專(zhuān)利名稱(chēng)：基板載置臺(tái)的降溫方法、計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)和基板處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片等基板進(jìn)行例如成膜等處理時(shí)載置該基板的基板載置 臺(tái)的降溫方法、該方法所使用的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)和進(jìn)行上述方法的基板處理系 統(tǒng)。本發(fā)明對(duì)2008年9月16日提出的專(zhuān)利申請(qǐng)2008-236340號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，參照該 專(zhuān)利申請(qǐng)2008-236340號(hào)的所有內(nèi)容并援引于此。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中，對(duì)半導(dǎo)體晶片等基板進(jìn)行成膜處理的成膜裝置，在 腔室內(nèi)具備載置基板的基板載置臺(tái)，在由該基板載置臺(tái)支承基板的狀態(tài)下進(jìn)行處理。在基 板載置臺(tái)中內(nèi)置有能夠根據(jù)處理內(nèi)容加熱基板的加熱器，在進(jìn)行例如基于等離子體CVD法 等的成膜處理的情況下，利用加熱器將基板載置臺(tái)的溫度加熱至600°C 700°C左右(例如 日本特開(kāi)2008-1923號(hào)公報(bào))。在成膜裝置中，在進(jìn)行腔室內(nèi)部的清潔、將腔室大氣開(kāi)放進(jìn)行維修的情況下，需要 將基板載置臺(tái)從上述處理溫度下降至室溫附近。為了避免急劇的溫度變化對(duì)基板載置臺(tái)的 損傷，而通過(guò)向腔室內(nèi)導(dǎo)入冷卻氣體的氣體冷卻，以間接方法花費(fèi)幾小時(shí)慢慢地進(jìn)行該基 板載置臺(tái)的降溫。但是，在氣體冷卻中，存在降溫所需要的時(shí)間長(zhǎng)，裝置的停機(jī)時(shí)間增加而 導(dǎo)致生成率下降的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠提高基板載置臺(tái)的降 溫效率、縮短降溫時(shí)間的方法。為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方面提供一種基板載置臺(tái)的降溫方法，其使用 具有如下構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)，該基板處理系統(tǒng)包括設(shè)有用于加熱基板的加熱機(jī)構(gòu)的第一基板載置臺(tái)；一個(gè)以上的處理室，其在內(nèi)部設(shè)置有該第一基板載置臺(tái)，在該第一基板載置臺(tái)上 載置有該基板的狀態(tài)下進(jìn)行規(guī)定的處理；向該處理室搬送該基板的基板搬送裝置；在內(nèi)部設(shè)置有該基板搬送裝置的搬送室；和用于冷卻該基板的第二基板載置臺(tái)，上述基板載置臺(tái)的降溫方法包括利用上述基板搬送裝置將載置在上述第一基板載置臺(tái)上的上述基板向上述第二 基板載置臺(tái)搬送的第一移載工序；和利用上述基板搬送裝置將載置在上述第二基板載置臺(tái)上的上述基板向上述第一 基板載置臺(tái)搬送的第二移載工序，
通過(guò)反復(fù)進(jìn)行上述第一移載工序和上述第二移載工序，利用載置在上述第一基板 載置臺(tái)上的上述基板吸收該第一基板載置臺(tái)的熱，使該第一基板載置臺(tái)降溫。根據(jù)本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法，通過(guò)在第一基板載置臺(tái)和第二基板載置臺(tái) 之間反復(fù)進(jìn)行基板的移載，使作為冷卻對(duì)象的第一基板載置臺(tái)的溫度傳遞到基板冷卻用的 第二基板載置臺(tái)，能夠以適當(dāng)?shù)慕禍厮俣仁沟谝换遢d置臺(tái)有效地降溫。通過(guò)像這樣將基 板作為熱介質(zhì)加以利用，與在第一基板載置臺(tái)設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)備的 簡(jiǎn)化。而且，能夠縮短降溫時(shí)間，由此能夠減少裝置的停機(jī)時(shí)間，提高工作效率。此外，在本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法中，也可以還包括利用設(shè)置于上述第二 基板載置臺(tái)的冷卻機(jī)構(gòu)，對(duì)載置在該第二基板載置臺(tái)上的上述基板進(jìn)行冷卻的冷卻工序。 根據(jù)該特征，第二基板載置臺(tái)具備冷卻機(jī)構(gòu)，從而能夠提高基板的冷卻效率，并且提高第一 基板載置臺(tái)的降溫效率，縮短降溫時(shí)間。此外，在本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法中，也可以為上述基板處理系統(tǒng)還具有 作為真空準(zhǔn)備室的裝載鎖定室，該裝載鎖定室與上述搬送室鄰接設(shè)置，并且在內(nèi)部設(shè)有載 置臺(tái)，上述裝載鎖定室內(nèi)的上述載置臺(tái)兼用作上述第二基板載置臺(tái)。根據(jù)該特征，能夠?qū)⒀b 載鎖定室的載置臺(tái)作為基板冷卻用的第二基板載置臺(tái)加以利用，不需要專(zhuān)用的設(shè)備，能夠 僅用現(xiàn)有設(shè)備實(shí)施本發(fā)明方法。此外，在本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法中，也可以將上述第二基板載置臺(tái)設(shè)置 在上述搬送室內(nèi)。根據(jù)該特征，通過(guò)將基板冷卻用的第二基板載置臺(tái)設(shè)置在搬送室內(nèi)，能夠 縮短交替移載基板時(shí)的時(shí)間，因此能夠提高第一載置臺(tái)的降溫處理的生產(chǎn)率。此外，在本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法中，也可以為上述基板處理系統(tǒng)還具有 用于冷卻上述基板的基板冷卻室，上述第二基板載置臺(tái)設(shè)置在上述基板冷卻室內(nèi)。根據(jù)該 特征，通過(guò)在專(zhuān)用的基板冷卻室內(nèi)設(shè)置第二基板載置臺(tái)進(jìn)行降溫處理，從而能夠提高基板 的冷卻效率，并且提高第一基板載置臺(tái)的降溫效率，縮短降溫時(shí)間。