專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件、反射光勢(shì)壘和用于制造對(duì)此的殼體的方法
半導(dǎo)體器件、反射光勢(shì)壘和用于制造對(duì)此的殼體的方法本專(zhuān)利申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)10 2008 025 159. 3的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件，一種反射光勢(shì)壘以及一種用于制造殼體的方法，其 中設(shè)置有單片的殼體下部，其具有至少兩個(gè)空腔并且在空腔中分別引入至少一個(gè)半導(dǎo)體芯 片，其中殼體下部對(duì)于所發(fā)射的電磁輻射起吸收或者反射作用。為了檢測(cè)在確定區(qū)域中的對(duì)象，使用光勢(shì)壘。光勢(shì)壘是一種帶有發(fā)射器和檢測(cè)器 的電子光學(xué)系統(tǒng)。在下面將發(fā)射電磁輻射的半導(dǎo)體芯片視為發(fā)射器。發(fā)射器也稱(chēng)為發(fā)射機(jī) 或者輻射源。進(jìn)行發(fā)射的半導(dǎo)體芯片例如可以發(fā)射紅外輻射或者可見(jiàn)光，并且優(yōu)選為發(fā)光 二極管或者激光二極管。而檢測(cè)器是一種檢測(cè)電磁輻射的半導(dǎo)體芯片，其也稱(chēng)為傳感器或 者接收器。檢測(cè)器對(duì)于發(fā)射器所發(fā)射的輻射是敏感的。進(jìn)行檢測(cè)的半導(dǎo)體芯片優(yōu)選是光電 晶體管、光敏電阻或者光電二極管。在下面簡(jiǎn)要地闡述光勢(shì)壘的工作原理。發(fā)射器以相應(yīng)的發(fā)光強(qiáng)度I發(fā)射確定波長(zhǎng) 范圍的電磁輻射。檢測(cè)器至少對(duì)于該輻射的確定的波長(zhǎng)范圍是敏感的。由于在光勢(shì)壘中的 要檢測(cè)的對(duì)象而改變了在發(fā)射器和檢測(cè)器之間的光路。在檢測(cè)器中，記錄入射的輻射的亮 度的所產(chǎn)生的變化。該記錄在隨后的步驟中轉(zhuǎn)換為電開(kāi)關(guān)信號(hào)，該信號(hào)隨后被進(jìn)一步處理。所發(fā)射的光強(qiáng)I與其表面照亮的面的大小A的比例定義為亮度L。亮度具有的SI 單位為坎德拉每平方米cd/m2。亮度是與輻射測(cè)量學(xué)中的輻射密度L( λ )(單位為瓦特* 米_2*球面度―1或者W*!!!-2*^-1)的在光度測(cè)量上的等價(jià)物。在原理上，將光勢(shì)壘分為單路光勢(shì)壘和反射光勢(shì)壘。在單路光勢(shì)壘的情況下，發(fā)射 器和檢測(cè)器彼此對(duì)置，其中發(fā)射器的主發(fā)射方向直接位于檢測(cè)器的方向中。檢測(cè)器相應(yīng)地 持續(xù)檢測(cè)由發(fā)射器引起的亮度.如果對(duì)象進(jìn)入發(fā)射器和檢測(cè)器之間的光路中，則將光路被 中斷。由此導(dǎo)致的發(fā)射器未檢測(cè)到所發(fā)射的輻射在進(jìn)行進(jìn)一步處理的單元中被分析。在反射光勢(shì)壘的情況下，不同于單路光勢(shì)壘，發(fā)射器和檢測(cè)器并不對(duì)置，并且此外 優(yōu)選處于共同的殼體中。由此，結(jié)構(gòu)較不復(fù)雜。原則上，在反射光勢(shì)壘的情況下，區(qū)分兩種 用于檢測(cè)物體的方法。在第一方法的情況下，反射元件設(shè)置在第一側(cè)，帶有發(fā)射器和檢測(cè)器的殼體設(shè)置 在對(duì)置側(cè)上。元件和殼體定向?yàn)槭沟糜捎趯?duì)象引起的光路中斷造成在檢測(cè)器中的亮度變 化。可替選地，并不使用反射器。