專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元器件，更特定而言，涉及內(nèi)置有線圈的電子元器件。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電子元器件，例如，已知有專利文獻(xiàn)1中記載的層疊型線圈元器件。在 該層疊型線圈元器件中，層疊多個絕緣性生片而構(gòu)成長方體形狀的層疊體。在所述多個絕 緣性生片上設(shè)置有線圈用導(dǎo)體。該線圈用導(dǎo)體通過過孔相互連接，從而構(gòu)成螺旋狀的線圈。 此外，以覆蓋層疊體的兩個側(cè)面的方式設(shè)置兩個端子電極，在該兩個端子電極之間連接有 該螺旋狀的線圈。然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的層疊型線圈元器件中，由于端子電極設(shè)置成覆蓋層 疊體的側(cè)面，因此，在垂直于層疊方向的方向上靠近各線圈用導(dǎo)體排列。因此，在線圈用導(dǎo) 體與端子電極之間會產(chǎn)生寄生電容。若產(chǎn)生寄生電容，則產(chǎn)生如下問題線圈的諧振頻率下 降，在使用線圈的頻率下，Q值下降。所以，在層疊型線圈元器件中，產(chǎn)生寄生電容成為使內(nèi) 置有線圈的電子元器件的Q值下降的原因。作為能抑制上述那樣的產(chǎn)生寄生電容的電子元器件，例如，舉出圖7所示的具有 LGA (Land Grid Array 接點(diǎn)柵格陣列)結(jié)構(gòu)的電子元器件500。圖7是電子元器件500的 分解立體圖。下面，將電子元器件500的層疊方向定義為ζ軸方向，將沿電子元器件500的 長邊的方向定義為χ軸方向，將沿電子元器件500的短邊的方向定義為y軸方向。χ軸、y 軸、及ζ軸相互正交。電子元器件500包括層疊體502、外部電極506a、506b、以及線圈L501、L502。層疊 體502通過將長方形的絕緣體層504a 504i進(jìn)行層疊而構(gòu)成。設(shè)置在絕緣體層504d 504h上的線圈電極508a 508e通過過孔導(dǎo)體B相連接，從而構(gòu)成線圈L501。此外，設(shè)置 在絕緣體層504d 504h上的線圈電極510a 510e通過過孔導(dǎo)體B相連接，從而構(gòu)成線 圈L502。此外，線圈電極508a和線圈電極510a相連接，從而將線圈L501和線圈L502相連 接。此外，外部電極506a、506b分別形成于層疊體502的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面， 并通過線圈電極508e、510e和過孔導(dǎo)體B相連接。在具有以上那樣的結(jié)構(gòu)的電子元器件 500中，由于外部電極506a、506b設(shè)置于層疊體502的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面，因此，不 會靠近線圈電極508a 508d、5IOa 5IOd進(jìn)行排列。所以，可抑制因外部電極506a、506b 與線圈電極508a 508d、510a 510d之間產(chǎn)生寄生電容而導(dǎo)致電子元器件500的Q值下 降的情況。 然而，圖7所示的電子元器件500具有難以得到高Q值的問題。更詳細(xì)而言，在電 子元器件500中，線圈電極508、510設(shè)置成在同一絕緣體層504上各排列一個線圈電極。因 此，在電子元器件500中，與在絕緣體層上設(shè)置有一個線圈電極的情況相比，線圈電極508、 510的內(nèi)徑變小。這樣，若線圈電極508、510的內(nèi)徑變小，則通過線圈電極508、510內(nèi)的磁 通的數(shù)量變少，線圈L501、L502的電感值下降。因此，為了得到所希望的電感值，需要使線圈電極508、510的長度變長，但若線圈電極508、510的長度變長，則電阻值變大，Q值下降。另外，如圖7所示，作為將兩個線圈平行配置的電子元器件，例如已知有專利文獻(xiàn) 2所記載的層疊電感。