專利名稱：薄膜太陽能電池制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜太陽能電池制造裝置。本申請基于2008年06月06日于日本申請的特愿2008-149933號主張優(yōu)先權(quán)，在 此援用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)在的太陽能電池中，單晶Si型和多晶Si型太陽能電池占據(jù)大半。但是，因Si 的材料不足等原因，近年來，制造成本低且材料不足的風(fēng)險小的形成有薄膜Si層的薄膜太 陽能電池的需求升高。進一步，在現(xiàn)有型的僅a-Si (非晶硅)層的薄膜太陽能電池的基礎(chǔ) 上，最近通過層積a-Si層與μ C-Si (微晶硅)層而實現(xiàn)提高轉(zhuǎn)換效率的疊層型薄膜太陽能 電池的需求升高。這種薄膜太陽能電池的薄膜Si層(半導(dǎo)體層)的成膜多使用等離子體CVD裝置。 作為這種等離子體CVD裝置，存在群集式PE-CVD (等離子體CVD)裝置、線列型PE-CVD裝置、 批次式PE-CVD裝置等。這里，如果考慮薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，上述疊層型太陽能電池的μ C-Si層 與a-Si層相比較需要成膜約5倍左右的膜厚(1.5μπι左右)。另外，由于μ C-Si層需要均 勻地形成優(yōu)質(zhì)的微晶層，因此加快成膜速度也是有界限的。因此，要求增加批處理數(shù)以提高 生產(chǎn)率。即，要求低成膜速度且實現(xiàn)高生產(chǎn)能力的裝置。另外，在專利文獻1中提出了一種能夠形成高品質(zhì)的薄膜、且能夠降低制造成本 和維護成本的CVD裝置。專利文獻1的CVD裝置由基體(基板)接收發(fā)送裝置、可收納多 個基體的成膜腔室群、移動用腔室、以及腔室移動裝置構(gòu)成。在成膜腔室的成膜室的出入口 設(shè)置有具有氣密性的擋板，移動用腔室的收納室的出入口總是開放。而且，對基體進行Si 層的成膜時，通過腔室移動裝置，移動用腔室移動到基體接收發(fā)送裝置的位置，并將基體托 架移送到移動用腔室側(cè)。另外，通過腔室移動裝置，接合移動用腔室與成膜腔室，使基體托 架移動到成膜腔室中，并對基體進行Si層的成膜。專利文獻1 特開2005-139524號公報但是，在專利文獻1的CVD裝置中，為了對基體進行薄膜Si層的成膜時，在將移動 用腔室與成膜腔室接合，并使移動用腔室內(nèi)為真空狀態(tài)后，打開成膜腔室的擋板，從移動腔 室向成膜腔室移送基體托架。然后，在成膜腔室內(nèi)加熱基體，通過等離子體CVD法對基體進 行薄膜Si層的成膜。薄膜Si層的成膜結(jié)束后，冷卻基體，并向其他處理室搬送基體。因此， 雖然能夠同時對多個基體進行Si層的成膜，但是為了對基體進行薄膜Si層的成膜，除了基 體的成膜步驟以外，還需要很多其他步驟。另外，為了實現(xiàn)高生產(chǎn)能力，需要增加CVD裝置 的設(shè)置臺數(shù)，但如果考慮裝置的設(shè)置面積和成本效益，則增加CVD裝置的設(shè)置臺數(shù)是有界 限的。另外，在專利文獻1的移動用腔室中設(shè)置有加熱器，將基體移動到成膜腔室之前 預(yù)先加熱到規(guī)定的溫度。即，對移動用腔室和成膜腔室兩者設(shè)置有加熱器功能。據(jù)此，具有
3裝置昂貴且成膜室消耗的能量增大的溫度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠降低能耗，能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)率、低制造成本、以及 高生產(chǎn)能力的薄膜太陽能電池制造裝置。本發(fā)明的第一方式中的薄膜太陽能電池制造裝置包括成膜室，被排氣以減壓并 通過CVD法在基板上形成膜；放入取出室，與所述成膜室經(jīng)由第一開閉部連接，并能夠在大 氣壓與減壓之間切換；第一托架，保持成膜處理前的基板；以及第二托架，保持成膜處理后 的基板，所述放入取出室同時收容所述第一托架與所述第二托架。所述放入取出室還可以交替收容多個所述第一托架與多個所述第二托架。所述放入取出室還可以在所述放入取出室的內(nèi)部為減壓的狀態(tài)下，同時收容所述 第一托架與多個所述第二托架。還可以采用以下結(jié)構(gòu)多個所述第一托架與多個所述第二托架的至少一個，在所 述放入取出室中，能夠沿對于向所述成膜室的移動方向成大致直角的方向移動。所述第一托架與所述第二托架還可以以所述基板的被成膜面與重力方向平行的 縱姿勢保持所述基板。所述第一托架和所述第二托架還可以并排且對置地保持多個所述基板。所述放入取出室還可以具有使多個所述第二托架一并從所述成膜室向所述放入 取出室移動的托架移送機構(gòu)。所述托架移送機構(gòu)還可以使多個所述第一托架一并從所述放入取出室向所述成
膜室移動。所述薄膜太陽能電池制造裝置還可以采用以下結(jié)構(gòu)包括多個在一個所述放入取 出室上連接一個所述成膜室的處理模塊，多個所述處理模塊并列配置。一個所述放入取出室還可以與多個所述成膜室連接。根據(jù)上述方式，由于能夠使成膜處理前的基板與成膜處理后的基板同時收容在放 入取出室中，能夠?qū)⒎湃肴〕鍪业恼婵张艢夤ば驕p半。因此，能夠顯著提高生產(chǎn)率。另外， 在放入取出室中同時收容成膜處理后的基板與成膜處理前的基板時，蓄積在成膜處理后的 基板上的熱被傳遞到成膜處理前的基板上，從而進行熱交換。即，能夠省略將成膜處理前的 基板收容在成膜室之后通常實施的加熱工序、以及從放入取出室搬出成膜處理后的基板之 前通常實施的冷卻工序。結(jié)果不用加熱工序和冷卻工序，能夠提高生產(chǎn)率，并且能夠削減用于現(xiàn)有的加熱 工序、冷卻工序的設(shè)備，因此能夠同時達到省空間化和低成本化。根據(jù)上述方式，在放入取出室中，由于第一托架與第二托架同時收容時相鄰，因此 蓄積在保持于第二托架的成膜處理后的基板的熱能夠有效地傳遞到保持于第一托架的成 膜處理前的基板上，從而能夠可靠地進行熱交換。根據(jù)上述方式，能夠固定從放入取出室出入基板的搬送路徑。因此，能夠抑制裝置 自身的大小，能夠縮減裝置的設(shè)置空間。根據(jù)上述方式，由于能夠縮小基板在裝置內(nèi)移動所需的面積，因此能夠使裝置小 型化，并且能夠以與現(xiàn)有相同的設(shè)置面積配置更多的裝置。因此，能夠增加可同時成膜的基板塊數(shù)，從而能夠提高生產(chǎn)率。另外，在基板沿鉛直方向豎立的狀態(tài)下進行成膜時，能夠抑 制成膜時產(chǎn)生的顆粒堆積在基板的成膜面上。因此，能夠?qū)暹M行高品質(zhì)的半導(dǎo)體層的 成膜。根據(jù)上述方式，由于在一個托架中能夠同時對多個基板進行成膜，因此能夠進一
