/金屬-金屬 氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)的上部電極形成層或形成主體金屬層/異種金屬層/金屬-金屬 氧化物混合層的三層結(jié)構(gòu)的上部電極形成層，從而制成層疊體。該類型I的制造方法中所 述的層疊體，具備(“上部電極形成層(金屬-金屬氧化物混合層/主體金屬層)/介電層 /下部電極形成層”或“上部電極形成層(金屬-金屬氧化物混合層/異種金屬層/主體金 屬層)/介電層/下部電極形成層”)的層構(gòu)成。另外，類型I中的下部電極形成層，是通過 有意不含金屬氧化物的金屬所構(gòu)成的層。本發(fā)明所涉及的類型II的電容器形成材料的制造方法，其特征在于，在主體金屬 層表面設置金屬-金屬氧化物混合層而形成兩層結(jié)構(gòu)的下部電極形成層之后，或者在主體 金屬層表面設置異種金屬層/金屬-金屬氧化物混合層而形成三層結(jié)構(gòu)的下部電極形成層 之后，在位于該下部電極形成層表面的金屬-金屬氧化物混合層上，形成氧化物介電層，進 而在該氧化物介電層的表面形成上部電極形成層，從而制成層疊體。在該類型II的制造方 法中所述的層疊體，具備(“上部電極形成層/介電層/下部電極形成層(金屬-金屬氧化 物混合層/主體金屬層)”或“上部電極形成層/介電層/下部電極形成層(金屬-金屬氧 化物混合層/異種金屬層/主體金屬層)”)的層構(gòu)成。另外，類型II中的上部電極形成 層，是通過有意不含金屬氧化物的金屬所構(gòu)成的層。本發(fā)明所涉及的類型III的電容器形成材料的制造方法，其特征在于，在主體金 屬層表面設置金屬-金屬氧化物混合層而形成兩層結(jié)構(gòu)的下部電極形成層后，或者在主體 金屬層表面設置異種金屬層/金屬-金屬氧化物混合層而形成三層結(jié)構(gòu)的下部電極形成層 之后，在位于該下部電極形成層表面的金屬-金屬氧化物混合層上形成氧化物介電層，在 該氧化物介電層的表面，形成主體金屬層/金屬-金屬氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)的上部電 極形成層或者主體金屬層/異種金屬層/金屬-金屬氧化物混合層的三層結(jié)構(gòu)的上部電極 形成層，從而制成層疊體。本申請中所述的印刷電路板本發(fā)明所涉及的印刷電路板，是具有內(nèi)置電容器層 的印刷電路板，其特征在于，采用上述所記載的電容器形成材料來形成內(nèi)置電容器層而獲得。再是，本發(fā)明所涉及的印刷電路板，其特征在于，通過在印刷電路板內(nèi)配置上述所記載的電容器形成材料來獲得。發(fā)明的效果本發(fā)明所涉及的電容器形成材料，具有形成于上部電極形成層和下部電極形成層 之間的氧化物介電層，其中，該上部電極形成層和下部電極形成層中的至少一方，具有“主 體金屬層/金屬_金屬氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)”或者“主體金屬層/異種金屬層/金 屬-金屬氧化物混合層的三層結(jié)構(gòu)”。通過采用如此構(gòu)成，氧化物介電層與各電極形成層之 間顯示出了良好的粘附性。其結(jié)果，可使作為電容器的品質(zhì)實現(xiàn)飛躍性穩(wěn)定化。因此，采用 所述印刷電路板制造用的電容器形成材料形成電容器層的印刷電路板，具備顯示穩(wěn)定的電 容器特性的電容器，成為高品質(zhì)的多層印刷電路板。


圖1是用于說明本發(fā)明所涉及的電容器形成材料(類型I-a)的層構(gòu)成的截面示 意圖。圖2是用于說明本發(fā)明所涉及的具備異種金屬層的電容器形成材料(類型I_b) 的層構(gòu)成的截面示意圖。圖3是用于說明本發(fā)明所涉及的電容器形成材料(類型ΙΙ-a)的層構(gòu)成的截面示 意圖。圖4是用于說明本發(fā)明所涉及的具備異種金屬層的電容器形成材料(類型II-b) 的層構(gòu)成的截面示意圖。圖是用于說明本發(fā)明所涉及的電容器形成材料(類型ΙΙΙ-a)的層構(gòu)成的截面示 意圖。圖6是用于說明本發(fā)明所涉及的具備異種金屬層的電容器形成材料(類型III-b) 的層構(gòu)成的截面示意圖。圖7是顯示在XPS檢測中“鎳光譜”與“鎳氧化物光譜”之間分離而成為可確認狀 態(tài)的一例的檢測光譜。圖8是用于顯示XPS檢測和XRD檢測中的檢測部位的示意圖。其中，附圖標記說明如下
