專利名稱：線鋸裝置和用于操作該線鋸裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于線鋸裝置和用于操作該線鋸裝置的方法。更具體而言，本發(fā)明涉 及用于從硅錠切割硅晶片的線鋸裝置。
背景技術(shù)：
存在用于從要被切割的片材(例如半導(dǎo)體材料的錠料或塊料)切割薄切片(例 如，半導(dǎo)體晶片)線鋸裝置。在這種裝置中，張緊的線被線導(dǎo)引筒同時(shí)導(dǎo)引并拉伸。這些線 導(dǎo)引筒通常覆蓋有合成樹脂層，并刻畫有具有非常精確的幾何形狀和尺寸的槽。線繞線導(dǎo) 引筒螺旋卷繞，并在兩個(gè)線導(dǎo)引筒之間形成至少一層平行線，也稱為網(wǎng)或者線網(wǎng)。在網(wǎng)中， 兩個(gè)相繼的線之間的距離確定了切片的厚度。在鋸切處理期間，線以可觀的速度移動(dòng)。由 于螺旋卷繞，線的層中的全部線平行地移動(dòng)，產(chǎn)生了與保持要被鋸切的片材的支撐梁的前 進(jìn)方向垂直的力。在鋸切期間，要被鋸切的片材移動(dòng)通過線網(wǎng)，其中此移動(dòng)的速度確定了 切割速度和/或在給定時(shí)間量(例如在一小時(shí)內(nèi))內(nèi)可以被鋸切的有效切割面積。用于使 片材移動(dòng)通過網(wǎng)的最大速度，以及在給定時(shí)間量內(nèi)的最大有效切割面積受到數(shù)個(gè)因素的限 制，這些因素包括線速度、要被鋸切的材料的硬度等。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到以上情況，提供了根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1的線鋸裝置。根據(jù)從屬權(quán)利要求、說 明書和附圖，其他的優(yōu)點(diǎn)、特征、方面和細(xì)節(jié)將變得清楚。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了一種線鋸裝置，其用于鋸切半導(dǎo)體材料。所述縣局裝置包 括線導(dǎo)引裝置，其包括至少四個(gè)線導(dǎo)引筒，并適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成用于鋸切半導(dǎo)體材 料的至少一個(gè)線網(wǎng)并形成第一和第二工作區(qū)域；以及兩個(gè)或更多個(gè)線管理單元，其被配置 為每個(gè)均將線供應(yīng)給所述線導(dǎo)引裝置，其中，每個(gè)所述線導(dǎo)引筒均具有多個(gè)槽，其中相鄰的 槽具有400 μ m或更小的距離。根據(jù)另一實(shí)施例，提供了一種線鋸裝置，其用于鋸切半導(dǎo)體材料。所述線鋸裝置包 括線導(dǎo)引裝置，其適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成用于鋸切半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)線網(wǎng)；以及 兩個(gè)或更多個(gè)線管理單元，其用于將線供應(yīng)給所述線導(dǎo)引裝置，其中，至少一個(gè)線管理單元 適于提供所述至少一個(gè)線網(wǎng)，使得提供12m2/h的有效切割面積速率。根據(jù)又一實(shí)施例，提供了一種用于半導(dǎo)體晶片的原地清潔的方法。所述方法包括 以下步驟將半導(dǎo)體材料塊體安裝至梁，所述梁具有用于饋送清潔流體的至少一個(gè)管道； 利用線鋸裝置鋸切所述半導(dǎo)體材料塊體以獲得多個(gè)半導(dǎo)體晶片，并還鋸切所述梁，使得建 立在所述至少一個(gè)管道與位于所述半導(dǎo)體晶片間的空間之間的流體連通；以及將清潔流體 供應(yīng)至所述至少一個(gè)管道以清潔所述半導(dǎo)體晶片。根據(jù)又一實(shí)施例，提供了一種用于將半導(dǎo)體晶片在鋸切之后從梁拆卸的方法。所 述方法包括以下步驟利用線鋸裝置沿著預(yù)定切片平面的方向鋸切所述半導(dǎo)體材料塊體以 獲得多個(gè)半導(dǎo)體晶片；沿著所述預(yù)定切片平面的方向鋸切所述半導(dǎo)體晶片所安裝至的梁；以及沿著與所述預(yù)定切片平面大體垂直的方向鋸切所述梁。根據(jù)又一實(shí)施例，提供了一種用于半導(dǎo)體晶片的原地處理的方法。所述方法包括 以下步驟將半導(dǎo)體材料塊體安裝至梁；利用線鋸裝置鋸切所述半導(dǎo)體材料塊體以獲得多 個(gè)半導(dǎo)體晶片，其中所述鋸切在殼體中進(jìn)行；供應(yīng)清潔流體以在所述殼體內(nèi)清潔所述半導(dǎo) 體晶片；以及將所述清潔流體收納在晶片盒中。實(shí)施例還針對用于實(shí)現(xiàn)所公開的方法并包括用于執(zhí)行上述各方法步驟的設(shè)備部 分的設(shè)備。這些方法步驟可以通過硬件部件、通過合適軟件編程的計(jì)算機(jī)、通過以上兩者的 任意組合、或任意其他方式來執(zhí)行。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還針對所述設(shè)備進(jìn)行工作的 方法。其包括用于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的功能的方法步驟。


將參照附圖，根據(jù)本說明書的其余部分，將對本發(fā)明的包括其最佳實(shí)施方式在內(nèi) 的完整可實(shí)施的公開進(jìn)行闡述，在附圖中圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的線鋸裝置的示意性正視圖。圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的線鋸裝置的示意性俯視圖。圖2A示出了具有多個(gè)槽的線導(dǎo)引筒的示意圖。圖3示出了根據(jù)另一實(shí)施例的線鋸裝置的示意性正視圖。圖4A示出了根據(jù)如圖3所示的實(shí)施例的線鋸裝置的示意性俯視圖。圖4B示出了根據(jù)如圖4A所示的實(shí)施例的線鋸裝置的示意性側(cè)視圖。圖5A示出了根據(jù)又一實(shí)施例的線鋸裝置的示意性俯視圖。圖5B示出了如圖5A所示的實(shí)施例的線鋸裝置的示意性側(cè)視圖。圖6示出了根據(jù)實(shí)施例的線導(dǎo)引筒的示意性側(cè)視圖。圖7示出了根據(jù)又一實(shí)施例的線鋸裝置的示意性正視圖。圖8示出了根據(jù)實(shí)施例的噴嘴布置。圖9示出了根據(jù)實(shí)施例的模塊化切割頭的示意性立體圖。圖IOA和IOB示出了斷線檢測單元。圖11示出了晶片盒和晶片筐的實(shí)施例。圖12示出了根據(jù)實(shí)施例的線鋸裝置的示意性正視圖。圖13示出了根據(jù)實(shí)施例的梁的細(xì)節(jié)。圖14是根據(jù)實(shí)施例的清潔方法的流程圖。圖15是根據(jù)實(shí)施例的拆卸方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下，將對本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行詳述，各種實(shí)施例的一個(gè)呃或多個(gè)示例在附 圖中示出。在以下附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。通常，僅對針對各實(shí)施例不同 的方面進(jìn)行說明。所提供的各示例作為對本發(fā)明的解釋而非對本發(fā)明的限制。例如，作為 一個(gè)實(shí)施例的一部分圖示或說明的特征可以用于其他實(shí)施例或與其他實(shí)施例結(jié)合，以產(chǎn)生 另一實(shí)施例。本發(fā)明意在包含這樣的修改和變化。此外，在以下說明中，線管理單元將被理解為對將線供應(yīng)至線鋸裝置的工作區(qū)域進(jìn)行管理的裝置。通常，線管理單元包括線導(dǎo)引件，在線管理單元提供對線張力的控制的同 時(shí)，線導(dǎo)引件用于將線沿著線移動(dòng)方向傳送并導(dǎo)引的線導(dǎo)引件。此外，由線管理單元提供的 線形成如上所述的線網(wǎng)。以下，線網(wǎng)將被視為由單個(gè)線管理單元形成的網(wǎng)。應(yīng)該理解的是， 線網(wǎng)可以包含一個(gè)以上工作區(qū)域，工作區(qū)域被界定位其中執(zhí)行鋸切操作的區(qū)域。圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的線鋸裝置100的示意性正視圖。線鋸裝置100具有線導(dǎo) 引裝置110，線導(dǎo)引裝置110包括四個(gè)線導(dǎo)引筒112、114、116、118。線管理單元130包括供 應(yīng)卷筒134，在供應(yīng)卷筒134上設(shè)置有通常保持?jǐn)?shù)百公里線的線儲(chǔ)備。此外，線管理單元130 包括收線線軸138，用過的線240被重卷繞在收線線軸138上。在如圖1所示的實(shí)施例中， 供應(yīng)卷筒134和收線線軸138的旋轉(zhuǎn)軸線與線導(dǎo)引筒112、114、116、118的旋轉(zhuǎn)軸線平行。 因此，不需要用于將線饋送至線導(dǎo)引裝置110的偏轉(zhuǎn)滑輪或類似裝置。