專利名稱：電子襯底內(nèi)的同心通路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及多層電子襯底，且明確地說(shuō)涉及具有多壁通路的電子襯底。
背景技術(shù)：
通路為電耦合多層襯底(例如多層印刷電路板襯底或封裝襯底)的導(dǎo)電層的經(jīng)鍍 敷的孔。常規(guī)通路具有一個(gè)連接不同導(dǎo)電層的信號(hào)路徑。在具有許多電信號(hào)的密集封裝設(shè) 計(jì)中，可能需要不同導(dǎo)電層之間的許多連接，且由通路及其相關(guān)聯(lián)捕獲襯墊所占據(jù)的空間 可能足以擴(kuò)展襯底的總體大小。將需要增加電信號(hào)密度而不伴隨地增加由通路及其捕獲襯 墊所占據(jù)的空間。

發(fā)明內(nèi)容
在一方面中，提供一種在具有多個(gè)導(dǎo)電層的電子襯底中的多壁信號(hào)攜載通路 (via)結(jié)構(gòu)。所述多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)包括a)外部通路，其用于耦合到襯底的一對(duì)導(dǎo)電 層，所述外部通路形成在所述對(duì)導(dǎo)電層之間的第一信號(hào)路徑；b)內(nèi)部通路，其位于外部通 路內(nèi)，用于耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層，所述內(nèi)部通路形成在所述對(duì)導(dǎo)電層之間的第二信號(hào)路徑； 及c)電介質(zhì)層，其位于內(nèi)部通路與外部通路之間。在另一方面中，提供一種具有多個(gè)導(dǎo)電層的電子襯底。所述襯底包括多壁信號(hào)攜 載通路結(jié)構(gòu)，所述多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)具有a)外部通路，其耦合到襯底的一對(duì)導(dǎo)電層， 所述外部通路形成第一信號(hào)路徑；b)內(nèi)部通路，其位于外部通路內(nèi)且耦合到同一對(duì)導(dǎo)電 層，所述內(nèi)部通路形成第二信號(hào)路徑；及c)電介質(zhì)層，其位于內(nèi)部通路與外部通路之間。在又一方面中，提供一種制備襯底中的多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)的方法。所述方法 包含a)提供具有多個(gè)導(dǎo)電層的電子襯底；b)形成耦合到一對(duì)導(dǎo)電層且形成第一信號(hào)路徑 的第一通路；c)在第一通路內(nèi)沉積第一電介質(zhì)層；及d)在第一通路內(nèi)且穿過(guò)第一電介質(zhì)層 形成第二通路，第二通路經(jīng)耦合到同一對(duì)導(dǎo)電層且形成第二信號(hào)路徑。多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)可提供兩個(gè)或兩個(gè)以上信號(hào)路徑，其互連電子襯底的同一 對(duì)導(dǎo)電層，但占據(jù)常規(guī)的一個(gè)路徑通路的空間。因此，多壁通路結(jié)構(gòu)提供增加的信號(hào)密度。 多壁通路結(jié)構(gòu)還可提供在類似長(zhǎng)度的路徑上的信號(hào)路由(例如在信號(hào)的差分對(duì)的情況)。前述內(nèi)容已相當(dāng)廣泛地概述了本發(fā)明的特征及技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，以便于可更好地理解以 下的詳細(xì)描述。以下將描述形成權(quán)利要求書的主題的額外特征及優(yōu)點(diǎn)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人 員應(yīng)了解所揭示的概念及特定實(shí)施例可易于用作修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)以用于執(zhí)行本發(fā)明 的相同目的的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認(rèn)識(shí)到，所述等效構(gòu)造并不脫離如在所附權(quán) 利要求書中闡述的本發(fā)明的精神及范圍。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，從以下描述將更好地理解據(jù) 信為本發(fā)明的特性的新穎特征(關(guān)于其組織及操作方法兩者)以及其它目的及優(yōu)點(diǎn)。然而 應(yīng)明確了解，僅出于說(shuō)明及描述的目的而提供附圖中的每一者，且其并不既定作為本發(fā)明 的限制的定義。
附圖說(shuō)膽為更完全地理解本發(fā)明，現(xiàn)結(jié)合附圖參考以下描述。

圖1為電子襯底中的多壁通路結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2為多壁通路結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖3為多層電子襯底的剖視圖；圖4為通孔的剖視圖；圖5為經(jīng)鍍敷的通孔的剖視圖；圖6為通路的剖視圖；圖7為填充有電介質(zhì)材料的通路的剖視圖；圖8為通路內(nèi)的通孔的剖視圖；圖9為通路內(nèi)的經(jīng)鍍敷的通孔的剖視圖；以及圖10為在通路結(jié)構(gòu)上方的阻焊掩模的剖視圖。