如果對(duì)象在發(fā)射器的光路中，則發(fā)射器的輻射射到對(duì) 象上并且在對(duì)象表面上由于對(duì)象的表面構(gòu)造而被散射。通過(guò)散射，所發(fā)射的輻射的一部分 射到檢測(cè)器上。在檢測(cè)器中記錄亮度的變化。支承體上的檢測(cè)器和發(fā)射器越來(lái)越多地安置在殼體內(nèi)。如果檢測(cè)器和發(fā)射器安置 在殼體中，則防止了光學(xué)信號(hào)路徑的短接。于是，可以阻止從發(fā)射器至檢測(cè)器的直接的光 路。為此，目前將光學(xué)阻擋物引入殼體中，這些阻擋物設(shè)置在發(fā)射器和檢測(cè)器之間。這些阻 擋物在事后借助粘合劑引入殼體中。而所使用的粘合劑對(duì)于發(fā)射的電磁輻射是透明的。通 過(guò)這些阻擋物，由此不能排除光學(xué)信號(hào)路徑的短接。
因此，本發(fā)明的任務(wù)是，提出一種半導(dǎo)體器件、一種反射光勢(shì)壘以及一種用于制造 反射光勢(shì)壘的殼體的方法，它們可以非常簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)，并且防止在其間的光學(xué)信號(hào)路徑的 直接短接。該任務(wù)借助在所附的權(quán)利要求中說(shuō)明的措施來(lái)解決。為此，設(shè)計(jì)了一種帶有單片的殼體下部的半導(dǎo)體器件。該殼體下部具有上側(cè)和至 少一個(gè)第一空腔和至少一個(gè)第二空腔，其中空腔朝向殼體下部的上側(cè)敞開(kāi)。至少一個(gè)發(fā)射 電磁輻射的半導(dǎo)體芯片設(shè)置到第一空腔中。至少一個(gè)檢測(cè)電磁輻射的半導(dǎo)體芯片設(shè)置到第 二空腔中。殼體下部由如下材料制成該材料吸收或者反射所發(fā)射的電磁輻射。通過(guò)殼體下部的單片的、換言之一件式的構(gòu)型，在進(jìn)行發(fā)射的和進(jìn)行檢測(cè)的半導(dǎo) 體芯片之間提供了良好的光學(xué)分離?，F(xiàn)在，光學(xué)信號(hào)路徑的短接不再可能。由于殼體下部 單片地構(gòu)建，所以不必將附加的阻擋物借助粘合劑引入到殼體裝置中。由此，該結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單并 且成本低廉地實(shí)現(xiàn)。在另一擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體器件具有印制導(dǎo)線框架，半導(dǎo)體芯片設(shè)置在該印制導(dǎo) 線框架上。印制導(dǎo)線框架對(duì)于進(jìn)行發(fā)射的或者要檢測(cè)的輻射是不可透射的。此外，印制導(dǎo) 線框架可以通過(guò)半導(dǎo)體器件的至少一側(cè)直接導(dǎo)電接觸。因?yàn)檫M(jìn)行發(fā)射的和進(jìn)行檢測(cè)的半導(dǎo)體芯片在芯片的背面也是活性的，所以也可以 在芯片的背面發(fā)射或者檢測(cè)輻射，通過(guò)這樣形成的印制導(dǎo)線框架防止了發(fā)射的輻射耦合輸 入到背面的進(jìn)行檢測(cè)的元件上。如果印制導(dǎo)線框架是電路板的組成部分，則其材料同樣對(duì) 于要發(fā)射的或者進(jìn)行檢測(cè)的輻射是吸收性的或者反射性的。此外，通過(guò)印制導(dǎo)線框架實(shí)現(xiàn) 了半導(dǎo)體芯片的電接觸。在另一擴(kuò)展方案中，殼體下部借助注塑方法或者壓鑄方法來(lái)制造。借助這些方法， 可能非常簡(jiǎn)單地構(gòu)建帶有空腔的殼體下部，而不必將附加的阻擋物安裝到殼體下部中。在另一擴(kuò)展方案中，還設(shè)置有殼體上部，其對(duì)于發(fā)射的和要檢測(cè)的輻射是至少部 分透明的。通過(guò)該殼體上部，首先給出了對(duì)半導(dǎo)體芯片的保護(hù)。