由于線上的零角度， 所以可以降低線斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。通常，線管理單元130還包括諸如低慣性滑輪(未示出)和 用于線張力調(diào)節(jié)的張力臂(未示出)。在一些實(shí)施例中，在張力臂上設(shè)置數(shù)字編碼。圖2示出了線鋸裝置100的示意性俯視圖。其中，線繞著線導(dǎo)引筒112、114螺旋 地卷繞，并在兩個(gè)線導(dǎo)引筒之間形成平行線的層200。該層通常被稱為線網(wǎng)200。通常，線 導(dǎo)引筒112、114、116、118被覆蓋有合成樹脂層，并被刻劃有具有非常精確的幾何形狀和尺 寸的槽。槽之間的距離，即槽間距確定了線的兩個(gè)相鄰的股或線條之間的間隔距離D1。但 是，例如在使用諸如漿液之類的第三介質(zhì)的情況下，切片可以比距離Dl薄ΙΟμπι至40μπι。 通常，線厚度在120 μ m與140 μ m之間，而距離Dl從120 μ m至300 μ m，并通常在200 μ m至 250 μ m的范圍內(nèi)。作為示例，槽具有300 μ m以下的間距。因此，線的厚度與距離Dl處于相 同量級(jí)。根據(jù)可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，槽的間距或距離導(dǎo)致相鄰 的線之間的間隔約從120 μ m至200 μ m，并通常為160 μ m或更小?？紤]到以上情況，本文所 述的實(shí)施例可以提供非常大的切割面積和非常大的切割速率。這可以參照圖2A獲得更好的理解。其中，示出了線導(dǎo)引筒112的一部分。線導(dǎo)引 筒112具有多個(gè)槽112g，槽112g被配置為對形成線網(wǎng)的線200i進(jìn)行導(dǎo)引。因?yàn)樵趫D2中 將間距(即，槽的距離)標(biāo)識(shí)為P，所以由Dl表示的、相鄰的線之間的距離提供了與最大晶 片厚度相對應(yīng)的、線之間的距離或間隔。根據(jù)可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的不同實(shí)施例，間距(即，槽之間的距離) 可以在225μπι至400μπι的范圍內(nèi)，例如300 μ m或更??；相鄰線之間的距離可以在120 μ m 至300 μ m的范圍內(nèi)，例如200 μ m至250 μ m,或者甚至220 μ m或更??；并且/或者，得到的 晶片厚度可以在100 μ m至250 μ m的范圍內(nèi)，例如180 μ m至220 μ m,或者甚至200 μ m或更 小。因此，包括具有槽的線導(dǎo)引筒的線鋸裝置通過槽間距和槽幾何形狀而可一般地適用于 英特訂單晶片厚度和線徑。至此，可以通過線鋸裝置的構(gòu)造來預(yù)定槽間距、線厚度和/或晶 片厚度的值。此外，各線導(dǎo)引筒112、114、116、118連接至電動(dòng)機(jī)122、124、126、128(圖1中以虛 線示出)。在如圖1和2所示的實(shí)施例中，線導(dǎo)引筒112、114、116、118由電動(dòng)機(jī)122、124、 126、1觀直接驅(qū)動(dòng)。如圖2所示，各線導(dǎo)引筒112、114可以直接安裝到相應(yīng)的電動(dòng)機(jī)122、 124的電動(dòng)機(jī)軸123、125。在一些實(shí)施例中，電動(dòng)機(jī)中的一個(gè)或多個(gè)是水冷式的。在工作期間，例如，在鋸切期間，電動(dòng)機(jī)122、124、126、128驅(qū)動(dòng)線導(dǎo)引筒112、114、 116、118，使得線導(dǎo)引筒繞其縱向軸線旋轉(zhuǎn)。因此，線網(wǎng)200中的線沿著線傳送方向215、225傳送。在一些實(shí)施例中，線的傳送速度相對較高，例如，高達(dá)20m/s。在一個(gè)實(shí)施例中，電動(dòng) 機(jī)之一，例如電動(dòng)機(jī)122用作主電動(dòng)機(jī)，而其余電動(dòng)機(jī)124、126、1 用作從電動(dòng)機(jī)。換言之， 主電動(dòng)機(jī)122控制從電動(dòng)機(jī)124、126、128，使得從電動(dòng)機(jī)124、126、128跟隨主電動(dòng)機(jī)122。 因此，電動(dòng)機(jī)122、124、126、128的運(yùn)轉(zhuǎn)同步性得到改善，并可以在鋸切處理期間得到維持。根據(jù)可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可以設(shè)置兩個(gè)或更多個(gè)線 軸以用于形成至少一個(gè)線網(wǎng)。例如，可以使用三個(gè)甚至四個(gè)線軸來提供線。由此，根據(jù)不同 的實(shí)施例，可以提供鋸切出更薄晶片(例如，在ΙΟΟμπι至170μπι的范圍內(nèi))的方法。通常， 更薄的晶片也需要以更高的速度進(jìn)行鋸切，例如具有在2 μ m/s至12 μ m/s的范圍內(nèi)的材料 饋送速率，通常為約5 μ m/s至7 μ m/s。與單根線的系統(tǒng)相比，通過具有兩個(gè)或更多個(gè)線軸并因此具有兩根或多根線，可 以減少每根線上的載荷。通常，對于單線線網(wǎng)，與雙線線網(wǎng)相比由于相對于線表面積而言的 晶片表面的增大導(dǎo)致載荷增大。這樣增大的載荷可以導(dǎo)致較低的切割速度。因此，利用兩 根或更多根線可以提高切割速度，例如可以提供高效的切割面積，或12m2/s的切割面積速率。此外，根據(jù)可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的另一些實(shí)施例，可以在增大切割 面積的情況下，使用更薄的線，例如具有80 μ m至120 μ m厚度的線。通常，線厚度在線的使 用過程中減小。因此，如果將單根線用于較大的切割面積，則線將變薄直至導(dǎo)致線的斷裂。 因此，使用兩根線來建立線網(wǎng)(例如，連續(xù)的線網(wǎng))，一方面減小了線上的載荷并因此允許 更高的切割速度，另一方面允許使用更薄的線，這允許更小的線距因而增大了切割面積。考慮到以上情況，可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例可以包括具 有120 μ m或100 μ m的厚度或者更小的厚度，可以包括例如鉆石線，并且/或者，可以具有 120 μ m以下被配置為用于線的槽。返回圖1，線鋸裝置100包括對線進(jìn)行導(dǎo)引的四個(gè)線導(dǎo)引筒112、114、116、118，使 得其形成線網(wǎng)200。要被鋸切的材料，例如半導(dǎo)體材料的塊體302、304、306、308可以安裝至 保持器。例如，硅錠302、304、306、308可以安裝至圖1中未示出但將在下文說明的支持機(jī) 構(gòu)。為了鋸切塊體302、304、306、308，塊體302、304、306、308朝向線網(wǎng)200下降。線以可觀 的速度(例如，從IOm/s至20m/s，通常在13m/s與15m/s之間)沿著線移動(dòng)方向215,225 傳送。當(dāng)塊體302、304、306、308壓靠線網(wǎng)200的工作區(qū)域210、220中的線200時(shí)，移動(dòng)的 線研磨半導(dǎo)體材料，因此將塊體302、304、306、308鋸切為具有預(yù)定寬度Dl的薄切片。這樣 的切片例如可以用作半導(dǎo)體工業(yè)中的晶片。在一時(shí)間線網(wǎng)中正與要被鋸切的材料接觸的線 的總長度可以被稱為有效線切割長度。在一些實(shí)施例中，有效線切割長度是700米或更大， 具體而言，有效線切割長度可以大于900m。此外，要被鋸切的材料下降到線網(wǎng)中的速度可以 被稱為材料饋送速率。在一些實(shí)施例中，材料饋送速率在2 μ m/s至12 μ m/s的范圍內(nèi)，通 常為約5 μ m/s至7ym/s。由于線導(dǎo)引裝置110的幾何形狀，線網(wǎng)200包括第一工作區(qū)域210和第二工作區(qū) 域220。鋸切處理可以在工作區(qū)域210、220兩者中同時(shí)進(jìn)行，由此提高了線鋸裝置100的容 量(即，半導(dǎo)體材料的量)。此外，在所示實(shí)施例中，各工作區(qū)域210、220足夠大，使得在每 個(gè)工作區(qū)域210 ；220中可以處理兩個(gè)半導(dǎo)體材料的塊體302、304 ；206，308。在一個(gè)實(shí)施例 中，在工作區(qū)域210、220中線網(wǎng)200沿著線移動(dòng)方向215、225的工作長度在500mm至600mm之間。在根據(jù)本文所述的實(shí)施例的線鋸裝置100中，線導(dǎo)引裝置110和至少一個(gè)線管理 單元130適于提供線網(wǎng)200，使得提供12m2/h或更高的有效切割面積或切割速率。在一些 實(shí)施例中，在一次切割中鋸切的總切割表面達(dá)約160m2。在一些實(shí)施例中，在單次切割內(nèi)獲 得的晶片數(shù)量達(dá)5，000或更多。在一些實(shí)施例中，機(jī)器占地為約10至14m2。因此，根據(jù)本 文所述的實(shí)施例的線鋸裝置與傳統(tǒng)線鋸裝置相比提供了提高的效率和更高的產(chǎn)量。