具體實(shí)施例方式參看圖1所展示的實(shí)施例，說(shuō)明具有兩個(gè)內(nèi)部導(dǎo)電層104及106以及兩個(gè)外部導(dǎo) 電層108及110的電子封裝102。每一導(dǎo)電層通過(guò)電介質(zhì)材料112與另一導(dǎo)電層分開(kāi)。電 子襯底可為例如積層(buildup)或?qū)訅憾鄬佑∷㈦娐钒寤蛘叻e層或?qū)訅悍庋b襯底的任何 多層襯底。常規(guī)多層襯底可通過(guò)以下過(guò)程而制備通過(guò)將單面層壓件的一個(gè)或一個(gè)以上層 添加到核心層壓件的每一面而使所述核心層壓件積層。用于層壓件中的電介質(zhì)材料的實(shí)例 包括(但不限于)FR-2酚醛棉紙、FR-4玻璃織物及環(huán)氧樹(shù)脂、G-IO玻璃織物及環(huán)氧樹(shù)脂、 CEM-I棉紙及環(huán)氧樹(shù)脂、CEM-3玻璃織物及環(huán)氧樹(shù)脂、CEM-5玻璃織物及聚酯、聚酰亞胺及通 常用于制備多層襯底的其它電介質(zhì)材料。圖1及圖2中所展示的實(shí)施例中包括多壁通路結(jié)構(gòu)114。多壁通路結(jié)構(gòu)114包含 在外部通路118內(nèi)的內(nèi)部通路116，且可被視作具有“通路內(nèi)通路(via within a via)”的 設(shè)計(jì)。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“多壁”指所述“通路內(nèi)通路”的設(shè)計(jì)。為方便起見(jiàn)，內(nèi)部通路116 及外部通路118可被描述為“同心”，其中理解“同心”描述了通路內(nèi)通路的設(shè)計(jì)而非通路的 實(shí)際對(duì)準(zhǔn)。因此，通路可能實(shí)際上彼此同心或可能并非實(shí)際上彼此同心。內(nèi)部通路116及 外部通路118兩者耦合到同一對(duì)導(dǎo)電層，在此狀況下為外部導(dǎo)電層108、110。電介質(zhì)材料層 120使內(nèi)部通路116與外部通路118電絕緣。接點(diǎn)122、124分別使內(nèi)部通路116及外部通路 118耦合到外部導(dǎo)電層108、110。在實(shí)施例中，阻焊掩模126存在于多層襯底的兩個(gè)面上。雖然在此實(shí)施例中，描述了具有四個(gè)導(dǎo)電層的襯底，但在其它實(shí)施例中，襯底可具 有兩個(gè)、六個(gè)、八個(gè)、十個(gè)、十二個(gè)，或十二個(gè)以上導(dǎo)電層。因此，多壁通路結(jié)構(gòu)的壁可連接未 由介入導(dǎo)電層分開(kāi)或由兩個(gè)以上介入導(dǎo)電層分開(kāi)的若干對(duì)導(dǎo)電層。雖然描述了具有單一多壁通路結(jié)構(gòu)的襯底，但其它實(shí)施例包括具有一個(gè)以上多壁 通路結(jié)構(gòu)的襯底。一旦制備了具有一個(gè)或一個(gè)以上多壁通路結(jié)構(gòu)的襯底，即可將所述襯底并入用于 例如手機(jī)、計(jì)算機(jī)等的電子裝置中的組合件中。本文所描述的多壁通路結(jié)構(gòu)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為可使用現(xiàn)有的制造工藝制備多壁通路 結(jié)構(gòu)。
多壁通路結(jié)構(gòu)可通過(guò)以下方法制備，所述方法包含a)提供包含多個(gè)導(dǎo)電層的電 子襯底；b)形成耦合到一對(duì)導(dǎo)電層的第一通路；C)以電介質(zhì)材料填充第一通路；及d)在第 一通路內(nèi)且穿過(guò)電介質(zhì)材料形成第二通路，其中第二通路耦合到同一對(duì)導(dǎo)電層。在完成的 多壁通路結(jié)構(gòu)中，第一通路被視作外部通路，而第二通路被視作內(nèi)部通路?？赏ㄟ^(guò)以下方法制備通路，所述方法包含穿過(guò)襯底形成通孔(through hole)，接 著以導(dǎo)電材料鍍敷所述通孔。視例如孔的大小及便利性的考慮而定，通孔可通過(guò)打孔、鉆孔 或激光作用而制造。在一些實(shí)施例中，通路制備包括在鍍敷之前清潔通孔。通孔可通過(guò)濺 鍍或電鍍法而經(jīng)鍍敷或金屬化。舉例來(lái)說(shuō)，可涂覆無(wú)電鍍銅，繼之以電解銅。在鍍敷過(guò)程期 間可涂覆的其它金屬包括(但不限于)鎳、金、鈀或銀?；蛘?，可以導(dǎo)電聚合物鍍敷通孔。填充第一通路且使第一通路與第二通路分開(kāi)的電介質(zhì)材料可為環(huán)氧樹(shù)脂。電介 質(zhì)材料的其它實(shí)例包括(但不限于)聚苯(PPE)、環(huán)狀聚苯醚(armylated polyphenylene ether) (APPE)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、氰酸酯(三嗪)樹(shù)脂、聚四氟乙烯(PTFE)、雙馬來(lái)酰亞胺 三嗪(BT)樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚酯、酚系樹(shù)脂及聚苯醚酮(PEEK)。