步提高生產(chǎn)率。根據(jù)上述方式，通過并列配置多個處理模塊，能夠進一步增加可同時成膜的基板 塊數(shù)，因此即使在以低速度在基板上進行膜的成膜時，也能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)能力。另外，通過 裝置一體化作為處理模塊，從而能夠縮短在工廠等中構(gòu)筑制造線時的裝置的設(shè)置時間(制 造線的啟動時間)。進一步，進行成膜室的維護時，分別對每個處理模塊進行維護，從而無需 停止整個制造線。因此，能夠?qū)⒕S護時的生產(chǎn)效率的下降抑制到最小限度。根據(jù)上述方式，由于安裝在托架上的基板能夠在放入取出室內(nèi)移動，因此能夠在 各成膜室中供給不同的成膜材料。能夠有效地對基板進行成膜材料不同的多層成膜。根據(jù)本發(fā)明的方式，由于能夠使成膜處理前的基板與成膜處理后的基板同時收容 在放入取出室中，能夠?qū)⒎湃肴〕鍪业恼婵张艢夤ば驕p半。因此，能夠顯著提高生產(chǎn)率。另 外，此時，在放入取出室中成膜處理后的基板與成膜處理前的基板在對置的狀態(tài)下同時收 容時，蓄積在成膜處理后的基板上的熱被傳遞到成膜處理前的基板上，從而積極地進行熱 交換。即，能夠省略將成膜處理前的基板收容在成膜室之后通常實施的加熱工序、以及從 放入取出室搬出成膜處理后的基板之前通常實施的冷卻工序。結(jié)果不用加熱工序和冷卻工 序，能夠提高生產(chǎn)率，并且能夠削減用于現(xiàn)有的加熱工序、冷卻工序的設(shè)備，因此能夠同時 達到省空間化和低成本化。


圖1是本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的概要剖視圖；圖2是本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池制造裝置的概要結(jié)構(gòu)圖；圖3A是本發(fā)明的一個實施方式中的成膜室的立體圖；圖3B是本發(fā)明的一個實施方式中的成膜室的其他角度的立體圖；圖3C是本發(fā)明的一個實施方式中的成膜室的側(cè)視圖；圖4A是本發(fā)明的一個實施方式中的電極單元的立體圖；圖4B是本發(fā)明的一個實施方式中的電極單元的其他角度的立體圖；圖4C是本發(fā)明的一個實施方式中的電極單元的部分分解立體圖；圖4D是本發(fā)明的一個實施方式中的電極單元的陰極單元和陽極單元的部分剖視 圖；圖5A是本發(fā)明的一個實施方式中的放入取出室的立體圖；圖5B是本發(fā)明的一個實施方式中的放入取出室的其他角度的立體圖；圖6是本發(fā)明的一個實施方式中的推挽機構(gòu)的概要結(jié)構(gòu)圖；圖7A是本發(fā)明的一個實施方式中的基板裝卸室的概要結(jié)構(gòu)的立體圖；圖7B是本發(fā)明的一個實施方式中的基板裝卸室的概要結(jié)構(gòu)的正視圖；圖8是本發(fā)明的一個實施方式中的基板收容盒的立體圖；圖9是本發(fā)明的一個實施方式中的托架的立體圖10是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(1)；圖11是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(2)；圖12是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(3)；圖13是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(4)；圖14是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(5)；圖15A是表示本發(fā)明的一個實施方式中的推挽機構(gòu)的動作的說明圖(1)；圖15B是表示本發(fā)明的一個實施方式中的推挽機構(gòu)的動作的說明圖(2)；圖16是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(6)；圖17是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(7)；圖18是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(8)、表示基板插入到電極單元時的概要剖面；圖19是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(9)；圖20是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(10)；圖21是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(11)、表示基板被定位到電極單元時的部分剖面；圖22是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(12)；圖23是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(13)；圖24是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(14)；圖25是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池的制造方法的過程的說 明圖(15)；圖26是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池制造裝置的其他形態(tài)的 概要結(jié)構(gòu)圖；圖27是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池制造裝置的其他配置方 法的概要結(jié)構(gòu)圖；圖28是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜太陽能電池制造裝置的又一其他配 置方法的概要結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式下面根據(jù)圖1 圖28對本發(fā)明的實施方式中的薄膜太陽能電池制造裝置進行說 明?！