此外，在本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法中，也可以為在規(guī)定的溫度帶，控制在一 定的速度進(jìn)行上述第一基板載置臺(tái)的降溫的第一降溫工序；和在比上述規(guī)定的溫度帶低的 溫度帶，通過(guò)自然降溫進(jìn)行上述第一基板載置臺(tái)的降溫的第二降溫工序，僅在上述第二降 溫工序期間進(jìn)行上述第一移載工序和上述第二移載工序。根據(jù)該特征，僅在進(jìn)行自然降溫 的第二降溫過(guò)程應(yīng)用第一移載工序和第二移載工序，從而能夠提高第二降溫過(guò)程的降溫速 度，并且能夠縮短整個(gè)降溫時(shí)間。此外，在本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法中，也可以在上述處理室和上述搬送室 成為真空狀態(tài)時(shí)進(jìn)行上述第一移載工序和上述第二移載工序。根據(jù)該特征，在等離子體處 理等真空條件下進(jìn)行處理的基板處理系統(tǒng)中，由于不必大氣開(kāi)放就能夠進(jìn)行降溫處理，所 以是有利的。此外，在本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法中，也可以為上述基板由降溫處理專(zhuān)用 基板構(gòu)成，該降溫處理專(zhuān)用基板具有在上表面形成有多個(gè)凸部，與上述第一載置臺(tái)的接觸 面積大且表面積大的散熱構(gòu)造。根據(jù)該特征，使用降溫處理專(zhuān)用基板，能夠提高作為熱介質(zhì) 的吸熱和散熱效率。因此，能夠提高降溫處理的生產(chǎn)率。此外，本發(fā)明的第二方面的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)由存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上動(dòng)作的 控制程序的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成，
上述控制程序，對(duì)基板處理系統(tǒng)進(jìn)行控制，在上述計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板載置臺(tái)的降 溫方法，其中，上述基板處理系統(tǒng)包括設(shè)有用于加熱基板的加熱機(jī)構(gòu)的第一基板載置臺(tái)；—個(gè)以上的處理室，其在內(nèi)部設(shè)置有該第一基板載置臺(tái)，在該第一基板載置臺(tái)上 載置有該基板的狀態(tài)下進(jìn)行規(guī)定的處理；向該處理室搬送基板的基板搬送裝置；在內(nèi)部設(shè)置有該基板搬送裝置的搬送室；和用于冷卻該基板的第二基板載置臺(tái)，上述基板載置臺(tái)的降溫方法包括利用上述基板搬送裝置將載置在上述第一基板載置臺(tái)上的基板向第二基板載置 臺(tái)搬送的第一移載工序；和利用上述基板搬送裝置將載置在上述第二基板載置臺(tái)上的上述基板向上述第一 基板載置臺(tái)搬送的第二移載工序，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行上述第一移載工序和上述第二移載工序，利用載置在上述第一基板 載置臺(tái)上的上述基板吸收該第一基板載置臺(tái)的熱，使該第一基板載置臺(tái)降溫。此外，本發(fā)明的第三方面的基板處理系統(tǒng)，包括設(shè)有用于加熱基板的加熱機(jī)構(gòu)的第一基板載置臺(tái)；—個(gè)以上的處理室，其在內(nèi)部設(shè)置有上述第一基板載置臺(tái)，在該第一基板載置臺(tái) 上載置有上述基板的狀態(tài)下進(jìn)行規(guī)定的處理；向上述處理室搬送上述基板的基板搬送裝置；在內(nèi)部設(shè)置有上述基板搬送裝置的搬送室；和對(duì)上述基板搬送裝置進(jìn)行控制的控制部，上述控制部通過(guò)使上述基板搬送裝置反復(fù)進(jìn)行將載置在上述第一基板載置臺(tái)上 的基板向第二基板載置臺(tái)搬送的動(dòng)作和將載置在上述第二基板載置臺(tái)上的上述基板向上 述第一基板載置臺(tái)搬送的動(dòng)作，利用載置在上述第一基板載置臺(tái)上的上述基板吸收該第一 基板載置臺(tái)的熱，使該第一基板載置臺(tái)降溫。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠避免對(duì)處理室中的基板載置臺(tái)的損傷并且提高基板載置臺(tái) 的降溫效率，所以起到能夠縮短降溫時(shí)間、并且也能夠縮短裝置的停機(jī)時(shí)間這樣的效果。


圖1是基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示基板處理系統(tǒng)的內(nèi)部構(gòu)造的主要部分截面圖。圖3是表示第一實(shí)施方式涉及的載置臺(tái)的降溫方法的順序的流程圖。圖4是表示第一實(shí)施方式中的晶片的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖5表示降溫專(zhuān)用晶片，(a)是外觀(guān)立體圖，(b)是主要部分截面圖。圖6是表示第二實(shí)施方式中的晶片的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖7是表示第三實(shí)施方式中的晶片的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖8是表示實(shí)施例的載置臺(tái)的溫度變化的圖表。
具體實(shí)施例方式[第一實(shí)施方式]以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D1和圖2對(duì)本發(fā)明 的實(shí)施方式涉及的基板處理系統(tǒng)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示基板處理系統(tǒng)100的概略結(jié)構(gòu)圖， 該基板處理系統(tǒng)100構(gòu)成為對(duì)例如作為基板的半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶片”)W進(jìn)行例如 成膜處理、蝕刻處理等各種處理。圖2是表示圖1的基板處理系統(tǒng)100的真空側(cè)的各腔室(即裝載鎖定室5a、5b，搬 送室3和處理室Ia Id)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主要部分截面圖。另外，在圖2中，作為代表圖示 裝載鎖定室5a、處理室Ib和搬送室3的內(nèi)部。該基板處理系統(tǒng)100作為多腔室構(gòu)造的組合設(shè)備(cluster tool)而構(gòu)成。