專利名稱：真空處理裝置、真空處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有脫氣室的真空處理裝置，特別涉及一種在基板的脫氣后在高 真空環(huán)境下進行處理的真空處理裝置。
背景技術(shù)：
在從大氣環(huán)境下運入基板的真空處理裝置中，在處理室的前段設(shè)置脫氣室，在脫 氣室的內(nèi)部將基板加熱并放出吸附氣體，之后運入處理室內(nèi)而進行薄膜形成及表面處理等
的真空處理。特別是在真空處理裝置為在基板表面形成MgO薄膜的MgO成膜裝置時，基板在大 氣中被安裝在托架上而配置在運入室內(nèi)，所以在托架上吸附有大量的氣體。因此，在從運入 室向處理室內(nèi)移動基板時，為了減少從基板以及托架放出的吸附氣體量，運入脫氣室內(nèi)，一 邊進行真空排氣一邊盡可能長時間地加熱，在脫氣室內(nèi)部變?yōu)楦哒婵窄h(huán)境后，向處理室移 動。因此，除了處理室，運入室、脫氣室、緩沖室等也與排氣量盡量大的真空泵連接，進 行真空排氣直到變?yōu)楦哒婵窄h(huán)境。但是，在對運入室進行高真空排氣時，需要經(jīng)由20英寸以上的閥將高真空排氣泵 (渦輪分子泵及低溫泵)與運入室連接，在以80秒間歇處理基板時，一個月中為27000次以 上的開閉頻度，所以大約三個月就需要進行一次大修，閥的大修以及故障成為裝置停機時 間的重要原因。此外，多個脫氣室直列地連接，并且各脫氣室與高真空排氣泵(冷槽和渦輪分子 泵的組合、或者低溫泵)連接(在高真空排氣泵上還連接有背壓泵)。特別是由于處理基板大型化、降低污染等的要求，真空排氣系統(tǒng)變得大型化。因此，MgO成膜裝置的價格及運轉(zhuǎn)成本變高，此外，需要較大的設(shè)置空間以及設(shè)備， 期望得以解決。非專利文件1 平模板顯示器大事典，工業(yè)調(diào)查會，2001年12月25日，第1版， p269, p683 684, p688 689, p737 738非專利文件之新版真空手冊，(株)才一 A社，平成14年7月1日，p5(l、2項真空 用語)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種真空處理裝置，不需要大型的真空泵，能夠以低成本進行高真空 環(huán)境的處理。說明本發(fā)明的動作原理。在高真空環(huán)境下，在壓力P(Pa)、放出氣體量QO^a · m3/sec)、有效排氣速度S(m3/ sec)之間，存在P = Q/S的關(guān)系。若令放出氣體量Q為從托架和基板放出的吸附氣體的量， 則對托架和基板在真空環(huán)境下加熱到一定溫度而脫氣時，放出氣體量Q的值可以看作僅是時間的函數(shù)。即，加熱脫氣時的放出氣體量Q不依存于加熱脫氣中的周圍的真空環(huán)境的壓 力。若這樣，則即便對于進行工藝的處理室需要連接能夠產(chǎn)生高真空環(huán)境的真空排氣 裝置，對于進行加熱脫氣的脫氣室，能夠連接到達真空度比與處理室相連的真空排氣裝置 還低的真空排氣裝置，在比以往還高的壓力中進行加熱脫氣。本發(fā)明基于上述認(rèn)知而完成，為一種真空處理裝置，具有具有基板加熱機構(gòu)的脫 氣室、進行基板的真空處理的處理室，上述脫氣室和上述處理室處于真空環(huán)境，在上述脫氣 室內(nèi)被加熱而被脫氣處理后的處理對象物被運入上述處理室內(nèi)，在上述處理室內(nèi)被進行真 空處理，其中，與上述脫氣室連接的脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度比與上述處理室連 接的處理室用真空排氣裝置的排氣速度小。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，使用上述脫氣室用真空排氣裝置的到達壓力 比上述處理室用真空排氣裝置的到達壓力高的真空泵。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，在上述處理室中配置MgO蒸鍍源，從上述MgO 蒸鍍源放出MgO蒸汽而在上述處理對象物的表面上形成MgO薄膜。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，具有多個上述脫氣室，上述各脫氣室直列地連 接，上述處理對象物在上述各脫氣室中被脫氣處理后被移動到上述處理室。