專利名稱：靜電應(yīng)對(duì)部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及靜電應(yīng)對(duì)部件，特別涉及用于吸收侵入信號(hào)側(cè)布線的靜電的靜電應(yīng)對(duì) 部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年，為了響應(yīng)電子設(shè)備的小型化、高性能化的要求，IC的更進(jìn)一步的微型化、高 集成化取得進(jìn)展。然而另一方面IC的耐電壓降低。即使是人體與電子設(shè)備的端子等接觸 時(shí)產(chǎn)生的靜電放電電涌那種能量較小的電涌，這種IC也被破壞或產(chǎn)生誤動(dòng)作。作為其對(duì)策，應(yīng)用了如下方法在靜電侵入的布線和接地之間設(shè)置靜電應(yīng)對(duì)部件， 將靜電旁路來(lái)抑制施加于IC的高電壓。靜電應(yīng)對(duì)部件具有如下特性在通常狀態(tài)下為高電 阻值且不導(dǎo)電，當(dāng)由于靜電等高壓信號(hào)的侵入而電阻值變低而導(dǎo)電。作為具有這種特性的 靜電應(yīng)對(duì)部件，公知齊納二極管、多層片式壓敏電阻、間隙放電元件等。在作為以往的靜電應(yīng)對(duì)部件的間隙放電元件中，在元件體中設(shè)置空洞，并形成有 以隔著該空洞相對(duì)的方式配置的一對(duì)放電用電極、和與各放電用電極連接的端子電極。通 常為開(kāi)路狀態(tài)(絕緣狀態(tài))，但若靜電等高電壓電流侵入，則在空洞內(nèi)放電并流過(guò)電流。這樣的間隙放電元件通常具有以數(shù)十μ m的間隙間隔而相鄰的一對(duì)放電用電極， 并使侵入的靜電在間隙間放電。這種間隙放電元件例如在專利文獻(xiàn)1、2中公開(kāi)。間隙放電元件與齊納二極管、多層片式壓敏電阻相比，寄生靜電電容值根本上較 小。若寄生靜電電容值變大，則在處理高速信號(hào)的電路中使信號(hào)品質(zhì)劣化。因此，優(yōu)選靜電 應(yīng)對(duì)部件的寄生靜電電容值低為好，間隙放電元件比較有利。此外，因?yàn)樵诳斩粗刑畛溆袣?體，所以即使施加了高電壓的靜電也不會(huì)破壞放電部。然而，在施加了低電壓的靜電的情況下，存在在空洞內(nèi)難以產(chǎn)生放電，顯現(xiàn)不出針 對(duì)靜電耐壓較低的最新IC等器件的靜電應(yīng)對(duì)效果的情況。在空洞內(nèi)相對(duì)的放電電極間的 被放電容易度，起因于放電電極的材料種類的因素較大。即，放電電極材料的功函(從材料 的表面將1個(gè)電子抽出至無(wú)限遠(yuǎn)所需要的最小能量)較低的一方容易放電。作為功函較低 的材料，鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀等被熟知。因?yàn)檫@些金屬的大部分活性度較高，所以現(xiàn)實(shí)中 很難將這些作為放電電極材料來(lái)使用。此外這些金屬的氧化物的功函也較低。然而，因?yàn)?其大部分為絕緣體，電阻值很高，所以不能作為放電用電極來(lái)使用。此外，在比以往更加尋求高電壓的靜電應(yīng)對(duì)，且更加尋求其施加頻度的增加的過(guò) 程中，若連續(xù)多次地施加比以往高的電壓的靜電則放電電極間短路。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)連續(xù)地 反復(fù)施加高電壓的靜電，放電用電極溶析，并與相對(duì)的放電用電極接觸。此外，即使在放電 用電極不溶析的情況下，若從元件體剝落而與相對(duì)的放電用電極接觸，則仍然產(chǎn)生短路。靜 電在放電時(shí)，有時(shí)會(huì)瞬間產(chǎn)生2500°C以上的高溫，可以認(rèn)為這是放電用電極溶析的原因。