專利名稱：光掩模等離子體蝕刻過程中的原位室干法清潔方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例主要涉及用于使用等離子體蝕刻來處理光掩模襯底的方法和設(shè) 備。具體來說，本發(fā)明涉及用于在光掩模襯底的等離子體蝕刻過程中的原位室干法清潔的 方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
微電子器件或集成電路器件的制造通常涉及需要在半導(dǎo)體、電介質(zhì)和導(dǎo)體襯底上 執(zhí)行數(shù)百個單獨步驟的復(fù)雜工藝序列。上述工藝步驟的示例包括氧化、擴散、離子注入、薄 膜沉積、清潔、蝕刻和光刻。使用光刻和蝕刻(經(jīng)常稱作圖案轉(zhuǎn)印步驟)，所需的圖案首先被 轉(zhuǎn)印至光敏材料層(例如光刻膠)，然后在隨后的蝕刻過程中被轉(zhuǎn)印至基底(underlying) 材料層。在光刻步驟中，覆蓋(blanket)光刻膠通過含有圖案的光罩(reticle)或光掩模 而暴露于輻射源，從而使得該圖案的圖像形成于光刻膠中，其中光罩或光掩模通常形成于 玻璃或石英襯底上所承載的含金屬層中。通過使得光刻膠在適當?shù)幕瘜W(xué)溶液中顯影，將光 刻膠的多個部分去除，因此產(chǎn)生了圖案化的光刻膠層。在光刻膠圖案用作掩模的情況下，例 如，使用干法蝕刻將基底材料層暴露于反應(yīng)環(huán)境，這導(dǎo)致圖案被轉(zhuǎn)印至基底材料層。

適合用于先進設(shè)備制造的可商購的光掩模蝕刻設(shè)備的示例是可從Santa Clara, California的Applied Materials, Inc.購得的TETRA 光掩模蝕刻系統(tǒng)。在微電子器件 的制造中，與通常的濕法化學(xué)蝕刻相比，由等離子處理(例如，光掩模等離子蝕刻處理)所 圖案化的含金屬層提供了更好的臨界尺寸控制。等離子體蝕刻技術(shù)被廣泛的應(yīng)用于半導(dǎo)體 和薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)工業(yè)中。在等離子室中對光掩模進行干法蝕刻的過程中，諸如鉻(Cr)、MoSi、石英、SiON或 鉭基化合物的材料可能被沉積并形成膜堆疊的層。一個膜堆疊的示例可能包括光刻膠、Cr 和石英的層。在執(zhí)行蝕刻之后，蝕刻副產(chǎn)品可能聚積并沉積在室的內(nèi)壁上。在蝕刻過程中 可以使用光學(xué)發(fā)射光譜(OES)來確定副產(chǎn)品。例如，當對Cr進行干法蝕刻時，通過OES發(fā) 現(xiàn)蝕刻副產(chǎn)品主要是具有一些Cr的光刻膠。當所沉積的蝕刻副產(chǎn)品達到一定厚度時，副產(chǎn) 品可能會脫離內(nèi)壁并由于落在襯底上而污染光掩模，這對光掩模造成不可恢復(fù)的缺陷。因 此，去除這樣沉積的蝕刻副產(chǎn)品是很重要的。一種通常的用于清潔等離子體室的方法是打開室然后拆卸其中的組件。其后，通 過物理或化學(xué)方法去除蝕刻副產(chǎn)品。例如，使用去離子水(DIW)和異丙醇(IPA)來清潔室 的組件和內(nèi)壁。但是，這樣的濕法清潔方法是很耗費時間的，導(dǎo)致了掩模產(chǎn)品減少的弊端。 在其他等離子室中還使用了原位干法清潔，但是還未得知適合于光掩模蝕刻工藝的可商業(yè) 應(yīng)用的原位干法清潔工藝。因此，需要適合于光掩模制造的改進的室清潔工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例包括用于在光掩模等離子體蝕刻之后原位室干法清潔的方法。在一個實施例中，提供了一種方法，其包括將諸如光掩模的襯底放置在支撐底座上；將處理 氣體引入處理室中；由處理氣體形成等離子體；在存在等離子體的情況下蝕刻設(shè)置在光掩 模上的含鉻層；從支撐底座移除光掩模；將偽襯底放置在底座上；和通過在偽襯底放置在 底座上時使含O2的清潔氣體流動通過處理室，來執(zhí)行原位干法清潔處理。
