專利名稱：低熱質(zhì)半導(dǎo)體晶片支承的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體晶片支承(support)，特別涉及用于在爐內(nèi)熱處理半導(dǎo)體 晶片的低熱質(zhì)半導(dǎo)體晶片支承。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶片的高溫?zé)崽幚?例如，退火)被廣泛地使用以獲得某些期望特性。例 如，該工藝可用于在晶片上產(chǎn)生無缺陷的硅層。本發(fā)明所特別涉及的這種高溫退火工藝在 垂直爐內(nèi)進(jìn)行的，該垂直爐通常給晶片施加1100攝制度以上的溫度，例如，在大約1200攝 氏度和1300攝氏度之間。在高溫?zé)崽幚砥陂g，在高于750攝氏度，特別是在高于1100攝氏度時，硅晶片變得 更脆。如果硅晶片在熱處理期間沒有被充分地支承，其可能會由于局部的重力和熱應(yīng)力而 遭受滑動。如本領(lǐng)域所共知的，滑動可能會向晶片的器件區(qū)引入污染物。另外，過度的滑動 可導(dǎo)致晶片的塑性變形，這會導(dǎo)致產(chǎn)品問題，例如，會導(dǎo)致器件產(chǎn)量損失的光刻覆蓋失敗。垂直晶片裝載皿(boat)或晶片架被用于充分地支承半導(dǎo)體晶片，并最小化局部 重力和熱應(yīng)力。該支承試圖在晶片被熱處理時避免其滑動和塑性變形。一種用于垂直爐中 的典型晶片裝載皿包括三個或更多垂直的軌，也稱為支桿。這些支桿通常具有用于在裝載 皿內(nèi)垂直支桿之間支承晶片的槽或橫向延展的指梁(finger)。每個晶片可直接擱在基本 水平共面的指梁(或槽)上。這種配置在較早的技術(shù)中是常見的，且在熱處理200mm或更 小直徑的晶片時是足夠的?？蛇x地，每個晶片可擱在一個例如環(huán)或?qū)嵭陌宓木屑芷脚_ 上，后者被基本水平共面的指梁所支承(或在槽中)。這種配置在較新的技術(shù)中是常見的， 其通常對于300mm或更大直徑的晶片是必要的。300mm或更大直徑的晶片比較小直徑晶片 遭受更多的局部重力和熱應(yīng)力，且晶片托架平臺通過增加晶片的受支承面積來更好地支承 300mm晶片。共同受讓的美國專利7，033，168被引入本文作為參考，其顯示了用于上述工藝的 適當(dāng)類型的晶片裝載皿。W02006/118774( ‘774)顯示了另一類型，其包括用于支承晶片的 擱板。每個擱板M包括多個孔32、34，其“可用于緩解薄擱板M中的應(yīng)力、降低熱質(zhì)、允許 爐內(nèi)環(huán)境達(dá)到晶片背側(cè)的實(shí)質(zhì)部分，從而避免晶片粘到擱板M上。擱板M的平坦形狀允 許其由材料，特別是類似晶片的硅的切片而經(jīng)濟(jì)地制作”。然而，現(xiàn)有技術(shù)的支承有某些不足。例如，將晶片和‘774的擱板的孔邊緣接觸會 導(dǎo)致晶片的污染。另外，‘774的配置會導(dǎo)致晶片滑動。需要更好的，不會導(dǎo)致污染或滑動 的晶片支承。

發(fā)明內(nèi)容
在一方面，一種用于半導(dǎo)體晶片的支承，包括平板，其具有用于支承晶片的支承表 面，和與支承表面隔開并與晶片隔開的凹陷表面。多個孔從所述凹陷表面延伸，而支承表面 沒有孔以避免晶片的污染。
在另一方面，一種用于支承半導(dǎo)體晶片的平板，包括頂表面和底表面。頂表面包括 支承表面和與支承表面垂直隔開的凹陷表面。所述平板包括多個從凹陷表面延伸向底表面 的孔。支承表面沒有孔。在又一方面，一種晶片裝載皿用于在爐內(nèi)熱處理半導(dǎo)體晶片。所述裝載皿包括垂 直支桿、由垂直支桿所支承的指梁、和由指梁所支承的平板。至少部分所述平板包括用于支 承晶片的支承表面和與支承表面隔開并與晶片隔開的凹陷表面。多個孔從凹陷表面延伸， 而支承表面沒有孔以避免晶片的污染。關(guān)于上述方面的特征存在各種細(xì)化。進(jìn)一步的特征也可加入上述方面。這些細(xì)化 以及附加特征可獨(dú)立或組合存在。例如，結(jié)合以下所描述的任一實(shí)施例所討論的各種特征 可被獨(dú)立或組合地加入任一上述方面。