為了避免所發(fā)射的和檢測(cè) 的電磁輻射被阻擋，殼體上部至少部分透明。此外，通過(guò)殼體上部實(shí)現(xiàn)了至傳輸媒質(zhì)空氣的 改進(jìn)的光學(xué)耦合。因?yàn)闅んw上部直接引入到空腔中并且通過(guò)在殼體上部和殼體下部之間引 入足夠的保持力來(lái)實(shí)現(xiàn)，所以無(wú)需使用或者引入附加的粘合劑。由此，實(shí)現(xiàn)了該半導(dǎo)體器件 的成本更為低廉的制造。在另一擴(kuò)展方案中，殼體上部附加地設(shè)置有光學(xué)元件。例如設(shè)置透鏡或者透鏡陣 列作為光學(xué)元件。通過(guò)光學(xué)元件，將發(fā)射的以及要檢測(cè)的輻射聚束和/或偏轉(zhuǎn)。這在發(fā)射 器側(cè)導(dǎo)致輻射的會(huì)聚的發(fā)射，由此半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)了更高的有效距離。在檢測(cè)器側(cè)通過(guò)光 學(xué)元件實(shí)現(xiàn)了對(duì)電磁輻射的改進(jìn)的檢測(cè)。在另一擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體器件附加地在殼體下部的第三空腔中具有第三半導(dǎo) 體芯片。該第三半導(dǎo)體芯片在一個(gè)特別的擴(kuò)展方案中是專(zhuān)用電路裝置，英語(yǔ)Application specific integrated Circuit(ASIC)或者防靜電放電的電路裝置，英語(yǔ)為Electrostatic Discharge(ESD)芯片。該第三半導(dǎo)體芯片一方面例如借助強(qiáng)度控制或者調(diào)制來(lái)控制電磁輻 射的發(fā)射，并且另一方面分析所檢測(cè)的輻射。第三半導(dǎo)體芯片可以借助覆蓋物質(zhì)(也稱(chēng)為 球頂(Globetop))來(lái)澆注。在另一擴(kuò)展方案中，第三半導(dǎo)體芯片已經(jīng)在制造殼體下部之前設(shè)置在印制導(dǎo)線框5架上并且例如以注塑方法和壓鑄方法完全用殼體下部的材料圍繞澆注?？赡苡捎谳椛涠?操作、損毀或者錯(cuò)誤工作的第三半導(dǎo)體芯片由此被特別地針對(duì)該輻射而受到保護(hù)。此外，設(shè)計(jì)了將反射光勢(shì)壘構(gòu)建有已經(jīng)提及的半導(dǎo)體器件。此外，設(shè)計(jì)了一種用于制造反射光勢(shì)壘的殼體的方法，包括以下方法步驟-提供印制導(dǎo)線框架，-借助第一澆注材料將印制導(dǎo)線框架擠壓包封，使得形成帶有至少一個(gè)第一和至 少一個(gè)第二空腔的單片的殼體下部，其中空腔朝向殼體下部的上側(cè)開(kāi)口，-在第一空腔內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)發(fā)射電磁輻射的半導(dǎo)體芯片，-在第二空腔內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)檢測(cè)電磁輻射的半導(dǎo)體芯片，以及-將半導(dǎo)體芯片與印制導(dǎo)線框架電連接。該方法可以成本更為低廉地實(shí)現(xiàn)。既不需要引入阻擋物，也不需要附加的粘合劑 來(lái)將發(fā)射器和檢測(cè)器彼此光學(xué)分離或者隔離。此外，借助該方法所制造的半導(dǎo)體器件具有 良好的效率特征。印制導(dǎo)線框架例如被刻蝕、被沖壓或者借助激光方法來(lái)制造。通過(guò)制造的這種形 式，印制導(dǎo)線框架可以在寬的界限中自由構(gòu)造，尤其是空腔的數(shù)目并不受限。在另一擴(kuò)展方案中，第三半導(dǎo)體芯片首先設(shè)置在印制導(dǎo)線框架上，并且在隨后步 驟中才制造殼體下部。