在另一實施例中，用于在光掩模等離子體蝕刻過程中原位室干法清潔的方法包 括將光掩模放置在設(shè)置于處理室中的支撐底座上；在施加偏壓功率時，對設(shè)置在光掩模 上的含鉻層進行等離子體蝕刻；從處理室移除蝕刻掩模；和在從處理室移除所蝕刻的光掩 模之后，在存在由含O2清潔氣體所形成的清潔等離子體和不存在偏壓功率的情況下，執(zhí)行 原位干法清潔處理。在一個實施例中，用于原位室干法清潔的方法包括使用無氯清潔等離子體。在另 一實施例中，用于原位室干法清潔的方法包括使用含氯和氧的清潔等離子體。在另一實施 例中，用于原位室干法清潔的方法包括在不存在偏壓功率的情況下的清潔等離子體。


以便可以詳細理解本發(fā)明的上述特征，通過參考實施例可以獲得上面簡要概括的 本發(fā)明的更加具體的描述，附圖中舉例說明了一些實施例。但是，應(yīng)當注意，因為本發(fā)明可 以允許其他等效的實施例，所以附圖只是舉例說明本發(fā)明的典型實施例，因此不應(yīng)當被認 為是對本發(fā)明范圍的限制。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于光掩模等離子體蝕刻的處理室的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于在光掩模等離子體蝕刻之后清潔等離子 體室的方法的流程圖；和圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的、在被用作清潔氣體時氧氣(O2)與氯氣 (Cl2)之間的穩(wěn)態(tài)條件比較的示圖。為便于理解，可能的情況下，使用相同的附圖標記來表示多個附圖共有的相同的 元素?？梢钥紤]到，一個實施例中出現(xiàn)的元素可以有利的用于其它實施例而無需具體描述。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例提供了在光掩模等離子體蝕刻過程中原位室干法清潔的方法和 設(shè)備。圖1示出了可以實施本發(fā)明的蝕刻反應(yīng)器100的示意圖。適合與在此公開的教導(dǎo) 一同使用的合適的反應(yīng)器例如包括可從Santa Clara, California的Applied Materials, Inc.購得的 Decoupled Plasma Source ( DPS H)反應(yīng)器或TETRA Photomask 蝕刻系 統(tǒng)。在此所示的反應(yīng)器100的具體實施例用于進行說明，而不應(yīng)當被用于限制本發(fā)明的范 圍?？梢灶A(yù)見本發(fā)明可以用于其它等離子體處理室，包括來自其他制造商的等離子體處理 室。反應(yīng)器100通常包括處理室102和控制器146，所述處理室102具有位于導(dǎo)電主體 (壁)104中的襯底底座124。處理室102具有大致平坦的電介質(zhì)頂板或頂蓋108。處理室 102的其他修改可以具有其他類型的頂板，例如圓頂形頂板。天線110設(shè)置在頂板108上 方，并且包括了可以被選擇性地控制的一個或多個感應(yīng)線圈元件(圖1中示出了兩個同軸元件IlOa和110b)。天線110通過第一匹配網(wǎng)絡(luò)114耦合到等離子體功率源112，所述等 離子體功率源112通常能夠在從約50kHz到約13. 56MHz的可調(diào)頻率下高達約3000W。
襯底底座(陰極)124通過第二匹配網(wǎng)絡(luò)142耦合到偏壓功率源140。偏壓源140 通常是能夠產(chǎn)生連續(xù)或脈沖功率的、在約13. 56MHz頻率下的高達約500W的源?？蛇x的，功 率源140可以是DC或脈沖DC功率源。在一個實施例中，襯底底座124包括靜電卡盤160，該靜電卡盤160具有至少一個 夾緊電極132并且由卡盤電源166所控制。在可選的實施例中，襯底底座124可以包括襯 底保持機構(gòu)，例如基座覆蓋環(huán)、機械卡盤等。光罩適配器182用于確保襯底(例如，掩模或光罩)122位于襯底底座124上。