圖1是一個實(shí)施例的具有晶片托架平臺的晶片裝載皿的透視圖；圖2是晶片裝載皿和平臺的放大局部透視圖；圖3是其中一個晶片平臺的俯視圖；圖3A是從含圖3的3A — 3A線的平面中截取的局部剖面，其示出在平臺上有一個
曰曰/T ；圖:3B是圖3A的放大部分；圖4是從含圖3的4-4線的平面中截取的局部剖面，其示出單個指梁，但移除了平 臺；圖5是從含圖3的5-5線的平面中截取的局部剖面，其示出單個指梁，其中移除了 平臺；圖6是一個晶片托架平臺的仰視圖；圖7是從含圖3的4-4線的平面中截取的局部剖面，其示出平臺，其中移除了指 梁；圖8是從含圖3的5-5線的平面中截取的局部剖面，其示出平臺，其中移除了指 梁；圖9是類似于圖5的局部剖面，并示出了多個指梁和平臺；圖10是類似于圖4的局部剖面，但示出了多個指梁和平臺；圖11是單獨(dú)的從左邊的前端支桿(forward rod)延伸的指梁的放大平面視圖，示 出了指梁從支桿延伸的角度；以及圖12是晶片裝載皿的水平橫截面，其為具有楔形的橫截面的前端支桿的另一實(shí) 施例。在這這些附圖中，對應(yīng)的標(biāo)號指示對應(yīng)的部分。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參考附圖，特別是圖1，其示出了根據(jù)本發(fā)明的原理所構(gòu)建的半導(dǎo)體晶片裝載 皿，其總體以1表示。該晶片裝載皿1包括間隔開的支承支桿3，其附于裝載皿的頂部5和 底部7以保持其相對于彼此的位置。當(dāng)晶片裝載皿被放入垂直爐中時，支承支桿3通常是垂直的。在所示出的實(shí)施例中，晶片裝載皿1具有中央支桿9和兩個前端支桿11。支承支桿3支承橫向延展的指梁13。指梁13可整體地形成在支承支桿3上。例 如，可在細(xì)長的整體結(jié)構(gòu)上切割，以形成指梁13。晶片裝載皿1的指梁13按組排列，這些組 沿著支承支桿3的垂直長度位于不同的大致水平共面中。參考圖2-3，每組指梁13位于相同的大致水平面中，接合并支承晶片托架平臺(寬 泛地說，平板)。該平臺通?？杀环Q為托架環(huán)。所示出的晶片托架平臺20是開環(huán)類型的，通 常從上方觀察是C形(平面圖)。所述開環(huán)類型的平臺具有分別標(biāo)注為22和附圖6)的頂表面和底表面、外半 徑R1、大致位于圓盤中心部分的孔觀，該圓盤具有從所述孔向所述平臺20的外圍延伸的徑 向開口。包括閉環(huán)類型和實(shí)心平板在內(nèi)的其它類型的晶片平臺處于本發(fā)明的范圍內(nèi)的。對 于用于支承300mm晶片的晶片平臺，半徑Rl大約是150mm，孔28的半徑R2大約是95mm。在所示出的實(shí)施例中，每個晶片托架平臺20具有凹陷表面30，其由形成在頂表面 22中的弧形槽31所定義。該槽適當(dāng)?shù)鼐哂写蠹s0. 2mm到大約0. 5mm之間的深度。一對間 隔開的平頂(plateau) 33 (寬泛地說，支持表面)設(shè)置于槽的相對兩側(cè)。所述平頂33可當(dāng) 半導(dǎo)體晶片W (圖3A-3B)擱在晶片支架(holder)平臺20上時直接支承該晶片。通過擱在 平頂33上且處于槽31上方，晶片可從晶片支架平臺移除而不像本領(lǐng)域所熟知的那樣讓晶 片粘到晶片支架平臺上。另外，沒有孔位于平頂33內(nèi)或穿過平頂33。換言之，每個平頂是一個大致光滑平 坦的表面，沒有諸如孔、脊、或其它形成于其中的特征的偏差?？椎倪吘壔蚱渌卣鳎绻?在于所述平頂上，將由于用于形成該孔的加工和形成步驟導(dǎo)致晶片的污染。傳統(tǒng)的用于形 成孔的陶瓷形成或加工方法引入了在孔中和周圍的潛在污染。另外，還存在一項(xiàng)風(fēng)險，即如 果有任何在所述平頂中形成的孔，這些孔的邊緣可能是銳利的并可損傷晶片。由于本實(shí)施 例中的平頂(支承表面)沒有孔，晶片W不會被平臺20所污染或損傷。而且，每個平臺20 上的平頂33是共面的，所以晶片W橫跨這些平頂而平放。同樣，晶片W不和凹陷表面30相 接觸。