然而，在該層疊電感中，由于將兩個線圈平行配置，因此，具有與圖7 所示的電子元器件500相同的問題。此外，在該層疊電感中，由于外部電極形成于層疊體的 側(cè)面，因此，也具有因寄生電容的增加而導(dǎo)致Q值下降的問題。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開平10-270249號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利特開平9-63848號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能得到高電感值和高Q值的電子元器件。本發(fā)明的特征在于，包括層疊體，該層疊體是層疊多個絕緣體層而構(gòu)成；第一線 圈，該第一線圈是內(nèi)置于所述層疊體的線圈，該第一線圈具有第一線圈軸，且繞該第一線圈 軸的周圍沿預(yù)定方向盤旋地朝第一方向行進(jìn)；以及第二線圈，該第二線圈是與所述第一線 圈相連接、且內(nèi)置于所述層疊體的線圈，該第二線圈具有第二線圈軸，且繞該第二線圈軸的 周圍沿所述預(yù)定方向盤旋地朝與所述第一方向成相反方向的第二方向行進(jìn)，在從所述第一 方向俯視時，所述第一線圈軸位于所述第二線圈的內(nèi)部，在從所述第二方向俯視時，所述第 二線圈軸位于所述第一線圈的內(nèi)部。根據(jù)本發(fā)明，能得到高電感值和高Q值。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1至實(shí)施方式5所涉及的電子元器件的外觀立體圖。圖2是實(shí)施方式1所涉及的電子元器件的分解立體圖。圖3是實(shí)施方式2所涉及的電子元器件的分解立體圖。圖4是實(shí)施方式3所涉及的電子元器件的分解立體圖。圖5是實(shí)施方式4所涉及的電子元器件的分解立體圖。圖6是實(shí)施方式5所涉及的電子元器件的分解立體圖。圖7是現(xiàn)有電子零部件的外觀立體圖。
具體實(shí)施例方式下面，說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件。(實(shí)施方式1)(電子元器件的結(jié)構(gòu))圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的電子元器件IOa的外觀立體圖。圖2是實(shí)施 方式1所涉及的電子元器件IOa的分解立體圖。下面，將電子元器件IOa的層疊方向定義 為ζ軸方向，將沿電子元器件IOa的長邊的方向定義為χ軸方向，將沿電子元器件IOa的短 邊的方向定義為y軸方向。Χ軸、y軸、及ζ軸相互正交。如圖1所示，電子元器件IOa包括層疊體12及外部電極14a、14b。層疊體12具有 長方體的形狀，內(nèi)置有線圈Li、L2。外部電極14a與線圈Ll的一端進(jìn)行電連接，形成于朝 向ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的層疊體12的底面(表面)。外部電極14b與線圈L2的一端進(jìn)行電連接，形成于位于Z軸方向的負(fù)方向側(cè)的層疊體12的底面(表面)。如圖2所示，層疊體12由多個絕緣體層16a 16j以從ζ軸方向的上方起按照該 順序排列的方式進(jìn)行層疊而構(gòu)成。磁性體層16a 16j是由鐵磁性鐵氧體(例如Ni-Zn-Cu 鐵氧體或Ni-Zn鐵氧體等)形成的長方形的絕緣體層。另外，作為絕緣體層16a 16j，也 可使用介質(zhì)層。