光 罩適配器182通常包括下部184和頂部186，下部184覆蓋底座124 (例如，靜電卡盤160) 的上表面并且頂部186具有開口 188，確定該開口 188的大小和形狀以支持襯底122。開口 188通常相對于底座124大致居中。適配器182通常由單塊耐蝕刻、耐高溫材料(例如聚酰 亞胺或石英)制成。邊緣環(huán)126可以覆蓋適配器182和/或?qū)⑦m配器182固定到底座124。舉升機構(gòu)138用于使適配器182以及襯底122降低到襯底底座124上或升高離開 襯底底座124。通常，舉升機構(gòu)162包括穿過各自的引導(dǎo)孔136的多個舉升銷130 (示出了 一個舉升銷)。在運行中，通過穩(wěn)定襯底底座124的溫度來控制襯底122的溫度。在一個實施例 中，襯底支撐底座124包括電阻加熱器144和散熱器128。電阻加熱器144通常包括至少 一個加熱元件134，并且由加熱器電源168進行調(diào)節(jié)。經(jīng)由氣體導(dǎo)管158將來自氣體源156 的背側(cè)氣體(例如，氦(He))提供到形成于襯底122下方的底座表面中的通道，以促進底座 124和襯底122之間的熱傳遞。在處理過程中，可以通過電阻加熱器144將底座124加熱 到穩(wěn)態(tài)溫度，這與背側(cè)氣體結(jié)合來促進襯底122的均勻加熱。使用上述熱控制，可以將襯底 122保持在約0到350攝氏度(V )之間的溫度。離子-自由基屏蔽件170可以在底座124上方設(shè)置在處理室102中。離子-自由 基屏蔽件170與室壁104和底座124電絕緣，使得不會提供從板到接地端的接地路徑。離 子-自由基屏蔽件170的一個實施例包括大致平坦的板172和對板172進行支撐的多個支 腳176?？梢杂煞瞎に囆枨蟮亩喾N材料制成的板172包括限定板172中的所需開口面積 的一個或多個開口(孔)174。該開口面積控制從形成在處理室102的上處理容積178中 的等離子體傳遞到位于離子_自由基屏蔽件170和襯底122之間的下處理容積180的離子 的量。開口面積越大，能夠穿過離子-自由基屏蔽件170的離子越多。同樣的，孔174的尺 寸控制容積180中的離子密度，并且屏蔽件170用作離子過濾器。板172還可以包括濾篩 (screen)或濾網(wǎng)，其中濾篩或濾網(wǎng)的開口面積與由孔174提供的所需開口面積相對應(yīng)?？?選的，還可以使用板與濾篩或濾網(wǎng)的組合。在處理過程中，由于來自等離子體的電子轟擊，在板172的表面上產(chǎn)生電勢。電勢 吸引來自等離子體的離子，從等離子體中有效地過濾離子，同時允許中性粒子(例如，自由 基)穿過板172的孔174。因此，通過減少穿過離子-自由基屏蔽件170的離子的量，可以 以更加受控的方式進行通過中性粒子或自由基進行的掩模蝕刻。這減小了對光刻膠的侵蝕 以及減少了光刻膠向圖案化的材料層的側(cè)壁上的濺射，因此導(dǎo)致了改善的蝕刻偏差和臨界 尺寸均勻性。
在等離子體蝕刻之前，從氣體面板120例如通過位于襯底底座124上方的一個或 多個入口 116(例如，開口、噴射器、噴嘴等)向處理室102提供一種或多種處理氣體。在圖 1的實施例中，使用環(huán)形氣體通道118將處理氣體提供到入口 116，該環(huán)形氣體通道118可 以形成在壁104中或者形成在連接到壁104的氣體環(huán)(如圖所示)中。在蝕刻過程中，通 過從等離子體源112向天線110施加功率來維持由處理氣體形成的等離子體。使用節(jié)流閥162和真空泵164來控制處理室102中的壓力?？梢允褂么┻^壁104 的容納液體的導(dǎo)管(未示出)來控制壁104的溫度。通常，室壁104由金屬(例如，鋁、不 銹鋼等)制成，并且連接到電氣接地端106。處理室102還包括用于過程控制、內(nèi)部診斷、終 點檢測等的常規(guī)系統(tǒng)。上述系統(tǒng)共同表示為支持系統(tǒng)154。在一個實施例中，可以使用光學(xué) 發(fā)射光譜(OES)作為終點檢測工具?？