基板 處理系統(tǒng)100，作為主要結(jié)構(gòu)，具備對(duì)晶片W進(jìn)行各種處理的四個(gè)處理室la、lb、lc、ld;與 這些處理室Ia Id分別經(jīng)閘閥G1、G1、Gl、Gl連接的真空側(cè)的搬送室3 ；與該真空側(cè)的搬 送室3經(jīng)閘閥G2、G2連接的兩個(gè)裝載鎖定室5a、5b ；和與上述兩個(gè)裝載鎖定室5a、5b經(jīng)閘 閥G3、G3連接的裝載單元7。四個(gè)處理室Ia Id是對(duì)晶片W進(jìn)行例如CVD處理、蝕刻處理、灰化處理、改質(zhì)處 理、氧化處理、擴(kuò)散處理等處理的處理裝置。處理室Ia Id也可以是對(duì)晶片W進(jìn)行相同內(nèi) 容的處理的處理裝置，或也可以是對(duì)晶片W進(jìn)行互不相同內(nèi)容的處理的處理裝置。在各處 理室Ia Id內(nèi)分別配備有用于載置晶片W的作為“第一基板載置臺(tái)”的處理臺(tái)2a、2b、2c、 2d。例如，進(jìn)行CVD的處理室Ib氣密地構(gòu)成，在其中設(shè)置有用于對(duì)晶片W水平支承的 處理臺(tái)2b。如圖2所示，處理臺(tái)2b在被設(shè)置于其中央下部的圓筒狀支承部件11支承的狀 態(tài)下配置。此外，在處理臺(tái)2b中埋設(shè)有電阻加熱器(加熱機(jī)構(gòu))13。電阻加熱器13通過(guò)從 未圖示的加熱器電源13a供電，將載置在處理臺(tái)2b上的晶片W加熱到規(guī)定的溫度。另外， 作為加熱方法有時(shí)也采用例如燈加熱。此外，在處理臺(tái)2b中配備有熱電偶(TC) 14，能夠?qū)?時(shí)測(cè)量處理臺(tái)2b的溫度。此外，雖然省略圖示，但在處理臺(tái)2b上相對(duì)處理臺(tái)2b的載置面S可突出沒(méi)入地設(shè) 置有用于支承晶片W并使其升降的多個(gè)支承銷(xiāo)。這些支承銷(xiāo)通過(guò)任意的升降機(jī)構(gòu)上下移 動(dòng)，在上升位置在與真空側(cè)搬送裝置31 (后述)之間進(jìn)行晶片W的交接。此外，如圖2所示，在處理室Ib的頂部設(shè)置有噴淋頭20。噴淋頭20與未圖示的氣 體供給源連接，能夠向處理室Ib內(nèi)導(dǎo)入處理氣體、清潔氣體、冷卻氣體等。另外，導(dǎo)入到處 理室Ib內(nèi)的氣體能夠從與未圖示的真空泵連接的排氣口 21向處理室Ib外排出。在處理室Ib的側(cè)壁形成有用于在與真空側(cè)的搬送室3之間進(jìn)行晶片W的搬入搬 出的搬入搬出口 23。經(jīng)由該搬入搬出口 23，使閘閥Gl開(kāi)閉來(lái)進(jìn)行晶片W的搬入搬出。在構(gòu)成為可抽真空的真空側(cè)的搬送室3設(shè)置有對(duì)處理室Ia Id、裝載鎖定室5a、 5b進(jìn)行晶片W的交接的作為第一基板搬送裝置的真空側(cè)搬送裝置31 (參照?qǐng)D2)。該真空側(cè) 搬送裝置31具有基部32，和與該基部32連結(jié)、相互相對(duì)配置的一對(duì)搬送臂部33、33。各搬 送臂部33、33以同一旋轉(zhuǎn)軸32a為中心，構(gòu)成為能夠屈伸和旋轉(zhuǎn)。此外，在各搬送臂部33、 33的前端分別設(shè)置有作為載置并保持晶片W的保持部件的叉子35、35。真空側(cè)搬送裝置 31，在這些叉子35、35上載置有晶片W的狀態(tài)下，在處理室Ia Id之間或在處理室Ia Id和裝載鎖定室5a、5b之間進(jìn)行晶片W的搬送。此外，在真空側(cè)的搬送室3的底部設(shè)置有 用于對(duì)真空側(cè)的搬送室3內(nèi)進(jìn)行減壓排氣的排氣口 36，該排氣口與未圖示的真空泵連接。 此外，在真空側(cè)的搬送室3的側(cè)部，在與周?chē)奶幚硎襂a Id和裝載鎖定室5a、5b對(duì)應(yīng)的 位置分別形成有搬入搬出口 37。在開(kāi)放了閘閥Gl、G2的狀態(tài)下，經(jīng)由各搬入搬出口 37進(jìn) 行晶片W的搬入搬出。裝載鎖定室5a、5b是在真空側(cè)的搬送室3和大氣側(cè)的搬送室53 (后述)之間進(jìn)行 晶片W的交接時(shí)的真空準(zhǔn)備室。因而，裝載鎖定室5a、5b構(gòu)成為能夠切換成真空狀態(tài)和大 氣開(kāi)放狀態(tài)。在裝載鎖定室5a、5b內(nèi)分別設(shè)置有載置晶片W的待機(jī)臺(tái)6a、6b。通過(guò)這些待 機(jī)臺(tái)6a、6b在真空側(cè)搬送室3和大氣側(cè)的搬送室53之間進(jìn)行晶片W的交接。在本實(shí)施方 式中，將待機(jī)臺(tái)6a(也可以是待機(jī)臺(tái)6b)用作冷卻用的“第二基板載置臺(tái)”。此外，裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a作為用于冷卻晶片W的冷卻單元例如具有使制 冷劑在形成于待機(jī)臺(tái)6a內(nèi)的流路41中循環(huán)來(lái)進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu)(冷卻機(jī)構(gòu))42。此外， 在裝載鎖定室5a內(nèi)設(shè)置有冷卻氣體的導(dǎo)入口 43和排氣口 45，在將晶片W移載到待機(jī)臺(tái)6a 的過(guò)程中能夠冷卻晶片W。也可以根據(jù)需要在待機(jī)臺(tái)6a中設(shè)置熱電偶，實(shí)時(shí)測(cè)量待機(jī)臺(tái)6a 的溫度。另外，裝載鎖定室5b的內(nèi)部也為同樣的結(jié)構(gòu)。裝載單元7具有開(kāi)放為大氣壓的搬送室53 ；與該搬送室53鄰接配備的三個(gè)裝載 端口 LP ；與搬送室53的其他側(cè)面鄰接配備，作為進(jìn)行晶片W的位置測(cè)定的位置測(cè)定裝置的 定位器55。在搬送室53設(shè)置有進(jìn)行晶片W的搬送的作為第二基板搬送裝置的大氣側(cè)搬送 裝置51。開(kāi)放為大氣壓的搬送室53作成具備例如氮?dú)怏w、清潔空氣等的循環(huán)設(shè)備(未圖 示)的俯視矩形形狀，沿著其長(zhǎng)度方向設(shè)置有導(dǎo)軌57。大氣側(cè)搬送裝置51可滑動(dòng)移動(dòng)地支 承在該導(dǎo)軌57上。即，大氣側(cè)搬送裝置51構(gòu)成為能夠利用未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沿著導(dǎo)軌57 向圖1中箭頭所示的方向移動(dòng)。該大氣側(cè)搬送裝置51具有上下兩層配置的一對(duì)搬送臂部 59、59。各搬送臂部59、59構(gòu)成為能夠屈伸和旋轉(zhuǎn)。在各搬送臂部59、59的前端分別設(shè)置 有作為載置并保持晶片W的保持部件的叉子61、61。大氣側(cè)搬送裝置51，在這些叉子61、61 上載置有晶片W的狀態(tài)下，在裝載端口 LP的晶片盒CR、裝載鎖定室5a、5b和定位器55之間 進(jìn)行晶片W的搬送。