如圖2所示，線圈Ll由線圈電極18a 18e以及過孔導(dǎo)體b2 b6構(gòu)成，是具有 與ζ軸平行、且通過絕緣體層16a 16j的中心(對角線的交點(diǎn))的線圈軸Xl的螺旋狀的 線圈。在從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視時，線圈Ll繞線圈軸Xl的周圍沿逆時針盤旋地從ζ 軸方向的負(fù)方向側(cè)朝正方向側(cè)行進(jìn)。如圖2所示，線圈電極18a 18e分別由包括Ag或Cu等導(dǎo)電性材料形成在絕緣 體層16d 16i的主面上。各線圈電極18a 18e具有3/4匝的長度，且在從ζ軸方向俯 視時，形成相互重疊的長方形區(qū)域。過孔導(dǎo)體b2 b6分別設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層16e 16i。過孔導(dǎo)體 b2 b6設(shè)置成在從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視時、分別與線圈電極18a 18e的位于沿逆時 針的上游側(cè)的端部相連接。此外，過孔導(dǎo)體b2 b5與線圈電極18b 18e的位于沿逆時 針的下游側(cè)的端部相連接，該線圈電極18b 18e設(shè)置于位于ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的絕緣 體層16f 16i。通過將具有以上那樣的結(jié)構(gòu)的線圈電極18a 18e以及過孔導(dǎo)體b2 b6相連接，使得在從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視時，線圈Ll繞線圈軸Xl的周圍沿逆時針盤旋 地從ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)朝正方向側(cè)行進(jìn)。如圖2所示，線圈L2由線圈電極20a 20e以及過孔導(dǎo)體bl2 bl6構(gòu)成，是具 有與ζ軸平行、且通過絕緣體層16a 16j的中心(對角線的交點(diǎn))的線圈軸X2的螺旋狀 的線圈。在從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視時，線圈L2繞線圈軸X2的周圍沿逆時針盤旋地從ζ 軸方向的正方向側(cè)朝負(fù)方向側(cè)行進(jìn)。此外，線圈L2延伸的區(qū)域在ζ軸方向與線圈Ll延伸 的區(qū)域重疊。如圖2所示，線圈電極20a 20e分別由包括Ag或Cu等導(dǎo)電性材料形成在形成 有線圈電極18a 18e的絕緣體層16d 16i的主面上。各線圈電極20a 20e具有3/4 匝的長度，且在從ζ軸方向俯視時，在線圈電極18a 18e所形成的長方形區(qū)域的內(nèi)側(cè)，形 成有相互重疊的長方形的環(huán)狀區(qū)域。由此，線圈L2內(nèi)含在線圈Ll中。此外，在從ζ軸方向 俯視時，線圈Ll的線圈軸Xl位于線圈L2的內(nèi)部，線圈L2的線圈軸X2位于線圈Ll的內(nèi)部。 此夕卜，由于線圈電極18a 18e和線圈電極20a 20e設(shè)置在絕緣體層16d 16i的主面 上，因此，線圈L2延伸的區(qū)域在ζ軸方向上與線圈Ll延伸的區(qū)域重疊。此外，在本實(shí)施方式中，線圈電極18a 18e所形成的長方形區(qū)域的各邊與線圈電 極20a 20e所形成的長方形區(qū)域的各邊配置成平行且等間隔。因而，線圈軸Xl的位置與 線圈軸X2的位置相一致。過孔導(dǎo)體bl2 bl6分別設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層16e 16 j。過孔導(dǎo)體 bl2 bl6設(shè)置成在從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視時、分別與線圈電極20a 20e的位于沿 逆時針的下游側(cè)的端部相連接。此外，過孔導(dǎo)體bl2 bl5與線圈電極20b 20e的位于 沿逆時針的上游側(cè)的端部相連接，該線圈電極20b 20e設(shè)置于位于ζ軸方向的負(fù)方向側(cè) 的絕緣體層16f 16i。