刂破?46包括中央處理器(CPU) 150、存儲器148和用于CPU 150的支持電路 152，并且如下詳細討論的，控制器146有助于處理室102的組件的控制并且照這樣有助于 蝕刻過程的控制?？刂破?46可以是能夠用在用于控制各種室和子處理器的工業(yè)設(shè)置中的 任何形式的通用計算機處理器中的一種。CPU 150的存儲器或計算機可讀介質(zhì)642可以是 一種或多種容易獲得的存儲器，例如，隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬 盤或者本地或遠程的任何其他形式的數(shù)字存儲器。支持電路152連接到CPU 150，用于以常 規(guī)方式對處理器提供支持。這些電路包括緩存、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路和子系統(tǒng) 等。發(fā)明方法通常作為軟件程序存儲在存儲器148中。可選的，這種軟件程序還可以由第 二 CPU(未示出)存儲和/或執(zhí)行，該第二 CPU與由CPU 150控制的硬件遠程地定位。圖2示出了用于蝕刻光掩模的方法200，其中包括了根據(jù)本發(fā)明的實施例的原位 室干法清潔。方法2 00開始于框202，在此時將襯底放置在處理室中的底座上。在其中存在 離子屏蔽件的實施例中，屏蔽件可以包括具有至少一種相互不同的特性(例如，材料或電 位偏置)的兩個區(qū)。待蝕刻的襯底可以包括光學(xué)透明的硅基材料，例如石英(即，氧化硅、 SiO2)，并具有設(shè)置在石英表面上的金屬不透光光屏蔽層。不透光光屏蔽金屬通常包括含鉻 的材料，例如鉻或氮氧化鉻。襯底還可以包括插入石英與鉻之間的、摻雜有鉬(Mo)的氮化 硅(SiN)層。在框204處，將一種或多種處理氣體通過氣體入口引入處理室中。示例性處理氣 體可以包括氧氣(O2)或含氧氣體(例如一氧化碳(CO))和/或含鹵素氣體(例如用于蝕刻 金屬層的含氯氣體)。處理氣體還可以包括惰性氣體或其他含氧氣體。一氧化碳被有利地用 于形成鈍化聚合物，所述鈍化聚合物沉積在形成于圖案化的光刻膠材料和經(jīng)蝕刻的金屬層 中的開口和圖案的表面(特別是側(cè)壁)上。含氯氣體選自由氯氣(C12)、四氯化硅(SiCl4)、 氯化氫(HCl)及其組合所組成的組，并且用于提供活性基以蝕刻金屬層?？蛇x的，DC偏壓可以被施加到離子_自由基屏蔽件的至少一個區(qū)。在框206處， 例如通過從等離子體功率源向天線施加在約200到約2000W之間的RF功率，來在離子-自 由基屏蔽件上方的處理容積中由一種或多種處理氣體形成等離子體。按照通過所施加的偏 壓和穿過離子-自由基屏蔽件的等離子體所建立的電位而確定的分布圖案，來自等離子體 的離子和中性粒子穿過離子-自由基屏蔽件。在下處理區(qū)域中通過離子和中性粒子來蝕刻 襯底。在框208處，從在處理室內(nèi)部的底座移除襯底，并且將偽襯底(dummy substrate)放置在底座上，而由偽襯底保護底座，執(zhí)行原位干法清潔。在一個實施例中，在框210處，原位干法清潔包括將含O2的清潔氣體(例如，第一清潔氣體)經(jīng)由氣體入口引入處理室中。由處理氣體形成等離子體以對室進行清潔?？蛇x 的，在框212處，可以將第二處理氣體經(jīng)由氣體入口引入處理室中，并用第一處理氣體將第 二處理氣體激勵到等離子體狀態(tài)。在框214處，當在處理室內(nèi)部執(zhí)行干法清潔時，使用OES 來執(zhí)行干法清潔過程的終點檢測，以確定是否已經(jīng)去除了處理室中的副產(chǎn)品。在一個實施 例中，還可以使用預(yù)定時間來確定副產(chǎn)品的去除。在完成清潔過程之后，處理室馬上準備好 下一次的蝕刻過程。在一個實施例中，可以使用氧氣(O2)作為第一處理氣體來執(zhí)行干法清潔，其中氧 氣具有在50到1000標準立方厘米每分鐘(sccm)之間(例如在約50到400sccm之間、諸如 約lOOsccm)的流速。氧氣可以被用來去除在光掩模蝕刻之后殘留的蝕刻副產(chǎn)品。