Ia電容器形成材料(類型I-a)Ib電容器形成材料(類型I_b)IOa電容器形成材料(類型ΙΙ-a)IOb電容器形成材料(類型II-b)20a電容器形成材料(類型III_a)20b電容器形成材料(類型III-b)2上部電極形成層3下部電極形成層4氧化物介電層5主體金屬層 6金屬-金屬氧化物混合層
7異種金屬層
具體實施例方式下面，就本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料和帶有電容器的印 刷電路板的實施方式進行說明。[印刷電路板制造用的電容器形成材料的實施方式]本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料1，其在上部電極形成層2 和下部電極形成層3之間具有氧化物介電層4，其特征在于，該上部電極形成層2和下部電 極形成層3中的至少一方，具備主體金屬層5/與該氧化物介電層接觸的金屬_金屬氧化物 混合層6的兩層結(jié)構(gòu)。因此，具備三種類型的層構(gòu)成。下面，采用附圖分別對類型I 類型 III進行說明。另外，在各類型中存在不含異種金屬層的a型和含異種金屬層的b型。因 此，以類型I-a、類型I_b的形式加以區(qū)分。類型I的電容器形成材料，包括如圖1所示的類型I-a和如圖2所示的類型I_b。 從圖1可知，本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料Ia (類型I-a)，其特征在 于，由主體金屬層5與金屬-金屬氧化物混合層6的兩層來構(gòu)成該上部電極形成層2。再 是，在圖2中，作為本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料Ib(類型I-b)，顯 示了由主體金屬層5、異種金屬層7、金屬-金屬氧化物混合層6的三層來構(gòu)成該上部電極 形成層2的結(jié)構(gòu)。類型II的電容器形成材料，包括圖3所示的類型ΙΙ-a和圖4所示的類型II_b。 從圖3可知，本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料IOa(類型ΙΙ-a)，其特征 在于，由主體金屬層5、金屬-金屬氧化物混合層6的兩層來構(gòu)成該下部電極形成層3。再 是，在圖4中，作為本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料IOb(類型II-b)， 顯示了由主體金屬層5、異種金屬層7、金屬-金屬氧化物混合層6的三層來構(gòu)成該下部電 極形成層3的結(jié)構(gòu)。類型III的電容器形成材料，包括圖5所示的類型ΙΙΙ-a和圖6所示的類型III-b。 從圖5可知，本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料20a(類型ΙΙΙ-a)，其特 征在于，由主體金屬層5、金屬-金屬氧化物混合層6的兩層來構(gòu)成該上部電極形成層2，并 且由主體金屬層5、金屬-金屬氧化物混合層6的兩層來構(gòu)成該下部電極形成層3。再是， 在圖6中，作為本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造用的電容器形成材料20b(類型ΙΙΙ-b)，顯 示了由主體金屬層5、異種金屬層7、金屬-金屬氧化物混合層6的三層來構(gòu)成該上部電極 形成層2，并且由主體金屬層5、異種金屬層7、金屬-金屬氧化物混合層6的三層來構(gòu)成該 下部電極形成層3的結(jié)構(gòu)。