通過將具有以上那樣的結(jié)構(gòu)的線圈電極20a 20e以及過孔導(dǎo)體bl2 bl6相連接，使得在從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視時，線圈L2繞線圈軸X2的周圍沿逆 時針盤旋地從ζ軸方向的正方向側(cè)朝負(fù)方向側(cè)(線圈Ll的行進(jìn)方向的相反方向)行進(jìn)。此外，線圈Ll和線圈L2通過設(shè)置在絕緣體層16d上的連接電極22以及過孔導(dǎo)體 bl、bll相連接。具體而言，過孔導(dǎo)體bl、bll設(shè)置成與連接電極22的兩端相連接。此外， 過孔導(dǎo)體bl、bll分別與線圈電極18a、20a相連接。由此，位于ζ軸方向的正方向側(cè)的線圈 Ll的端部、與位于ζ軸方向的正方向側(cè)的線圈L2的端部相連接。

此外，外部電極14a、14b設(shè)置在絕緣體層16j的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面。此 夕卜，過孔導(dǎo)體b7、bl7分別設(shè)置成沿ζ軸方向貫穿絕緣體層16 j，且與外部電極14a、14b相連 接。在層疊絕緣體層16i、16j時，該過孔導(dǎo)體b7、bl7分別與過孔導(dǎo)體b6、bl6相連接。由 此，位于ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的線圈Ll的端部與外部電極14a相連接，位于ζ軸方向的負(fù) 方向側(cè)的線圈L2的端部與外部電極14b相連接。(效果)采用以上那樣的結(jié)構(gòu)的電子元器件IOa像下面說明的那樣，能得到高電感值，且 能得到高Q值。更詳細(xì)而言，如圖2所示，在從ζ軸方向的正方向側(cè)俯視時，線圈Ll繞線圈 軸Xl的周圍沿逆時針盤旋地從ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)朝正方向側(cè)行進(jìn)，并且，在從ζ軸方向 的正方向側(cè)俯視時，線圈L2繞線圈軸X2的周圍沿逆時針盤旋地從ζ軸方向的正方向側(cè)朝 負(fù)方向側(cè)行進(jìn)。因此，在外部電極14a與外部電極14b之間有電流流過的情況下，在從ζ軸 方向的正方向側(cè)俯視時，流過線圈Ll的電流盤旋的方向與流過線圈L2的電流盤旋的方向 一致。例如，在電流從外部電極14a流向外部電極14b的情況下，在從ζ軸方向的正方向側(cè) 俯視時，電流沿逆時針流過線圈電極18a 18e、20a 20e。在該情況下，在線圈Ll的內(nèi) 部，產(chǎn)生從ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)的磁通。同樣地，在線圈L2的內(nèi)部，也產(chǎn)生從ζ 軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)的磁通。由此，線圈Ll所產(chǎn)生的磁通以及線圈L2所產(chǎn)生的 磁通分別通過線圈Ll和線圈L2的內(nèi)部。其結(jié)果是，與僅線圈Ll所產(chǎn)生的磁通通過線圈L 1的內(nèi)部的情況相比，本實(shí)施方式的線圈Ll能得到大電感值。同樣地，與僅線圈L2所產(chǎn)生 的磁通通過線圈L2的內(nèi)部的情況相比，本實(shí)施方式的線圈L2能得到大電感值。其結(jié)果是， 在電子元器件IOa中，能得到高電感值，且能得到高Q值。此外，電子元器件IOa像下面說明的那樣，能得到高Q值。更詳細(xì)而言，在電子元 器件500中，如圖7所示，在從ζ軸方向俯視時，線圈L501和線圈L502設(shè)置成不重疊排列。 因此，在電子元器件500中，難以將線圈L501、L502的內(nèi)徑形成大型化，從而難以增加通過 線圈L501、L502的內(nèi)部的磁通的數(shù)量。其結(jié)果是，在線圈L501、L502中，難以得到高Q值。另一方面，在電子元器件IOa中，線圈Ll的線圈軸Xl位于線圈L2的內(nèi)部，線圈 L2的線圈軸X2位于線圈Ll的內(nèi)部。所以，在從ζ軸方向俯視時，線圈Ll和線圈L2重疊。 