裝載端口 LP能夠載置晶片盒CR。晶片盒CR構(gòu)成為能夠以相同的間隔多層載置并 收納多個(gè)晶片W。定位器55具備通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)板63，和設(shè)置在該旋轉(zhuǎn)板63 的外周位置、用于檢測(cè)晶片W的周邊部的光學(xué)傳感器65。光學(xué)傳感器65，在載置有晶片W 的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)板63旋轉(zhuǎn)，并且從光源部(未圖示)向晶片W的周邊部照射帶狀的激光光 線(xiàn)。然后，由檢測(cè)部(未圖示)檢測(cè)被晶片W局部遮蔽的激光光線(xiàn)。根據(jù)該激光光線(xiàn)的檢 測(cè)結(jié)果，計(jì)算晶片W相對(duì)旋轉(zhuǎn)板63的中心的偏心量和偏心方向。此外，光學(xué)傳感器65，通 過(guò)識(shí)別形成于旋轉(zhuǎn)的晶片W的切口部分(刻痕或定位平面)，能夠檢測(cè)晶片W的方位，將晶 片W變更為規(guī)定的朝向。然后，大氣側(cè)搬送裝置51以校正由光學(xué)傳感器65計(jì)算出的晶片 W的偏心量和偏心方向的方式利用叉子61接受旋轉(zhuǎn)板63上的晶片W。基板處理系統(tǒng)100的各構(gòu)成部成為與控制部70連接并被其控制的結(jié)構(gòu)。控制部 70具備具有CPU的控制器71 ；與該控制器71連接的用戶(hù)界面72和存儲(chǔ)部73?？刂破?1在基板處理系統(tǒng)100中一并控制例如處理室Ia Id、真空側(cè)搬送裝置31、大氣側(cè)搬送裝置 51等ο用戶(hù)界面72具有工序管理者為了管理基板處理系統(tǒng)100而進(jìn)行指令的輸入操作 等的鍵盤(pán)和觸摸面板，和使基板處理系統(tǒng)100的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況可視地顯示的顯示器等。在存儲(chǔ) 部73中保存有用于通過(guò)控制器71的控制實(shí)現(xiàn)基板處理系統(tǒng)100所進(jìn)行的各種處理的控制 程序(軟件)和記錄有處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的方案。而且，根據(jù)需要基于來(lái)自用戶(hù)界面72的指 示等從存儲(chǔ)部73調(diào)出任意的控制程序、方案并在控制器71中執(zhí)行，從而在控制器71的控 制下，在基板處理系統(tǒng)100的處理室Ia Id內(nèi)進(jìn)行所希望的處理、在基板處理系統(tǒng)100中 的規(guī)定的基板搬送動(dòng)作等。另外，上述控制程序、處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的方案能夠通過(guò)將存儲(chǔ)在 計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)74中狀態(tài)下的內(nèi)容安裝到存儲(chǔ)部73來(lái)利用。作為計(jì)算機(jī)可讀取 的存儲(chǔ)介質(zhì)74，能夠使用例如CD-ROM、硬盤(pán)、軟盤(pán)、閃存、DVD等。此外，上述方案也可以從 其他裝置通過(guò)例如專(zhuān)用回路隨時(shí)傳送并在線(xiàn)利用。在以上那樣構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)100中，從晶片盒CR取出一枚晶片W，用定位器 55進(jìn)行位置調(diào)整后，搬入裝載鎖定室5a、5b的任一個(gè)中，并移載到待機(jī)臺(tái)6a、6b上。然后， 使用真空側(cè)搬送裝置31，將裝載鎖定室5a內(nèi)的晶片W向處理室Ia Id的任一個(gè)搬送，移 載到處理臺(tái)2a 2d上。例如，在處理室Ib內(nèi)，在處理臺(tái)2b上載置有晶片W的狀態(tài)下，在 真空條件下利用電阻加熱器13對(duì)晶片W進(jìn)行加熱并從噴淋頭20向晶片W供給原料氣體。 結(jié)果，利用CVD法在晶片W的表面形成例如Ti膜、TiN膜等規(guī)定薄膜。在成膜處理后，按照 與上述相反的順序，將晶片返回到晶片盒CR，結(jié)束對(duì)一枚晶片W的處理。接著，對(duì)在具有上述結(jié)構(gòu)的基板處理系統(tǒng)100中實(shí)施的本發(fā)明的第一實(shí)施方式的 基板載置臺(tái)的降溫方法進(jìn)行說(shuō)明。在此，以對(duì)處理室Ib的處理臺(tái)2b進(jìn)行降溫的情況為例進(jìn) 行說(shuō)明。圖3是說(shuō)明第一實(shí)施方式涉及的基板載置臺(tái)的降溫方法的順序的概略的流程圖。 此外，圖4表示實(shí)施本發(fā)明方法時(shí)的晶片W的移動(dòng)路徑。首先，在圖3的步驟Sl中，利用大 氣側(cè)搬送裝置51從晶片盒CR中取出一枚在降溫處理中利用的晶片W，用定位器55進(jìn)行位 置調(diào)整后，搬入例如裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a (圖4的路徑P1和P2)。裝載鎖定室5a的 待機(jī)臺(tái)6a利用冷卻氣體的導(dǎo)入和冷卻機(jī)構(gòu)42設(shè)定為例如溫度T1,因此晶片W在此花費(fèi)規(guī) 定時(shí)間被冷卻。另外，在從晶片盒CR取出的晶片W溫度足夠低的情況下，能夠省略在最初 的待機(jī)臺(tái)6a的冷卻。接著，在步驟S2中，利用真空側(cè)搬送裝置31將被載置在裝載鎖定室5a內(nèi)的待機(jī) 臺(tái)6a并被冷卻到大致溫度T1的晶片W向處理室Ib搬送，并移載到處理臺(tái)2b上(圖4的 路徑P3)(第二移載工序)。從噴淋頭20向處理室Ib內(nèi)導(dǎo)入冷卻氣體，并利用載置在處理 臺(tái)2b上的晶片W吸收處理臺(tái)2b的熱，促進(jìn)處理臺(tái)2b的降溫。經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，在步驟S3中，利用真空側(cè)搬送裝置31將載置在處理室Ib內(nèi)的 處理臺(tái)2b上的晶片W再次返回到裝載鎖定室5a內(nèi)，載置在待機(jī)臺(tái)6a上(圖4的路徑P4) (第一移載工序)。晶片W吸收處理室Ib的處理臺(tái)2b的熱而變熱，但在裝載鎖定室5a內(nèi) 被冷卻至大致溫度T1附近。在本實(shí)施方式的基板載置臺(tái)的降溫方法中，將上述步驟S2和步驟S3的工序(路 徑P3和路徑P4之間的晶片的移動(dòng))作為一個(gè)循環(huán)反復(fù)實(shí)施多次，由此能夠加速處理室Ib 的處理臺(tái)2b的降溫速度。