由此，不需要附加的另外的澆注材料也可能實(shí)現(xiàn)第三半導(dǎo)體芯片的 擠壓包封。通過(guò)使用吸收或者反射所發(fā)射的和/或檢測(cè)的輻射的材料，第三半導(dǎo)體芯片與 電磁輻射去耦。此外，設(shè)置了第二澆注材料，其可以被填充到空腔中并且對(duì)于要發(fā)射的或者要檢 測(cè)的輻射是至少部分透明的。借助壓模方法在另一擴(kuò)展方案中可能將光學(xué)元件成形。隨后借助附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。附圖在此具有帶有相同附圖標(biāo)記的相同或者 作用相同的組成部分。所示的元件不能視為合乎比例的，更確切地說(shuō)，為了更好的理解，各 元件可以被夸大地或者夸張簡(jiǎn)化地示出。其中圖Ia和Ib示出了反射光勢(shì)壘的工作原理，圖2示出了帶有單片的殼體下部的半導(dǎo)體器件的一個(gè)實(shí)施例，圖3示出了圖2中示出的實(shí)施例的改進(jìn)方案，圖4示出了圖3中示出的實(shí)施例的改進(jìn)方案，圖5示出了圖2中示出的實(shí)施例的俯視圖，圖6示出了對(duì)于圖2替選的實(shí)施例的俯視圖，圖7示出了圖6中示出的實(shí)施例的改進(jìn)方案，圖8示出了對(duì)于圖7中所示的實(shí)施例的替選方案，圖9示出了圖2中示出的實(shí)施例的三維視圖，

圖10示出了圖9中示出的實(shí)施例的后視圖，圖11示出了圖7中示出的實(shí)施例的三維視圖，以及圖12示出了圖11中示出的實(shí)施例的三維視圖。在圖Ia和Ib中示出了反射光勢(shì)壘的工作原理。在圖Ia中示出了帶有發(fā)射電磁輻 射的半導(dǎo)體芯片3 (以下稱(chēng)為發(fā)射器)和檢測(cè)電磁輻射的半導(dǎo)體芯片4 (以下稱(chēng)為檢測(cè)器)的半導(dǎo)體器件1。優(yōu)選使用激光二極管或者發(fā)光二極管作為發(fā)射器。所發(fā)射的輻射的波長(zhǎng) 原則上是可變的。在理想情況下，檢測(cè)器檢測(cè)由發(fā)射器發(fā)射的輻射。由此，所發(fā)射的和反射 的輻射至少部分地具有相同的頻譜范圍。優(yōu)選使用光電晶體管、光電二極管或者光敏電阻 作為檢測(cè)器半導(dǎo)體芯片4。在此，省去了對(duì)檢測(cè)器和發(fā)射器的詳細(xì)描述。如果沒(méi)有對(duì)象處于光勢(shì)壘的有效距離中，則所發(fā)射的電磁輻射不被反射或者散 射，由此檢測(cè)器半導(dǎo)體芯片4未檢測(cè)到輻射。在圖Ib中現(xiàn)在對(duì)象2處于半導(dǎo)體器件1的光 路中。在對(duì)象2上將入射的輻射散射并且至少部分地向回輻射到檢測(cè)器半導(dǎo)體芯片4上。原則上，用于實(shí)現(xiàn)光勢(shì)壘的第二方法也是可能的，其中存在反射器而不是對(duì)象，由 此首先始終在半導(dǎo)體芯片4中檢測(cè)到輻射。如果現(xiàn)在在反射器和半導(dǎo)體器件1之間出現(xiàn)對(duì) 象，則光路至少部分被中斷，由此，射束強(qiáng)度改變。該變化在檢測(cè)器中被檢測(cè)。在圖2中示出了圖1中示出的半導(dǎo)體器件1的橫截面。為此，半導(dǎo)體器件具有殼 體下部5。該殼體下部單片地、即一件式地構(gòu)建。其具有第一空腔6和第二空腔7。在第一 空腔6中設(shè)置有發(fā)射器3。在第二空腔7中設(shè)置有檢測(cè)器4?？涨?和7朝向殼體下部5 的上側(cè)501開(kāi)口。殼體下部5的材料對(duì)于要發(fā)射的電磁輻射是吸收性的或者反射性的。這意味著， 發(fā)射的電磁輻射并不能夠穿過(guò)殼體下側(cè)5。殼體的材料優(yōu)選是環(huán)氧樹(shù)脂或者由硅樹(shù)脂和環(huán)氧化物構(gòu)成的混合材料?？