專利文獻(xiàn)1 JP特開(kāi)平1-1(^884號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 JP特開(kāi)平1H65808號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是對(duì)低電壓的靜電施加也能應(yīng)對(duì)，且靜電抑制效果好，而且即使反復(fù)施加 高電壓的靜電也沒(méi)有短路的危險(xiǎn)的高性能且高可靠性的靜電應(yīng)對(duì)部件。本發(fā)明的靜電應(yīng)對(duì)部件具有元件體；一對(duì)放電用電極；和一對(duì)端子電極。在元件 體的內(nèi)部形成有封閉的空洞。一對(duì)放電用電極設(shè)置于元件體內(nèi)，并在空洞中露出。一對(duì)端 子電極分別與一對(duì)放電用電極連接，并從元件體顯露出來(lái)。在空洞內(nèi)的放電電極的至少一 方的表面上，至少附著有從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀中選擇的一種以上的金屬的氧化物。這些金屬的氧化物等雖然功函較低但絕緣性高，因此對(duì)低電壓的靜電施加也能應(yīng) 對(duì)，且靜電抑制效果好。而且即使反復(fù)施加高電壓的靜電也沒(méi)有產(chǎn)生短路故障的危險(xiǎn)。此外在本發(fā)明的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法中，首先在由絕緣體構(gòu)成的第1生片上 形成第1金屬層。接下來(lái)在第1金屬層上形成至少含有從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀中選擇的 一種以上的金屬的氧化物和樹(shù)脂成分的樹(shù)脂漿料層。接著在樹(shù)脂漿料層上形成第2金屬 層。然后以覆蓋使樹(shù)脂漿料層介于之間的第1、第2金屬層的方式，在第1生片上層積由絕 緣體構(gòu)成的第2生片。最后對(duì)使樹(shù)脂漿料層介于之間的第1、第2金屬層，以及第1、第2生 片進(jìn)行一體燒結(jié)。由此，使樹(shù)脂漿料層的樹(shù)脂成分揮發(fā)，而形成具有封閉空洞的元件體。或者在上述第1生片上形成隔著一定間隔而相對(duì)的第1金屬層和第2金屬層，在 第1金屬層和第2金屬層上形成含有上述金屬氧化物和樹(shù)脂成分的樹(shù)脂漿料層。以下同樣 地形成具有封閉的空洞的元件體。通過(guò)以上任意一種制造方法能夠同時(shí)進(jìn)行金屬的氧化物對(duì)放電用電極的附著和 空洞的形成，且能夠省略單獨(dú)進(jìn)行金屬的氧化物對(duì)放電用電極的附著的步驟。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的剖面圖。圖2是說(shuō)明靜電試驗(yàn)方法的圖。圖3是表示靜電抑制峰值電壓相對(duì)于輸入的靜電電壓的關(guān)系的特性圖。圖4A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的剖面圖。
圖4B是接著圖4A，表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的剖面圖。圖4C是接著圖4B，表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的剖面圖。圖4D是接著圖4C，表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的剖面圖。圖4E是接著圖4D，表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的剖面圖。圖4F是接著圖4E，表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的剖面圖。圖4G是接著圖4F，表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的剖面圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的靜電應(yīng)對(duì)部件的剖面圖。
