專利名稱：探針的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)被檢查體的電特性進(jìn)行檢查的探針。
背景技術(shù)：
當(dāng)對(duì)形成在半導(dǎo)體晶片(以下稱為“晶片”)上的IC、LSI等設(shè)備(以下稱為“器 件”)的電特性進(jìn)行檢查時(shí)，使用具有電路基板和探針的探針卡，例如通過(guò)將布置在電路基 板的下表面上的探針接觸到設(shè)置在晶片上的器件上的電極來(lái)進(jìn)行檢查。電極例如由鋁等導(dǎo)電性金屬構(gòu)成。鋁等由于容易氧化，因此在其表面形成作為絕 緣體的氧化膜。因此，只是將探針接觸到電極是無(wú)法刺破形成在電極表面上的氧化膜來(lái)確 保探針與電極的導(dǎo)通。因此，當(dāng)進(jìn)行這樣的電特性的測(cè)定時(shí)，為了確保晶片的電極與探針導(dǎo) 通，在將探針接觸到電極上后，進(jìn)行使晶片在水平方向上振動(dòng)并通過(guò)探針的前端刮掉氧化 膜的所謂擦洗的操作。在此情況下，如圖10所示，探針100可采用下述探針，所述探針包括被電路基板 101單端支撐的梁部102、以及從梁部102的自由端部向晶片W延伸的接觸子103(專利文 獻(xiàn)1)。并且，在施加過(guò)壓(overdrive)以使接觸子103與晶片W的電極P壓力接觸的狀態(tài) 下使晶片W在水平方向上振動(dòng)，由此刮掉電極P表面的氧化膜0，使接觸子103的前端部104 和電極P的導(dǎo)電部接觸。專利文獻(xiàn)1 日本國(guó)特開2006-1190 號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，在上述方法中，通過(guò)擦洗而被刮掉的氧化膜0附著在接觸子103的前端部 104上，妨礙探針100和電極P穩(wěn)定地導(dǎo)通。因此，需要定期清潔探針100的前端部104。但 是，如果進(jìn)行清潔，則存在前端部104發(fā)生磨損的問題。另外，擦洗有可能在電極P的表面 留下較大的針痕，損傷電極P。另一方面，作為不利用擦洗的探針和電極的接觸方法，例如可考慮以波戈針為代 表的垂直高載荷接觸方法。但是，近年來(lái)，隨著器件的高功能化以及高速化，布線構(gòu)造向微 細(xì)化、薄膜化發(fā)展，布線層變的極薄，因此當(dāng)利用例如波戈針那樣的垂直高載荷接觸進(jìn)行檢 查時(shí)，探針不僅貫穿氧化膜還有可能貫穿電極和布線層。另外，還有可能由于探針在負(fù)載時(shí) 的應(yīng)力而損傷布線層和絕緣層。此外，如果為了避免這些而降低施加在探針上的載荷，則有 可能產(chǎn)生探針和電極導(dǎo)通不穩(wěn)定的問題。本發(fā)明就是鑒于上述問題而完成的，其目的在于以較低的探針載荷穩(wěn)定地進(jìn)行被 檢查體的電特性的檢查。用于解決問題的手段用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明是將接觸部接觸到被檢查體來(lái)檢查被檢查體的電特 性的探針，所述接觸部在其內(nèi)部分散布置有多個(gè)具有導(dǎo)電性的接觸顆粒，并且一部分所述接觸顆粒在接觸部的被檢查體側(cè)的表面上突出，在所述接觸部的與被檢查體側(cè)相反的面上 布置有具有彈性的導(dǎo)電性部件。根據(jù)本發(fā)明，由于接觸顆粒從接觸部向被檢查體側(cè)突出，因此即使在施加到探針 上的載荷低的情況下，接觸顆粒也容易刺破氧化膜，能夠確保被檢查體和探針的導(dǎo)通。由 此，能夠以低的探針載荷穩(wěn)定地進(jìn)行被檢查體的電特性的檢查。并且，由于在接觸部的與被 檢查體相反的面上布置有具有彈性的導(dǎo)電性部件，因此探針被賦予彈性，從而即使在晶片W 上的各電極存在高低差的情況下，也能夠通過(guò)彈性來(lái)吸收該高低差。由此，能夠進(jìn)一步穩(wěn)定 地進(jìn)行被檢查體的電特性的檢查。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠以低的探針載荷穩(wěn)定地進(jìn)行被檢查體的電特性的檢查。