幢∧ぬ柲茈姵亍祱D1是薄膜太陽能電池的概要剖視圖。如圖1所示，按照附圖從上到下的順序，在 薄膜太陽能電池100中層積有構(gòu)成薄膜太陽能電池100的表面的基板W、透明導(dǎo)電膜構(gòu)成 的上部電極101、非晶硅構(gòu)成的頂電池102、透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的中間電極103、微晶硅構(gòu)成的 底電池104、透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的緩沖層105、以及金屬膜構(gòu)成的背面電極106。其中，上部電 極101層積在基板W上。中間電極103層積在頂電池102與底電池104之間。S卩，薄膜太 陽能電池100為a-Si/微晶Si疊層型太陽能電池。在這種疊層結(jié)構(gòu)的薄膜太陽能電池100 中，通過由頂電池102吸收短波長光，由底電池104吸收長波長光，能夠提高發(fā)電效率。按照附圖從上到下的順序，頂電池102具有層積ρ層102p、i層102i、以及η層 102η而構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。頂電池102的ρ層102p、i層102i、n層102η的三層結(jié)構(gòu)由非晶 硅形成。另外，按照附圖從上到下的順序，底電池104具有層積ρ層104p、i層104i、以及 η層104η而構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。底電池104的ρ層104p、i層104i、n層104η的三層結(jié)構(gòu)由 微晶硅構(gòu)成。在如此構(gòu)成的薄膜太陽能電池100中，當(dāng)包含在太陽光中的稱作光子的能量粒子 撞擊到i層時，通過光伏效應(yīng)產(chǎn)生電子和空穴(hole)，電子向著η層移動，空穴向著ρ層移 動。通過從上部電極101和背面電極106取出該通過光伏效應(yīng)產(chǎn)生的電子，能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn) 換為電能。另外，通過在頂電池102與底電池104之間設(shè)置中間電極103，通過頂電池102到 達底電池104的光的一部分由中間電極103反射并再次入射到頂電池102側(cè)。因此，電池 的感光度特性提高，能夠提高發(fā)電效率。另外，從玻璃基板W側(cè)入射的太陽光，通過各層并由背面電極106反射。在薄膜太 陽能電池100中，為了提高光能的轉(zhuǎn)換效率，采用了以拉伸入射到上部電極101的太陽光的 光路的棱鏡效應(yīng)與光的封閉效應(yīng)為目的的紋理構(gòu)造。<薄膜太陽能電池制造裝置>圖2是薄膜太陽能電池制造裝置的概要結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，薄膜太陽能電池制 造裝置10包括成膜室11 (第一室)、能夠收容基板W的放入取出室13 (第二室)、對于托 架21 (參考圖9)裝卸基板W的基板裝卸室15、用于從托架21上裝卸基板W的基板裝卸機 器人(驅(qū)動機構(gòu))17、以及收容基板W的基板收容盒(搬送機構(gòu))19。成膜室11能夠使用 CVD法對多個基板W同時進行由微晶硅構(gòu)成的底電池104(半導(dǎo)體層)的成膜。放入取出 室13能夠同時收容搬入成膜室11的成膜處理前基板Wl以及從成膜室11搬出的成膜處理 后基板W2?；逖b卸室15能夠裝卸成膜處理前基板Wl以及成膜處理后基板W2?；迨?容盒19為將基板W搬送到其他處理工序而收容基板W。此外，通過成膜室11、放入取出室 13、以及基板裝卸室15構(gòu)成基板成膜線16。在本實施方式中，設(shè)置有四個由成膜室11、放 入取出室13以及基板裝卸室15構(gòu)成的基板成膜線16。另外，基板裝卸機器人17能夠在鋪 設(shè)于地面上的軌道18上移動。因此，能夠通過一臺基板裝卸機器人17進行向所有的基板 成膜線16傳遞基板W。進一步，由成膜室11與放入取出室13構(gòu)成的處理模塊14 一體化，
7并以可裝載于卡車的大小形成。圖3A 圖3C是表示成膜室11的概要結(jié)構(gòu)的圖。其中，圖3A是成膜室11的立體 圖、圖3B是從與圖3A不同的角度觀察的立體圖、圖3C是成膜室11的側(cè)視圖。如圖3A 圖3C所示，成膜室11形成箱型。成膜室11具有與放入取出室13連接的側(cè)面23。在該側(cè) 面23上形成有三處搭載基板W的托架21可通過的托架搬出入口 24。另外，在托架搬出入 口 24上設(shè)置有開閉托架搬出入口 24的擋板(第一開閉部)25。關(guān)閉擋板25時，托架搬出 入口 24被關(guān)閉并確保氣密性。在與成膜室11的側(cè)面23對置的側(cè)面27上安裝有三臺用于 對基板W實施成膜的電極單元31。電極單元31可從成膜室11裝卸。具體而言，如圖3B所 示，在成膜室11的側(cè)面27上形成有三處開口部26，電極單元31可裝卸地設(shè)置在該開口部 26上。另外，在成膜室11的側(cè)面下部28連接有用于對成膜室11內(nèi)進行真空排氣的排氣管 29，在排氣管29上設(shè)置有真空泵30。