由于處理臺(tái)2b的溫度能夠通過(guò)熱電偶14實(shí)時(shí)地測(cè)量，所以將步驟S2和步驟S3反復(fù)實(shí)施必要次數(shù)直至處理臺(tái)2b達(dá)到規(guī)定的溫度。在處理臺(tái)2b降溫到規(guī)定的溫度之后，在步驟S4中，利用大氣側(cè)搬送裝置51按照 與步驟Sl相反的順序?qū)⒕琖從裝載鎖定室5a返回到晶片盒CR中(路徑P5)。如上所述，在本實(shí)施方式中，能夠保持裝載鎖定室5a和處理室Ib為真空狀態(tài)不變 反復(fù)進(jìn)行第一移動(dòng)工序和第二移動(dòng)工序，即，能夠?qū)⒃谘b載鎖定室5a和處理室Ib之間反復(fù) 晶片W的搬送的動(dòng)作都在真空狀態(tài)下進(jìn)行，有優(yōu)點(diǎn)。此外，由于將晶片W作為熱介質(zhì)加以利 用，所以降溫速度不會(huì)變得過(guò)大，能夠維持適當(dāng)?shù)慕禍厮俣?。另外，能夠通過(guò)在裝載鎖定室 5a和處理室Ib之間反復(fù)進(jìn)行晶片W的移載的循環(huán)時(shí)間、裝載鎖定室5a內(nèi)的待機(jī)臺(tái)6a的設(shè) 定溫度(與處理臺(tái)2b的溫度差)等調(diào)節(jié)處理臺(tái)2b的降溫速度。在以上的說(shuō)明中，以一枚晶片W為例進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以同時(shí)使用兩枚以上的 晶片W。例如，也可以在將一枚晶片W載置在處理室Ib的處理臺(tái)2b上進(jìn)行吸熱的過(guò)程中， 將另一枚晶片W載置在裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a上使其冷卻。在該情況下，通過(guò)連續(xù)進(jìn) 行從處理室Ib搬出晶片W的動(dòng)作和將另一枚晶片W搬入處理室Ib的動(dòng)作，能夠縮短步驟 S2和步驟S3的反復(fù)循環(huán)時(shí)間，因此也能夠縮短處理室Ib的處理臺(tái)2b的降溫時(shí)間。進(jìn)而， 也可以對(duì)其他處理室la、lc、ld的處理臺(tái)2a、2c、2d的任一個(gè)或全部同時(shí)進(jìn)行降溫處理，還 可以在利用裝載鎖定室5a的同時(shí)利用裝載鎖定室5b進(jìn)行降溫處理。另外，與處理室Ib的降溫處理同時(shí)進(jìn)行，也可以在其他的處理室la、lc、ld中對(duì)從 晶片盒CR取出的另一枚晶片W進(jìn)行等離子體CVD等通常的處理。此外，也可以利用裝載鎖定室5a內(nèi)的冷卻氣體和冷卻機(jī)構(gòu)42對(duì)待機(jī)臺(tái)6a進(jìn)行溫 度調(diào)節(jié)，使得在令被降溫的處理室Ib內(nèi)的處理臺(tái)2b的溫度為T(mén)2的情況下，與裝載鎖定室 5a內(nèi)的待機(jī)臺(tái)6a的溫度T1的差(T2-T1)成為一定范圍內(nèi)例如10 700°C的溫度差。艮口， 根據(jù)由降溫而降低的溫度T2對(duì)溫度T1進(jìn)行調(diào)節(jié)，將溫度差T2-T1控制為一定。通過(guò)像這樣 將溫度差T2-T1控制為一定，能夠防止由從處理臺(tái)2b向待機(jī)臺(tái)6a移載晶片W時(shí)的溫度差過(guò) 大而引起的晶片W的應(yīng)變等變形，并且能夠防止由于溫度差過(guò)小而引起的降溫效率下降， 保持適當(dāng)?shù)臏囟炔畈⒆畲笙薅忍岣呔琖的降溫效率(即，從處理臺(tái)2b經(jīng)由晶片W向待機(jī) 臺(tái)6a的熱傳導(dǎo)效率)。此外，作為在降溫處理中作為熱介質(zhì)利用的晶片W，可以是在半導(dǎo)體裝置的制造中 通常使用的半導(dǎo)體晶片，也可以是設(shè)計(jì)成適用于本發(fā)明方法的實(shí)施的降溫專(zhuān)用晶片。在本 實(shí)施方式中，能夠適當(dāng)使用表面積比通常的晶片W大的降溫專(zhuān)用晶片W。在圖5(a)、(b)中表 示降溫專(zhuān)用晶片Wt的一例。該降溫專(zhuān)用晶片Wt，在上表面形成有多個(gè)凸部(葉片構(gòu)造)80， 成為表面積大、易于散熱的散熱構(gòu)造。此外，降溫專(zhuān)用晶片Wt，下表面形成得平坦，具有與基 板載置臺(tái)的接觸面積大且易于熱傳導(dǎo)的形狀。因而，在將降溫專(zhuān)用晶片Wt載置到處理臺(tái)2b 上的情況下迅速吸收處理臺(tái)2b的熱，且熱易于從表面積大的上表面(凸部80)放出。此外， 在載置于裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a的情況下，熱易于向待機(jī)臺(tái)6a傳遞，且易于從表面積 大的上表面放出熱，由此能夠迅速冷卻。此外，作為降溫專(zhuān)用晶片Wt的材質(zhì)，優(yōu)選熱傳導(dǎo)率 大且難以產(chǎn)生顆粒的材質(zhì)，作為這樣的材質(zhì)能夠舉出例如鋁等金屬部件、碳部件、SiC、AlN、 Al2O3等陶瓷部件等。在本實(shí)施方式中，降溫處理不需要在處理臺(tái)2b的降溫溫度帶的整個(gè)區(qū)域內(nèi)進(jìn)行， 而能夠僅在其中的一部分區(qū)間內(nèi)進(jìn)行。在如后述的實(shí)施例所示的降溫的初始階段，即使是自然降溫降溫速率也大，因此有可能因?yàn)榧眲〉慕禍囟鴮?dǎo)致基板載置臺(tái)受到損傷。為了防 止這種情況，優(yōu)選以利用電阻加熱器13以一定速度降溫的方式在軟件上進(jìn)行控制。在這樣 控制下，將晶片W作為熱介質(zhì)加以利用進(jìn)行降溫處理的優(yōu)點(diǎn)少。因而，在該情況下，優(yōu)選將 本實(shí)施方式的降溫處理應(yīng)用于不是利用電阻加熱器13進(jìn)行溫度控制的低溫度帶。[第二實(shí)施方式]接著參照?qǐng)D6對(duì)本發(fā)明的基板載置臺(tái)的降溫方法的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在第 一實(shí)施方式中，在處理室Ib的處理臺(tái)2b和裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a之間進(jìn)行了晶片W 的移載，但在本實(shí)施方式中，將進(jìn)行晶片W的冷卻的作為“第二基板載置臺(tái)”的晶片冷卻用 臺(tái)39配設(shè)在搬送室3內(nèi)，在處理室Ib的處理臺(tái)2b和晶片冷卻用臺(tái)39之間進(jìn)行晶片W的 移載。以下，對(duì)其順序進(jìn)行說(shuō)明。首先，利用大氣側(cè)搬送裝置51從晶片盒CR中取出一枚在降溫處理中利用的晶片 W，用定位器55進(jìn)行位置調(diào)整后，搬入到例如裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a上(圖6的路徑P6 和 P7)。