因此，可 以從等離子體功率源向天線施加范圍在150到1500W之間(例如在約300到1000W之間、 諸如約600W)的RF功率。處理室中的壓力可以被控制在約2到50mTorr之間(例如在約 3到20mTorr之間、諸如約8mTorr)。外部/內(nèi)部線圈的功率比(CPR)可以被控制在15% 到85%之間(例如在約15%到75%、諸如約55% )。處理室可以暴露于處理氣體中持續(xù)約 200秒的時間段。在一個實施例中，清潔氣體是無氯的。在另一實施例中，在沒有偏壓功率的情況下 由清潔氣體形成清潔等離子體。在另一實施例中，還可以使用第二清潔氣體與第一清潔氣體一起來執(zhí)行干法清 潔?？梢匀缟纤龅靥峁┑谝磺鍧崥怏w?？梢砸?5到500SCCm之間(例如在約50到400sCCm 之間、諸如約lOOsccm)的流速提供氯氣(Cl2)作為第二清潔氣體。因此，可以從等離子體 功率源向天線施加范圍在150到1500W之間(例如在約300到1000W之間、更優(yōu)選地為約 600W)的RF功率。處理室中的壓力可以被控制在約2到50mTorr之間(優(yōu)選地在約3至Ij 20mTorr之間、諸如約8mTorr)。外部/內(nèi)部線圈的功率比(CPR)可以被控制在15%到85% 之間(優(yōu)選地在約15%到75%之間、更優(yōu)選地為約55%)。處理室可以暴露于處理氣體中 持續(xù)約200秒的時間段。在另一實施例中，在不存在偏壓功率的情況下由清潔氣體形成含 氧和氯的清潔等離子體。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在O2和Cl2被用作清潔氣體時O2和Cl2之間 的穩(wěn)態(tài)條件比較的示圖300。在確定隨著時間過去而去除的副產(chǎn)品的同時，可以使用OES來 測量穩(wěn)態(tài)條件。在兩條線中示出了穩(wěn)態(tài)條件，一條線302表示O2的狀態(tài)條件，一條線304表 示Cl2的狀態(tài)條件。當在干法清潔過程中將Cl2用作處理氣體時，盡管Cl2可以用于去除處 理室內(nèi)部的副產(chǎn)品，但是由于Cl2的侵蝕性，在去除副產(chǎn)品之后，Cl2可能還會繼續(xù)侵蝕處理 室表面，尤其是由石英層疊并且具有多個孔174以控制處理室中的離子分布的板172的表 面。這在線304中示出為表示Cl2的線304的斜面在初始干法清潔步驟之后持續(xù)下降。因 此，在該清潔過程中，處理室的條件永遠無法達到可重復(fù)的處理所需的穩(wěn)態(tài)條件。相反，在 將O2用作處理氣體時，表示O2的線302的斜面越接近水平線，就越接近穩(wěn)態(tài)，這更適合于可 重復(fù)的處理。因此，需要使用O2氣體來幫助去除Cl2并使狀態(tài)條件返回穩(wěn)態(tài)，使得處理室可 以被用于襯底的可重復(fù)的處理。盡管前文涉及本發(fā)明的實施例，但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可以想到本發(fā)明的其他實施 例，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書所確定。
權(quán)利要求
1.一種用于在光掩模等離子體蝕刻之后的原位室干法清潔的方法，其包括如下步驟將光掩模放置在支撐底座上；將處理氣體引入處理室中；由所述處理氣體形成等離子體；在存在等離子體的情況下，蝕刻設(shè)置在所述光掩模上的含鉻層；從所述支撐底座移除所述光掩模；以及通過在偽襯底被放置在所述支撐底座上時使得含A的清潔氣體流動通過所述處理室， 來執(zhí)行原位干法清潔處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清潔氣體不含氯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清潔氣體還包括氯。