圖4A 圖4D是表示電極單元31的概要結(jié)構(gòu)的圖。其中，圖4A是電極單元31的 立體圖、圖4B是從與圖4A不同的角度觀察的立體圖、圖4C是電極單元31的部分分解立體 圖、圖4D是陰極單元和陽極單元的部分剖視圖。如圖4A 圖4D所示，電極單元31在其下 部設(shè)置有車輪61，通過該車輪61能夠在地面上移動。另外，在安裝有車輪61的底板部62 上沿鉛直方向豎立設(shè)置有側(cè)板部63。該側(cè)板部63具有封閉成膜室11的側(cè)面27的開口部 26的大小。如圖4C所示，帶車輪61的底板部62也可以作為可與電極單元31分離、連接的臺 車結(jié)構(gòu)。通過可如此分離的臺車結(jié)構(gòu)，將電極單元31連接到成膜室11之后，能夠分離臺車， 作為共用的臺車將分離的臺車使用于其他電極單元31的移動。S卩，側(cè)板部63構(gòu)成成膜室11的壁面的一部分。在側(cè)板部63的第一面(面向成膜 室11內(nèi)部的面)65上設(shè)置有進行成膜時位于基板W的兩側(cè)的陽極單元90與陰極單元68。 在本實施方式的電極單元31中，夾著陰極單元68并在兩側(cè)隔開分別配置有陽極單元90，通 過一個電極單元31能夠同時對兩塊基板W進行成膜。因此，基板W在與重力方向大致平行 的狀態(tài)下，分別對置配置在陰極單元68的兩面?zhèn)?，兩個陽極單元90在與各基板W分別對置 的狀態(tài)下，配置在各基板W的厚度方向外側(cè)。此外，陽極單元90由板狀的陽極67與內(nèi)置于 陽極單元90中的加熱器H構(gòu)成。另外，在側(cè)板部63的第二面69上安裝有用于驅(qū)動陽極單元90的驅(qū)動裝置71、以 及進行成膜時對陰極單元68的陰極中間部件76供電的匹配箱72。進一步，在側(cè)板部63上 形成有對陰極單元68供給成膜氣體的配管用的連接部(未圖示)。在陽極單元90中內(nèi)置有加熱器H，加熱器H是控制基板W的溫度的溫度控制單元。 另外，兩個陽極單元90、90通過設(shè)置在側(cè)板部63上的驅(qū)動裝置71，能夠沿相互接近、遠離的 方向(水平方向)移動，能夠控制基板W與陰極單元68的間隔距離。具體而言，實施基板W 的成膜時，兩個陽極單元90、90沿陰極單元68方向移動并與基板W抵接，進一步沿接近陰 極單元68的方向移動以將基板W與陰極單元68的間隔距離調(diào)節(jié)為希望的距離。然后，進 行成膜，成膜結(jié)束后，陽極單元90、90沿相互遠離的方向移動，從而能夠從電極單元31容易 地取出基板W。進一步，陽極單元90經(jīng)由鉸鏈(未圖示)安裝在驅(qū)動裝置71上，在從成膜室11拔 出電極單元31的狀態(tài)下，能夠轉(zhuǎn)動(打開)直至陽極單元90 (陽極67)的陰極單元68側(cè)的面67A與側(cè)板部63的第一面65大致平行。即，如圖4A中的虛線所示，陽極單元90在俯 視中能夠轉(zhuǎn)動大致90°。陰極單元68具有簇射極板75 (陰極)、陰極中間部件76、排氣管道79、以及浮游電 容體82。在陰極單元68上配置有在與陽極單元90 (陽極67)對置的面上分別形成有多個 小孔(未圖示)的簇射極板75，能夠向基板W噴出成膜氣體。進一步，簇射極板75、75為與 匹配箱72連接的陰極(高頻電極)。在兩塊簇射極板75、75之間設(shè)置有與匹配箱72連接 的陰極中間部件76。S卩，簇射極板75在與該陰極中間部件76電連接的狀態(tài)下配置在陰極 中間部件76的兩側(cè)面。陰極中間部件76與簇射極板(陰極)75由導(dǎo)電體形成，高頻經(jīng)由 陰極中間部件76施加在簇射極板(陰極)75上。因此，兩塊簇射極板75、75上施加有用于 產(chǎn)生等離子體的同電位、同相位的電壓。陰極中間部件76通過未圖示的配線與匹配箱72連接。在陰極中間部件76與簇 射極板75之間形成有空間部77，由氣體供給裝置(未圖示)對該空間部77供給成膜氣體。 空間部77由陰極中間部件76分離，對應(yīng)于各個簇射極板75、75分別形成，從各簇射極板 75、75放出的氣體被獨立控制。即，空間部77具有氣體供給通道的作用。在該實施方式中， 由于空間部77對應(yīng)于各個簇射極板75、75分別形成，因此陰極單元68具有兩條氣體供給 通道。另外，在陰極單元68的周緣部上在其大致全周上設(shè)置有中空狀的排氣管道79。在 排氣管道79上形成有用于排出成膜空間81的成膜氣體和反應(yīng)副生成物(粉末)的排氣口 80。具體而言，排氣口 80形成為面對形成在實施成膜時的基板W與簇射極板75之間的成 膜空間81。排氣口 80沿著陰極單元68的周緣部形成有多個，從而能夠在全周上大致均勻 地排氣。另外，排氣管道79在陰極單元68的下部具有朝向成膜室11內(nèi)的面，在該朝向成 膜室11內(nèi)的面上形成有開口部(未圖示)，能夠?qū)⑴懦龅某赡怏w等向成膜室11內(nèi)排出。 向成膜室11內(nèi)排出的氣體由設(shè)置在成膜室11的側(cè)面下部28的排氣管29向外部排出。另 外，在排氣管道79與陰極中間部件76之間設(shè)置有具有電介質(zhì)和/或?qū)臃e空間的浮游電容 體82。排氣管道79與設(shè)置電位連接。排氣管道79也執(zhí)行用于防止從陰極75和陰極中間 部件76異常放電的防護框的功能。進一步，在陰極單元68的周緣部上，以覆蓋從排氣管道79的外周部到簇射極板 75(陰極)的外周部的部位的方式設(shè)置有掩膜78。該掩膜78覆蓋設(shè)置在托架21上的后述 的夾持部59的夾持片59A (參考圖9、圖21)，并且實施成膜時與夾持片59A成為一體并形 成用于將成膜空間81的成膜氣體和顆粒引導(dǎo)至排氣管道79的氣體流動通道R。即，在托架 21 (夾持片59A)與簇射極板75之間、和與排氣管道79之間形成有氣體流動通道R。通過這樣設(shè)置電極單元31，從而在一個電極單元31中，形成有兩處插入基板W的 陽極單元90與陰極單元68的間隙。因此，能夠由一個電極單元31同時對兩塊基板W進行 成膜。另外，在陽極單元90與陰極單元68之間配置基板W，陽極單元90(陽極67)能夠 移動以與基板W抵接，并調(diào)整基板W與陰極單元68的間隔距離。因此，通過等離子體CVD法 在基板W上進行薄膜Si層的成膜時，需要將基板W與陰極單元68的間隙設(shè)定為5 15mm 的程度，通過使陽極67能夠移動，從而能夠在成膜前后調(diào)節(jié)陽極67與陰極單元68的間隔