具體實(shí)施例方式(實(shí)施方式1)圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的靜電應(yīng)對(duì)部件的剖面圖。靜電應(yīng)對(duì)部件11具有 元件體1 ；一對(duì)放電用電極3、4;和端子電極5、6。在元件體1的內(nèi)部形成有封閉的空洞2。 即，空洞2埋設(shè)于元件體1的內(nèi)部。放電用電極3、4設(shè)置于元件體1內(nèi)，并在空洞2中露出。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，放電用電極3、4在空洞2的內(nèi)部，隔開(kāi)一定間隔而彼此相對(duì)配置。端子電極5、 6分別與放電用電極3、4連接，并從元件體1顯露出來(lái)。元件體1優(yōu)選由含有從氧化鋁、鎂橄欖石、塊滑石、富鋁紅柱石、堇青石中選擇的 至少一種陶瓷合成物作為主要成分的絕緣體構(gòu)成。這些絕緣體的相對(duì)介電常數(shù)低至15以 下，能夠降低寄生電容值。放電用電極3、4和端子電極5、6例如是由以鎢為主要成分的金屬形成的。放電用 電極3、4為了經(jīng)受住靜電放電時(shí)的高溫，優(yōu)選鎢這種融點(diǎn)較高的金屬。此外放電用電極3、4 和端子電極5、6為了確保能夠經(jīng)受住靜電進(jìn)入時(shí)的沖擊的粘合強(qiáng)度，優(yōu)選由相同種類的金 屬或相互形成合金的金屬形成。然而，這些電極的材料不限定于鎢。除了鎢之外，也可以使 用鉬。而且可以使用以鎢和鉬的至少任意一個(gè)為主體的融點(diǎn)為以上的合金。在放電用電極3、4的表面附著有金屬氧化物7?；蛘?，也可以僅在放電用電極3、4 的任意一方的表面附著氧化物7。氧化物7的成分為從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀中選擇的一 種以上的金屬的氧化物。這些金屬氧化物7的功函較低，大部分為4. MV以下。因此，促進(jìn) 了由靜電的進(jìn)入所產(chǎn)生的放電用電極3、4間的放電。在沒(méi)有附著氧化物7的情況下即使針 對(duì)不放電的那種低電壓的靜電的進(jìn)入，因?yàn)閺难趸?放出電子，所以也在放電用電極3、 4間放電。而且放電時(shí)放出的電子的量也增加，放電用電極3、4間的靜電放電電流也變大。 即，靜電應(yīng)對(duì)部件的性能提高。為了使該現(xiàn)象更容易理解，對(duì)靜電應(yīng)對(duì)部件的評(píng)價(jià)方法進(jìn)行說(shuō)明。圖2是說(shuō)明靜 電試驗(yàn)方法的圖。靜電放電槍12連接于靜電應(yīng)對(duì)部件11的端子電極5，且端子電極6接 地。靜電放電槍12將靜電模擬波形(依據(jù)IEC-6100-4-2標(biāo)準(zhǔn))輸入到靜電應(yīng)對(duì)部件11 中。數(shù)字示波器13觀測(cè)此時(shí)的靜電波形。觀測(cè)到的靜電波形是在靜電應(yīng)對(duì)部件11內(nèi)沒(méi)有放電的靜電波形，該電壓越低則 靜電應(yīng)對(duì)部件11的性能越高。圖3是表示相對(duì)于輸入靜電電壓的靜電抑制峰值電壓的關(guān) 系的特性圖。一般，在初期觀測(cè)到高電壓的峰值，此后立即衰減。可以認(rèn)為由于該高電壓峰 值引起設(shè)備的故障、誤動(dòng)作。將該電壓稱作抑制峰值電壓，以針對(duì)輸入的靜電電壓的大小的 形式來(lái)進(jìn)行測(cè)量。在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，在沒(méi)有附著氧化物7的情況下，若輸入的靜電電壓低至5kV 以下，則觀測(cè)到的靜電波形與輸入的靜電模擬波形相同。即在靜電應(yīng)對(duì)部件內(nèi)沒(méi)有發(fā)生放 電，沒(méi)有作為靜電應(yīng)對(duì)部件進(jìn)行工作。而在6kV以上的輸入下觀測(cè)到圖3那樣的波形。但 是，抑制峰值電壓較高，針對(duì)8kV的輸入的抑制峰值電壓為800 1000V。另一方面，例如在使鈣鋁石粉(mayenite powder) (12Ca0_7Al203，平均粒徑約 0. 