圖1是示出具有根據(jù)本實(shí)施方式的探針的探針裝置的側(cè)面圖2是示出根據(jù)本實(shí)施方式的探針的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)略說(shuō)明圖3是絕緣片的平面圖4是彈性導(dǎo)電片的平面圖5是示出根據(jù)本實(shí)施方式的探針與電極電接觸的狀態(tài)的說(shuō)明圖
圖6是示出將根據(jù)本實(shí)施方式的探針研磨了的狀態(tài)的側(cè)面圖7是根據(jù)其他實(shí)施方式的探針的說(shuō)明圖8是根據(jù)其他實(shí)施方式的探針的說(shuō)明圖9是根據(jù)其他實(shí)施方式的探針的說(shuō)明圖10是現(xiàn)有的探針的說(shuō)明圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
1探針裝置
2檢查用基板
3載置臺(tái)
10電路基板
11保持器
12中間體
12a中間基板
13探針
20彈性導(dǎo)電片
30接觸部
40絕緣片
41前端部
42導(dǎo)體部
43涂層
45接觸顆粒
45a接觸顆粒
45b接觸顆粒
46通孔
50金屬框架
51粘結(jié)劑
60導(dǎo)電部
62絕緣部
65通電路徑
65a上部端子
65b下部端子
67導(dǎo)電性部件
70金屬框架
70a框狀部
70b板狀部
71粘結(jié)劑
72粘結(jié)劑
86導(dǎo)電性粘結(jié)劑
87探針
90螺旋彈簧
W曰tl· 日日/T
P電極
0氧化膜
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是概略地示出具有根據(jù)實(shí)施方式的探針 的探針裝置1的結(jié)構(gòu)的側(cè)面的說(shuō)明圖。探針裝置1中例如設(shè)置有探針卡2和載置臺(tái)3，載置 臺(tái)3載置作為被檢查體的晶片W。探針卡2被布置在載置臺(tái)3的上方。探針卡2具有電路 基板10，用于向例如載置在載置臺(tái)3上的晶片W傳輸用于檢查的電信號(hào)；保持器11，其保持 該電路基板10的外周部的；中間體12，其被布置在電路基板10的下表面?zhèn)?；以及探?3， 其被布置在中間體12的下表面?zhèn)龋⑼ㄟ^(guò)與晶片W上的電極P接觸來(lái)實(shí)現(xiàn)電路基板10與 晶片W之間的電導(dǎo)通。電路基板10與沒有圖示的測(cè)試器電連接，能夠經(jīng)由中間體12向下方的探針13發(fā) 送來(lái)自測(cè)試器的用于檢查的電信號(hào)。電路基板10例如被形成為大致圓盤狀。在電路基板10 的內(nèi)部形成有電子電路，在電路基板10的下表面形成有該電子電路的多個(gè)連接端子10a。中間體12包括例如平板狀的中間基板12a、以及被安裝在中間基板12a的上表面 上的彈性導(dǎo)電片20。中間基板1 例如被形成為方形，并且例如由硅基板或玻璃基板等構(gòu) 成。如圖2所示，被布置在中間基板12a的下表面?zhèn)鹊奶结?3具有與電極P接觸的接 觸部30、以及絕緣片40，絕緣片40由作為絕緣材料的橡膠片構(gòu)成。接觸部30形成在與晶 片W的電極P的布置對(duì)應(yīng)的位置。接觸部30還包括前端部41、形成在前端部41的上表面并與前端部41電連接的導(dǎo)體部42、以及設(shè)置在導(dǎo)體部42的上表面上的作為其它導(dǎo)體的 涂層43。前端部41由在導(dǎo)電性優(yōu)異且比電極P更硬的材質(zhì)例如鎳等的涂層中添加了多個(gè) 具有導(dǎo)電性的接觸顆粒45的復(fù)合涂層形成。如圖2所示，前端部41在其內(nèi)部分散布置有 接觸顆粒45a，并且一部分接觸顆粒4 從前端部41的晶片W側(cè)的表面突出。