9距離。因此，能夠使基板W易于出入。另外，能夠防止基板W出入時，基板W與陽極67或陰 極單元68接觸造成損傷。進一步，通過使陽極67與基板W抵接，當(dāng)由加熱器H —邊加熱基 板W —邊進行成膜時，能夠有效地對基板W傳遞該加熱器H的熱。因此，能夠?qū)嵤└咂焚|(zhì)的 成膜。進一步，由于電極單元31可從成膜室11裝卸，因此能夠容易地進行去除堆積在電 極單元31的陰極單元68和陽極單元90上的膜等的定期的維護。另外，如果準備備用的電 極單元31，則即使為了維護而從成膜室11將電極單元31拆卸，通過安裝備用的電極單元 31作為代替，能夠不停止制造線而進行維護。因此，能夠提高生產(chǎn)效率。作為結(jié)果，即使在 基板W上以低速度進行半導(dǎo)體層的成膜時，也能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)能力。回到圖2，移動軌道37鋪設(shè)在成膜室11、放入取出室13、以及基板裝卸室15之間。 通過該移動軌道37，托架21能夠在成膜室11與放入取出室13之間、以及放入取出室13與 基板裝卸室15之間移動。此外，移動軌道37在成膜室11與放入取出室13之間分離，通過 關(guān)閉擋板25，托架搬出入口 24可被密封。圖5A和圖5B是表示放入取出室13的概要結(jié)構(gòu)的圖、圖5A是放入取出室13的立 體圖、圖5B是從與圖5A不同的角度觀察的立體圖。如圖5A和圖5B所示，放入取出室13形 成箱型。放入取出室13的側(cè)面33與成膜室11的側(cè)面23確保氣密性地連接。在放入取出 室13的側(cè)面33上形成有三個托架21能夠插通的開口部32。放入取出室13的與側(cè)面33 對置的側(cè)面34與基板裝卸室15連接。在放入取出室13的側(cè)面34上形成有三處搭載基板 W的托架21可通過的托架搬出入口 35。在托架搬出入口 35上設(shè)置有能夠確保氣密性的擋 板(第二開閉部)36。此外，移動軌道37在放入取出室13與基板裝卸室15之間分離，通過 關(guān)閉擋板36，托架搬出入口 35可被密封。另外，在放入取出室13中設(shè)置有用于使托架21沿著移動軌道37在成膜室11與 放入取出室13之間移動的推挽機構(gòu)38 (托架移送機構(gòu))。如圖6所示，該推挽機構(gòu)38包 括卡止部48，卡止托架21 ；—對引導(dǎo)部件49，設(shè)置在卡止部48的兩端并與移動軌道37大 致平行地配置；以及移動裝置50，使卡止部48沿著引導(dǎo)部件49移動。進一步，在放入取出室13內(nèi)，為了同時收容成膜處理前基板Wl和成膜處理后基板 W2，設(shè)置有用于使托架21向著在俯視中與移動軌道37的鋪設(shè)方向大致正交的方向移動規(guī) 定距離的移動機構(gòu)(未圖示)。而且，在放入取出室13的側(cè)面下部41連接有用于對放入取 出室13內(nèi)進行真空排氣的排氣管42，在排氣管42上設(shè)置有真空泵43。圖7A和圖7B是表示基板裝卸室15的概要結(jié)構(gòu)的圖、圖5A是基板裝卸室15的立 體圖、圖7B是基板裝卸室15的正視圖。如圖7A和圖7B所示，基板裝卸室15形成為框架 狀，與放入取出室13的側(cè)面34連接。在基板裝卸室15中，能夠?qū)⒊赡ぬ幚砬盎錡l安裝 到配置在移動軌道37上的托架21上，還能夠從托架21上拆卸成膜處理后基板W2。在基板 裝卸室15中并列配置三個托架21?；逖b卸機器人17具有驅(qū)動臂45 (參考圖2)，驅(qū)動臂45的前端能夠吸附基板W。 另外，驅(qū)動臂45能夠在配置于基板裝卸室15中的托架21與基板收容盒19之間驅(qū)動。艮口， 驅(qū)動臂45能夠從基板收容盒19取出成膜處理前基板W1，并將成膜處理前基板Wl安裝到配 置在基板裝卸室15中的托架(第一托架)21上。進一步，驅(qū)動臂45能夠?qū)⒊赡ぬ幚砗蠡?板W2從返回基板裝卸室15的托架(第二托架)21上拆卸，并向基板收容盒19搬送成膜處理后基板W2。圖8是基板收容盒19的立體圖。如圖8所示，基板收容盒19形成箱型，具有能夠 收容多塊基板W的大小?；錡在其被成膜面與水平方向大致平行的狀態(tài)下沿上下方向?qū)?積收容多塊。另外，在基板收容盒19的下部設(shè)置有腳輪47，能夠向其他處理裝置移動。此 外，也能夠在基板收容盒19中，在基板W的成膜面與重力方向大致平行的狀態(tài)下沿左右方 向收容多塊。圖9是托架21的立體圖。如圖9所示，托架21形成有兩個能夠安裝基板W的方 框狀的框架51。即，能夠在一個托架21上安裝兩塊基板W。兩個框架51、51通過其上部的 連結(jié)部件52而被一體化。另外，在連結(jié)部件52的上方設(shè)置有載置在移動軌道37上的車輪 53，通過車輪53在移動軌道37上滾動，托架21能夠移動。另外，在框架51的下部設(shè)置有 用于當(dāng)托架21移動時抑制基板W搖晃的框架保持器54?？蚣鼙３制?4的前端與設(shè)置在 成膜室11、放入取出室13以及基板裝卸室15的底面上的剖面凹狀的軌道部件55 (參考圖 18)配合。此外，軌道部件55在俯視中沿著移動軌道37的方向配置。如果由多個輥構(gòu)成框 架保持器54，則能夠更穩(wěn)定地搬送基板W?？蚣?1分別具有開口部56、周緣部57、以及夾持部59。基板W的被成膜面(表面 W0)在形成于框架51上的開口部56露出，在開口部56的周緣部57中，夾持部59從兩側(cè)夾 持并固定基板W。而且，夾持基板W的夾持部59通過彈簧等作用偏壓力。另外，夾持部59 具有與基板W的被成膜面即表面WO和背面WU (里面)抵接的夾持片59A、59B(參考圖18、 圖21)。該夾持片59A、59B的間隔距離通過彈簧等可變。