圖3示出了根據(jù)另一實(shí)施例的線鋸裝置102的示意性正視圖。線鋸裝置102包括 與上述線管理單元130類似的另一線管理單元140。線供應(yīng)卷筒144提供新線238，收線線 軸148將用過的線248重新卷繞。如圖4A所示，線管理單元130提供了用于第一線網(wǎng)204 的第一線，而線管理單元140提供了用于形成第二線網(wǎng)208的第二線。第一線網(wǎng)204位于 線導(dǎo)引筒112,114的前端側(cè)，而第二線網(wǎng)208位于線導(dǎo)引筒112,114的與電動(dòng)機(jī)122,1242 相鄰的后端側(cè)。在第一線網(wǎng)204中，線的兩個(gè)相鄰的股或線條間隔開距離D1，而在第二線 網(wǎng)208中，線的兩個(gè)相鄰的股或線條間隔開距離D2。此外，第一線網(wǎng)204、第二線網(wǎng)208間 隔開距離DW。但是，距離D1、D2和DW通過線導(dǎo)引筒112、114中的槽來界定。因?yàn)檫@些槽 是等間距的，所以距離Dl和D2可以相同，并且DW可以被選擇為相同。此外，線導(dǎo)引筒驅(qū)動(dòng) 第一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208兩者，使得線速度對于第一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208而言相 同。因?yàn)榈诙€管理單元140相對于第一線管理單元204構(gòu)成鏡像，所以線饋送方向和線 重新卷繞方向被逆轉(zhuǎn)。此外，第一線網(wǎng)204在線導(dǎo)引筒的中部受到饋送?？紤]到以上情況， 第一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208具有相同的屬性并呈現(xiàn)為單個(gè)連續(xù)的網(wǎng)200。換言之，通過第 一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208形成合成網(wǎng)200，其中，合成網(wǎng)的屬性連續(xù)，由此對于切割處理而 言不存在與單個(gè)網(wǎng)的區(qū)別。具體而言，合成網(wǎng)200適于切割半導(dǎo)體材料的塊體。包括由分 立的線網(wǎng)204、208形成的合成網(wǎng)200的實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，一個(gè)網(wǎng)在工作區(qū)域210、220中 的線長度與如圖2所示的單線網(wǎng)相比僅是其一半長度。當(dāng)使用線儲(chǔ)備中相同量的線時(shí)，可 以被用于鋸切的線長度成為雙倍。根據(jù)可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，網(wǎng)的第一部分與網(wǎng)的第二 部分(這兩部分形成了連續(xù)的網(wǎng))之間的距離DW可以與距離Dl或距離D2相同。因此，第 一和第二網(wǎng)的相鄰線之間的間隔可以例如是300 μ m或更小，通常為200 μ m至250 μ m。圖4B示出了根據(jù)如圖4A所示的實(shí)施例的線鋸裝置的示意性側(cè)視圖。其中，可以看 到，第一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208在線導(dǎo)引筒112上布置成排。此外，在此實(shí)施例中，半導(dǎo) 體材料的第一或前塊體302F位于第一網(wǎng)204的工作區(qū)域中。此外，半導(dǎo)體材料的第二或前 塊體302R位于第二網(wǎng)208的工作區(qū)域中。在鋸切處理期間，此外，前塊體302F被第一線網(wǎng) 204切割，而前塊體302R被第二線網(wǎng)208切割。在典型的實(shí)施例中，各塊體將具有約250mm 的縱向長度并將具有156mm乘156mm的表面。應(yīng)該理解，也可以對于其他位置304、306和 308選擇兩個(gè)相繼的半導(dǎo)體材料塊體的相同布置。由此，如圖3所示的鋸切裝置適于同時(shí)鋸 切8個(gè)半導(dǎo)體材料塊體，即，利用第一網(wǎng)204的工作區(qū)域210鋸切兩個(gè)上前塊體302F、304F， 利用第一線網(wǎng)204的工作區(qū)域220鋸切兩個(gè)下前塊體306F、308F，利用第二線網(wǎng)208的工作 區(qū)域210鋸切兩個(gè)上后塊體302R、304R，并利用第二線網(wǎng)208的工作區(qū)域220鋸切兩個(gè)后塊 體306R、308R。在這種布置中，可以在單次鋸切處理中獲得高達(dá)6000個(gè)或更多個(gè)晶片。此 外，上述布置提高了冗余性。例如，當(dāng)在第一線網(wǎng)204、208的一者中發(fā)生線斷裂時(shí)，其余網(wǎng)仍可以用于鋸切半導(dǎo)體材料。因此，僅損失了半批產(chǎn)品，而不是整批產(chǎn)品。因此，顯著地提 高了效率和產(chǎn)量。圖5A示出了根據(jù)又一實(shí)施例的線鋸裝置的示意性俯視圖?？傮w構(gòu)造與如圖4A和 4B所示的實(shí)施例類似。但是，第一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208的縱向長度減小，使得在網(wǎng)的 開始端和結(jié)束端處設(shè)置寬度G的間隙。換言之，在線導(dǎo)引筒112上間隙G不用于提供線網(wǎng)。 由此，與如圖4A所示并還由虛線所示的配置相比，第一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208中的每一 者均具有減小的長度。因此，第一線網(wǎng)204與第二線網(wǎng)208之間的距離可以被確定為DW = 2G+D1。當(dāng)然，如果需要，也可以增大距離DW?，F(xiàn)在參照圖5B來說明這種布置的效果，其中，圖5B示出了根據(jù)如圖5A所示的實(shí) 施例的線鋸裝置的示意性側(cè)視圖。前框體302F和后框體302R的斜線區(qū)域表示半導(dǎo)體材料 的將不會(huì)被第一線網(wǎng)204和第二線網(wǎng)208切割的部分。換言之，半導(dǎo)體塊體302F、302R的前 端和后端可以在鋸切處理中被忽略。因?yàn)榘雽?dǎo)體塊體經(jīng)常在這些部分中包含雜質(zhì)和硬點(diǎn)， 所以可以降低線斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。此外，可以省略在切出晶片之前對塊體的“裁剪”(即，切掉頭 部和尾部)。因此，可以減少操作步驟的數(shù)量。圖6示出了根據(jù)實(shí)施例的線導(dǎo)引筒的示意性側(cè)視圖。其中，線導(dǎo)引筒112不是精 確的筒狀的，而是具有雙錐體的形狀。每個(gè)錐體鋸在小直徑端部處具有較小的直徑DS，并在 大直徑端部處具有較大的直徑DL。錐體被布置為使得后錐體的小直徑端部和前錐體的大直 徑端部彼此鄰接。線導(dǎo)引筒112的前錐體適于導(dǎo)引第一線網(wǎng)204，并且線導(dǎo)引筒112的后錐 體適于導(dǎo)引第二線網(wǎng)208。小直徑DS與大直徑DL之間的差DD被選擇為使得對在線網(wǎng)的饋 送端與線網(wǎng)的重新卷繞端之間的線內(nèi)的張力損失進(jìn)行補(bǔ)償。例如，這樣的張力損失可能由 于在鋸切處理期間線的磨損而產(chǎn)生。例如，可能需要額外的約Imm長度來補(bǔ)償該張力損失。 在具有四個(gè)線導(dǎo)引筒的鋸切機(jī)器中，例如如圖3所示的鋸切裝置，Imm的額外長度將均分在 四個(gè)線導(dǎo)引筒之間。因此，差DD對于每個(gè)筒而言將是0. 25mm，加起來在錐體的大直徑端處 額外長度的總和為1mm。在僅使用兩個(gè)線導(dǎo)引筒的鋸切機(jī)器中，差DD對于每個(gè)筒而言將是 0. 5mm，加起來也在錐體的大直徑端處額外長度的總和為1mm。圖7示出了根據(jù)又一實(shí)施例的線鋸裝置104的示意性正視圖。如上所述，線導(dǎo)引裝 置Iio適于形成線網(wǎng)200的兩個(gè)工作區(qū)域210、220。線鋸裝置104還包括第一保持器410 和第二保持器420。第一保持器410和第二保持器420每個(gè)均適于保持要被鋸切的材料塊 體。第一保持器410保持上塊體302、304，而第二保持器420保持下塊體306、308。第一保 持器410位于線網(wǎng)200的第一工作區(qū)域210的上方，而第二保持器420位于線網(wǎng)200的第 二工作區(qū)域220的上方。第一保持器410和第二保持器420適于在鋸切處理期間使其各自 的塊體向網(wǎng)200前進(jìn)。例如，第一保持器410和第二保持器420下降，使得各半導(dǎo)體塊體接 觸網(wǎng)200。在一個(gè)實(shí)施例中，第一保持器410的移動(dòng)獨(dú)立于第二保持器420的移動(dòng)。具體而 言，第一保持器410和第二保持器420可以相對于線網(wǎng)200的相應(yīng)工作區(qū)域210、220獨(dú)立地 移動(dòng)。