槽35(寬泛地說，孔)形成于一個實(shí)施例的凹陷表面30中。該槽使用常規(guī)陶瓷形 成工具適當(dāng)?shù)匦纬?。所述槽從所述凹陷表?0延伸到底表面M(圖6)。每個槽有長剖面 36，其具有大致和凹槽31的弧形以及平臺20的外側(cè)和內(nèi)側(cè)邊緣弧形對應(yīng)的弧形或弧形形 狀。每個槽有弧形端部37。槽35的寬度小于凹槽31的寬度。在一個實(shí)施例中，所述槽將晶片W下的平臺面積減少到50%以下，在另一實(shí)施例 中減少到45%以下，在又一個實(shí)施例中減少到40%以下。注意美國專利7，033，168的平臺 具有晶片W下方面積的52%或更多。所述槽沒有顯著增加平臺的生產(chǎn)成本。另外，所述槽 沒有負(fù)面地影響平臺的結(jié)構(gòu)。面積的減少與熱質(zhì)的減少以及從晶片W的中心到晶片的邊緣 的熱梯度的減少直接成比例。這些減少還降低了晶片W在諸如退火的高溫處理期間的可能 發(fā)生的滑動的風(fēng)險。應(yīng)該理解的是，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，可使用不同于上述結(jié)構(gòu)的其它結(jié)構(gòu)(未示 出)。晶片裝載皿1可由石英、硅、氮化硅、碳化硅、或石英、硅、氮化硅、碳化硅中的一項(xiàng)或幾 項(xiàng)的組合來制成?，F(xiàn)在參考附圖4-10，晶片裝載皿1的每個指梁13具有接合并支承一個晶片支架平臺20(圖4和幻的支承位置40。類似的，每個晶片支架平臺20有三個接合處于水平共面 的指梁13的組并被其所支承的支承位置43。指梁13的每個支承位置40適于在晶片平臺 的各自支承位置43 (圖7和8)處位于晶片支架平臺20之下。類似的，晶片支架平臺20的 每個支承位置43適于位于各個指梁13的各個支承位置40之上。特別參考圖4和5，每個指梁13沿著其長度L有不均勻的厚度，從而每個指梁有第 一總體最大厚度50，其大于第二最大厚度53。第一總體最大厚度50是整個指梁13的最厚 部分。在一個實(shí)施例中，第一總體最大厚度50是至少大約2. 0mm，在所示出的實(shí)施例中是大 約2. 5mm。指梁的第二最大厚度53是指梁13在支承位置40的邊界內(nèi)的最大厚度。在所 示出的實(shí)施例中，支承位置40和指梁13的第二總體最大厚度53位于指梁的自由端。指梁 13的第二最大厚度53至少大約0. 5mm，在所示出的實(shí)施例中是大約2. 0mm。晶片裝載皿1 及其組件(前文給出和以下將給出的)的所示出尺度是用于構(gòu)建用于在垂直爐內(nèi)高溫?zé)崽?理300mm直徑硅晶片的晶片裝載皿的適當(dāng)尺度。在本發(fā)明的范圍內(nèi)，可使用其它尺度。特別參考附圖7和8，每個晶片支架平臺20 (像每個指梁1 具有不均勻的厚度， 從而每個平臺具有第一總體最大厚度60，其為整個晶片支架平臺的最大厚度尺度。第一總 體最大厚度60可為至少大約2. 0mm，在所示出的實(shí)施例中為大約2. 0mm。晶片支架平臺20 在每個支承位置43具有第二最大厚度63，其小于晶片支架平臺的第一最大厚度60。在所 示出的實(shí)施例中，晶片支架平臺20在其對應(yīng)于晶片支架平臺的支承位置43(附圖6)的底 表面M中有凹槽45。第二最大厚度為最少大約0. 5mm,在所示出的實(shí)施例中是大約1. Omm0特別參考附圖9和10，當(dāng)晶片支架平臺20擱在指梁13上時，在指梁和平臺的每個 支承位置40、43處存在組合最大厚度70，其小于每個指梁的第一總體最大厚度50加上每個 晶片支架平臺的第一總體最大厚度53。在所示出的實(shí)施例中，在每個支承位置40、43處的 組合最大厚度是大約4. 0mm。在每個支承位置40、43處的組合最大厚度70在平臺20和指 梁13之間留有一個正好在平臺之上的垂直間隔80。該垂直間隔80允許機(jī)器臂引入和移除 晶片。在所示出的實(shí)施例中，該垂直間隔80是3. 8mm。