商孢x 地，殼體材料是純的硅樹(shù)脂模制材料。該硅樹(shù)脂模制材料包含填充材料，以便彼得殼體下部 5的機(jī)械特性和光學(xué)特性與其匹配或者改進(jìn)殼體下部5的機(jī)械特性和光學(xué)特性。原則上，該 模制材料用作引線框架的包封物并且形成反射光勢(shì)壘的、半導(dǎo)體器件等的殼體下部。通過(guò)殼體下部的單片的成形，在發(fā)射器3和檢測(cè)器4之間的光學(xué)信號(hào)路徑的短接 不可能。因?yàn)榘l(fā)射器和檢測(cè)器可以在所有方向上發(fā)射輻射，所以在該實(shí)施例中也排除了殼 體下部5的穿透。通過(guò)單片的成形，產(chǎn)生了比在傳統(tǒng)地粘合在半導(dǎo)體芯片3和4之間的阻擋物的情 況更牢固并且更穩(wěn)定的殼體下部。該殼體可以在寬的范圍自由地構(gòu)建，尤其是空腔的數(shù)目 及其構(gòu)型并未受到限制。在圖3中示出了圖2中示出的實(shí)施例的改進(jìn)方案。下面僅僅討論圖2和圖3之間 的不同。圖3附加地具有印制導(dǎo)線框架8，也稱(chēng)為引線框架，發(fā)射器3和檢測(cè)器4設(shè)置在印 制導(dǎo)線框架上。印制導(dǎo)線框架8通過(guò)與上側(cè)501對(duì)置的下側(cè)502導(dǎo)電接觸?？商孢x地，印 制導(dǎo)線框架8的接觸同樣可能通過(guò)殼體下部5的其他側(cè)面?？商孢x地，可以針對(duì)印制導(dǎo)線 框架也使用電路板，通常也稱(chēng)為印刷電路板(PCB)。印制導(dǎo)線框架8和PCB尤其是對(duì)于要發(fā) 射的或者要檢測(cè)的輻射是不透光的。由此，同樣排除了通過(guò)殼體下側(cè)802的穿透。印制導(dǎo)線框架8在可替選的實(shí)施例中是柔性的并且能夠?qū)崿F(xiàn)以最少的接合連接 來(lái)將半導(dǎo)體器件3中的多個(gè)芯片結(jié)合。為了制造根據(jù)圖3的實(shí)施例，首先將印制導(dǎo)線框架8沖壓、刻蝕或者借助激光來(lái)切 割。在隨后的步驟中，借助注塑方法或者壓鑄方法將第一澆注材料、例如環(huán)氧樹(shù)脂、混合材 料或者硅樹(shù)脂模制材料圍繞印制導(dǎo)線框架8至少部分地?cái)D壓包封。在此，設(shè)置了空腔6和 7，它們朝向上側(cè)501敞開(kāi)。在隨后的步驟中，發(fā)射器3和檢測(cè)器4與印制導(dǎo)線框架8導(dǎo)電 連接。7
在圖4中示出了圖3中所示的實(shí)施例的改進(jìn)方案。在此也僅僅討論圖3和圖4之 間的不同，以避免重復(fù)。除圖3之外，在圖4中將殼體上部9引入第一空腔和第二空腔6和 7中。該殼體上部在該實(shí)施例中成形為光學(xué)元件10。該殼體上部9優(yōu)選對(duì)于要發(fā)射的和要 檢測(cè)的電磁輻射是至少部分透明的。借助壓模方法，該澆注物被引入空腔6和7中，使得形 成光學(xué)元件10。通過(guò)這種方式，節(jié)省了作為附加的制造步驟的附加地施加透鏡作為光學(xué)元 件。借助該裝置，實(shí)現(xiàn)了芯片和光學(xué)系統(tǒng)的非常精確的對(duì)準(zhǔn)。在圖5中示出了圖2中所示的實(shí)施例的俯視圖。圖1的上側(cè)在此朝向觀察者。在圖6中示出了圖5中所示的實(shí)施例的改進(jìn)方案。在殼體上部5的第三空腔12 中引入有第三半導(dǎo)體芯片11。該第三半導(dǎo)體芯片11優(yōu)選是ASIC或者ESD芯片。在第三半 導(dǎo)體芯片11中集成有檢測(cè)器4的分析電路或者發(fā)射器3的激勵(lì)電路。通過(guò)圖6中所示的 實(shí)施形式，可以借助非常簡(jiǎn)單的裝置來(lái)成本低廉地制造完整的反射光勢(shì)壘。