5 μ m)作為氧化物7而附著于放電用電極3、4上的情況下，從2kV開(kāi)始作為靜電應(yīng)對(duì)部件 進(jìn)行工作。而且，在8kV時(shí)的抑制峰值電壓大幅降低至250 350V。鈣鋁石粉根據(jù)其組成 式也被稱作C12A7，是具有內(nèi)徑0. 4nm的納米籠(nano-sized cage)的特殊納米晶體結(jié)構(gòu) 物質(zhì)。因此，若功函不到3eV則作為氧化物來(lái)說(shuō)特別低，因此發(fā)揮了上述那種非常優(yōu)異的特 性。因此，鈣鋁石粉作為附著于放電用電極3、4的氧化物7最為理想。此外在將氧化鋁粉(平均粒徑0. 2 μ m)或氧化鎂粉(平均粒徑0. 4 μ m)作為氧化 物7來(lái)使用的情況下，也發(fā)揮比不附著氧化物7時(shí)更優(yōu)異的特性。因?yàn)檫@些氧化物很穩(wěn)定， 且能夠廉價(jià)而容易地得到，所以作為氧化物7較為理想。不過(guò)因?yàn)榕c鈣鋁石粉相比功函較高，所以工作開(kāi)始電壓為大約4kV，8kV時(shí)的抑制峰值電壓為400 600V。接下來(lái)將25kV的靜電電壓反復(fù)250次來(lái)施加連續(xù)放電，并測(cè)量反復(fù)試驗(yàn)前后的靜 電應(yīng)對(duì)部件的絕緣電阻值。在沒(méi)有附著氧化物7的情況下，雖然沒(méi)有完全短路的部件，但以 試驗(yàn)個(gè)數(shù)100個(gè)中的大約10%的比例，絕緣電阻值降低至106Ω左右。另一方面，在附著了 鈣鋁石粉、氧化鋁粉、氧化鎂粉的情況下全部的絕緣電阻值原樣保持在1010 Ω以上，沒(méi)有 看見(jiàn)通過(guò)反復(fù)試驗(yàn)所產(chǎn)生的降低?？梢哉J(rèn)為因?yàn)檫@些是通常穩(wěn)定的絕緣電阻值較高的氧化 物，所以起到了防止放電用電極3、4間的短路的作用。而且根據(jù)其作用，若氧化物7無(wú)間隙 地附著并覆蓋于位于空洞2中的放電用電極3、4的整個(gè)表面上，則能夠完全地抑制短路的 產(chǎn)生，因此更加理想。在本實(shí)施方式中作為氧化物列舉了鈣鋁石粉作為最優(yōu)選的例子，并列舉了氧化鋁 粉、氧化鎂粉作為其次優(yōu)選的例子。除了這些之外，由從氧化鋅、氧化鈮、氧化鈣、氧化鈉、氧 化鉀中選擇的一種以上的金屬構(gòu)成的金屬氧化物的功函也較低。這些氧化物或其復(fù)合物、 混合物也可以作為氧化物7來(lái)使用。即，從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀中選擇的一種以上的金 屬氧化物因?yàn)榉€(wěn)定且絕緣電阻值高，所以可以作為氧化物7來(lái)使用。另外在僅在放電用電極3、4的任意一方的表面上附著有氧化物7的情況下，優(yōu)選 以能夠判斷端子電極5、6的哪一個(gè)連接于附著有氧化物7的放電用電極的方式進(jìn)行表示。 因?yàn)殪o電是作為直流流動(dòng)的，所以通過(guò)將成為放電起點(diǎn)的人體等接地側(cè)與連接于附著有氧 化物7的放電用電極的端子電極連接，能夠發(fā)揮氧化物7的效果。像這樣僅在放電用電極 3、4的任意一方的表面上附著有氧化物7的情況下，在使用時(shí)需要考慮連接的方向。另外在僅在放電用電極3、4的一方，例如僅放電用電極3上附著有氧化物7的情 況下，從防止反復(fù)施加連續(xù)放電時(shí)的短路的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選由氧化物7覆蓋放電用電極3的 在空洞2中露出的部分的整個(gè)表面。此外氧化物7的平均粒徑，在考慮表面積基礎(chǔ)上粒徑越小越好，而在分散性的觀 點(diǎn)上，為了抑制由表面電位產(chǎn)生的凝聚，優(yōu)選為一定以上的大小。根據(jù)這種觀點(diǎn)，氧化物7 的平均粒徑優(yōu)選為亞微米級(jí)(0. 1 μ m以上，不到1 μ m)。接下來(lái)，參照?qǐng)D1和圖4A 圖4G，對(duì)靜電應(yīng)對(duì)部件11的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖 4A 圖4G是靜電應(yīng)對(duì)部件11的制造方法的各步驟中的剖面圖。