在圖3到圖10所展示的特定實(shí)施例中，現(xiàn)將描述示范性多壁通路的構(gòu)造。在圖3 中，提供包含多個(gè)導(dǎo)電層304、306、308、310的電子襯底302。在圖4中，通孔402穿過(guò)襯底 302而形成。在圖5中，導(dǎo)電材料502(例如銅)鍍敷于通孔402中及導(dǎo)電層304、310的對(duì) 的部分上。鍍敷于導(dǎo)電層304、310的對(duì)上的導(dǎo)電材料502經(jīng)遮蔽或圖案化以形成用于使第 一經(jīng)形成的通路606連接到導(dǎo)電層304、310的對(duì)的接點(diǎn)602、604，如圖6所展示。如圖7中所見(jiàn)，接著在壓力下以電介質(zhì)材料702(例如環(huán)氧樹(shù)脂)填充第一通路 606，其中電介質(zhì)材料702經(jīng)沉積在接點(diǎn)602、604的至少一部分上。電介質(zhì)材料702經(jīng)平坦 化及圖案化以移除過(guò)量電介質(zhì)材料。 如圖8中所見(jiàn)，內(nèi)部第二通路通過(guò)以下過(guò)程而制備穿過(guò)電介質(zhì)材料702且在第一 通路606內(nèi)形成通孔802。圖9展示在通孔802中及在經(jīng)圖案化電介質(zhì)材料702上的第二 導(dǎo)電材料902的鍍敷。如所見(jiàn)，經(jīng)鍍敷的導(dǎo)電材料902可經(jīng)遮蔽或圖案化以形成用于使經(jīng) 形成的第二通路908連接到導(dǎo)電層304、310的對(duì)的接點(diǎn)904、906。在此實(shí)施例中，電介質(zhì) 材料702在外部第一通路606與內(nèi)部第二通路908的接點(diǎn)602、604之間形成絕緣層910、 912。多壁通路結(jié)構(gòu)1002由圖3到圖10中所展示的實(shí)施例產(chǎn)生。在一些實(shí)施例中，阻焊掩 模1004、1006可涂覆于含有通路的襯底的兩個(gè)表面上，如圖10中所見(jiàn)。雖然描述了具有兩個(gè)通路的多壁通路結(jié)構(gòu)，但還提供具有三個(gè)或三個(gè)以上同心通 路的多壁通路結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)以下方法可將第三通路添加到多壁通路結(jié)構(gòu)1002，所述 方法包含以電介質(zhì)材料填充內(nèi)部第二通路，平坦化及圖案化電介質(zhì)材料，穿過(guò)電介質(zhì)材料 形成通孔，在通孔內(nèi)鍍敷導(dǎo)電材料，接著遮蔽或圖案化經(jīng)鍍敷的材料，其與圖7到圖10中所 展示的方法類似?？赏ㄟ^(guò)重復(fù)地在最內(nèi)部通路內(nèi)添加另一通路而包括額外通路。在某些實(shí) 施例中，提供具有三個(gè)或三個(gè)以上同心通路的多壁通路結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中，最內(nèi)部通路的空腔可用電介質(zhì)材料、導(dǎo)電材料填充或保持未經(jīng) 填充。在各種實(shí)施例中，一個(gè)通路的導(dǎo)電材料可與通路結(jié)構(gòu)的任何其它通路的導(dǎo)電材料 相同或不同。在某些實(shí)施例中，在多壁通路結(jié)構(gòu)的所有通路中，導(dǎo)電材料為銅。類似地，兩 個(gè)通路之間的電介質(zhì)材料可與使多壁通路結(jié)構(gòu)的任何其它兩個(gè)通路分開(kāi)的電介質(zhì)材料相同或不同。在其它實(shí)施例中，多壁通路結(jié)構(gòu)可連接若干對(duì)內(nèi)部導(dǎo)電層。舉例來(lái)說(shuō)，在四層襯底 中，可連接內(nèi)部?jī)蓚€(gè)導(dǎo)電層。此可通過(guò)以下過(guò)程而實(shí)現(xiàn)在具有兩個(gè)導(dǎo)電層的核心層壓件中 形成多壁通路結(jié)構(gòu)，接著將一層單面層壓件添加到核心的每一面。結(jié)果是具有連接內(nèi)部導(dǎo) 電層的多壁通路結(jié)構(gòu)的四層襯底。類似地，通過(guò)將一層單面層壓件添加到含有多壁通路結(jié) 構(gòu)的四層層壓件的兩個(gè)面，可制備具有連接第二導(dǎo)電層及第五導(dǎo)電層的多壁通路結(jié)構(gòu)的六 層襯底。以類似方式，可制備連接具有六個(gè)以上導(dǎo)電層的襯底的內(nèi)部導(dǎo)電層的多壁通路結(jié) 構(gòu)。多壁通路結(jié)構(gòu)的每一實(shí)施例提供互連同一對(duì)內(nèi)部或外部導(dǎo)電層的至少兩個(gè)信號(hào) 路徑。因?yàn)槎啾谕方Y(jié)構(gòu)所占據(jù)的空間與常規(guī)的一個(gè)路徑通路所占據(jù)的空間相當(dāng)，所以多 壁通路結(jié)構(gòu)提供增加的信號(hào)密度。此外，多壁通路結(jié)構(gòu)可包括于信號(hào)的差分對(duì)的電路中，使 得所述差分對(duì)的兩個(gè)成員具有類似路徑長(zhǎng)度。舉例來(lái)說(shuō)，使用常規(guī)的一個(gè)路徑通路，差分對(duì) 的一個(gè)成員連接到與另一成員不同的通路。