例如，第一保持器410和第二保持器420可以受到分立的驅(qū)動(dòng)和控制。第一保持器 410和第二保持器420的這種獨(dú)立移動(dòng)是有效的，這是因?yàn)榫W(wǎng)200的線不見研磨塊體302、 304,306,308的材料，而且還研磨線導(dǎo)引筒的表面涂層。由于此研磨，線導(dǎo)引筒的直徑隨著 時(shí)間減小。由此，上工作區(qū)域210的平面下降，而下工作區(qū)域220的平面上移。換言之，網(wǎng) 200的上工作區(qū)域210和下工作區(qū)域220沿著相對方向移動(dòng)而彼此接近。為了控制該鋸切處理，并且具體而言在考慮上述研磨效應(yīng)的情況下，上第一保持器410和下第二保持器420 可以獨(dú)立地受到控制。例如，第一保持器410可以下降較多而下第二保持器420可以下降 較少，以補(bǔ)償直徑減小效應(yīng)。雖然對具有兩個(gè)線管理單元的以上實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng) 理解的是，上第一保持器410和下第二保持器420的獨(dú)立控制也可以應(yīng)用于具有僅單個(gè)線 管理單元的鋸切裝置。圖8示出了上工作區(qū)域210的細(xì)節(jié)，具體而言，根據(jù)本發(fā)明的噴嘴布置。其中，工 作區(qū)域210中的線沿著線移動(dòng)方向215從工作區(qū)域210的開始側(cè)201向工作區(qū)域210的結(jié) 束側(cè)202移動(dòng)。此外，第一噴嘴510被安裝在開始側(cè)201附近。第一噴嘴510適于將漿液 500涂布于線網(wǎng)200。通常，漿液500包含研磨顆粒，而線用作用于所述研磨顆粒的載體。 第一噴嘴510適于在線沿著線移動(dòng)方向215從開始側(cè)201向結(jié)束側(cè)202移動(dòng)了大致前一半 之前涂布漿液500。換言之，第一噴嘴510適于在線切割通過半導(dǎo)體塊體302之前涂布漿 液500。除了第一噴嘴510之外，第二噴嘴520安裝在開始側(cè)201與姿態(tài)改變抑制分量確定 部分202之間。此外，第二噴嘴520適于將漿液500涂布于線網(wǎng)200。但是，第二噴嘴520 被定位為使得在線沿著線移動(dòng)方向215從開始側(cè)201向結(jié)束側(cè)202移動(dòng)了大致后一半之前 涂布漿液500。例如，第二噴嘴520可以位于線導(dǎo)引筒之間的大致中途。在另一實(shí)施例中， 第二噴嘴520位于第一塊體302與第二塊體304之間。因此，第二噴嘴520可以在線已經(jīng) 切割通過第一塊體302之后并在線的該部分切割通過第二塊體304之前將漿液500涂布于 網(wǎng)。因?yàn)橥ㄟ^切割第一塊體302使由第一噴嘴510涂布的漿液至少部分地得到使用，所以 通過第二噴嘴520額外涂布漿液改善了鋸切裝置的鋸切屬性。但是，第二噴嘴520與線網(wǎng) 200的距離獨(dú)立于鋸切半導(dǎo)體材料302、304的鋸切處理。例如，第二噴嘴520不與半導(dǎo)體塊 體302、304 —起下降，而是維持相對于網(wǎng)200的固定位置。在一個(gè)實(shí)施例中，第二噴嘴520 與網(wǎng)之間的距離DN由于上述研磨效應(yīng)而被認(rèn)為不相關(guān)。具體而言，第二噴嘴520將通常不 會(huì)安裝至適于使要被鋸切的材料下降的保持器或類似機(jī)構(gòu)。因?yàn)榈诙娮?20與線網(wǎng)的距 離獨(dú)立于鋸切處理，所以可以在恒定條件下以恒定的質(zhì)量將漿液涂布于網(wǎng)200。圖9示出了根據(jù)實(shí)施例的模塊化切割頭700的示意性立體圖。模塊化切割頭700 包括左部保持器710、右部保持器720、以及柱體730，左部保持器710和右部保持器720可 以安裝至柱體730。左部保持器710包括前部714和后部716經(jīng)由梁鏈接。左部保持器710 的梁在圖7中被遮擋，但右部保持器720的梁7 被示出。左部保持器710的梁與梁7 類似地形成。左部保持器710的前部712包括上開口 717和下開口 718。相似地，左部保持 器710的前部714包括上開口 719和下開口。左部保持器710的上開口 717、719彼此同軸 地對準(zhǔn)。相似地，左部保持器710的下開口也彼此同軸地對準(zhǔn)。左部保持器710的開口適 于使得線導(dǎo)引筒能夠安裝在前部712與前部714之間。此外，連接器715從左部保持器的 前部712沿著與梁垂直的方向突伸。右部保持器720非常類似于左部，并包含朝向左部保 持器710的連接器715突伸的連接器725。連接器715、725兩者均適于一起形成左部保持 器710與右部保持器720之間的剛性連接。此外，柱體730包括與左部保持器710和右部 保持器720的梁大體平行地延伸的突伸梁735。在一個(gè)實(shí)施例中，突伸梁735、以及左部保 持器710和右部保持器720的梁適于剛性地固定于彼此。在另一實(shí)施例中，柱體730以及 左部保持器710和右部保持器720的后部適于剛性地固定于彼此。此外，柱體730安裝在平臺(tái)740上。在上述實(shí)施例中，左部保持器710和右部保持器720界定了彼此之間(因而 是線網(wǎng)200的)在線移動(dòng)方向215上的可調(diào)長度。具體而言，可以利用連接器715和725 調(diào)節(jié)左部保持器710與右部保持器720之間的橫向距離。例如，連接器715、725可以是本 身可調(diào)節(jié)的。在其他實(shí)施例中，可以制造不同組的左部和右部保持器710、720，每組界定了 在左部保持器與右部保持器之間用于一個(gè)或多個(gè)工作區(qū)域的不同長度。例如，切割頭模塊 化可以允許其中四個(gè)較小的錠料或兩個(gè)較大的錠料受到處理的構(gòu)造，或者其中兩個(gè)較小的 錠料或兩個(gè)較大的錠料受到處理的構(gòu)造。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，通常，可應(yīng)用的 構(gòu)造將由用戶在定購鋸切裝置時(shí)進(jìn)行選擇，并將在裝置制造之后保持不變。但是，與利用單 個(gè)一體化的鑄鐵件的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，模塊化切割頭允許各部件的預(yù)先制造并還允許較高的 靈活性。圖IOA和IOB示出了線斷裂檢測單元800的實(shí)施例。線斷裂檢測單元800可以相 對于線網(wǎng)電偏壓。線斷裂檢測單元800具有多個(gè)偏壓部分810和在偏壓部分810之間的多 個(gè)開口 820。在一個(gè)實(shí)施例中，線斷裂檢測單元800是具有多個(gè)槽口 820的導(dǎo)電板，其形成 了導(dǎo)電部分810構(gòu)成的柵。槽口 820可以形成為豎直槽口(圖10A)或水平槽口(圖10B)。 通常，線斷裂檢測單元800位于線導(dǎo)引筒與線管理單元之間。在一個(gè)實(shí)施例中，將電壓施加 至線網(wǎng)200。在正常工作期間，線網(wǎng)200和線斷裂檢測單元800不接觸。但是，在線斷裂的情 況下，線的松懈端將接觸線斷裂檢測單元800，從而將線網(wǎng)200接地?？梢詸z測此情況，并可 以發(fā)出線斷裂警告。在另一實(shí)施例中，將電位施加至線斷裂檢測單元800，并將線網(wǎng)200接 地。類似地，可以檢測斷裂線的松懈端與線斷裂檢測單元800之間的接觸。但是，在切割區(qū) 域內(nèi)，大量漿液被涂布于網(wǎng)。由于線速度，并由于鋸切處理，漿液和研磨材料的混合物在鋸 切裝置內(nèi)飛濺。因此，漿液和研磨材料會(huì)蓄積在線斷裂檢測單元800上，從而劣化線與板之 間的電接觸。但是，漿液和/或研磨材料可以通過開口 820離開，使得線斷裂檢測單元800 的面對工作區(qū)域的表面不像整塊的板那樣受到污染。由此，提高了線斷裂檢測的可靠性和 精確性。圖11示出了晶片盒900和晶片筐930、940的實(shí)施例。晶片盒900適于收納通過噴 嘴510、520涂布的漿液，并在一些實(shí)施例中也適于收納清潔液體，例如水、聚乙二醇(PEG)、 或本領(lǐng)域公知的任意其他合適的清潔液體。此外，晶片盒900包括第一排出管線910和第 二排出管線920。第一排出管線910包括第一閥915，第二排出管線920包括第二閥。第一 排出管線910適于使?jié){液500通過，并在一些實(shí)施例中連接至漿液罐(未示出)使得晶片 盒900中的漿液500可以得到循環(huán)利用。在一個(gè)實(shí)施例中，漿液罐具有數(shù)百升(例如在500 至900升之間)的容量，并安裝在輪子上。通常，漿液500將在其可以被再次使用之前經(jīng)過 再處理。第二排出管線920適于使清潔液體通過，具體而言是水、聚乙二醇(PEG)、或本領(lǐng)域 公知的任意其他合適的清潔液體。通常，例如對于油基漿液和用作清潔液體的水而言，漿液 和清潔液體不會(huì)混合。因此，漿液和清潔液體可以分開并應(yīng)該分別處理。例如，在涂布漿液 500的情況下進(jìn)行鋸切處理期間，第二閥925可以關(guān)閉。當(dāng)?shù)谝婚y915打開時(shí)，在鋸切處理 期間涂布的漿液可以經(jīng)由第一排出管線910排出。在漿液已經(jīng)排出之后，第一閥915關(guān)閉， 并且第二閥925可以打開。