由此，由于可使線圈電極18a 18e、20a 20e的內(nèi)徑大于電子元器件500的線圈電極 508a 508e、510a 510e的內(nèi)徑，從而可使通過線圈L1、L2的內(nèi)部的磁通的數(shù)量多于通過 線圈L501、L502的內(nèi)部的磁通的數(shù)量。其結(jié)果是，在線圈Li、L2中，與線圈L501、L502相 比，能得到高電感值，且能得到高Q值。此外，在電子元器件IOa中，在位于ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)的層疊體12的底面上設(shè) 置有外部電極14a、14b。因此，在電子元器件IOa中，與在層疊體的側(cè)面設(shè)置端子電極的、專 利文獻(xiàn)1所記載的層疊型線圈元器件相比，在外部電極14a、14b與線圈Li、L2之間產(chǎn)生的寄生電容變小。其結(jié)果是，電子元器件IOa的Q值增大。
此夕卜，在電子元器件IOa中，由于線圈軸Xl與線圈軸X2重疊，因此，可使通過線圈 Ll內(nèi)的磁通的分布、和通過線圈L2內(nèi)的磁通的分布接近同一分布。其結(jié)果是，減少線圈Ll 所產(chǎn)生的磁通和線圈L2所產(chǎn)生的磁通相互抵消的情況，在電子元器件IOa中，能得到高電 感值，且能得到高Q值。此外，在電子元器件IOa中，線圈電極18a 18e和線圈電極20a 20e設(shè)置在同 一絕緣體層16e 16i上。因此，在電子元器件IOa中，與線圈電極18a 18e和線圈電極 20a 20e設(shè)置在不同的絕緣體層16上的情況相比，絕緣體層16的數(shù)量變少。其結(jié)果是， 可實(shí)現(xiàn)電子元器件IOa的小型化。(電子元器件的制造方法)下面，參照圖1及圖2說明電子元器件IOa的制造方法。首先，準(zhǔn)備成為絕緣體層16a 16 j的陶瓷生片。對成為絕緣體層16d 16 j的 陶瓷生片分別形成過孔導(dǎo)體bl b7、bll bl7。具體而言，如圖2所示，對成為絕緣體層 16d 16j的陶瓷生片照射激光束，形成過孔。接下來，通過印刷涂布等方法對該過孔填充 Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導(dǎo)電性糊料。接下來，在成為絕緣體層16e 16i的陶瓷生片上，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等 方法涂布以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，從而形成線圈電極 18a 18e、20a 20e。另外，形成線圈電極18a 18e、20a 20e的工序和對過孔填充導(dǎo) 電性糊料的工序也可在同一工序中進(jìn)行。接下來，在成為絕緣體層16d的陶瓷生片上，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法涂 布以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，從而形成連接電極22。另 夕卜，形成連接電極22的工序和對過孔填充導(dǎo)電性糊料的工序也可在同一工序中進(jìn)行。接下來，在成為絕緣體層16j的陶瓷生片上，利用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法涂 布以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，從而形成成為外部電極14a、 14b的銀電極。另外，形成成為外部電極14a、14b的銀電極的工序和對過孔填充導(dǎo)電性糊料 的工序也可在同一工序中進(jìn)行。接著，如圖2所示，層疊成為絕緣體層16a 16j的陶瓷生片。更詳細(xì)而言，配置 成為絕緣體層16j的陶瓷生片，使得形成有成為外部電極14a、14b的銀電極的面位于ζ軸 方向的負(fù)方向側(cè)。