視每一通路的位置而定，此可意味著差分對(duì)具 有不同總路徑長(zhǎng)度。與之相比，通過(guò)使用多壁通路結(jié)構(gòu)，差分對(duì)的總路徑長(zhǎng)度將是類似的， 因?yàn)椴罘謱?duì)的每一成員連接到同一多壁通路結(jié)構(gòu)。如本文所描述，多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)提供互連一對(duì)導(dǎo)電層的兩個(gè)或兩個(gè)以上信 號(hào)路徑，因此增加信號(hào)密度。雖然已詳細(xì)描述本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)了解在不脫離如由所附權(quán)利要求書所界定 的本發(fā)明的精神及范圍的情況下可在本文中進(jìn)行各種變化、取代和變更。此外，本申請(qǐng)案的 范圍并不既定限于說(shuō)明書中所描述的過(guò)程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟的特定 實(shí)施例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于從本發(fā)明而了解，可根據(jù)本發(fā)明利用執(zhí)行大體上與 本文中所描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例相同的功能或?qū)崿F(xiàn)大體上與本文中所描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例相同 的結(jié)果的現(xiàn)有或隨后待開(kāi)發(fā)的過(guò)程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟。因此，所附權(quán) 利要求書既定在其范圍中包括所述過(guò)程、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種在具有多個(gè)導(dǎo)電層的電子襯底中的多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)，其包含外部通路，其用于耦合到所述襯底的一對(duì)導(dǎo)電層，所述外部通路形成所述對(duì)導(dǎo)電層之 間的第一信號(hào)路徑；內(nèi)部通路，其位于所述外部通路內(nèi)，用于耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層，所述內(nèi)部通路形成所述 對(duì)導(dǎo)電層之間的第二信號(hào)路徑；以及電介質(zhì)層，其位于所述內(nèi)部通路與所述外部通路之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)，其中所述對(duì)層為外部導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)，其中所述對(duì)層為內(nèi)部核心導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包含至少一個(gè)額外通路，其位于所述內(nèi)部通路內(nèi)，用于耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層，所述至少一個(gè) 額外通路形成所述對(duì)導(dǎo)電層之間的另一信號(hào)路徑；以及電介質(zhì)層，其位于所述至少一個(gè)額外通路與所述內(nèi)部通路之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包含接觸區(qū)域，所述接觸 區(qū)域包含外部通路跡線及內(nèi)部通路跡線，所述跡線由經(jīng)圖案化電介質(zhì)層分開(kāi)。
6.一種具有多個(gè)導(dǎo)電層的電子襯底，所述襯底包含多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)，所述多壁 信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)包含外部通路，其耦合到所述襯底的一對(duì)導(dǎo)電層，所述外部通路形成第一信號(hào)路徑； 內(nèi)部通路，其位于所述外部通路內(nèi)且耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層，所述內(nèi)部通路形成第二信 號(hào)路徑；以及電介質(zhì)層，其位于所述內(nèi)部通路與所述外部通路之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子襯底，其中所述對(duì)層為外部導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子襯底，其中所述對(duì)層為內(nèi)部導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子襯底，其中所述多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含至少一個(gè)額外通路，其安置于所述內(nèi)部通路內(nèi)且耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層，所述至少一個(gè) 