如上所述層構(gòu)成的類型I 類型III的各電容器形成材料，在上部電極形成層2 和下部電極形成層3之間具備氧化物介電層4的層構(gòu)成方面是相同的，在上部電極形成層 2和下部電極形成層3的至少一方的主體金屬上，與氧化物介電層4之間的界面?zhèn)龋O置有 “金屬-金屬氧化物混合層6”?；谠摻饘?金屬氧化物混合層6的存在，提高各電極形成 層與氧化物介電層4之間的粘附性。但是，與氧化物介電層4之間粘附性不足的問題，容易 在“上部電極形成層2”與“氧化物介電層4”之間發(fā)生，因此，將“金屬-金屬氧化物混合層 6”設置于上部電極形成層側(cè)更有效果。另外，類型III-b中，在上部電極形成層2和下部電 極形成層3的兩者中均設置有異種金屬層，但還存在在上部電極形成層2和下部電極形成
7層3中的任意一者上設置異種金屬層的方式，在此予以表明。上述本發(fā)明所涉及的電容器形成材料，可通過層疊于半固化片等之后，對上部電 極形成層2和下部電極形成層3中的至少一方進行蝕刻加工，從而形成印刷電路板的電容 器電路。再是，也可以對本發(fā)明所涉及的電容器形成材料，預先通過蝕刻加工形成電路，并 將其配置于印刷電路板內(nèi)。在任意情況下，本發(fā)明所涉及的電容器形成材料，在印刷電路 板內(nèi)均發(fā)揮作為電容器的功能。下面，代表性地采用圖1所示的類型I_a和圖2所示的類 型I-b進一步詳細說明，但在此予以表明這里所示的“主體金屬層”、“異種金屬層”、“金 屬-金屬氧化物混合層”的各概念，還可以適用于類型II、類型III中將上部電極形成層和 下部電極形成層設置為“主體金屬層/金屬_金屬氧化物混合層”的兩層結(jié)構(gòu)、“主體金屬 層/異種金屬層/金屬_金屬氧化物混合層”的三層結(jié)構(gòu)的情形中。類型I-a的實施方式參照圖1進行以下說明。本發(fā)明所涉及的印刷電路板制造 用的電容器形成材料1，具有將主體金屬層5和金屬-金屬氧化物混合層6層疊而配置來形 成該上部電極形成層2的構(gòu)成。并且，該金屬-金屬氧化物混合層6與氧化物介電層4接 觸。首先，就金屬-金屬氧化物混合層6進行說明。該金屬_金屬氧化物混合層，優(yōu)選 為含有銅氧化物、鎳氧化物、銅合金氧化物、鎳合金氧化物中的任一種的構(gòu)成。其原因是 與氧化物介電層之間的粘附性以及與主體金屬層之間的粘附性優(yōu)良。并且，在此所述的金 屬-金屬氧化物混合層，并不是其100wt%由金屬氧化物構(gòu)成的層，而是含有未氧化的金屬 成分的層。所謂銅氧化物，是指主要為Cu2O,并含有Cu2O與CuO的復合狀態(tài)的概念。再是， 所謂銅合金氧化物，是指銅_磷合金、銅_鋅合金、銅-鎳-鋅合金、銅_鈀合金、銅_金合 金、銅-銀合金的氧化物等。所謂鎳氧化物，主要是指NiO。再是，所謂鎳合金氧化物，是指 鎳_磷合金、鎳_鈷合金、鎳_銅合金、鎳_鈀合金、鎳_銀合金、鎳-鈷-鈀合金等的氧化 物。為了說明該金屬_金屬氧化物混合層的狀態(tài)，可以使用下述兩項指標。第一項指標，是通過該金屬_金屬氧化物混合層的X射線光電子光譜分析(XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy)得到的檢測值。即，當對于該金屬-金屬氧化物混合 層進行了 XPS檢測時，優(yōu)選構(gòu)成該金屬_金屬氧化物混合層的金屬光譜與金屬氧化物光譜 進行分離，成為可確認的狀態(tài)。例如，相當于如圖7所示的“鎳光譜”與“鎳氧化物光譜”的 峰分離后成為可確認的狀態(tài)的情形。其原因是當以XPS檢測獲得如此檢測結(jié)果時，易于獲 得提高氧化物介電層與上部電極形成層之間的粘附性的效果。另外，當對電容器形成材料 施行下述的退火處理時，與氧化物介電層接觸的金屬-金屬氧化物混合層的最外表面被氧 化，有時不能作為混合層檢測出，因此，優(yōu)選通過反濺射(A ”卞^ ”夕，back sputter) 等，使金屬_金屬氧化物混合層的內(nèi)部露出，再進行XPS檢查。