另外在以下的說(shuō)明中，作 為一個(gè)實(shí)例，使用鎂橄欖石作為元件體1的材料，使用鎢作為放電用電極3、4。但是，只要在 本發(fā)明的范圍內(nèi)則這些材料沒(méi)有限定。首先在平均粒徑約2μπι的鎂橄欖石粉中加入丙烯樹(shù)脂、增塑劑并混合甲苯等溶 劑來(lái)調(diào)制泥漿。用該泥漿通過(guò)刮板法等來(lái)制作圖4Α所示的約IOOym厚的生片(第1生片 green sheet) 21。然后如圖4B所示，通過(guò)金屬模等在生片21上設(shè)置直徑200 μ m的印刷基 準(zhǔn)用的貫通孔22、23，并作為之后所有的印刷步驟中的基準(zhǔn)穴。接下來(lái)，使用平均粒徑Iym的鎢粉來(lái)調(diào)制印刷用漿料。使用該印刷用漿料，如圖 4C所示，在生片21上，以貫通孔22、23為基準(zhǔn)，通過(guò)絲網(wǎng)印刷術(shù)來(lái)形成成為放電用電極3的 圖案(第1金屬層)24。接下來(lái)，使用與制作生片21的材料相同的鎂橄欖石粉來(lái)調(diào)制印刷用漿料。使用該 印刷用漿料，如圖4D所示，在生片21和圖案M上通過(guò)絲網(wǎng)印刷術(shù)來(lái)圖案形成空洞壁層25。 空洞壁層25是去掉了空洞形成部2從的形狀的圖案。
接下來(lái)調(diào)制將直徑約3 μ m的壓克力珠(7·々> if 一 < )和作為樹(shù)脂成分的丙 烯酸類樹(shù)脂、以及附著于放電用電極3、4的氧化物7 (例如鈣鋁石粉)混合、混揉后的樹(shù)脂 漿料。然后如圖4E所示，在被空洞壁層25包圍的空洞形成部26k中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷術(shù)來(lái)印 刷填充該樹(shù)脂漿料，而形成樹(shù)脂漿料層26。另外丙烯酸類樹(shù)脂與其他樹(shù)脂相比在低溫下容易分解，且在燒結(jié)后在空洞形成部 26A周邊不易產(chǎn)生瑕疵，因此比較理想。然而只要是在低溫下容易分解的樹(shù)脂，則也可以將 丙烯酸類樹(shù)脂以外的樹(shù)脂用于樹(shù)脂漿料。此外為了使空洞形成部26A通過(guò)后面步驟的按壓 步驟不發(fā)生變形而混合壓克力珠。優(yōu)選像這樣在樹(shù)脂漿料中混合壓克力珠。通過(guò)對(duì)如上述那樣制作的層積物進(jìn)行按壓而將表面平坦化。此后，如圖4F所示， 在其上部以與圖案M彼此相對(duì)的方式通過(guò)絲網(wǎng)印刷而形成圖案(第2金屬層)27。此時(shí)， 圖案27的至少一部分形成于樹(shù)脂漿料層沈上。接下來(lái)，為了確保部件的厚度，如圖4G所示，上下層積多枚無(wú)效層生片(第2生 片)28。S卩，以覆蓋使樹(shù)脂漿料層沈介于之間的圖案M、27的方式，至少在生片21上層積 由絕緣體構(gòu)成的無(wú)效層生片觀。然后沿著切斷線四，通過(guò)刀具切斷而分離為各個(gè)部件。然后將切斷線四之間的部分在200 300°C下進(jìn)行熱處理而使樹(shù)脂成分飛散后， 在氮環(huán)境中，在1250°C下進(jìn)行一體燒結(jié)。通過(guò)該熱處理，樹(shù)脂漿料層沈中包含的壓克力珠 和樹(shù)脂成分飛散，空洞形成部26A成為圖1所示的空洞2，圖案24、27成為放電用電極3、4。 用這種方法形成的空洞2的高度為20 50 μ m左右。此外生片21、空洞壁層25、無(wú)效層生片觀被一體化而成為元件體1。像這樣，對(duì)使 樹(shù)脂漿料層26介于之間的圖案對(duì)、27，以及生片21、無(wú)效層生片觀進(jìn)行一體燒結(jié)，使樹(shù)脂 漿料層26的樹(shù)脂成分揮發(fā)，而形成具有封閉的空洞2的元件體1。此時(shí)只有氧化物7殘留于空洞2內(nèi)。即，在燒結(jié)后如圖1所示，在放電用電極3、4 的在空洞2中露出的部分的表面和空洞2的壁面等上附著了氧化物7。