接著，使用真空側(cè)搬送裝置31將晶片W從裝載鎖定室5a向搬送室3的晶片冷卻 用臺(tái)39移載(圖6的路徑P8)。晶片冷卻用臺(tái)39具備未圖示的冷卻機(jī)構(gòu)，由于設(shè)定為例如 溫度T1，所以晶片W在此花費(fèi)規(guī)定時(shí)間被冷卻。接著，利用真空側(cè)搬送裝置31將冷卻到大 致溫度T1的晶片W向處理室Ib搬送，并向處理臺(tái)2b移載(圖6的路徑P9)(第二移載工 序)。另外，在從晶片盒CR中取出的晶片W的溫度足夠低的情況下，也可以省略向最初的晶 片冷卻用臺(tái)39的移載(圖6的路徑P8)和在此的冷卻，從裝載鎖定室5a直接向處理室Ib 搬送。從噴淋頭20向處理室Ib內(nèi)導(dǎo)入冷卻氣體的同時(shí)，處理臺(tái)2b的熱向載置于處理臺(tái) 2b的晶片W移動(dòng)，從而促進(jìn)處理臺(tái)2b的降溫。在經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，利用真空側(cè)搬送裝置31將處理室Ib內(nèi)的晶片W再次移載到 搬送室3的晶片冷卻用臺(tái)39上(圖6的路徑Pltl)(第一移載工序)。晶片W吸收處理室Ib 的處理臺(tái)2b的熱而變熱，但在晶片冷卻用臺(tái)39被冷卻至大致溫度T1附近。在本實(shí)施方式的載置臺(tái)的降溫方法中，通過(guò)將上述路徑P9和路徑Pltl之間的晶片 的移動(dòng)作為一個(gè)循環(huán)反復(fù)實(shí)施多個(gè)循環(huán)，能夠加速處理室Ib的處理臺(tái)2b的降溫速度。處 理臺(tái)2b的溫度由于能夠用熱電偶14實(shí)時(shí)測(cè)量，所以需要將上述循環(huán)反復(fù)進(jìn)行必要次數(shù)直 至處理臺(tái)2b達(dá)到規(guī)定的溫度。在處理臺(tái)2b降溫至規(guī)定溫度后，利用真空側(cè)搬送裝置31按照與上述相反的順序 將晶片從晶片冷卻用臺(tái)39返回裝載鎖定室5a (圖6的路徑P11)，進(jìn)而，利用大氣側(cè)搬送裝置 51將晶片W從裝載鎖定室5a返回到晶片盒CR中(圖6的路徑P12)，處理臺(tái)2b的降溫處理 結(jié)束。另外，在上述循環(huán)的最后一次，也可以合并路徑Pltl和路徑P11,不經(jīng)由晶片冷卻用臺(tái) 39而從處理臺(tái)2b直接向裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a移送晶片W。在本實(shí)施方式中，在搬送室3配設(shè)晶片冷卻用臺(tái)39，在該晶片冷卻用臺(tái)39和處理 室Ib之間交替反復(fù)進(jìn)行晶片W的移載，因此與在裝載鎖定室5a和處理室Ib之間交替反復(fù) 進(jìn)行晶片W的移載的情況相比，搬送距離縮短，相應(yīng)地搬送時(shí)間也縮短，從而提高生產(chǎn)率。 因而，能夠縮短處理臺(tái)2b的降溫處理所需要的時(shí)間。另外，本實(shí)施方式的其他結(jié)構(gòu)、作用和 效果與第一實(shí)施方式同樣。
[第三實(shí)施方式]接著參照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的載置臺(tái)的降溫方法進(jìn)行說(shuō)明。在本 實(shí)施方式中，將進(jìn)行晶片W的冷卻的專(zhuān)用的冷卻用腔室(基板冷卻室)Ie與搬送室3鄰接 配設(shè)，在該冷卻用腔室Ie內(nèi)配設(shè)有作為“第二基板載置臺(tái)”的晶片冷卻用臺(tái)2e。以下對(duì)其 順序進(jìn)行說(shuō)明。首先，利用大氣側(cè)搬送裝置51從晶片盒CR中取出一枚在降溫處理中利用的晶片 W，用定位器55進(jìn)行位置調(diào)整后，移載到例如裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a上(圖7的路徑
Pl3、Pl4)。接著，使用真空側(cè)搬送裝置31將晶片W從裝載鎖定室5a向冷卻用腔室Ie的晶片 冷卻用臺(tái)2e搬送(圖7的路徑P15)。在此，雖然省略圖示，但冷卻用腔室Ie具備冷卻氣體 的供給機(jī)構(gòu)，此外，晶片冷卻用臺(tái)2e具備冷卻機(jī)構(gòu)。晶片冷卻用臺(tái)2e利用在冷卻用腔室Ie 內(nèi)的冷卻氣體的導(dǎo)入和冷卻機(jī)構(gòu)設(shè)定為例如溫度T1，因此晶片W在此花費(fèi)規(guī)定時(shí)間被冷卻。 接著，將冷卻至大致規(guī)定溫度T1的晶片W向處理室Ib搬送，并向處理臺(tái)2b移載(圖7的 路徑P16)(第二移載工序)。另外，在從晶片盒CR中取出的晶片W的溫度足夠低的情況下， 也可以省略向最初的晶片冷卻用臺(tái)2e的移載(圖7的路徑P15)和在此的冷卻，從裝載鎖定 室5a直接向處理室Ib搬送。從噴淋頭20向處理室Ib內(nèi)導(dǎo)入冷卻氣體的同時(shí)，處理臺(tái)2b的熱向載置于處理臺(tái) 2b的晶片W移動(dòng)，從而促進(jìn)處理臺(tái)2b的降溫。在經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，利用真空側(cè)搬送裝置31將處理室Ib內(nèi)的晶片W再次載置到 冷卻用腔室Ie的晶片冷卻用臺(tái)2e上(圖7的路徑P17)(第一移載工序)。晶片W吸收處理室Ib的處理臺(tái)2b的熱而變熱，但在晶片冷卻 用臺(tái)2e被冷卻至大致溫度T1附近。在本實(shí)施方式的載置臺(tái)的降溫方法中，通過(guò)將路徑P16和路徑P17之間的晶片W的 移動(dòng)作為一個(gè)循環(huán)反復(fù)實(shí)施多個(gè)循環(huán)，能夠加速處理室Ib的處理臺(tái)2b的降溫速度。處理 臺(tái)2b的溫度由于能夠用熱電偶14實(shí)時(shí)測(cè)量，所以需要將上述循環(huán)反復(fù)進(jìn)行必要次數(shù)直至 處理臺(tái)2b達(dá)到規(guī)定的溫度。在處理臺(tái)2b降溫至規(guī)定溫度后，利用真空側(cè)搬送裝置31按照與上述相反的順序 將晶片從冷卻用腔室Ie的晶片冷卻用臺(tái)2e返回裝載鎖定室5a (圖7的路徑P18)，進(jìn)而，利 用大氣側(cè)搬送裝置51將晶片W從裝載鎖定室5a返回到晶片盒CR中(圖7的路徑P19)，由 此處理臺(tái)2b的降溫處理結(jié)束。另外，在上述循環(huán)的最后一次，也可以合并路徑P17和路徑 P18，不經(jīng)由晶片冷卻用臺(tái)2e而從處理臺(tái)2b直接向裝載鎖定室5a的待機(jī)臺(tái)6a移送晶片W。