在圖7中示出了圖6中所示的實(shí)施例的改進(jìn)方案。空腔12和第三半導(dǎo)體芯片11 在此用虛線示出，因?yàn)榈谌涨?2和位于其中的第三半導(dǎo)體芯片11已經(jīng)借助殼體下部5 來(lái)圍繞澆注，或者被擠壓包封。該擠壓包封優(yōu)選在將第三半導(dǎo)體芯片11設(shè)置在印制導(dǎo)線框 架8上之后并且在制造殼體上部5之前進(jìn)行。通過(guò)這種方式，保護(hù)第三半導(dǎo)體芯片11免受 發(fā)射的輻射影響。該保護(hù)有時(shí)是必要的，以便不讓高能輻射射到第三半導(dǎo)體芯片11上。半 導(dǎo)體芯片可能會(huì)被該照射所操作或者損毀。在該實(shí)施形式中不需要附加的球頂，由此又節(jié) 省了方法步驟。事后的用于防輻射的措施于是可以被省去。通過(guò)所有所示的變形方案，實(shí)現(xiàn)了發(fā)射器和檢測(cè)器的非常有效的光學(xué)分離，并且 此外表現(xiàn)出小的位置占用。提高了機(jī)械強(qiáng)度。此外，在圖7中將殼體上部9引入空腔1和 2中。在圖8中示出了對(duì)圖7替選的實(shí)施例。替代借助殼體下部5的包覆，將球頂引入 空腔12中，以便保護(hù)半導(dǎo)體芯片11免受發(fā)射的輻射的影響。在圖9中示出了圖6中所示的實(shí)施例的三維視圖。在圖10中示出了圖9中所示 的實(shí)施例的后視圖?？梢钥吹降氖牵≈茖?dǎo)線框架8具有大的面積，以便一方面實(shí)現(xiàn)良好的 電接觸，并且另一方面以便防止所發(fā)射的電磁輻射向回耦合到檢測(cè)器4中并且由此防止光 學(xué)信號(hào)路徑的短接。在圖11中三維地示出了圖7中所示的實(shí)施例。在圖12中示出了圖4中所示的實(shí) 施例的三維圖。光學(xué)元件10在此用于改進(jìn)的和匹配的射束引導(dǎo)，并且可以將電磁輻射聚 束、散射和傳輸。有時(shí)可能將多個(gè)發(fā)射器3以及多個(gè)檢測(cè)器4安置在半導(dǎo)體器件1中。優(yōu)選使用朗伯輻射器作為進(jìn)行發(fā)射的和進(jìn)行檢測(cè)的半導(dǎo)體芯片3或4。8
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件(1)，具有:-單片的殼體下部(5)，其中該殼體下部(5) -具有上側(cè)(501)和-至少一個(gè)第一空腔和至少一個(gè)第二空腔(6，7)，其中空腔(6， 7)朝向殼體下部(5)的上側(cè)(501)敞開(kāi)，-至少一個(gè)發(fā)射電磁輻射的半導(dǎo)體芯片(3)，其中進(jìn)行發(fā)射的所述半導(dǎo)體芯片(3)設(shè)置 到第一空腔(6)中，以及-至少一個(gè)檢測(cè)電磁輻射的半導(dǎo)體芯片G)，其中進(jìn)行檢測(cè)的所述半導(dǎo)體芯片(4)設(shè)置 在第二空腔(7)中，其中殼體下部(5)由如下材料制成該材料吸收或者反射所發(fā)射的電磁輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件(1)，其中半導(dǎo)體芯片(3，4)設(shè)置在印制導(dǎo)線框 架(8)上，所述印制導(dǎo)線框架(8)對(duì)于要發(fā)射的或者要檢測(cè)的輻射是不可透射的，并且通過(guò) 半導(dǎo)體器件(1)的至少一側(cè)(502)直接導(dǎo)電接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件(1)，其中殼體下部( 借助注塑方法或者 壓鑄方法來(lái)制造。