接下來，在成為絕緣體層16j的陶瓷生片上，配置成為絕緣體層16i的陶 瓷生片并進(jìn)行預(yù)壓接。之后，對于成為絕緣體層16h、16g、16f、16e、16d、16C、16b、16a的陶 瓷生片，也同樣地按照該順序進(jìn)行層疊及預(yù)壓接，得到母層疊體。而且，通過靜水壓沖壓等 對母層疊體實(shí)施正式壓接。接下來，在母層疊體上形成分割槽。對該未燒成的母層疊體進(jìn)行脫粘合劑處理及 燒成。脫粘合劑處理例如在低氧氣氛中及500°C、2小時的條件下進(jìn)行。燒成例如在890°C、 2小時的條件下進(jìn)行。之后，沿分割槽分割母層疊體，從而可得到層疊體12。通過以上工序，得到燒成后的層疊體12。對層疊體12實(shí)施滾光筒加工，進(jìn)行倒角。 最后，對成為外部電極14a、14b的銀電極的表面實(shí)施鍍M/鍍Sn。經(jīng)過以上的工序，完成圖 1所示的電子元器件10a。另外，本實(shí)施方式所涉及的電子元器件IOa是利用逐次壓接法制作的，但該電子元器件IOa的制造方法并不限于此。電子元器件IOa也可例如利用薄膜工序來制作。這種 情況下，使用由樹脂形成的介質(zhì)層作為絕緣體層16。(實(shí)施方式2)下面，參照

實(shí)施方式2所涉及的電子元器件10b。圖3是實(shí)施方式2所涉 及的電子元器件IOb的分解立體圖。下面，將電子元器件IOb的層疊方向定義為Z軸方向， 將沿電子元器件IOb的長邊的方向定義為χ軸方向，將沿電子元器件IOb的短邊的方向定 義為y軸方向。X軸、y軸、及Z軸相互正交。另外，關(guān)于電子元器件IOb的外觀立體圖，則 引用圖1。像電子元器件IOb所示的那樣，連接電極22也可圍繞在線圈軸Xl、X2的周圍。連 接電極22像這樣圍繞在線圈軸XI、X2的周圍，從而在電子元器件IOb中，可得到比連接電 極22未圍繞的電子元器件IOa更高的電感值和更高的Q值。另外，對于電子元器件IOb的 其他結(jié)構(gòu)，由于與電子元器件IOa相同，因此省略說明。(實(shí)施方式3)下面，參照

實(shí)施方式3所涉及的電子元器件10c。圖4是實(shí)施方式3所涉 及的電子元器件IOc的分解立體圖。下面，將電子元器件IOc的層疊方向定義為ζ軸方向， 將沿電子元器件IOc的長邊的方向定義為χ軸方向，將沿電子元器件IOc的短邊的方向定 義為y軸方向。Χ軸、y軸、及ζ軸相互正交。另外，關(guān)于電子元器件IOc的外觀立體圖，則 引用圖1。像電子元器件IOc所示的那 樣，構(gòu)成線圈L2的線圈電極20a 20e也可分別具有 多匝的長度。由此，與像電子元器件IOa那樣、線圈電極20a 20e具有3/4匝的長度的情 況相比，在電子元器件IOc的各線圈電極20a 20e中產(chǎn)生的磁通的數(shù)量增加，從而通過電 子元器件IOc的線圈L1、L2的內(nèi)部的磁通的數(shù)量增加。其結(jié)果是，在電子元器件IOc中，能 得到比電子元器件IOa更高的電感值和更高的Q值。(實(shí)施方式4)下面，參照

實(shí)施方式4所涉及的電子元器件10d。圖5是實(shí)施方式4所涉 及的電子元器件IOd的分解立體圖。下面，將電子元器件IOd的層疊方向定義為Z軸方向， 將沿電子元器件IOd的長邊的方向定義為χ軸方向，將沿電子元器件IOd的短邊的方向定 義為y軸方向。X軸、y軸、及Z軸相互正交。另外，關(guān)于電子元器件IOd的外觀立體圖，則 引用圖1。像電子元器件IOd所示的那樣，也可除構(gòu)成線圈L2的線圈電極20a 20e之外， 構(gòu)成線圈Ll的線圈電極18a 18e也具有多匝的長度。其結(jié)果是，在電子元器件IOd中， 能得到比電子元器件IOc更高的電感值和更高的Q值。(實(shí)施方式5)圖6是實(shí)施方式5所涉及的電子元器件IOe的分解立體圖。下面，將電子元器件 IOe的層疊方向定義為ζ軸方向，將沿電子元器件IOe的長邊的方向定義為χ軸方向，將沿 電子元器件IOe的短邊的方向定義為y軸方向。χ軸、y軸、及ζ軸相互正交。另外，關(guān)于電 子元器件IOe的外觀立體圖，則引用圖1。在電子元器件IOa IOd中，線圈電極18a 18e設(shè)置在設(shè)置有線圈電極20a 20e的絕緣體層16e 16i上。然而，線圈電極的配置方法并不限于此。