進而，也可以通過X射線衍射法(XRD)進行評價。例如，當金屬-金屬氧化物混 合層是由鎳-鎳氧化物構(gòu)成的情況下，鎳的(101)面的峰強度(下面，簡稱為“Ni (101)”) 與氧化鎳的(200)面的峰強度(下面，簡稱為“Ni0(200)”)之間的峰強度比([Ni(IOl)]/ [NiO (200)])為 0. 02 50，更優(yōu)選為 0. 05 10 的范圍。將該[Ni (101) ]/[NiO (200)]的值 稱作“峰強度比”。并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選進行多次(至少為3次)的X射線衍射檢測，并 判斷各次檢測的峰強度比的平均值是否落入上述的范圍。當該峰強度比小于0.02時，在與氧化物介電層的粘附性方面易產(chǎn)生偏差，因而不優(yōu)選。另一方面，當該峰強度比大于50時， 氧化物含量變得過低，難以得到與氧化物介電層的粘附性。另外，當峰強度比處于0. 02 100的范圍以外的情況下，實質(zhì)上可視為僅存在任一方的成分。另外，在此所述的峰強度，是 對X射線衍射圖表的強度進行積分后所獲得的面積(累計強度)，Ni參照PDF (粉末衍射文 件)卡片 #04-0850，NiO 參照 PDF 卡片 #44-1159。另外，該金屬-金屬氧化物混合層的表面并不是粗糙表面，而是均勻表面，與主 體金屬層的粘附性也良好。作為其證據(jù)，在表1中，對比顯示了在鎳箔上形成的(Bai_xSrx) TiO3(0彡χ彡1)的組成(表1中只表示為“BST”)的氧化物介電層的表面粗糙度(Ra)， 和在該氧化物介電層的表面設置平均厚度為約IOOnm的金屬-金屬氧化物混合層(鎳-氧 化鎳混合層)時的金屬-金屬氧化物混合層的表面粗糙度(Ra)。在此所述的表面粗糙度 (Ra)，是采用AFM，并按照JIS B 0601，以2 μ mX 2 μ m的視野進行檢測的表面粗糙度。各樣 品的檢測，是在同一樣品內(nèi)改變位置，并對3個位置進行檢測的結(jié)果。表 權利要求
一種電容器形成材料，其在上部電極形成層和下部電極形成層之間具有氧化物介電層，其特征在于，該上部電極形成層和下部電極形成層中的至少一方，具有主體金屬層和金屬 金屬氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)，所述金屬 金屬氧化物混合層與所述氧化物介電層接觸。
2.如權利要求1所述的電容器形成材料，其特征在于，上述上部電極形成層具有主體金屬層和金屬-金屬氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)，并具有 以該金屬_金屬氧化物混合層與該氧化物介電層接觸的方式層疊而配置的層構(gòu)成。
3.如權利要求1所述的電容器形成材料，其中，當采用X射線光電子光譜分析對上述金 屬_金屬氧化物混合層進行檢測時，構(gòu)成該金屬_金屬氧化物混合層的金屬光譜和金屬氧 化物光譜分離而能夠確認。
4.如權利要求1所述的電容器形成材料，其中，構(gòu)成上述金屬_金屬氧化物混合層的金 屬氧化物是銅氧化物、鎳氧化物、銅合金氧化物、鎳合金氧化物中的任一種。
5.如權利要求1所述的電容器形成材料，其中，當上述金屬_金屬氧化物混合層是鎳 和鎳氧化物的混合組成的情況下，采用X射線衍射法檢測的鎳的(101)面的峰強度Ni (101) 與氧化鎳的(200)面的峰強度NiO (200)之間的峰強度比[Ni (101)]/[NiO (200)]為0. 02 50。
6.如權利要求1所述的電容器形成材料，其中，上述金屬_金屬氧化物混合層的平均厚 度為5nm 200nm。
7.如權利要求1所述的電容器形成材料，其中，構(gòu)成上述上部電極形成層和下部電極 形成層的主體金屬層，是由銅、鎳、銅合金、鎳合金中的任一種構(gòu)成。
8.如權利要求1所述的電容器形成材料，其中，上述上部電極形成層和下部電極形成 層中的至少一方，具有在該主體金屬層與金屬-金屬氧化物混合層之間擁有異種金屬層的 三層結(jié)構(gòu)。