然后，清潔液體可以施加于經(jīng)鋸切的半導(dǎo)體材料塊體302、304。 清潔液體被收納在晶片盒900中，并可以在第二閥925打開時(shí)經(jīng)由第二排出管線920排出。根據(jù)本文所述的一些實(shí)施例，清潔處理可以在原地進(jìn)行。由此，晶片盒和/或殼體(例如見圖12)可以用于在線鋸裝置中導(dǎo)引清潔流體，并避免由清潔流體對部件的污染。 根據(jù)又一實(shí)施例，在導(dǎo)引筒中具有用于相鄰線的槽之間的距離為200 μ m至400 μ m(例如， 300μπι或更小)的線鋸裝置中，進(jìn)行原地清潔。對于較薄的晶片(這與較小的線槽間隔相 關(guān))，線斷裂成為越發(fā)嚴(yán)重的問題。因此，傳送到分立的清潔室會(huì)導(dǎo)致更高比例的晶片受損， 而降低產(chǎn)量。進(jìn)行原地清潔也可以降低在線已經(jīng)從晶片之間移除之后晶片粘附在一起的可 能性。與薄晶片的原地清潔相比，這將進(jìn)一步使得晶片的異地清潔變得復(fù)雜，并會(huì)導(dǎo)致進(jìn)一 步增多的晶片斷裂和損傷。因此，可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些線鋸裝置的實(shí) 施例可以包括從以下元件的群組中選擇的至少一個(gè)元件晶片盒、用于清潔其中的晶片的 殼體、分別用于漿液和清潔流體的不同排出管線、清潔流體沖洗噴嘴、以及其組合；以及線 導(dǎo)引筒，其在該導(dǎo)引筒中具有用于相鄰線的槽之間的距離為200 μ m至400 μ m。考慮到以上情況，可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例可以包括具有 120 μ m或更小厚度的線，可以包括例如鉆石線，并/或可以具有被配置為用于120 μ m或更 小的線的槽。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片筐930、940可以被設(shè)置在晶片盒900內(nèi)。晶片筐適于容納 經(jīng)鋸切的半導(dǎo)體材料塊體302、304。在鋸切處理之后，塊體包含仍然與保持器410連接的多 個(gè)晶片。如將在下文更詳細(xì)說明的，本申請解釋了將這晶片從保持器410原地拆卸的方法。 晶片筐930、940具有開口 935、945，漿液和/或清潔液體可以通過所述開口進(jìn)入和/或離開 晶片筐930、940的內(nèi)部。具體而言，這樣的開口可以設(shè)置在晶片筐930、940的前壁和/或 后壁以及側(cè)壁和底部中。在一個(gè)實(shí)施例中，通過遵循矩形盒的邊緣的金屬框來形成晶片筐 930、940。此外，晶片筐930、940可移除地插入晶片盒900中，使得晶片筐930、940與晶片 一起可以從晶片盒900內(nèi)移除。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片盒900包括位于鋸切裝置的與電動(dòng) 機(jī)相對的前端處的前門(未示出)。因此，晶片筐可以經(jīng)由前門容易地從晶片盒900內(nèi)移 除。在一個(gè)實(shí)施例中，晶片筐930、940被安裝在晶片盒900內(nèi)的軌道上。圖12示出了根據(jù)實(shí)施例的線鋸裝置108的示意性正視圖。其中，線鋸裝置108包 括至少部分地圍繞其中將半導(dǎo)體材料鋸切為半導(dǎo)體晶片的工作區(qū)域的殼體180。此外，線鋸 裝置108包括用于在殼體180內(nèi)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的原地清潔的清潔裝置。在一個(gè)實(shí)施例中， 清潔裝置如圖13所示包括具有管道405的梁400。其中，梁400的下部具有多個(gè)管道405。 例如，多個(gè)大體平行的縱向管道405。在管道405的一端處，清潔液體可以供應(yīng)至管道405。 在將在下文更詳細(xì)說明的處理中，可以建立在管道405與位于相鄰晶片間的空間之間的流 體連通。因此，可以利用清潔液體沖洗晶片，以從晶片表面去除漿液和/或研磨材料。清潔 液體可以被收納在晶片盒900中，并且清潔晶片可以被容納在晶片筐930、940中。在另一實(shí)施例中，還設(shè)置了用于在殼體180內(nèi)進(jìn)行將半導(dǎo)體晶片與保持器410、 420和/或梁400分離的原地分離的分離裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，清潔裝置和分離裝置在如 下方面是一體化的通過在已經(jīng)執(zhí)行了晶片清潔之后將熱水供應(yīng)至管道405，來完成晶片 的拆卸。熱水將晶片與梁400脫離，使得晶片被收納在可以經(jīng)由例如晶片盒900中的前門 移除的晶片筐930、940中。在另一實(shí)施例中，如將在下文更詳細(xì)說明的，通過線網(wǎng)200來切 斷晶片與梁400之間的連接。同樣在此情況下，拆卸后的晶片將被收納在晶片筐930、940 中。圖14是根據(jù)實(shí)施例的清潔方法1100的流程圖。具體而言，清潔方法是用于在線鋸裝置的殼體內(nèi)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的原地清潔的方法。清潔方法1100包括將半導(dǎo)體材料塊體 安裝至具有至少一個(gè)用于饋送清潔流體的管道的梁。在又一步驟1120中，利用線鋸裝置鋸 切半導(dǎo)體材料塊體，以獲得多個(gè)半導(dǎo)體晶片。在又一步驟1130中，對梁進(jìn)行鋸切，使得建立 在至少一個(gè)管道與位于半導(dǎo)體晶片間的空間之間的流體連通。例如，線網(wǎng)可以被切割為至 少一個(gè)管道以提供流體連通。在另一實(shí)施例中，當(dāng)線網(wǎng)位于至少一個(gè)管道內(nèi)時(shí)，停止鋸切。 在又一步驟1140中，將清潔流體供應(yīng)至至少一個(gè)管道，以清潔半導(dǎo)體晶片。根據(jù)實(shí)施例，清 潔液體是水。在另一實(shí)施例中，清潔液體是聚乙二醇(PEG)。可選地或者附加地，可以單獨(dú) 地或者與其他清潔液體混合地使用本領(lǐng)域公知的任意其他合適的清潔液體。在又一實(shí)施例 中，供應(yīng)清潔液體達(dá)8至20min，具體而言10至15min。根據(jù)另一實(shí)施例，以61/min至121/ min的量供應(yīng)清潔液體。根據(jù)又一實(shí)施例，清潔流體是具有50°C以下溫度的晶片。在圖14未示出的又一實(shí)施例中，還在步驟1140之后將拆卸液體供應(yīng)至至少一個(gè) 管道。因此，半導(dǎo)體晶片從梁拆離，并例如可以被收納在晶片筐內(nèi)。根據(jù)又一實(shí)施例，拆卸 液體是具有70°C或更高溫度的熱水，具體而言80°C至90°C。在又一實(shí)施例中，供應(yīng)拆卸液 體達(dá)8至20min，具體而言10至15min。在又一實(shí)施例中，以61/min至121/min的量供應(yīng) 拆卸液體。在又一實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片在從梁拆離的同時(shí)被晶片筐支撐。圖15是根據(jù)實(shí)施例的拆卸方法1200的流程圖。具體而言，拆卸方法是用于在鋸 切之后將半導(dǎo)體晶片從梁拆卸的方法。方法1200包括利用線鋸裝置沿著預(yù)定切片平面的 方向鋸切半導(dǎo)體材料塊體以獲得多個(gè)半導(dǎo)體晶片的步驟1210。在又一步驟1220中，沿著 預(yù)定切片平面的方向鋸切半導(dǎo)體晶片所安裝至的梁。在此步驟1220之后，鋸切出的晶片仍 安裝至梁。為了將晶片從梁拆卸，在步驟1230中沿著與預(yù)定切片平面大體垂直的方向鋸切 梁。換言之，切割方向從與線網(wǎng)的平面垂直的方向改變?yōu)樵诰€網(wǎng)的平面內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例 中，至少以一個(gè)半導(dǎo)體晶片的厚度，來與切割平面垂直地切割梁。因?yàn)楦骶瑑H通過與晶片 自身厚度相同的棒連接至梁，所以垂直切割僅具有晶片厚度的長度以將該棒切斷即可。因 此，晶片從梁拆卸。在又一實(shí)施例中，當(dāng)梁被切割時(shí)，由晶片筐支撐半導(dǎo)體晶片。在又一實(shí) 施例中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，上述方法可以在具有管道的梁和不具有管道的 梁上進(jìn)行。考慮到以上情況，根據(jù)本文說明的一些實(shí)施例，可以在原地進(jìn)行分離。根據(jù)又一實(shí) 施例，在導(dǎo)引筒中用于相鄰線的槽之間的距離為200 μ m至400 μ m的線鋸裝置中，進(jìn)行原地 分離。對于較薄的晶片，其與較小的線槽間隔相關(guān)，晶片斷裂變得越發(fā)嚴(yán)重。因此，傳輸在另 一晶片分離室中會(huì)導(dǎo)致更高比例的晶片受到損傷，并降低產(chǎn)量。也可以進(jìn)行原地晶片分離， 以降低在已經(jīng)將線從晶片之間去除之后晶片粘附在一起的可能性。與薄晶片的原地清潔相 比，這將進(jìn)一步使得晶片的異地清潔變得復(fù)雜，并會(huì)導(dǎo)致進(jìn)一步增多的晶片斷裂和損傷。