S卩，接觸顆粒 45b的一部分被埋在前端部41中，其余處于從前端部41的表面突出的狀態(tài)。接觸顆粒45在本實(shí)施方式中是通過(guò)破碎比前端部41的母材更硬的例如SiC、TiC 或?qū)щ娦越饎偸葘?dǎo)電性物質(zhì)而形成的微細(xì)顆粒，具有鋒利的破碎面。并且，由于所述微細(xì) 且具有鋒利的破碎面的接觸顆粒45從探針13的前端部41突出，因此即使在施加到探針13 的載荷小的情況下，接觸顆粒45也能夠容易地貫穿形成在電極P的表面上的氧化膜0。另 外，發(fā)明人進(jìn)行了調(diào)查，例如當(dāng)將施加在探針13上的載荷設(shè)為Igf/根時(shí)，貫穿氧化膜0并 確保與電極P的導(dǎo)通最佳的接觸顆粒45的粒徑為0. 3 2. 0 μ m左右。導(dǎo)體部42被設(shè)置成貫穿被形成在絕緣片40上的與電極P的布置對(duì)應(yīng)的位置處的 通孔46。在導(dǎo)體部42外周的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)确謩e具有卡定部42a、42b。通過(guò)該卡定 部42a、42b防止導(dǎo)體部42從絕緣片40脫落。導(dǎo)體部42在本實(shí)施方式中例如使用了銅，但 只要是顯示出良好導(dǎo)電性的物質(zhì)即可，例如也可以是鎳等其它導(dǎo)體。涂層43是防止由于導(dǎo)體部42的表面氧化而在導(dǎo)體部42的表面形成氧化膜的防 護(hù)膜。涂層43的材料例如可使用金等。如此，通過(guò)使用導(dǎo)電性良好的金，能夠降低后述的 導(dǎo)電性部件67和接觸部30的接觸電阻。 絕緣片40例如圖3所示被形成為方形，其外周部被張緊設(shè)置在方形的金屬框架50 上。金屬框架50例如由具有與晶片W相同的熱膨脹系數(shù)的鐵-鎳合金O^e-Ni合金)形成。 在絕緣片40的與晶片W的電極P對(duì)應(yīng)的位置例如形成有圓形的通孔46，如上所述，接觸部 30被設(shè)置在通孔46中。在圖3中，接觸部30以圓形示出，但其形狀例如也可以是方形等， 不限定于本圖所示的形狀。如圖1所示，金屬框架50例如通過(guò)具有彈性的硅酮制的粘結(jié)劑 51被粘接在中間基板12a的外周部的下表面。設(shè)置在中間基板12a的上表面的彈性導(dǎo)電片20例如圖4所示被形成為方形，其整 體由具有彈性的絕緣材料、例如橡膠片形成。在彈性導(dǎo)電片20上形成有具有導(dǎo)電性的多個(gè) 導(dǎo)電部60。導(dǎo)電部60例如與電路基板10的連接端子IOa以及中間基板12a的后述的通電 路徑65的上部端子6 的布置相對(duì)應(yīng)地形成。導(dǎo)電部60通過(guò)在橡膠片的一部分稠密地填 充導(dǎo)電性顆粒而構(gòu)成。各導(dǎo)電部60例如在上下方向上貫穿彈性導(dǎo)電片20并從彈性導(dǎo)電片 20的上下兩面突出為凸起狀。彈性導(dǎo)電片20的導(dǎo)電部60以外的部分為絕緣部62。例如圖4所示，彈性導(dǎo)電片20被固定在圍繞其外周部的金屬框架70上。金屬框 架70與金屬框架50相同，例如由具有與晶片W相同的熱膨脹系數(shù)的例如鐵-鎳合金形成。 金屬框架70具有沿彈性導(dǎo)電片20的外周部的四邊形的框狀部70a、以及從該框狀部70a向 外側(cè)延伸的多個(gè)板狀部70b。如圖1所示，金屬框架70的框狀部70a例如通過(guò)具有彈性的 硅酮制的粘結(jié)劑71被粘接在中間體12的中間基板12a的外周部的上表面上。由此，彈性 導(dǎo)電片20的各導(dǎo)電部60與中間基板12a的上部端子6 接觸。如圖4所示，金屬框架70的板狀部70b被形成為朝向外側(cè)細(xì)長(zhǎng)的長(zhǎng)方形形狀，并 具有可撓性。板狀部70b例如等間隔地安裝在框狀部70a的外周面上。板狀部70b延伸至中間體12的在水平方向上的外側(cè)。各板狀部70b的外側(cè)的端部如圖1所示，例如通過(guò)具有 彈性的硅酮制的粘結(jié)劑72被粘接在電路基板10的下表面上。