因而，在電 子元器件IOe中，線圈電極118a 118c設(shè)置在與設(shè)置有線圈電極 120a 120c的絕緣體層16f、16h、16j不同的絕緣體層16e、16g、16i上。此外，線圈電極 118a 118c和線圈電極120a 120c由于具有相同內(nèi)徑，因此，在從ζ軸方向俯視時，在ζ 軸方向彼此相對而重疊。此外，線圈電極118a 118c通過過孔導(dǎo)體b22 b27相連接而構(gòu)成線圈Li。線 圈電極120a 120c通過過孔導(dǎo)體b33 b37相連接而構(gòu)成線圈L2。此外，線圈Ll和線圈L2通過連接電極22以及過孔導(dǎo)體b21、b31、b32相連接。此 夕卜，線圈L1、L2分別通過過孔導(dǎo)體b28、b38與外部電極14a、14b相連接。通過采用以上結(jié) 構(gòu)，圖6所示的電子元器件IOe與圖2所示的電子元器件IOa相同，具有在外部電極14a、 14b之間將線圈Li、L2串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。根據(jù)電子元器件10e，線圈電極118a 118c設(shè)置在與設(shè)置有線圈電極120a 120c的絕緣體層16f、16h、16j不同的絕緣體層16e、16g、16i上。所以，由于線圈電極 118a 118c和線圈電極120a 120c變得不再交叉，從而可像圖6所示的那樣，使線圈L2 的內(nèi)徑的大小與線圈Ll的內(nèi)徑的大小相同。其結(jié)果是，在電子元器件IOe中，由于可使通 過線圈L2內(nèi)的磁通的數(shù)量增加，因此，在電子元器件IOe中能得到高電感值和高Q值。(其他實(shí)施方式)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件并不限于電子元器件IOa IOe所示的結(jié) 構(gòu)。因而，該電子元器件在其要點(diǎn)的范圍內(nèi)可以進(jìn)行變更。雖然在電子元器件IOa IOe中，線圈電極18、20、118、120都具有相同線寬，但它 們也可具有不同線寬。例如，可以使線圈電極18的線寬和線圈電極20的線寬不同，也可使 線圈電極18、20的線寬隨著從ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)而逐漸變粗或變細(xì)。此外， 也可使線寬較粗的線圈電極18、20與線寬較細(xì)的線圈電極18、20在ζ軸方向交替排列。另 夕卜，關(guān)于線圈電極118、120的線寬，也可使其與線圈電極18、20同樣地進(jìn)行變化。此外，雖然在電子元器件IOa IOe中，線圈電極18、20、118、120在ζ軸方向配置 成等間隔，但也可不配置成等間隔。此外，在電子元器件IOa IOd中，所有線圈電極18設(shè)置在設(shè)置有線圈電極20的 絕緣體層16上。然而，只要至少一部分線圈電極18設(shè)置在設(shè)置有線圈電極20的絕緣體層 16上即可。此外，在電子元器件IOe中，所有線圈電極118設(shè)置在與設(shè)置有線圈電極120的絕 緣體層16不同的絕緣體層16上。然而，只要至少一部分線圈電極118設(shè)置在設(shè)置有線圈 電極120的絕緣體層16上即可。另外，線圈電極18、20、118、120的匝數(shù)也可以是3/4匝以外的數(shù)量。此外，線圈電 極18、20、118、120的盤旋方向也可以是已說明的方向的相反方向。工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明可用于電子元器件，特別是其優(yōu)點(diǎn)在于能得到高電感值和高Q值。標(biāo)號說明L1、L2 線圈X1、X2 線圈軸bl b7、bll bl7、b21 b28、b31 b38 過孔導(dǎo)體