雖然已經(jīng)參照四個(gè)線導(dǎo)引筒對前述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可 以理解的是，類似地，對于具有僅兩個(gè)線導(dǎo)引筒的實(shí)施例，也可以應(yīng)用上述構(gòu)思中的大部 分。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的一個(gè)實(shí)施例，用于鋸 切至少一個(gè)半導(dǎo)體材料塊體的線鋸裝置包括適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成至少一個(gè)線網(wǎng)的線 導(dǎo)引裝置，每個(gè)均適于將線提供給線導(dǎo)引裝置的至少兩個(gè)線管理單元，其中至少兩個(gè)線管 理單元中的第一線管理單元提供第一線以形成第一線網(wǎng)，至少兩個(gè)線管理單元中的第二線 管理單元提供第二線以形成第二線網(wǎng)，其中第一線網(wǎng)和第二線網(wǎng)一起形成了合成線網(wǎng)，合成線網(wǎng)是連續(xù)的，并適于切割所述至少一個(gè)半導(dǎo)體材料塊體。因此，根據(jù)可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的典型實(shí)施例，線鋸裝置包括第一 展開線軸和第一卷繞線軸以及第二展開線軸和第二卷繞線軸。此外，第一保持器用于保持 兩個(gè)半導(dǎo)體材料塊體，第一保持器被配置為鋸切在第一工作區(qū)域中的兩個(gè)塊體，第二保持 器用于保持另兩個(gè)半導(dǎo)體材料塊體，第二保持器被配置為鋸切在第二工作區(qū)域中的兩個(gè)塊 體。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，每個(gè)均保持半導(dǎo)體材料塊體的第一和第二保持器 每個(gè)均可以分離，使得兩個(gè)子保持器被配置為鋸切第一工作區(qū)域中的塊體，兩個(gè)子保持器 被配置為鋸切在第二工作區(qū)域中的塊體。根據(jù)又一實(shí)施例，在工作期間，用于保持半導(dǎo)體材料塊體的一個(gè)或多個(gè)保持器可 以彼此獨(dú)立地相對于線網(wǎng)的表面移動(dòng)。由此，對于例如由于半導(dǎo)體材料中不能被鋸切的雜 質(zhì)導(dǎo)致不能鋸切一個(gè)半導(dǎo)體材料塊體的情況，其余的保持器可以移動(dòng)以進(jìn)行半導(dǎo)體材料的 切割。這減小了在切割期間可能發(fā)生問題的情況下材料的損失。通常，根據(jù)本文所述的一些實(shí)施例，可以提供較大的切割區(qū)域和例如12m2/h的較 大的有效切割速率。由此，可以提供從由以下方面構(gòu)成的群組選擇的方面中的一者或多者 可以例如通過四個(gè)線導(dǎo)引筒提供兩個(gè)工作區(qū)域；可以使用兩個(gè)線管理單元因此可以使用兩 根線來形成網(wǎng)；全部線導(dǎo)引筒可以由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)，通常以主從模式驅(qū)動(dòng)；可以基于線的減 少研磨來使用在線導(dǎo)引筒中的多個(gè)槽的較小槽距；可以基于每根線的減小的面積來實(shí)現(xiàn)較 高的切割速度。根據(jù)可以與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的另外一些實(shí)施例，例如可以將鉆 石線用于這些線鋸裝置。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的另一實(shí)施例，用 于鋸切半導(dǎo)體材料的線鋸裝置包括適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成至少一個(gè)線網(wǎng)的至少兩個(gè)工 作區(qū)域的線導(dǎo)引裝置，用于將線提供給線導(dǎo)引裝置的至少一個(gè)線管理單元，以及每個(gè)用于 保持至少一個(gè)半導(dǎo)體材料塊體的至少兩個(gè)保持器，所述至少兩個(gè)保持器中的每個(gè)保持器對 應(yīng)于所述至少一個(gè)線網(wǎng)的工作區(qū)域，其中，所述至少兩個(gè)保持器可以相對于所述至少一個(gè) 線網(wǎng)的對應(yīng)工作區(qū)域進(jìn)行獨(dú)立的移動(dòng)。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例，用 于鋸切半導(dǎo)體材料的線鋸裝置包括適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成至少一個(gè)線網(wǎng)的線導(dǎo)引裝 置，其中線網(wǎng)的工作區(qū)域中的線沿著線移動(dòng)方向從工作區(qū)域的開始側(cè)向工作區(qū)域的結(jié)束側(cè) 移動(dòng)；安裝在開始側(cè)附近的第一噴嘴，其用于在線沿著線移動(dòng)方向從工作區(qū)域的開始側(cè)到 工作區(qū)域的結(jié)束側(cè)的大致前一半移動(dòng)之前將漿液提供在線網(wǎng)上；以及安裝在開始側(cè)與結(jié)束 側(cè)之間的第二噴嘴，其用于在線沿著線移動(dòng)方向從工作區(qū)域的開始側(cè)到工作區(qū)域的結(jié)束側(cè) 的大致后一半移動(dòng)之前將漿液提供在線網(wǎng)上，其中第二噴嘴與線網(wǎng)的距離與鋸切半導(dǎo)體材 料的鋸切處理相獨(dú)立。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例，用 于鋸切半導(dǎo)體材料的線鋸裝置包括切割頭；適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成至少一個(gè)線網(wǎng)的線 導(dǎo)引裝置，其中在線網(wǎng)的工作區(qū)域中的線沿著線移動(dòng)方向從工作區(qū)域的開始側(cè)向工作區(qū)域 的結(jié)束側(cè)移動(dòng)，其中切割頭包括用于保持線導(dǎo)引裝置的至少第一筒的左部保持器以及用于 保持線導(dǎo)引裝置的至少第二筒的右部保持器，并且其中左部保持器和右部保持器界定了線 網(wǎng)的沿著線移動(dòng)方向的可調(diào)長度。
在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的一個(gè)實(shí)施例 中，用于鋸切半導(dǎo)體材料的線鋸裝置包括適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成至少一個(gè)線網(wǎng)的線導(dǎo) 引裝置，以及適于被偏壓以進(jìn)行線斷裂檢測的線斷裂檢測單元，其中線斷裂檢測具有多個(gè) 偏壓部分，和形成在偏壓部分之間的多個(gè)開口。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的另一實(shí)施例 中，線斷裂檢測單元是具有多個(gè)開口的導(dǎo)電板。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特 征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，多個(gè)開口是形成導(dǎo)電部分的柵的多個(gè)槽口。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例 中，用于鋸切半導(dǎo)體材料的線鋸裝置包括適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成用于鋸切半導(dǎo)體材料 的至少一個(gè)線網(wǎng)的線導(dǎo)引裝置，其中半導(dǎo)體材料被鋸切為半導(dǎo)體晶片的殼體，以及用于在 殼體內(nèi)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的原地清潔的清潔裝置。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例 中，清潔裝置是用于在殼體內(nèi)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的原地清潔并用于在殼體內(nèi)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片 的原地分離的清潔和分離裝置。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合 地采用的又一實(shí)施例中，線鋸裝置可以包括用于收納漿液和/或清潔液體的晶片盒。在根 據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，晶片盒包括 至少一個(gè)用于清潔液體的出口閥和至少一個(gè)用于漿液的出口閥，使得清潔液體和漿液可以 分別地從晶片盒去除。