由此，彈性導(dǎo)電片20的各導(dǎo) 電部60與電路基板10的連接端子IOa接觸。如圖1所示，在中間體12的中間基板12a中形成有從下表面通到上表面的多個(gè)通 電路徑65。通電路徑65例如朝著作為中間基板12a的厚度方向的垂直方向被形成為直線 狀。在通電路徑65的上端部形成有上部端子65a，在通電路徑65的下端部形成有下部端子 65b。導(dǎo)電性部件67被安裝在中間基板12a的下部端子65b的下表面，并與下部端子6 電連接。導(dǎo)電性部件67被設(shè)置在例如與作為被檢查體的晶片W的電極P的布置相對(duì)應(yīng)的 位置、即與探針13的接觸部30相對(duì)應(yīng)的位置。并且，探針13和電路基板10通過(guò)將導(dǎo)電性 部件67壓力接觸在探針13的接觸部30而電連接。另外，在導(dǎo)電性部件67的內(nèi)部稠密地 填充有導(dǎo)電性顆粒(沒有圖示)。該導(dǎo)電性顆粒具有比設(shè)置在接觸部30的前端部41中的 接觸顆粒45低的硬度。另外，導(dǎo)電性顆粒的電阻值低于接觸顆粒45的電阻值。作為具有 這樣特質(zhì)的導(dǎo)電性顆粒，例如可使用在鎳的周圍涂敷(coating) 了金或銀等的顆粒。接著，對(duì)如上構(gòu)成的探針裝置1的作用進(jìn)行說(shuō)明。首先，當(dāng)晶片W被載置在載置臺(tái) 3上時(shí)，載置臺(tái)3上升，晶片W從下方被頂?shù)教结?3的下表面。此時(shí)，晶片W的各電極P接 觸并推壓探針13的各接觸部30。由此，探針13的接觸部30通過(guò)從下向上作用的力而被 向上推壓，并與導(dǎo)電性部件67接觸。由此，接觸部30和導(dǎo)電性部件67電連接。并且，進(jìn)一 步使載置臺(tái)3上升，從而對(duì)探針13向上方施加比以往載荷小的載荷，例如施加Igf/根的載 荷。使載置臺(tái)3進(jìn)一步上升，從而向探針13施加過(guò)壓，由此接觸部30被導(dǎo)電性部件67 押向電極P。并且，如圖5所示，接觸顆粒4 貫穿電極P上的氧化膜0而與電極P接觸， 從而確保探針13和電極P導(dǎo)通。此時(shí)，探針13由于具有從接觸部30的表面突出的接觸顆 粒45b，因此容易以Igf/根左右的低載荷貫穿氧化膜0，能夠確保探針13與電極P的導(dǎo)通。 因此，探針13不會(huì)由于負(fù)載時(shí)的應(yīng)力而損傷布線層或絕緣層。另外，由于將探針13和電路 基板10電連接的導(dǎo)電性部件67和彈性導(dǎo)電片20具有彈性，因此即使在各電極P存在高低 差的情況下也能夠通過(guò)彈性來(lái)吸收該高低差。根據(jù)以上的實(shí)施方式，由于具有高硬度的接觸顆粒45從接觸部30向晶片W側(cè)突 出，因此即使施加在探針13上的載荷低也容易貫穿電極P上的氧化膜0，能夠確保電極P和 探針13的導(dǎo)通。因此，能夠以低的載荷穩(wěn)定地進(jìn)行晶片W的電特性的檢查。另外，由于能 夠以低載荷使探針13與電極P接觸，因此能夠抑制電極P受損。并且，探針13由于垂直負(fù) 載，因此不需要擦洗操作。因此，能夠減少粘接到前端部41的氧化膜0，并能夠減少探針13 的清潔頻率。這里，也可以想到例如為了將探針13的電阻值抑制得較低而不設(shè)置本實(shí)施方式 的接觸部30，在檢查時(shí)將導(dǎo)電性部件67直接接觸到晶片W的電極P。但此時(shí)，由于導(dǎo)電性 部件67內(nèi)的導(dǎo)電性顆粒的硬度低，因此該導(dǎo)電性顆粒無(wú)法貫穿電極P上的氧化膜0。在這 一點(diǎn)上，本實(shí)施方式的探針13由于包含具有高硬度的接觸顆粒45以及具有低電阻值的導(dǎo) 電性顆粒兩者，因此能夠通過(guò)導(dǎo)電性顆粒將探針13整體的電阻值抑制得較低，并且接觸顆 粒45能夠貫穿電極P上的氧化膜0而確保探針13與電極P的導(dǎo)通。因此，能夠恰當(dāng)?shù)剡M(jìn) 行晶片W的電特性的檢查。