如上所述，所示例的實(shí)施示出、出了指梁13和晶片支架平臺20均有第二最大厚度 53、63，其小于第一總體最大厚度50、60。然而，可理解的是，指梁13可不具有小于第一總體 最大厚度50的第二最大厚度。就是說，每個指梁13的厚度可沿著其長度大致均勻，僅晶片 支架平臺20具有比第一最大厚度60小的第二最大厚度63?？蛇x地，晶片支架平臺20可不 具有比第一總體最大厚度60小的第二最大厚度。就是說，每個晶片支架平臺20的厚度可 沿著其長度大致均勻，僅指梁13具有比第一最大厚度50小的第二最大厚度53。需注意的 是，只要在指梁13和晶片支架平臺20的每個支承位置40、43的組合最大厚度70小于指梁 13和晶片支架平臺20的組合第一最大厚度50，60，那么這些實(shí)施例就滿足本發(fā)明的預(yù)期目 的之要求。通過如上所述地在每個指梁13和每個晶片支架平臺20的各自支承位置40，43處 減少其厚度，晶片裝載皿1中被每個指梁和每個平臺的組合厚度70所占據(jù)的垂直空間被減 少。這種組合厚度70的減少在晶片裝載皿內(nèi)產(chǎn)生了更多的開放垂直空間，其可用于增加 更多的指梁13和平臺20。增加平臺20的數(shù)量增加了可被容納在晶片裝載皿1的同樣垂 直空間內(nèi)的晶片數(shù)量。減少被每個指梁13和每個晶片支架平臺20在各自支承位置40、43 處的組合厚度70占據(jù)的垂直空間增加了垂直爐的晶片容量以及熱處理的半導(dǎo)體晶片的產(chǎn)量，同時降低了生產(chǎn)成本。然而，每個指梁13和每個晶片支架平臺20在各自支承位置40、 43處的組合厚度足以提供一個穩(wěn)定的基底以用于保持晶片從而避免晶片在熱處理期間的 滑動和塑性變形。所示出的本發(fā)明的晶片裝載皿1可夾持多達(dá)大約135個晶片或是每厘米晶片裝載 皿高度夾持大約1. 2個晶片。所示出的實(shí)施例的晶片裝載皿1的總體高度使其可裝入一個 ASM A412垂直爐的石英管內(nèi)。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所構(gòu)造的晶片裝載皿1通常每厘米晶片裝載 皿高度夾持少于1個晶片。因此，本發(fā)明的晶片裝載皿1增加50%容量，但如上所述地沒有 影響晶片質(zhì)量。參考圖3，前端支桿指梁13和前端支桿11相交處的最靠近中央支桿9 (即，最后 方的點(diǎn))的點(diǎn)被指定為90。這些點(diǎn)90位于一個和平行的后端垂直平面VP2相間隔開的前 端垂直平面VPl中，所述后端垂直平面VP2在晶片裝載皿的后側(cè)與裝載皿正切。在所示出 的實(shí)施例中，中央支桿9定義了晶片裝載皿的后側(cè)。支承支桿3和指梁13的最佳配置(即 可給出對晶片支架平臺的最大支承的支桿和指梁的布置)是支桿等分地間隔開，形成一個 等邊三角形布置，而指梁朝向晶片支架平臺20的中心延伸。在該布置中，指梁13的支承沿 著晶片支持平臺20的圓周等距地分布。然而，由于要被收納入裝載皿的晶片的直徑以及垂 直爐的內(nèi)部直徑所施加的尺度約束，這種最佳配置對于300mm或更大直徑的晶片裝載皿是 不可行的。在兩個支承支桿3之間的距離必須大于晶片的直徑，例如300mm，從而晶片可被 收納在裝載皿內(nèi)(例如，在前端支桿之間)。而且，晶片裝載皿1的橫截面直徑不能比垂直 爐的石英管的內(nèi)直徑大，否則裝載皿不能裝入爐中。例如，ASM A412垂直爐的石英管的內(nèi) 直徑是大約340mm。將三個支承支桿3以至少300mm間距定位(因?yàn)樗鼈冏罴褳榈冗吶?形排列)使得晶片裝載皿1的直徑比石英管的內(nèi)直徑大得多，而裝載皿不能裝在爐中。需 注意的是即使可能有更大直徑的爐，支承支桿3的等邊三角形排列將會要求非常長的指梁 13，導(dǎo)致晶片裝載皿因?yàn)橹噶旱拈L度而具有低機(jī)械穩(wěn)定性。由于支承支桿不能等距地間隔開，現(xiàn)有技術(shù)公開了一配置前端支桿11以允許晶 片被收納入裝載皿1所必需的最小距離間隔開(例如在所示實(shí)施例中該距離基于300mm的 晶片)，并定位在前端垂直平面VPl中，和后端垂直平面VP2盡可能地遠(yuǎn)，晶片裝載皿不會超 出由于內(nèi)直徑和垂直爐所施加的直徑約束。