在本實(shí)施方式中，與搬送室3鄰接配置降溫處理專(zhuān)用的冷卻用腔室le，在設(shè)置在 其內(nèi)部的晶片冷卻用臺(tái)2e和設(shè)置在處理室Ib內(nèi)部的處理臺(tái)2b之間交替反復(fù)進(jìn)行晶片W 的移載，因此與在裝載鎖定室5a和處理室Ib之間交替反復(fù)進(jìn)行晶片W的移載的情況相比， 搬送距離縮短，相應(yīng)地搬送時(shí)間也縮短，從而提高生產(chǎn)率。此外，通過(guò)使用具備冷卻氣體供 給機(jī)構(gòu)的專(zhuān)用的冷卻用腔室le，能夠提高晶片W的冷卻效率。因而，能夠縮短載置臺(tái)的降溫 處理所需要的時(shí)間。另外，本實(shí)施方式的其他結(jié)構(gòu)、作用和效果與第一實(shí)施方式同樣。[實(shí)施例]接著，對(duì)確認(rèn)了本發(fā)明的效果的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行說(shuō)明。在與圖1同樣結(jié)構(gòu)的基板處理系統(tǒng)100中，在將處理室內(nèi)的載置臺(tái)的溫度從650°C降溫至200°C以下的情況下，對(duì)應(yīng)用 本發(fā)明的降溫方法的情況和不應(yīng)用本發(fā)明的降溫方法的情況進(jìn)行了比較。圖8是表示測(cè)量 出成為降溫處理的對(duì)象的載置臺(tái)的溫度變化的結(jié)果的圖表。在圖8中，縱軸表示加熱溫度 或加熱功率，橫軸表示開(kāi)始降溫處理后經(jīng)過(guò)的時(shí)間。此外，曲線(xiàn)C1表示不應(yīng)用本發(fā)明方法 的比較例的結(jié)果，曲線(xiàn)C2表示應(yīng)用本發(fā)明的降溫方法時(shí)的結(jié)果。另外，曲線(xiàn)C3表示埋設(shè)于 載置臺(tái)的電阻加熱器的功率變化。在該實(shí)驗(yàn)中，在作為初始降溫過(guò)程的從650°C至450°C的區(qū)間Z，在接通載置臺(tái)的 電阻加熱器電源的狀態(tài)下，利用熱電偶監(jiān)測(cè)載置臺(tái)溫度，并將降溫速度控制在10°C /分鐘。 像這樣控制降溫速率的理由是防止由于急劇的降溫而導(dǎo)致在載置臺(tái)上產(chǎn)生應(yīng)變等熱損傷。 另一方面，在450°C以下的降溫過(guò)程中，將電阻加熱器電源斷開(kāi)放置。在該情況下，由于難 以產(chǎn)生初始降溫過(guò)程(區(qū)間Z)中那樣的急劇的溫度下降，所以在自然降溫中降溫速度降低 (圖8中為曲線(xiàn)C1)。因此，在450°C以下的降溫過(guò)程中，實(shí)施了第一實(shí)施方式涉及的載置臺(tái) 的降溫方法(圖3的步驟Sl 步驟S4)。另外，在形成于裝載鎖定室5a內(nèi)的待機(jī)臺(tái)6a內(nèi) 的流路41中，使由冷卻機(jī)構(gòu)42溫度調(diào)節(jié)至20°C的制冷劑以2L/min的流速循環(huán)。結(jié)果，與 自然降溫相比，降溫速度變大，能夠在短時(shí)間內(nèi)降溫(圖8中為曲線(xiàn)仏)。在該實(shí)驗(yàn)中，從 650°C至200°C的整個(gè)降溫時(shí)間，在曲線(xiàn)C1中為137分鐘，在曲線(xiàn)C2中為67分鐘。這樣，確 認(rèn)了通過(guò)實(shí)施利用晶片W的降溫方法，能夠大幅度縮短降溫時(shí)間。另外，上述的初始降溫過(guò) 程(區(qū)間Z)，是被控制在一定速度進(jìn)行處理室內(nèi)的載置臺(tái)(第一基板載置臺(tái))的降溫的第 一降溫工序，上述450°C以下的降溫過(guò)程是通過(guò)自然降溫進(jìn)行載置臺(tái)的降溫的第二降溫工 序。以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，能夠 進(jìn)行各種變形。例如，在上述實(shí)施方式中，以具備與真空側(cè)的搬送室鄰接的四個(gè)處理室的基 板處理系統(tǒng)100為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明方法也能夠適用于不同結(jié)構(gòu)的組合設(shè)備、具備 單一的處理裝置的基板處理裝置的基板處理系統(tǒng)。此外，本發(fā)明方法也能夠適用于以例如液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示器等所使用的 大型玻璃基板、陶瓷基板等為處理對(duì)象的基板處理系統(tǒng)。此外，優(yōu)選預(yù)先在第二基板載置臺(tái)上設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)、珀耳帖元件等的冷卻機(jī)構(gòu)，但 并不是必須的。
權(quán)利要求
1. 一種基板載置臺(tái)的降溫方法，其使用具有如下構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)，該基板處理系 統(tǒng)包括設(shè)有用于加熱基板的加熱機(jī)構(gòu)的第一基板載置臺(tái)；一個(gè)以上的處理室，其在內(nèi)部設(shè)置有該第一基板載置臺(tái)，在該第一基板載置臺(tái)上載置 有該基板的狀態(tài)下進(jìn)行規(guī)定的處理；向該處理室搬送該基板的基板搬送裝置； 在內(nèi)部設(shè)置該基板搬送裝置的搬送室；和 用于冷卻該基板的第二基板載置臺(tái)， 所述基板載置臺(tái)的降溫方法的特征在于， 包括利用所述基板搬送裝置將載置在所述第一基板載置臺(tái)上的所述基板向所述第二基板 載置臺(tái)搬送的第一移載工序；和利用所述基板搬送裝置將載置在所述第二基板載置臺(tái)上的所述基板向所述第一基板 載置臺(tái)搬送的第二移載工序，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行所述第一移載工序和所述第二移載工序，利用載置在所述第一基板載置 臺(tái)上的所述基板吸收該第一基板載置臺(tái)的熱，使該第一基板載置臺(tái)降溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)的降溫方法，其特征在于還包括利用設(shè)置于所述第二基板載置臺(tái)的冷卻機(jī)構(gòu)，對(duì)載置在該第二基板載置臺(tái)上的 所述基板進(jìn)行冷卻的冷卻工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)的降溫方法，其特征在于所述基板處理系統(tǒng)還具有作為真空準(zhǔn)備室的裝載鎖定室，該裝載鎖定室與所述搬送室 鄰接設(shè)置，并且在內(nèi)部設(shè)有載置臺(tái)，所述裝載鎖定室內(nèi)的所述載置臺(tái)兼用作所述第二基板載置臺(tái)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)的降溫方法，其特征在于 