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的 又一實(shí)施例中，線鋸裝置包括晶片筐，晶片筐適于尤其在將晶片從鋸切期間晶片所安裝至 的梁拆卸之后用于保持晶片。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地 采用的又一實(shí)施例中，晶片筐的側(cè)壁和/或底壁包括至少一個(gè)開口，漿液和/或清潔液體可 以從晶片筐通過所述至少一個(gè)開口分配。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地 或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例，晶片筐被容納在晶片盒內(nèi)。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí) 施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，晶片筐包括至少一個(gè)門，晶片筐可以通 過所述至少一個(gè)門從晶片盒移除。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例，一 種用于半導(dǎo)體晶片的原地清潔的方法，包括以下步驟將半導(dǎo)體材料塊體安裝至具有用于 饋送清潔流體的至少一個(gè)管道的梁；利用線鋸裝置鋸切半導(dǎo)體材料塊體以獲得多個(gè)半導(dǎo)體 晶片，并還鋸切梁，使得建立至少一個(gè)管道與半導(dǎo)體晶片間的空間之間的流體連通；以及將 清潔流體供應(yīng)至至少一個(gè)管道以清潔半導(dǎo)體晶片。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例 中，線網(wǎng)切割到至少一個(gè)管道中以提供流體連通。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或 特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，當(dāng)線網(wǎng)位于至少一個(gè)管道內(nèi)時(shí)，停止鋸切。在根 據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，梁包括平行 布置的多個(gè)圓筒管道。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又 一實(shí)施例，清潔液體是水。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采 用的又一實(shí)施例中，清潔液體是聚乙二醇(PEG)。在又一實(shí)施例中，清潔液體可以是可以單 獨(dú)或與其他合適的清潔液體混合使用的本領(lǐng)域公知的另一清潔液體。在根據(jù)可以與本文所 述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，供應(yīng)清潔液體達(dá)8至20min，具體而言10至15min。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的 又一實(shí)施例，以61/min至121/min的量供應(yīng)清潔液體。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例 或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例，清潔液體是具有50°C以下溫度的水。在根據(jù)可 以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，還將拆卸流體供 應(yīng)至至少一個(gè)管道，使得半導(dǎo)體晶片從梁拆卸。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征 分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例，拆卸液體是具有70°C或更高溫度(具體而言80°C至 90°C)的熱水。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí) 施例中，供應(yīng)拆卸液體達(dá)8至20min，具體而言10至15min。在根據(jù)可以與本文所述的任一 實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，以61/min至121/min的量供應(yīng)拆卸流 體。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，半 導(dǎo)體晶片在從梁拆卸的情況下由晶片筐支撐。根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例，一 種用于將半導(dǎo)體晶片在鋸切之后從梁拆卸的方法包括以下步驟利用線鋸裝置沿著預(yù)定切 片平面的方向鋸切半導(dǎo)體材料塊體以獲得多個(gè)半導(dǎo)體晶片，沿著預(yù)定切片平面的方向鋸切 半導(dǎo)體晶片所安裝至的梁，以及沿著與預(yù)定鋸切平面大體垂直的方向鋸切梁。在根據(jù)可以與本文所述的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例 中，以至少一個(gè)半導(dǎo)體晶片厚度的長度，與切片平面垂直地切割梁。在根據(jù)可以與本文所述 的任一實(shí)施例或特征分離地或結(jié)合地采用的又一實(shí)施例中，在切割梁時(shí)，半導(dǎo)體晶片由晶 片筐支撐。雖然前文對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是可以在不偏離本發(fā)明的基本范圍的 情況下實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求界定。
權(quán)利要求
1.一種線鋸裝置(100，102，104)，其用于鋸切半導(dǎo)體材料(300)，并包括線導(dǎo)引裝置(110)，其包括至少四個(gè)線導(dǎo)引筒(112，114，116，118)，并適于對線進(jìn)行導(dǎo) 引以形成用于鋸切半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)線網(wǎng)(200)并形成第一和第二工作區(qū)域；以及兩個(gè)或更多個(gè)線管理單元(130)，其被配置為每個(gè)均將線供應(yīng)給所述線導(dǎo)引裝置 (110)，其中，每個(gè)所述線導(dǎo)引筒均具有多個(gè)槽，其中相鄰的槽具有400 μ m或更小的距離。
2.一種線鋸裝置(100，102，104)，其用于鋸切半導(dǎo)體材料(300)，并包括線導(dǎo)引裝置(110)，其適于對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成用于鋸切半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)線網(wǎng) (200)；以及兩個(gè)或更多個(gè)線管理單元(130)，其用于將線供應(yīng)給所述線導(dǎo)引裝置(110)，其中，至 少一個(gè)線管理單元適于提供所述至少一個(gè)線網(wǎng)000)，使得提供12m2/h的有效切割面積速率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線鋸裝置，其中，所述線導(dǎo)引裝置(110)包括多個(gè)線導(dǎo)引筒 (112，114，116，118)，其中，每個(gè)線導(dǎo)引筒(112，114，116，118)連接至具體而言用于直接驅(qū) 動(dòng)所述線導(dǎo)引筒的至少一個(gè)電動(dòng)機(jī)(122，124，126，128)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線鋸裝置，其中，所述線導(dǎo)引裝置包括至少四個(gè)線導(dǎo)引筒 (112，114，116，118)，每個(gè)所述線導(dǎo)引筒連接至至少四個(gè)電動(dòng)機(jī)(122，124，126，128)中的 一個(gè)，所述至少四個(gè)電動(dòng)機(jī)中的每個(gè)均適于直接驅(qū)動(dòng)對應(yīng)的線導(dǎo)引筒，其中，所述至少四個(gè) 電動(dòng)機(jī)中的一個(gè)電動(dòng)機(jī)(112)用作主電動(dòng)機(jī)，并且所述至少四個(gè)電動(dòng)機(jī)中的其余電動(dòng)機(jī) (124，126，128)用作跟隨所述主電動(dòng)機(jī)的從電動(dòng)機(jī)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，其中，由所述線導(dǎo)引裝置(110)形成 至少兩個(gè)工作區(qū)域010，220)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，其中，由一個(gè)工作區(qū)域OlO；220)對 至少兩個(gè)半導(dǎo)體材料塊體(302，304 ；306, 308)進(jìn)行處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，包括至少兩個(gè)線管理單元(130， 140)，每個(gè)所述線管理單元均適于將線提供給所述線導(dǎo)引裝置，其中，所述至少兩個(gè)線管理 單元中的第一線管理單元(130)提供第一線以形成第一線網(wǎng)004)，并且所述至少兩個(gè)線 管理單元中的第二線管理單元(140)提供第二線以形成第二線網(wǎng)(208)；并且其中，所述第一和第二線網(wǎng)(204，208) —起形成了合成線網(wǎng)000)，所述合成線網(wǎng) (200)是連續(xù)的，并適于切割至少一個(gè)半導(dǎo)體材料塊體。