從前端支桿11延伸出來的指梁13也位于前端 平面VPl中。這種配置是沿著晶片支持平臺20的圓周最佳分布指梁13的支承并保持在所 施加的約束之內(nèi)的一種嘗試。然而，該配置可能未充分地支承晶片支架平臺20的在前端平 面VPl之前的面積。對晶片支架平臺20的在前端支桿11之前的面積的不充分支承可能引 起晶片平臺20的塑性變形(尤其是在所示出的實(shí)施例的開環(huán)類型中)，導(dǎo)致在垂直爐內(nèi)高 溫?zé)崽幚砥陂g硅晶片的滑動和可能的塑性變形。在本發(fā)明的晶片裝載皿1的一個實(shí)施例中，在前端支桿11上的指梁13相對于前 端平面VPl前傾一個角度A以允許指梁的支承位置40處在前端平面VPl之前的晶片支架 平臺20的部分下方(圖12)。指梁13在前端支桿11上的偏角(angling)實(shí)際上和指梁 沿著前端平面VPl (現(xiàn)有技術(shù))延伸的情況相比給予晶片支架平臺20的前端部分更多的支 承。在一個實(shí)施例中，角度A在10到20度之間，而在所示出的實(shí)施例中是大約15度。在前端支桿11上的指梁13通常必須比中央支桿9上的指梁要長，因?yàn)榍岸酥U 指梁必須延伸到接近用于支承晶片支架平臺20的理想等邊位置的更靠前位置。在所示出的實(shí)施例中，前端支桿11的每個指梁13的長度Ll是大約60mm(圖4)。同樣在所示出的實(shí) 施例中，中央支桿9的每個指梁13的長度L2是大約圖幻?？深A(yù)期和本發(fā)明內(nèi)容相 符的其它長度。如本領(lǐng)域所熟知的，在高溫?zé)崽幚砥陂g，增加指梁13的長度會降低它們的 機(jī)械穩(wěn)定性。這一機(jī)械穩(wěn)定性的減少會引起塑性變形和不充分的支承，甚至是失效。前端 支桿11的指梁13具有長度Li，使得它們在不超出機(jī)械穩(wěn)定性的尺度約束下延伸得盡可能 遠(yuǎn)。在使用中，通過將晶片支架平臺20放置在各指梁13上以使得晶片裝載皿就緒。晶 片被載入裝載皿1，從而每個晶片被放置在一個晶片支架平臺20的頂表面22上。通常，如 本領(lǐng)域所熟知的，晶片通過機(jī)械臂加載。一旦裝載皿1裝載了預(yù)定數(shù)量的晶片(使用所示 出的實(shí)施例時，數(shù)量范圍是1個到大約135個晶片)，該裝載皿被收納入垂直爐中。如本領(lǐng) 域所熟知的，執(zhí)行高溫?zé)崽幚?。在每個晶片和晶片支架平臺20之間設(shè)置了空間以容納機(jī)械 臂的一部分。在熱處理和其它處理后，通常使用機(jī)械臂將晶片從裝載皿1中卸下。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，如圖12所示出的，側(cè)支承支桿100的橫截面是楔形 的。每一個側(cè)支桿100有一個錐形橫截面，其中支桿的橫截面在指梁13的方向逐漸變細(xì)。 側(cè)支桿105的外表面朝向指梁彎曲從而使得外表面的整體位于晶片裝載皿的橫截面的圓 周上。前端支桿指梁13和前端支桿100相交處的最靠近中央支桿9(即，最后方的點(diǎn))的 點(diǎn)限定了前端垂直平面VP3。該前端垂直平面VP3與后端垂直平面VP2間隔開距離D2。該 前端垂直平面VP3(即，楔形的支桿100)可被定位得相距后端垂直平面VP2比菱形支桿11 更靠前，同時保持在垂直爐的石英管的內(nèi)直徑約束之內(nèi)。在所示出的實(shí)施例中，在前端和后 端平面VP3、VP2之間的距離D2是大約227mm，或者晶片的標(biāo)稱直徑的76%。在介紹本發(fā)明的元素或?qū)嵤├龝r，冠詞“一個”、“這”、“所述”旨在表示有一個或多 個元素。術(shù)語“包含”、“包括”、“具有”旨在為包容性的，且表示可能有除了所羅列元素之外 的額外元素?？稍诓槐畴x本發(fā)明的范圍的前提下對上述構(gòu)造做出各種改變，上述說明書中所包 含的以及附圖中所示出的所有內(nèi)容應(yīng)被解讀為示例性的而非限制性概念。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體晶片的支承，包括平板，其具有用于支承晶片的支承表面，以及與所述支承表面分隔開并因此和晶片分 隔開的凹陷表面，多個孔自所述凹陷表面延伸，而所述支承表面沒有孔以抑制對晶片的污染 O