即，根據(jù)陽極單元90 (陽極67)的 移動，夾持片59A能夠沿著相對于夾持片59B接近、遠離的方向移動(后述詳細內(nèi)容)。這 里，在一個移動軌道37上安裝有一個托架21 (能夠保持一對(兩塊)基板的一個托架21)。 即，在一組薄膜太陽能電池制造裝置10中安裝有三個(能夠保持三對(六塊)基板)托架 21。而且，在本實施方式的薄膜太陽能電池制造裝置10中，配置有四個由上述的成膜 室11、放入取出室13、以及基板裝卸室15構(gòu)成的基板成膜線16。因此，能夠大致同時對 二十四塊基板W進行成膜。<薄膜太陽能電池的制造方法>下面對使用本實施方式的薄膜太陽能電池制造裝置10對基板W進行成膜的方法 進行說明。此外，在該說明中，使用一個基板成膜線16的附圖，其他三個基板成膜線16也 以大致相同的流程對基板進行成膜。如圖10所示，將收容多塊成膜處理前基板Wl的基板收容盒19配置在規(guī)定的位置。如圖11所示，開動基板裝卸機器人17的驅(qū)動臂45，從基板收容盒19中取出一塊 成膜處理前基板Wl，并將成膜處理前基板Wl安裝到設(shè)置在基板裝卸室15中的托架21上。 此時，將沿水平方向配置在基板收容盒19中的成膜處理前基板Wl的方向變?yōu)殂U直方向安 裝到托架21上。再次重復(fù)該動作，在一個托架21上安裝第二塊成膜處理前基板W1。進一 步重復(fù)該動作，在設(shè)置于基板裝卸室15中的剩余的兩個托架21上也分別安裝成膜處理前 基板W1。即，在該階段將六塊成膜處理前基板Wl安裝到托架21上。如圖12所示，使安裝有成膜處理前基板Wl的三個托架21沿著移動軌道37大致
11同時移動，收容在放入取出室13內(nèi)。將托架21收容在放入取出室13之后，關(guān)閉放入取出 室13的托架搬出入口 35的擋板36。然后，使用真空泵43將放入取出室13的內(nèi)部保持在
真空狀態(tài)。如圖13所示，使用移動機構(gòu)，使三個托架21分別沿在俯視中與鋪設(shè)移動軌道37 的方向正交的方向移動規(guī)定距離(半間距)。此外，該規(guī)定距離是指一個托架21位于相鄰 的移動軌道37、37之間的距離。如圖14所示，使成膜室11的擋板25為打開狀態(tài)，使用推挽機構(gòu)38使安裝有在成 膜室11結(jié)束成膜的成膜處理后基板W2的托架21A移動到放入取出室13。此時，托架21與 托架21A在俯視中交替并列。而且，通過以規(guī)定時間保持該狀態(tài)，蓄積在成膜處理后基板W2 上的熱傳遞到成膜處理前基板Wl。即，成膜前基板Wl被加熱。這里，說明推挽機構(gòu)38的動作。此外，這里對使位于成膜室11的托架21A向放入 取出室13移動時的動作進行說明。如圖15A所示，將安裝有成膜處理后基板W2的托架21A卡止在推挽機構(gòu)38的卡 止部48上。而且，使安裝在卡止部48上的移動裝置50的移動臂58搖動。此時，移動臂58 的長度可變。這樣，卡止有托架21A的卡止部48被引導(dǎo)部件49引導(dǎo)且沿著引導(dǎo)部件49移 動。如圖15B所示，卡止在卡止部48上的托架21A向放入取出室13內(nèi)移動。S卩，托架21A 從成膜室11向放入取出室13移動。通過如此構(gòu)成，不需要在成膜室11內(nèi)設(shè)置驅(qū)動托架 21A的驅(qū)動源。此外，通過進行上述動作的逆動作，能夠使放入取出室13中的托架12向成 膜室11移動。如圖16所示，通過移動機構(gòu)使托架21和托架21A沿與移動軌道37正交的方向移 動，使保持處理前基板Wl的托架21移動到沿著移動軌道37的位置。如圖17所示，使用推挽機構(gòu)38使保持處理前基板Wl的托架21移動到成膜室11， 移動完成后使擋板25為關(guān)閉狀態(tài)。此外，成膜室11保持在真空狀態(tài)。此時，安裝在托架21 上的成膜處理前基板W1，在成膜室11內(nèi)，在其表面WO沿著與重力方向大致平行的鉛直方向 的狀態(tài)下，插入到陽極單元90與陰極單元68之間(參考圖18)。如圖18、圖19所示，通過驅(qū)動裝置71使電極單元31的兩個陽極單元90沿相互接 近的方向移動，使陽極單元90(陽極67)與成膜處理前基板Wl的背面WU抵接。如圖20所示，進一步驅(qū)動驅(qū)動裝置71時，成膜處理前基板Wl以被陽極67推壓的 方式向著陰極單元68側(cè)移動。而且，移動直到成膜處理前基板Wl與陰極單元68的簇射極 板75的間隙達到規(guī)定距離(成膜距離)。此外，該成膜處理前基板Wl與陰極單元68的簇 射極板75的間隙(成膜距離)為5 15mm，例如5mm的程度。此時，與成膜處理前基板Wl的表面WO側(cè)抵接的托架21的夾持部59的夾持片59A， 伴隨著成膜處理前基板Wl (陽極單元90)的移動進行移位。此外，陽極單元90向著遠離陰 極單元68的方向移動時，夾持片59A上作用有彈簧等的復(fù)原力而向著夾持片59B側(cè)移位。 此時，成膜前基板Wl被陽極67與夾持片59A夾持。如圖21所示，成膜處理前基板Wl向著陰極單元68側(cè)移動時，夾持片59A與掩膜 78抵接，在該時刻陽極單元90的移動停止。這里，如圖21所示，掩膜78以覆蓋夾持片59A的表面和基板W的外緣部的方式形 成，并且形成為能夠與夾持片59A或基板W的外緣部貼緊。即，掩膜78與夾持片59A的接觸面或掩膜78與基板W的外緣部的接觸面具有密封面的作用，成膜氣體幾乎不會從這些掩 膜78與夾持片59A之間或掩膜78與基板W的外緣部之間泄漏到陽極67側(cè)。據(jù)此，限制成 膜氣體擴散的范圍，能夠抑制在不需要的范圍的成膜。據(jù)此，能夠縮小清潔范圍、以及減少 清潔頻率，提高裝置的運轉(zhuǎn)率。另外，由于成膜處理前基板Wl的移動通過基板W的外緣部與掩膜78抵接而停止， 因此由掩膜78與簇射極板75、以及與排氣管道79的間隙構(gòu)成的氣體流動通道R的厚度方 向的流動通道高度設(shè)定為使成膜處理前基板Wl與陰極單元68的間隙為規(guī)定距離。作為其他方式，通過將掩膜經(jīng)由彈性體向排氣管道79安裝，也能夠通過驅(qū)動機構(gòu) 71的行程任意變更基板W與簇射極板75 (陰極)的距離。