根據(jù)以上的實(shí)施方式，接觸顆粒45在前端部41的內(nèi)部也被均勻地分散析出，因此 即使在例如從前端部41突出的接觸顆粒4 脫落、或者由于重復(fù)使用所造成的磨損等而發(fā) 生了缺損的情況下，如果通過(guò)將圖6中虛線所示的部分(前端部41的表面)例如浸漬到僅 刻蝕前端部41的母材的刻蝕液中來(lái)使接觸部30內(nèi)部的接觸顆粒4 露出，同時(shí)重新形成 前端部41a，就能夠重復(fù)使用探針13。因此，能夠延長(zhǎng)接觸部30的壽命，并能夠減少探針13 的維護(hù)頻率。此外，當(dāng)將接觸部30浸漬在刻蝕液中來(lái)進(jìn)行前端部41的刻蝕時(shí)，將接觸顆粒 45所突出的尺寸設(shè)定得比電極P的氧化膜0的厚度大，即被設(shè)定為接觸顆粒45能夠刺破氧 化膜0的長(zhǎng)度。另外，也可以通過(guò)研磨前端部41來(lái)而使接觸顆粒45露出。此時(shí)，由于接觸 部30被固定在絕緣片40上，因此研磨時(shí)各接觸部30即使與例如沒有圖示的研磨裝置的研 磨面相接觸也會(huì)不發(fā)生傾斜。因此，能夠恰當(dāng)?shù)剡M(jìn)行接觸部30的研磨。根據(jù)以上的實(shí)施方式，導(dǎo)電性部件67內(nèi)的導(dǎo)電性顆粒具有比接觸顆粒45低的硬 度，導(dǎo)電性部件67具有彈性。并且，探針13和中間體12經(jīng)由所述具有彈性的導(dǎo)電性部件 67而電連接。因此，探針13被賦予彈性，從而即使在晶片W上的各電極P存在高低差的情 況下，也能夠通過(guò)彈性來(lái)吸收該高低差。根據(jù)以上的實(shí)施方式，由于在導(dǎo)體部42的上表面形成了作為用于防止氧化的防 護(hù)膜的涂層43，因此探針13和導(dǎo)電性部件67的接觸電阻變小，能夠獲得穩(wěn)定的導(dǎo)通。在以上的實(shí)施方式中，由前端部41、導(dǎo)體部42、涂層43形成了接觸部30，但接觸 部30整體也可以僅由前端部41構(gòu)成，即通過(guò)復(fù)合涂層來(lái)形成接觸部30整體，并在接觸部 整體內(nèi)布置接觸顆粒45。另外，接觸部30也可以由前端部41和涂層43形成。另外，代替以上實(shí)施方式的探針13，也可以使用如圖7所示的探針87，該探針87 例如使用導(dǎo)電性粘結(jié)劑86將導(dǎo)電性部件67和接觸部30的前端部41直接電連接。此時(shí)， 能夠容易地制造探針87。另外，作為導(dǎo)電性部件67既可以使用PCR、波戈針、MEMS針等垂 直載荷式探針，也可以使用懸臂(cantilever)式探針。在以上實(shí)施方式的探針13、87中，作為導(dǎo)電性部件67，使用了在內(nèi)部具有導(dǎo)電性 顆粒的部件，但只要是具有彈性和導(dǎo)電性的部件即可，并不限定于此。例如圖8所示，在探 針13中，也可以設(shè)置螺旋彈簧90作為導(dǎo)電性部件。另外，例如圖9所示，在探針87中同樣 也可以設(shè)置螺旋彈簧90作為導(dǎo)電性部件。關(guān)于探針13、87的其他結(jié)構(gòu)，由于與上述實(shí)施方 式的探針13、87相同，因此省略說(shuō)明。這里，例如當(dāng)假定將螺旋彈簧用作接觸子并在檢查時(shí)將該螺旋彈簧直接接觸到晶 片的電極上時(shí)，螺旋彈簧的前端刮掉電極上的氧化膜，被刮掉的氧化膜將被附著到螺旋彈 簧的前端。于是，螺旋彈簧的電阻值變高，無(wú)法恰當(dāng)?shù)貦z查晶片的電特性。在這一點(diǎn)上，本 實(shí)施方式的探針13、87由于在螺旋彈簧90的前端設(shè)置了包含具有高硬度的接觸顆粒45的 前端部41，因此即使施加在探針13、87上的載荷低，接觸顆粒45也容易貫穿電極P上的氧 化膜0，從而能夠確保電極P和探針13、87的導(dǎo)通。另外，由于探針13、87僅被施加垂直載 荷，因此如上所述氧化膜0被刮掉，螺旋彈簧90的電阻值不會(huì)變高。從而能夠以低載荷穩(wěn) 定地進(jìn)行晶片W的電特性的檢查。在探針13中，雖然螺旋彈簧90的前端也有可能刮開涂層43的表面，但由于涂層 43由金構(gòu)成，因此螺旋彈簧90的電阻值不會(huì)因?yàn)楸还蔚舻耐繉佣兏?。以上，參考附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于上述的