2.如權(quán)利要求1所述的支承，其和晶片裝載皿相結(jié)合。
3.如權(quán)利要求1或2所述的支承，其和半導(dǎo)體晶片相結(jié)合。
4.如權(quán)利要求1-3的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板是C形的。
5.如權(quán)利要求1-4的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述孔是弧形的。
6.如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板具有底表面，所述孔自所述凹 陷表面延伸穿至所述底表面。
7.如權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板的面積小于晶片面積的50%。
8.如權(quán)利要求1-7的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板的面積小于晶片面積的40%。
9.如權(quán)利要求1-8的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板由碳化硅、氮化硅、硅的其中之 一制成。
10.一種用于支承半導(dǎo)體晶片的平板，包括頂表面和底表面，所述頂表面具有支承表面 和與所述支承表面垂直間隔開的凹陷表面，所述平板具有多個自所述凹陷表面延伸至所述 底表面的孔，所述支承表面沒有孔。
11.如權(quán)利要求10所述的支承，其中所述平板是C形的。
12.如權(quán)利要求10或11所述的支承，其中所述孔是弧形的。
13.如權(quán)利要求10-12的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板的面積小于晶片面積的 50%。
14.如權(quán)利要求10-13的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板的面積小于晶片面積的 40%。
15.如權(quán)利要求10-14的任一項(xiàng)所述的支承，其中所述平板由碳化硅、氮化硅、硅的其 中之一制成。
16.一種用于在爐內(nèi)熱處理半導(dǎo)體晶片的晶片裝載皿，所述裝載皿包括垂直支桿；由所述垂直支桿支承的指梁；以及由所述指梁支承的平板，至少部分所述平板具有用于支承晶片的支承表面，以及與所述支承表面分隔開并因此 和晶片分隔開的凹陷表面，多個孔自所述凹陷表面延伸，而所述支承表面沒有孔以抑制對 晶片的污染。
17.如權(quán)利要求16所述的支承，其和半導(dǎo)體晶片相結(jié)合。
18.如權(quán)利要求16或17所述的支承，其中至少部分所述平板是C形的，并且其中的孔 是弧形的。
19.如權(quán)利要求16-18的任一項(xiàng)所述的支承，其中每個平板具有底表面，所述孔自所述 凹陷表面延伸穿至所述底表面。
20.如權(quán)利要求16-19的任一項(xiàng)所述的支承，其中每個平板的面積小于晶片面積的 50%。
全文摘要
一種用于半導(dǎo)體晶片的支承，包括平板，其具有用于支承晶片的支承表面，以及與所述支承表面分隔開并和晶片分隔開的凹陷表面。多個孔自所述凹陷表面延伸，而所述支承表面沒有孔以抑制對晶片的污染。
文檔編號H01L21/673GK102077336SQ200980125278
公開日2011年5月25日 申請日期2009年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月30日
發(fā)明者B·L·吉爾摩, L·G·赫爾維格 申請人:Memc電子材料有限公司