最后，通過(guò)在顯露出了放電用電極3、4的元件體1的側(cè)面涂抹銀漿料等方法，來(lái)形 成與放電用電極3、4連接的端子電極(在圖4中未作圖示)。這樣一來(lái)，完成了圖1所示的 靜電應(yīng)對(duì)部件11。另外在圖4G所示的生片層積體內(nèi)，也可以形成多個(gè)形成于貫通孔22、23之間的部 分。若將多條切斷線四的組分別切斷，則能夠高效地制作成為靜電應(yīng)對(duì)部件11的燒結(jié)前 的單個(gè)片。通過(guò)以上說(shuō)明的方法，能夠同時(shí)進(jìn)行氧化物7對(duì)放電用電極3、4的附著和空洞2 的形成，且能夠省略單獨(dú)進(jìn)行氧化物7對(duì)放電用電極3、4的附著的步驟。而且通過(guò)改變混 合于樹(shù)脂漿料中的氧化物7的含有量，能夠簡(jiǎn)單且穩(wěn)定地調(diào)整氧化物7對(duì)放電用電極3、4的附著量。(實(shí)施方式2)以下，使用圖5，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2中的靜電應(yīng)對(duì)部件進(jìn)行說(shuō)明。圖5是本實(shí) 施方式中的靜電應(yīng)對(duì)部件的剖面圖。在圖5中，對(duì)與圖1相同的構(gòu)成要素賦予相同的符號(hào)。靜電應(yīng)對(duì)部件31具有如下結(jié)構(gòu)放電用電極3、4在空洞2的底面上隔著一定間隔 而在平面上相對(duì)。這種結(jié)構(gòu)也能夠得到與實(shí)施方式1的靜電應(yīng)對(duì)部件11相同的效果。靜電應(yīng)對(duì)部件31也可以按照?qǐng)D4A 圖4G所示的實(shí)施方式1的制造方法來(lái)制作。即，在形成圖案M時(shí)，在與圖案M相同的平面上，隔著一定間隔與圖案對(duì)相對(duì)地形成圖案 27。此后，形成空洞壁層25，對(duì)空洞形成部26A填充包含丙烯酸類樹(shù)脂和氧化物7的漿料， 并層積無(wú)效層生片觀。以下，與實(shí)施方式1的制造方法相同地實(shí)施即可。另夕卜，靜電應(yīng)對(duì)部件31與實(shí)施方式1的靜電應(yīng)對(duì)部件11相比，放電用電極3、4彼 此相對(duì)的面積較小。因此，對(duì)高電壓下的連續(xù)反復(fù)靜電的可靠性，比放電用電極3、4的相對(duì) 面積較大的靜電應(yīng)對(duì)部件11低。另一方面，能夠減小寄生電容值。因此，在對(duì)處理更高頻 信號(hào)的電路的使用上較為出色。另外，在實(shí)施方式1和實(shí)施方式2中，都是元件體1用一種材料包圍空洞2的結(jié) 構(gòu)，但也可以用多個(gè)構(gòu)成要素來(lái)構(gòu)成元件體1。并且，該多個(gè)構(gòu)成要素也可以由彼此不同的 材料構(gòu)成。此外在圖1、圖5中，端子電極5、6形成于元件體1的側(cè)面(端面)，但本發(fā)明不限 定于此結(jié)構(gòu)。端子電極5、6只要分別與放電用電極3、4連接，并從元件體1顯露出來(lái)即可， 形狀等沒(méi)有限定。如上，本發(fā)明所涉及的靜電應(yīng)對(duì)部件，對(duì)低電壓的靜電施加也能應(yīng)對(duì)，且靜電抑制 效果好，而且即使反復(fù)施加高電壓的靜電也沒(méi)有短路故障的危險(xiǎn)。因?yàn)橄襁@樣具有高性能 且高可靠性，所以能夠廣泛地應(yīng)用于要求應(yīng)對(duì)靜電的各種設(shè)備、器件。符號(hào)說(shuō)明1元件體2空洞3,4放電用電極5,6端子電極7氧化物11,31靜電應(yīng)對(duì)部件12靜電放電槍13數(shù)字示波器21生片22,23； 貫通孔24圖案(第1金屬層)25空洞壁層26樹(shù)脂漿料層26A空洞形成部27圖案(第2金屬層)28無(wú)效層生片29切斷線。
權(quán)利要求