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，其中，所述線導(dǎo)引筒中的每個(gè)均具有 多個(gè)槽，其中，相鄰的槽具有300 μ m或更小的距離，并通常具有200 μ m或更小的距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，其中，所述線鋸裝置(110)適于形成至少一個(gè)線網(wǎng)(200)的至少兩個(gè)工作區(qū)域Ο10，220)； 并還包括至少一個(gè)線管理單元(130，140)，其用于將線提供給所述線導(dǎo)引裝置；至少兩個(gè)保持器010，420)，其用于保持至少一個(gè)半導(dǎo)體材料塊體(302，304，306， 308)，所述至少兩個(gè)保持器中的每個(gè)保持器010，420)與所述至少一個(gè)線網(wǎng)(200)的工作 區(qū)域(210，220)相對應(yīng)，其中，所述至少兩個(gè)保持器(410，420)可以獨(dú)立地相對于所述至少 一個(gè)線網(wǎng)(200)的對應(yīng)工作區(qū)域(210，220)移動(dòng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，其中，所述線網(wǎng)的工作區(qū)域(210， 220)中的所述線沿著線移動(dòng)方向(215)從所述工作區(qū)域(210)的開始側(cè)Q01)向所述工作 區(qū)域O10)的結(jié)束側(cè)(202)移動(dòng)；所述線鋸裝置還包括第一噴嘴(510)，其安裝在所述開始側(cè)O01)附近以在所述線沿著從所述工作區(qū)域 (210)的所述開始側(cè)O10)至所述工作區(qū)與的結(jié)束側(cè)O02)在線移動(dòng)方向(215)上的大致 前半部移動(dòng)之前將漿液(500)提供在所述線網(wǎng)(200)上；以及第二噴嘴(520)，其安裝在所述開始側(cè)(201)和所述結(jié)束側(cè)(202)附近以在所述線沿 著從所述工作區(qū)域O10)的所述開始側(cè)(210)至所述工作區(qū)與的結(jié)束側(cè)(202)在線移動(dòng)方 向(21 上的大致后半部移動(dòng)之前將漿液(500)提供在所述線網(wǎng)(200)上，其中，所述第二 噴嘴(520)與所述線網(wǎng)(202)的距離獨(dú)立于鋸切所述半導(dǎo)體材料塊體(302，304)的鋸切處 理。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，還包括切割頭；其中，所述線網(wǎng)(200)的工作區(qū)域O10)中的所述線沿著線移動(dòng)方向(215)從所述工 作區(qū)域的開始側(cè)O01)向所述工作區(qū)域的結(jié)束側(cè)(202)移動(dòng)；其中，所述切割頭包括用于保持所述線導(dǎo)引裝置(110)的至少第一筒(112)的左部 保持器(710)和用于保持所述線導(dǎo)引裝置的至少第二筒(114)的右部保持器(720)，并且 其中，所述左部保持器(710)和所述右部保持器(720)界定了所述線網(wǎng)在所述線移動(dòng)方向 (215)上的可調(diào)長度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，還包括線斷裂檢測單元(800)，其適于被偏壓以進(jìn)行線斷裂檢測，其中，所述線斷裂檢測單元 (800)具有多個(gè)偏壓部分(810)和位于所述偏壓部分之間的多個(gè)開口(820)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的線鋸裝置，其中，所述線斷裂單元(800)是具有多個(gè)開口 (810)的導(dǎo)電板，具體而言是具有形成導(dǎo)電部分的柵的多個(gè)槽口的導(dǎo)電板。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，還包括殼體(180)，在所述殼體中將所述半導(dǎo)體材料鋸切為半導(dǎo)體晶片；清潔裝置000，405)，其用于在所述殼體內(nèi)對所述半導(dǎo)體晶片的原地清潔。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的線鋸裝置，其中，所述清潔裝置(400，405)是用于在所述殼 體內(nèi)對所述半導(dǎo)體晶片的原地清潔并用于在所述殼體內(nèi)對所述半導(dǎo)體晶片的原地分離的 清潔和分離裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的線鋸裝置，還包括用于收納漿液(500)和/或清潔液 體的晶片盒(900)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，還包括晶片筐(930，940)，所述 晶片筐尤其適于在將所述晶片從所述晶片在鋸切處理期間所安裝至的梁(400)拆卸之后 保持所述晶片。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的線鋸裝置，其中，所述現(xiàn)金裝置被配置為用于 將所述半導(dǎo)體材料鋸切為具有170 μ m或更薄厚度的半導(dǎo)體晶片。
19.一種用于半導(dǎo)體晶片的原地處理的方法，包括以下步驟將半導(dǎo)體材料塊體安裝至梁；利用線鋸裝置鋸切所述半導(dǎo)體材料塊體以獲得多個(gè)半導(dǎo)體晶片，其中所述鋸切在殼體 中進(jìn)行；供應(yīng)清潔流體以在所述殼體內(nèi)清潔所述半導(dǎo)體晶片；以及 將所述清潔流體收納在晶片盒中。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述多個(gè)晶片具有170μπι或更小的厚度。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的用于半導(dǎo)體晶片的原地處理的方法，還包括以下步驟將所述晶片彼此分離并與所述半導(dǎo)體晶片所安裝至的梁分離。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的用于半導(dǎo)體晶片的原地處理的方法，其中，所述分離步驟 包括以下步驟沿著預(yù)定切片平面的方向鋸切所述晶片所安裝至的所述梁；以及 沿著與所述預(yù)定切片平面垂直的方向鋸切所述梁。
23.一種用于半導(dǎo)體晶片的原地清潔的方法，包括以下步驟將半導(dǎo)體材料塊體安裝至梁，所述梁具有用于饋送清潔流體的至少一個(gè)管道； 利用線鋸裝置鋸切所述半導(dǎo)體材料塊體以獲得多個(gè)半導(dǎo)體晶片，并還鋸切所述梁，使 得建立在所述至少一個(gè)管道與位于所述半導(dǎo)體晶片間的空間之間的流體連通；以及 將清潔流體供應(yīng)至所述至少一個(gè)管道以清潔所述半導(dǎo)體晶片。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，還包括以下步驟將拆卸流體供應(yīng)至所述至少一個(gè)管道，使得所述半導(dǎo)體晶片與所述梁拆卸。
25.一種用于將半導(dǎo)體晶片在鋸切之后從梁拆卸的方法，包括以下步驟利用線鋸裝置沿著預(yù)定切片平面的方向鋸切所述半導(dǎo)體材料塊體以獲得多個(gè)半導(dǎo)體 沿著所述預(yù)定切片平面的方向鋸切所述半導(dǎo)體晶片所安裝至的梁；以及 沿著與所述預(yù)定切片平面大體垂直的方向鋸切所述梁。
全文摘要
提供了一種用于鋸切半導(dǎo)體材料的線鋸裝置，所述線鋸裝置包括線導(dǎo)引裝置(110)，其對對線進(jìn)行導(dǎo)引以形成用于鋸切半導(dǎo)體材料的至少一個(gè)線網(wǎng)(200)；以及至少一個(gè)線管理單元(130)，其用于均將線供應(yīng)給所述線導(dǎo)引裝置(110)，并且所述至少一個(gè)線管理單元(130)適于提供所述至少一個(gè)線網(wǎng)，使得提供12m2/h或更高的有效切割面積速率。
文檔編號(hào)H01L21/301GK102067288SQ200980122392
公開日2011年5月18日 申請日期2009年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月14日
發(fā)明者開德里克·湯門, 斯特凡·施奈貝爾格, 菲利普·M·納什 申請人:應(yīng)用材料公司