如上所述，記載了掩膜78與基板 W抵接的情況，但是也可以空出限制成膜氣體通過的微小間隔而配置掩膜78與基板W。在這種狀態(tài)下，從陰極單元68的簇射極板75噴出成膜氣體，并啟動匹配箱72對 陰極單元68的簇射極板(陰極)75施加電壓，從而使成膜空間81產(chǎn)生等離子體，對成膜處 理前基板Wl的表面WO實施成膜。此時，通過內(nèi)置在陽極67中的加熱器H，成膜處理前基板 Wl被加熱到希望的溫度。這里，陽極單元90在成膜處理前基板Wl達到希望的溫度時停止加熱。但是，通過 對陰極單元68施加電壓，在成膜空間81產(chǎn)生等離子體。由于隨著時間的經(jīng)過來自等離子 體的熱量輸入，即使陽極單元90停止加熱，成膜處理前基板Wl的溫度也可能上升高于希望 的溫度。此時，還能夠使陽極單元90執(zhí)行用于冷卻溫度過度上升的成膜處理前基板Wl的 放熱板的功能。因此，無論成膜處理經(jīng)過多長時間成膜處理前基板Wl均被保持在希望的溫 度。此外，在一次成膜處理工序進行多層成膜時，能夠在每個規(guī)定時間切換供給的成 膜氣體材料。在成膜中和成膜后，成膜空間81的氣體和顆粒由形成在陰極單元68的周緣部的 排氣口 80排出。并且，被排出的氣體經(jīng)由氣體流動通道R從陰極單元68的周緣部的排氣 管道79通過開口部(形成在陰極單元68的下部的排氣管道79的朝向成膜室11內(nèi)的面上 的開口部)，從設(shè)置在成膜室11的側(cè)面下部28的排氣管29排出到外部。此外，通過使實施 成膜時產(chǎn)生的反應(yīng)副生成物(粉末)附著在排氣管道79的內(nèi)壁面上從而能夠回收、處理。 由于在成膜室11內(nèi)的所有電極單元31中，執(zhí)行與上述的處理相同的處理，因此能夠?qū)α鶋K 基板同時實施成膜。而且，成膜結(jié)束時，通過驅(qū)動裝置71使兩個陽極單元90沿相互遠離的方向移動， 成膜處理后基板W2和框架51 (夾持片59A)回到原來的位置(參考圖19、圖21)。通過進一 步使陽極單元90沿遠離的方向移動，成膜處理后基板W2與陽極單元90遠離(參考圖18)。如圖22所示，使成膜室11的擋板25為打開狀態(tài)，使用推挽機構(gòu)38使托架21向 放入取出室13移動。此時，放入取出室13被排氣，并已經(jīng)設(shè)置有安裝了接下來將要成膜的 成膜處理前基板Wl的托架21B。而且，在放入取出室13內(nèi)成膜處理后基板W2蓄積的熱量 向成膜處理前基板Wl傳遞，成膜處理后基板W2的溫度降低。如圖23所示，托架21B向成膜室11內(nèi)移動后，通過移動機構(gòu)使托架21回到配置 在移動軌道37上的位置。如圖24所示，使擋板25為關(guān)閉狀態(tài)，成膜處理后基板W2下降到規(guī)定溫度之后，使擋板36為打開狀態(tài)，使托架21向基板裝卸室15移動。如圖25所示，在基板裝卸室15中通過基板裝卸機器人17將成膜處理后基板W2 從托架21上拆卸，并向基板收容盒19搬送成膜處理后基板W2。所有成膜處理后基板W2的 拆卸完成后，使基板收容盒19移動到下一工序的場所，處理結(jié)束。根據(jù)本實施方式的薄膜太陽能電池制造裝置10，由于能夠使保持成膜處理后基板 W2的托架21 (21A)與保持成膜處理前基板Wl的托架21同時收容在放入取出室13中，因此 在放入取出室13的一系列的基板成膜工序中能夠使真空排氣工序減半。即，能夠同時進行 在現(xiàn)有的放入室收容保持成膜處理前的基板的托架的階段進行的真空排氣工序、與在取出 室收容保持成膜處理后的基板的托架之前進行的真空排氣工序。因此，能夠顯著提高生產(chǎn) 率。另外，在放入取出室13中，同時收容成膜處理后基板W2與成膜處理前基板Wl時，蓄積 在成膜處理后基板W2上的熱被傳遞到成膜處理前基板Wl上，從而積極地進行熱交換。艮口， 能夠省略將成膜處理前的基板收容在成膜室11中之后通常實施的加熱工序、以及將成膜 處理后基板W2從放入取出室13搬出之前通常實施的冷卻工序。結(jié)果不用加熱工序和冷卻 工序，提高了生產(chǎn)率，并且由于能夠削減用于現(xiàn)有的加熱工序、冷卻工序的設(shè)備，因此能夠 同時達到省空間化和低成本化。另外，在放入取出室13中，搭載成膜處理前基板Wl的托架21與搭載成膜處理后 基板W2的托架21(21A)在俯視中交互配置。因此，在放入取出室13中同時收容成膜處理 后基板W2與成膜處理前基板Wl時，蓄積在成膜處理后基板W2上的熱被有效地傳遞到成膜 處理前基板Wl上，能夠可靠地進行熱交換。另外，在放入取出室13中，為了同時收容保持成膜處理前基板Wl的托架21與保 持成膜處理后基板W2的托架21 (21A)，使基板W(托架21)能夠相對于向成膜室11的移動 方向(沿著移動軌道37的方向)在俯視中沿大致成直角的方向移動。通過如此構(gòu)成，能夠 固定從放入取出室13出入基板W的移動軌道37。即，某一個托架21總是沿著相同的移動 軌道37在各室間移動。因此，能夠抑制裝置自身的大小，從而能夠縮小裝置的設(shè)置空間。另外，在本實施方式中，基板W在沿鉛直方向豎立的狀態(tài)(基板W的被成膜面與重 力方向平行地配置的狀態(tài))下，進行在薄膜太陽能電池制造裝置10內(nèi)的移動以及成膜處 理。其結(jié)果是能夠縮小基板W在薄膜太陽能電池制造裝置10內(nèi)移動所需的面積，能夠使裝 置小型化，并且能夠以與現(xiàn)有相同的設(shè)置面積配置更多的裝置。因此，能夠增加同時成膜的 基板W的塊數(shù)，從而能夠提高生產(chǎn)率。另外，在基板W沿鉛直方向豎立的狀態(tài)下進行成膜時， 能夠抑制成膜時產(chǎn)生的顆粒堆積在基板W的成膜面上。因此，能夠?qū)錡進行高品質(zhì)的 半導(dǎo)體層的成膜。另外，由于托架21能夠保持多個(兩塊)基板W，因此在一個托架21中能夠同時 對多個基板W進行成膜，能夠進一步提高生產(chǎn)率。進一步，由于能夠同時將多個托架21搬 送到成膜室11中，因此能夠進一步提高處理速度。進一步，由于并列配置多個在成膜室11上連接放入取出室13的處理模塊14，因 此能夠增加可同時成膜的基板W的塊數(shù)，即使以低速度對基板W進行半導(dǎo)體層的成膜時，也 能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)能力。另外，通過使裝置一體化作為處理模塊14，從而能夠縮短在工廠等 中構(gòu)筑制造線時的裝置的設(shè)置時間(制造線的啟動時間)。進一步，進行成膜室11的維護 時，分別對每個處理模塊14進行維護，從而無需停止整個制造線。因此，能夠?qū)⒕S護時的生