8例子。顯然本領(lǐng)域技術(shù)人員可在權(quán)利要求書所記載的構(gòu)思的范疇內(nèi)想到各種的變更例或修 正例，而且應(yīng)當(dāng)理解這些變更例或修正例也當(dāng)然屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。本發(fā)明不限于上 述的例子，可采用各種方式。本發(fā)明也能夠應(yīng)用于基板為半導(dǎo)體以外的FPD (平板顯示器)， 用于光掩模的掩模板(mask reticule)等其他基板的情況。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明對(duì)用于檢查例如半導(dǎo)體晶片等被檢查體的電特性的探針有用。
權(quán)利要求
1.一種探針，所述探針將接觸部接觸到被檢查體來(lái)檢查被檢查體的電特性，其中，所述接觸部在其內(nèi)部分散布置有多個(gè)具有導(dǎo)電性的接觸顆粒，并且一部分所述接觸顆 粒在接觸部的被檢查體側(cè)的表面上突出，在所述接觸部的與被檢查體側(cè)相反的面上布置有具有彈性的導(dǎo)電性部件。
2.如權(quán)利要求1所述的探針，其中，所述多個(gè)接觸顆粒均勻地布置在所述接觸部的內(nèi)部。
3.如權(quán)利要求1所述的探針，其中， 所述探針還具有形成有通孔的絕緣片， 所述接觸部貫穿所述通孔而布置。
4.如權(quán)利要求3所述的探針，其中，所述接觸部的上部由不包含所述接觸顆粒的導(dǎo)體構(gòu)成， 所述導(dǎo)體貫穿所述通孔而布置。
5.如權(quán)利要求4所述的探針，其中，在所述導(dǎo)體的與被檢查體側(cè)相反的面上還布置有其它導(dǎo)體。
6.如權(quán)利要求5所述的探針，其中，所述其它導(dǎo)體是用于防止所述導(dǎo)體氧化的涂層。
7.如權(quán)利要求6所述的探針，其中， 所述其它導(dǎo)體包括金。
8.如權(quán)利要求1所述的探針，其中，所述接觸部和所述導(dǎo)電性部件通過(guò)導(dǎo)電性粘結(jié)劑連接。
9.如權(quán)利要求1所述的探針，其中， 所述導(dǎo)電性部件在其內(nèi)部具有導(dǎo)電性顆粒， 所述導(dǎo)電性顆粒具有比所述接觸顆粒低的高度。
10.如權(quán)利要求9所述的探針，其中，所述導(dǎo)電性顆粒的電阻值低于所述接觸顆粒的電阻值。
11.如權(quán)利要求1所述的探針，其中， 所述導(dǎo)電性部件是螺旋彈簧。
12.如權(quán)利要求1所述的探針，其中，所述接觸顆粒具有比所述接觸部高的硬度。
13.如權(quán)利要求1所述的探針，其中，所述接觸顆粒包括導(dǎo)電性金剛石、SiC或TiC的任一種。
全文摘要
探針具有與被檢查體接觸的接觸部。具有導(dǎo)電性的接觸顆粒均勻地布置在接觸部的內(nèi)部。一部分的接觸顆粒在接觸部的被檢查體側(cè)的表面上突出。在接觸部的與被檢查體側(cè)相反的面上布置有具有彈性的導(dǎo)電性部件。探針還具有形成有通孔的絕緣片，接觸部貫穿通孔而布置。接觸部的上部由不包含接觸顆粒的導(dǎo)體構(gòu)成。在導(dǎo)體的與被檢查體側(cè)相反的面上還布置有其它導(dǎo)體。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102099692SQ20098012795
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月18日
發(fā)明者小松茂和 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社