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述清潔氣體包括以約50到約lOOOsccm的速率 提供的氧氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清潔氣體中的氧氣的流速在約50到約 lOOOsccm之間，并且其中所述清潔氣體中的氯氣的流速在約25到約500sCCm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清潔氣體中的氧氣的流速在約50到約 400sccm之間，并且其中所述清潔氣體中的氯氣的流速在約50到約400sCCm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清潔氣體中的氧氣的流速為約lOOsccm，并 且其中所述清潔氣體中的氯氣的流速為約lOOsccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在不存在偏壓功率的情況下執(zhí)行所述干法清潔 處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用RF功率來維持由所述清潔氣體形成的等離 子體，在不存在偏壓功率的情況下，所施加的RF功率的范圍在約150到1500W之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，以在約15%到約85%之間的外部線圈與內(nèi)部線 圈的功率比，將RF功率施加到鄰近所述室放置的所述外部線圈和所述內(nèi)部線圈。
11.一種用于在光掩模等離子體蝕刻之后的原位室干法清潔的方法，其包括如下步驟將光掩模放置在設(shè)置于處理室中的支撐底座上；在施加偏壓功率的同時，對放置在所述光掩模上的含鉻層進行等離子體蝕刻；從所述處理室移除經(jīng)蝕刻的所述光掩模；和在從所述處理室移除經(jīng)蝕刻的所述光掩模之后，在存在由含A的清潔氣體形成的清潔 等離子體以及不存在偏壓功率的情況下，執(zhí)行原位干法清潔處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述清潔氣體中的氧氣的流速在約50到約 lOOOsccm之間，并且其中所述清潔氣體中的氯氣的流速在約25到約500sCCm之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述清潔氣體中的氧氣的流速在約50到約 400sCCm之間，并且其中所述清潔氣體中的氯氣的流速在約50到約400sCCm之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，使用RF功率來維持所述清潔等離子體，在不存 在偏壓功率的情況下，所述RF功率的范圍在150到1500W之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法還包括如下步驟在移除經(jīng)蝕刻的所述光掩模之后，在所述支撐底座上放置偽襯底；以及在所述偽襯底被放置在所述支撐底座上時，執(zhí)行所述原位干法清潔。
全文摘要
本發(fā)明提供了光掩模等離子體蝕刻過程中的原位室干法清潔方法和設(shè)備。本發(fā)明的實施例包括用于在光掩模等離子體蝕刻之后原位室干法清潔的方法。在一個實施例中，該方法包括將光掩模放置在支撐底座上；將處理氣體引入處理室中；由處理氣體形成等離子體；在存在等離子體的情況下蝕刻設(shè)置在光掩模上的含鉻層；從支撐底座移除光掩模；將偽襯底放置在底座上；以及通過在偽襯底被放置在底座上時使含O2的清潔氣體流動通過處理室，來執(zhí)行原位干法清潔處理。
文檔編號H01L21/027GK102077327SQ200980124545
公開日2011年5月25日 申請日期2009年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月26日
發(fā)明者大衛(wèi)·可尼科, 易卜拉欣·伊布拉赫姆, 曉義·陳, 毛治剛, 達林·比文斯, 邁克爾·葛萊柏根, 阿杰伊·庫馬爾, 馬達威·錢德拉胡德 申請人:應(yīng)用材料公司