所述第二基板載置臺(tái)設(shè)置在所述搬送室內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)的降溫方法，其特征在于 所述基板處理系統(tǒng)還具有用于冷卻所述基板的基板冷卻室， 所述第二基板載置臺(tái)設(shè)置在所述基板冷卻室內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)的降溫方法，其特征在于，還包括在規(guī)定的溫度帶，控制在一定的速度進(jìn)行所述第一基板載置臺(tái)的降溫的第一降溫工 序；和在比所述規(guī)定的溫度帶低的溫度帶，通過(guò)自然降溫進(jìn)行所述第一基板載置臺(tái)的降溫的第二降溫工序，僅在所述第二降溫工序期間進(jìn)行所述第一移載工序和所述第二移載工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)的降溫方法，其特征在于在所述處理室和所述搬送室成為真空狀態(tài)時(shí)進(jìn)行所述第一移載工序和所述第二移載工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載置臺(tái)的降溫方法，其特征在于所述基板由具有在上表面形成有多個(gè)凸部的散熱構(gòu)造的降溫處理專(zhuān)用基板構(gòu)成。
9.一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上動(dòng)作的控制程序，其特征在于所述控制程序，對(duì)基板處理系統(tǒng)進(jìn)行控制，在所述計(jì)算機(jī)中執(zhí)行基板載置臺(tái)的降溫方 法，其中，所述基板處理系統(tǒng)包括設(shè)有用于加熱基板的加熱機(jī)構(gòu)的第一基板載置臺(tái)；一個(gè)以上的處理室，其在內(nèi)部設(shè)置有該第一基板載置臺(tái)，在該第一基板載置臺(tái)上載置 有該基板的狀態(tài)下進(jìn)行規(guī)定的處理；向該處理室搬送基板的基板搬送裝置； 在內(nèi)部設(shè)置有該基板搬送裝置的搬送室；和 用于冷卻該基板的第二基板載置臺(tái)， 所述基板載置臺(tái)的降溫方法包括利用所述基板搬送裝置將載置在所述第一基板載置臺(tái)上的基板向第二基板載置臺(tái)搬 送的第一移載工序；和利用所述基板搬送裝置將載置在所述第二基板載置臺(tái)上的所述基板向所述第一基板 載置臺(tái)搬送的第二移載工序，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行所述第一移載工序和所述第二移載工序，利用載置在所述第一基板載置 臺(tái)上的所述基板吸收該第一基板載置臺(tái)的熱，使該第一基板載置臺(tái)降溫。
10.一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括 設(shè)有用于加熱基板的加熱機(jī)構(gòu)的第一基板載置臺(tái)；一個(gè)以上的處理室，其在內(nèi)部設(shè)置有所述第一基板載置臺(tái)，在該第一基板載置臺(tái)上載 置有所述基板的狀態(tài)下進(jìn)行規(guī)定的處理；向所述處理室搬送所述基板的基板搬送裝置； 在內(nèi)部設(shè)置有所述基板搬送裝置的搬送室；和 對(duì)所述基板搬送裝置進(jìn)行控制的控制部，所述控制部通過(guò)使所述基板搬送裝置反復(fù)進(jìn)行將載置在所述第一基板載置臺(tái)上的基 板向第二基板載置臺(tái)搬送的動(dòng)作和將載置在所述第二基板載置臺(tái)上的所述基板向所述第 一基板載置臺(tái)搬送的動(dòng)作，利用載置在所述第一基板載置臺(tái)上的所述基板吸收該第一基板 載置臺(tái)的熱，使該第一基板載置臺(tái)降溫。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板載置臺(tái)的基板處理系統(tǒng)，其特征在于還包括冷卻機(jī)構(gòu)，該冷卻機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述第二基板載置臺(tái)，用于冷卻所述基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于還包括作為真空準(zhǔn)備室的裝載鎖定室，該裝載鎖定室與所述搬送室鄰接設(shè)置，并且在 內(nèi)部設(shè)置有載置臺(tái)，所述裝載鎖定室內(nèi)的所述載置臺(tái)兼用作所述第二基板載置臺(tái)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 所述第二基板載置臺(tái)設(shè)置在所述搬送室內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 還包括用于冷卻所述基板的基板冷卻室，所述第二基板載置臺(tái)設(shè)置在所述基板冷卻室內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于所述基板由具有在上表面形成有多個(gè)凸部的散熱構(gòu)造的降溫處理專(zhuān)用基板構(gòu)成。
全文摘要
基板載置臺(tái)的降溫方法使用基板(W)處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括第一基板載置臺(tái)(2b)；一個(gè)以上的處理室(1b)，其在內(nèi)部設(shè)置有第一基板載置臺(tái)(2b)，在第一基板載置臺(tái)(2b)上載置有基板(W)的狀態(tài)下進(jìn)行規(guī)定的處理；向處理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送裝置(31)；在內(nèi)部設(shè)置有基板搬送裝置(31)的搬送室；和用于冷卻基板(W)的第二基板載置臺(tái)(6a)。基板載置臺(tái)的降溫方法包括利用基板搬送裝置(31)將載置在第一基板載置臺(tái)(2b)上的基板(W)向第二基板載置臺(tái)(6a)搬送的第一移載工序；和利用基板搬送裝置(31)將載置在第二基板載置臺(tái)(6a)上的基板(W)向第一基板載置臺(tái)(2b)搬送的第二移載工序。通過(guò)反復(fù)進(jìn)行第一移載工序和第二移載工序，利用載置在第一基板載置臺(tái)(2b)上的基板(W)吸收第一基板載置臺(tái)(2b)的熱，由此使第一基板載置臺(tái)(2b)降溫。
文檔編號(hào)H01L21/205GK102007588SQ200980113330
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月16日
發(fā)明者仲山陽(yáng)一, 小林賢一, 甲斐亙?nèi)? 白坂賢治 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社