IOa IOe電子元器件12層疊體

14a、14b 外部電極16a 16k絕緣體層18a 18e、20a 20e、118a 118c、120a 120c 線圈電極
權(quán)利要求
1.一種電子元器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體是層疊多個絕緣體層而構(gòu)成；第一線圈，該第一線圈是內(nèi)置于所述層疊體的線圈，該第一線圈具有第一線圈軸，且繞 該第一線圈軸的周圍沿預(yù)定方向盤旋地朝第一方向行進(jìn)；以及第二線圈，該第二線圈是與所述第一線圈相連接、且內(nèi)置于所述層疊體的線圈，該第二 線圈具有第二線圈軸，且繞該第二線圈軸的周圍沿所述預(yù)定方向盤旋地朝與所述第一方向 成相反方向的第二方向行進(jìn)，在從所述第一方向俯視時，所述第一線圈軸位于所述第二線圈的內(nèi)部， 在從所述第二方向俯視時，所述第二線圈軸位于所述第一線圈的內(nèi)部。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于，還包括第一外部電極，該第一外部電極是設(shè)置在位于所述第二方向側(cè)的所述層疊體表面的外 部電極，并與所述第一線圈的一個端部相連接；第二外部電極，該第二外部電極是設(shè)置在位于所述第二方向側(cè)的所述層疊體表面的外 部電極，并與所述第二線圈的一個端部相連接，所述第一線圈的位于所述第一方向側(cè)的另一個端部與所述第二線圈的位于該第一方 向側(cè)的另一個端部相連接。
3.如權(quán)利要求2所述的電子元器件，其特征在于，在所述第一外部電極與所述第二外部電極之間有電流流過的情況下，在從層疊方向俯 視時，流過所述第一線圈的電流的方向與流過所述第二線圈的電流的方向相一致。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，所述第一線圈由設(shè)置在所述絕緣體層上的多個第一線圈電極相連接而構(gòu)成， 所述第二線圈由設(shè)置在所述絕緣體層上的多個第二線圈電極相連接而構(gòu)成， 至少一部分所述第一線圈電極設(shè)置在設(shè)置有所述第二線圈電極的所述絕緣體層上。
5.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于，所述第一線圈由設(shè)置在所述絕緣體層上的多個第一線圈電極相連接而構(gòu)成， 所述第二線圈由設(shè)置在所述絕緣體層上的多個第二線圈電極相連接而構(gòu)成， 至少一部分所述第一線圈電極設(shè)置在沒有設(shè)置所述第二線圈電極的所述絕緣體層上。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于， 所述第一線圈軸的位置與所述第二線圈軸的位置相一致。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能得到高Q值的電子元器件。層疊體(12)是層疊多個絕緣體層(16a～16j)而構(gòu)成。線圈(L1)是內(nèi)置于層疊體(12)的線圈，該線圈(L1)具有線圈軸(X1)，且繞線圈軸(X1)的周圍沿逆時針盤旋地朝z軸方向的正方向側(cè)行進(jìn)。線圈(L2)是與線圈(L1)相連接、且內(nèi)置于層疊體(12)的線圈，該線圈(L2)具有線圈軸(X2)、且繞線圈軸(X2)的周圍沿逆時針盤旋地朝z軸方向的負(fù)方向側(cè)行進(jìn)。在從z軸方向俯視時，線圈軸(X1)位于線圈(L2)的內(nèi)部，線圈軸(X2)位于線圈(L1)的內(nèi)部。
文檔編號H01F17/00GK102099876SQ20098012827
公開日2011年6月15日 申請日期2009年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月15日
發(fā)明者松下洋介 申請人:株式會社村田制作所