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件(1)，其中半導(dǎo)體器件(1)具有殼體上部 (9)，其中殼體上部(9)對(duì)于要發(fā)射的和要檢測(cè)的輻射是至少部分透明的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件(1)，其中殼體上部(9)是光學(xué)元件(10)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件(1)，其中光學(xué)元件(10)是單透鏡或者透鏡陣列。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件(1)，其中設(shè)置有第三空腔(12)，該第三 空腔包含第三半導(dǎo)體芯片(11)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件(1)，其中第三半導(dǎo)體芯片(11)是專(zhuān)用集成芯片 或者靜電放電芯片。
9.一種反射光勢(shì)壘，其中使用根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件。
10.一種用于制造反射光勢(shì)壘的殼體的方法，包括以下方法步驟 -提供印制導(dǎo)線框架，-借助第一澆注材料將印制導(dǎo)線框架擠壓包封，使得形成帶有至少一個(gè)第一和至少一 個(gè)第二空腔的單片的殼體下部，其中空腔朝向殼體下部的上側(cè)開(kāi)口， -在所述第一空腔內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)發(fā)射電磁輻射的半導(dǎo)體芯片， -在所述第二空腔內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)檢測(cè)電磁輻射的半導(dǎo)體芯片，以及 -將半導(dǎo)體芯片與印制導(dǎo)線框架電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在擠壓包封之前設(shè)置帶有印制導(dǎo)線框架的第三 半導(dǎo)體芯片并且導(dǎo)電連接，其中第三半導(dǎo)體芯片在隨后步驟中完全被第一澆注材料擠壓包 封。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其中空腔借助對(duì)于要發(fā)射的和要檢測(cè)的輻射透 明的第二澆注材料來(lái)澆注。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中第二澆注材料附加地成形為光學(xué)元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中光學(xué)元件借助壓模方法來(lái)產(chǎn)生。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14之一所述的方法，其中第一澆注材料是環(huán)氧樹(shù)脂、帶有填充 材料的硅樹(shù)脂或者環(huán)氧樹(shù)脂和帶有填充材料的硅樹(shù)脂構(gòu)成的混合物。
全文摘要
本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件，一種反射光勢(shì)壘以及一種用于制造反射光勢(shì)壘的殼體的方法，其中殼體下部(5)是單片的并且具有至少兩個(gè)空腔(6，7)，發(fā)射器(3)和檢測(cè)器(4)被引入所述空腔中。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102047444SQ200980119449
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月26日
發(fā)明者托馬斯·蔡勒, 邁克爾·齊茨爾斯佩格 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司