14產(chǎn)效率的下降抑制到最小限度。此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范 圍內(nèi)，包括對上述實施方式施加各種變更的內(nèi)容。即，由實施方式列舉的具體的形狀和結(jié)構(gòu) 等僅為一個示例，可以適當(dāng)變更。例如，在本實施方式中，對一個成膜室與一個放入取出室連接的情況進行了說明， 如圖26所示，也可以設(shè)置在一個大的放入取出室13上并列配置并連接多個成膜室11的處 理模塊114，托架能夠在該放入取出室13中移動。通過如此構(gòu)成，由于安裝在托架上的基板 能夠在放入取出室內(nèi)移動，因此能夠在各成膜室供給不同的成膜材料。據(jù)此，能夠更有效地 對基板進行成膜材料不同的多層成膜。另外，還可以如圖27所示配置薄膜太陽能電池制造裝置。在該示例中，由成膜室 11、放入取出室13、以及基板裝卸室15構(gòu)成的模塊沿基板裝卸機器人17放射狀地設(shè)置。通 過如此構(gòu)成，能夠消除基板裝卸機器人17在軌道上移動的時間。即，能夠縮短基板裝卸機 器人17的動作時間，從而縮短節(jié)拍時間。進一步，還可以如圖28所示配置薄膜太陽能電池制造裝置。在該示例中，由成膜 室11、放入取出室13、以及基板裝卸室15構(gòu)成的模塊設(shè)置在基板裝卸機器人17的兩側(cè)。通 過如此構(gòu)成，能夠節(jié)省空間，且能夠縮短基板裝卸機器人的動作時間。而且，在本實施方式中，在放入取出室13中，保持成膜處理前的基板Wl的托架與 保持成膜處理后的基板W2的托架構(gòu)成為在俯視中相互交替，但也可以構(gòu)成為交替以外的 配置。工業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明的實施方式，由于能夠省略通常實施的加熱工序和冷卻工序，提高生 產(chǎn)率，并且由于能夠削減用于現(xiàn)有的加熱工序、冷卻工序的設(shè)備，因此能夠同時達到省空間
化和低成本化。
符號說明
10薄膜太陽能電池制造裝置
11成膜室
13放入取出室
14基板成膜模塊
15基板裝卸室
21托架
25擋板(第一開閉部)
104底電池(膜)
W基板
Wl成膜處理前基板
W2成膜處理后基板
權(quán)利要求
1.一種薄膜太陽能電池制造裝置，其特征在于，包括成膜室，被排氣以減壓并通過CVD法在基板上形成膜；放入取出室，與所述成膜室經(jīng)由第一開閉部連接，并能夠在大氣壓與減壓之間切換；第一托架，保持成膜處理前的基板；以及第二托架，保持成膜處理后的基板，所述放入取出室同時收容所述第一托架與所述第二托架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池制造裝置，所述放入取出室交替收容多個所 述第一托架與多個所述第二托架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池制造裝置，所述放入取出室在 所述放入取出室的內(nèi)部為減壓的狀態(tài)下，同時收容所述第一托架與多個所述第二托架。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的薄膜太陽能電池制造裝置，多個所述第一托 架與多個所述第二托架的至少一個，在所述放入取出室中，能夠在對于向所述成膜室的移 動方向成大致直角的方向上移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的薄膜太陽能電池制造裝置，所述第一托架與 所述第二托架以所述基板的被成膜面與重力方向平行的縱姿勢保持所述基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的薄膜太陽能電池制造裝置，所述第一托架和 所述第二托架并排且對置地保持多個所述基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的薄膜太陽能電池制造裝置，所述放入取出室 具有使多個所述第二托架一并從所述成膜室向所述放入取出室移動的托架移送機構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽能電池制造裝置，所述托架移送機構(gòu)使多個所述第 一托架一并從所述放入取出室向所述成膜室移動。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的薄膜太陽能電池制造裝置，包括多個將一個所述成膜室連接在一個所述放入取出室上的處理模塊，多個所述處理模塊并列配置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的薄膜太陽能電池制造裝置，一個所述放入取 出室與多個所述成膜室連接。
全文摘要
一種薄膜太陽能電池制造裝置包括成膜室，被排氣以減壓并通過CVD法在基板上形成膜；放入取出室，與所述成膜室經(jīng)由第一開閉部連接，并能夠在大氣壓與減壓之間切換；第一托架，保持成膜處理前的基板；以及第二托架，保持成膜處理后的基板，所述放入取出室同時收容所述第一托架與所述第二托架。
文檔編號H01L31/04GK101999159SQ20098011294
公開日2011年3月30日 申請日期2009年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
發(fā)明者岡山智彥, 小形英之, 杉山哲康, 松本浩一, 栗原広行, 森岡和, 清水康男, 若森讓治, 重田貴司, 野口恭史, 齊藤一也 申請人:株式會社愛發(fā)科