9.如權利要求8所述的電容器形成材料，其中，上述異種金屬層，是由不同于主體金屬 層的金屬成分且包含在金屬_金屬氧化物混合層中的金屬成分構(gòu)成。
10.如權利要求8所述的電容器形成材料，其中，上述異種金屬層的平均厚度為30nm 600nmo
11.如權利要求1所述的電容器形成材料，其特征在于，上述氧化物介電層具有 (Ba1^xSrx)TiO3的基本組成，其中，0彡χ彡1。
12.如權利要求1所述的電容器形成材料，其中，上述氧化物介電層的平均厚度為 20nm 2 μ m0
13.一種電容器形成材料的制造方法，其為權利要求1所述的電容器形成材料的制造 方法，其特征在于，在下部電極形成層的表面形成氧化物介電層，在該氧化物介電層的表面，形成主體金屬層/金屬-金屬氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)的 上部電極形成層或形成主體金屬層/異種金屬層/金屬_金屬氧化物混合層的三層結(jié)構(gòu)的 上部電極形成層，從而制成層疊體。
14.如權利要求13所述的電容器形成材料的制造方法，其中，對上述層疊體進行退火處理。
15.一種電容器形成材料的制造方法，其為權利要求1所述的電容器形成材料的制造 方法，其特征在于，在主體金屬層表面設置金屬_金屬氧化物混合層而形成兩層結(jié)構(gòu)的下部電極形成層 之后，或者在主體金屬層表面設置異種金屬層/金屬_金屬氧化物混合層而形成三層結(jié)構(gòu) 的下部電極形成層之后，在位于該下部電極形成層表面的金屬_金屬氧化物混合層上形成 氧化物介電層，進而在該氧化物介電層的表面形成上部電極形成層，從而制成層疊體。
16.如權利要求15所述的電容器形成材料的制造方法，其中，對上述層疊體進行退火 處理。
17.一種電容器形成材料的制造方法，其為權利要求1所述的電容器形成材料的制造 方法，其特征在于，在主體金屬層表面設置金屬-金屬氧化物混合層而形成兩層結(jié)構(gòu)的下部電極形成層 后，或者在主體金屬層表面設置異種金屬層/金屬_金屬氧化物混合層而形成三層結(jié)構(gòu)的 下部電極形成層之后，在位于該下部電極形成層表面的金屬-金屬氧化物混合層上形成氧 化物介電層，在該氧化物介電層的表面，形成主體金屬層/金屬-金屬氧化物混合層的兩層 結(jié)構(gòu)的上部電極形成層或者形成主體金屬層/異種金屬層/金屬_金屬氧化物混合層的三 層結(jié)構(gòu)的上部電極形成層，從而制成層疊體。
18.如權利要求17所述的電容器形成材料的制造方法，其中，對上述層疊體進行退火 處理。
19.一種印刷電路板，其特征在于，采用權利要求1所述的電容器形成材料來形成內(nèi)層 電容器層而獲得。
20.一種印刷電路板，其特征在于，在印刷電路板內(nèi)配置權利要求1所述的電容器形成 材料而獲得。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供一種介電層與電極形成層的粘附性穩(wěn)定的電容器形成材料。為了實現(xiàn)該目的，采用一種電容器形成材料，其在上部電極形成層和下部電極形成層之間具有氧化物介電層，其特征在于，該上部電極形成層和下部電極形成層中的至少一方，具有主體金屬層和與該氧化物介電層接觸的金屬-金屬氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)。特別是，優(yōu)選采用的電容器形成材料的特征在于，上述上部電極形成層具有主體金屬層和金屬-金屬氧化物混合層的兩層結(jié)構(gòu)，并具有以該金屬-金屬氧化物混合層與該氧化物介電層接觸的方式層疊而配置的層構(gòu)成。
文檔編號H01G4/33GK101983408SQ20098011186
公開日2011年3月2日 申請日期2009年2月4日 優(yōu)先權日2008年3月31日
發(fā)明者伊藤亞由美, 杉岡晶子, 菅野明弘, 阿部直彥 申請人:三井金屬礦業(yè)株式會社