額外通路形成另一信號(hào)路徑；以及電介質(zhì)層，其位于所述至少一個(gè)額外通路與所述內(nèi)部通路之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子襯底，其中所述多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含接 觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域包含經(jīng)圖案化外部通路跡線及經(jīng)圖案化內(nèi)部通路跡線，所述跡線由 經(jīng)圖案化電介質(zhì)層分開(kāi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子襯底，其中所述電子襯底為印刷電路板襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子襯底，其中所述電子襯底為積層或?qū)訅阂r底。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子襯底，其中所述多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)被并入到信號(hào) 的差分對(duì)的信號(hào)路徑中。
14.一種制造襯底中的多壁信號(hào)攜載通路結(jié)構(gòu)的方法，其包含 提供包含多個(gè)導(dǎo)電層的電子襯底；形成耦合到一對(duì)所述導(dǎo)電層的第一通路，其形成所述對(duì)導(dǎo)電層之間的第一信號(hào)路徑； 在所述第一通路內(nèi)沉積第一電介質(zhì)層； 圖案化所述第一電介質(zhì)層；在所述第一通路內(nèi)且穿過(guò)所述第一電介質(zhì)層形成第二通路，所述第二通路耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層且形成所述對(duì)導(dǎo)電層之間的第二信號(hào)路徑。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第二通路由以下過(guò)程形成，所述過(guò)程包含 在所述第一通路內(nèi)且穿過(guò)所述第一電介質(zhì)層形成通孔；在所述通孔中及在所述對(duì)導(dǎo)電層中的每一層的一部分上鍍敷導(dǎo)電材料；以及圖案化鍍 敷于所述對(duì)導(dǎo)電層中的每一層的所述部分上的所述導(dǎo)電材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述對(duì)導(dǎo)電層為外部導(dǎo)電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述對(duì)導(dǎo)電層為內(nèi)部導(dǎo)電層。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述對(duì)導(dǎo)電層中的每一層上沉積阻 焊掩模。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包含 在所述第二通路內(nèi)沉積第二電介質(zhì)層；以及在所述第二通路內(nèi)形成額外通路，所述額外通路耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層且形成所述對(duì)導(dǎo) 電層之間的額外信號(hào)路徑。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其進(jìn)一步包含重復(fù)地進(jìn)行以下操作 在最內(nèi)部通路內(nèi)沉積電介質(zhì)材料；以及在所述最內(nèi)部通路內(nèi)形成另一通路，所述另一通路耦合到所述對(duì)導(dǎo)電層且形成另一信 號(hào)路徑。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在具有多個(gè)導(dǎo)電層的電子襯底中的多壁通路結(jié)構(gòu)。所述多壁通路結(jié)構(gòu)包括外部通路，其耦合到一對(duì)所述導(dǎo)電層；內(nèi)部通路，其位于所述外部通路內(nèi)且耦合到所述同一對(duì)導(dǎo)電層；及電介質(zhì)層，其位于所述內(nèi)部通路與外部通路之間。在各種實(shí)施例中，所述對(duì)導(dǎo)電層可為所述電子襯底的內(nèi)部導(dǎo)電層或外部導(dǎo)電層。在其它實(shí)施例中，提供一種制備多壁通路結(jié)構(gòu)的方法。
文檔編號(hào)H01L23/498GK102067305SQ200980123552
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2009年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日
發(fā)明者阿爾溫德·錢德拉舍卡朗 申請(qǐng)人:高通股份有限公司