1.一種靜電應(yīng)對(duì)部件，其具備元件體，其在內(nèi)部形成有封閉的空洞；一對(duì)放電用電極，其設(shè)置于所述元件體內(nèi)，并在所述空洞中露出；和 一對(duì)端子電極，其分別與所述放電用電極連接，并從所述元件體顯露出來(lái)， 在所述空洞內(nèi)的所述放電用電極的至少一方的表面上至少附著有從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、 鈉、鉀中選擇的一種以上的金屬的氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于， 所述氧化物為12Ca0-7Al203。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于， 所述氧化物為氧化鋁和氧化鎂的至少任意一方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述氧化物附著并覆蓋于位于所述空洞中的所述放電用電極的整個(gè)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述元件體是含有從氧化鋁、鎂橄欖石、塊滑石、富鋁紅柱石、堇青石中選擇的至少一 種陶瓷合成物的絕緣體。
6.一種靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法，其具備在由絕緣體構(gòu)成的第1生片上形成第1金屬層的步驟；在所述第1金屬層上形成至少含有從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀中選擇的一種以上的金 屬的氧化物和樹(shù)脂成分的樹(shù)脂漿料層的步驟； 在所述樹(shù)脂漿料層上形成第2金屬層的步驟；以覆蓋使所述樹(shù)脂漿料層介于之間的所述第1、第2金屬層的方式，在所述第1生片上 層積由絕緣體構(gòu)成的第2生片的步驟；和對(duì)使所述樹(shù)脂漿料層介于之間的所述第1、第2金屬層，以及所述第1、第2生片進(jìn)行一 體燒結(jié)，并使所述樹(shù)脂漿料層的所述樹(shù)脂成分揮發(fā)，來(lái)形成具有封閉的空洞的元件體，同時(shí) 形成在所述空洞內(nèi)露出的一對(duì)放電用電極，并使所述金屬的氧化物附著于所述一對(duì)放電用 電極的至少一方的表面上的步驟。
7.一種靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法，其具備在由絕緣體構(gòu)成的第1生片上形成隔著一定間隔而相對(duì)的第1金屬層和第2金屬層的 步驟；在所述第1金屬層和所述第2金屬層上形成至少含有從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀中選擇 的一種以上的金屬的氧化物和樹(shù)脂成分的樹(shù)脂漿料層的步驟；以覆蓋使所述樹(shù)脂漿料層介于之間的所述第1、第2金屬層的方式，在所述第1生片上 層積由絕緣體構(gòu)成的第2生片的步驟；和對(duì)使所述樹(shù)脂漿料介于之間的所述第1、第2金屬層，以及所述第1、第2生片進(jìn)行一體 燒結(jié)，并使所述樹(shù)脂漿料的所述樹(shù)脂成分揮發(fā)，而形成具有封閉的空洞的元件體，同時(shí)形成 在所述空洞內(nèi)露出的一對(duì)放電用電極，并使所述金屬的氧化物附著于所述一對(duì)放電用電極 的至少一方的表面上的步驟。
全文摘要
靜電應(yīng)對(duì)部件具有元件體；一對(duì)放電用電極；和一對(duì)端子電極。在元件體的內(nèi)部形成有封閉的空洞。一對(duì)放電用電極設(shè)置于元件體內(nèi)并在空洞中露出。一對(duì)端子電極分別與一對(duì)放電用電極連接，并從元件體顯露出來(lái)。在空洞內(nèi)的放電電極的至少一方的表面上，至少附著有從鋅、鈮、鋁、鎂、鈣、鈉、鉀中選擇的一種以上的金屬的氧化物。
文檔編號(hào)H01T1/20GK102057546SQ20098012139
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月12日
發(fā)明者井上龍也, 德永英晃, 勝村英則 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社