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，上述脫氣室用真空排氣裝置具有令上述脫氣 室內(nèi)的壓力變?yōu)镮Pa以上IOOPa以下的壓力環(huán)境的排氣速度，上述處理室用真空排氣裝置 具有令上述處理室內(nèi)的壓力變?yōu)椴蛔鉏Pa的真空排氣速度。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，具有具有基板加熱機構(gòu)的脫氣室、與上述脫 氣室連接的緩沖室、與上述緩沖室連接的處理室，上述脫氣室、上述緩沖室、上述處理室處 于真空環(huán)境，在上述脫氣室內(nèi)被加熱而被脫氣處理的處理對象物通過上述緩沖室而被運入 上述處理室內(nèi)，在上述處理室內(nèi)被真空處理，其中，與上述脫氣室連接的脫氣室用真空排氣 裝置的排氣速度比與上述緩沖室連接的緩沖室用真空排氣裝置的排氣速度小。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，上述脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度比與 上述處理室連接的處理室用真空排氣裝置的排氣速度小。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，使用上述脫氣室用真空排氣裝置的到達壓力 比上述緩沖室用真空排氣裝置的到達壓力高的真空泵。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，在上述處理室中配置MgO蒸鍍源，從上述MgO 蒸鍍源放出MgO蒸汽而在上述處理對象物的表面上形成MgO薄膜。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，具有多個上述脫氣室，上述各脫氣室直列地連 接，上述處理對象物在上述各脫氣室中被脫氣處理后，被移動到上述緩沖室。此外，本發(fā)明為一種真空處理裝置，上述脫氣室用真空排氣裝置具有令上述脫氣 室內(nèi)的壓力變?yōu)镮Pa以上IOOPa以下的壓力環(huán)境的排氣速度，上述緩沖室用真空排氣裝置 具有令上述緩沖室內(nèi)的壓力不足IPa的真空排氣速度。此外，本發(fā)明為一種真空處理方法，將處理對象物安裝在托架上而成為運送單元， 將上述運送單元從大氣環(huán)境中運入真空環(huán)境中，將上述運送單元在脫氣室內(nèi)加熱而進行脫 氣處理，之后運入緩沖室內(nèi)，在令緩沖室內(nèi)的壓力降低后，連接上述緩沖室與處理室，將上 述運送單元運入上述處理室內(nèi)，對上述運送單元內(nèi)的上述處理對象物進行真空處理，其中，令上述脫氣室內(nèi)的壓力為IPa以上IOOPa以下的壓力環(huán)境，令上述處理室內(nèi)的壓力為不足 lPa。此外，本發(fā)明為一種真空處理方法，在上述處理室內(nèi)產(chǎn)生MgO蒸汽而在上述處理 對象物的表面上形成MgO薄膜。本發(fā)明的效果無需令脫氣環(huán)境變?yōu)楦哒婵?，所以真空排氣系統(tǒng)成本降低，裝置的設(shè)置空間也減 少。無需令運入室為高真空環(huán)境，所以無需在運入室的真空排氣系統(tǒng)中設(shè)置大型的 閥。從圖4的圖表可知，若在處理室前的緩沖室中進行真空排氣直到變?yōu)槟軌蚺c處理 室連接的壓力，則真空排氣后的運入室的壓力、脫氣室中的脫氣進行時的壓力能夠為以往 的大約3倍以上。其結(jié)果，本發(fā)明能夠大幅削減真空排氣系統(tǒng)，能夠?qū)⒀b置成本減少大約5% 10%。此外，設(shè)備電力、裝置運轉(zhuǎn)時的電力量、冷卻水能夠削減大約5%。進而，設(shè)置空間大 約能夠削減大約3%。此外，通過削減不必要的真空排氣裝置，能夠在提高裝置整體的可靠 性的同時降低定期維護的成本。


圖1是本發(fā)明的真空處理裝置的一例。圖2是用于說明運送單元的圖。圖3是用于說明本發(fā)明的另一例的圖。圖4是表示運送單元的周圍環(huán)境的壓力的時間變化的圖表。圖5(a)是本發(fā)明的一例的單張式真空處理裝置，圖5(b)是現(xiàn)有技術(shù)的單張式真 空處理裝置。附圖標(biāo)記說明5運送單元7 托架10、20真空處理裝置11、12、21、22 脫氣室13緩沖室14、24 處理室17冷卻室18處理對象物31、32基板加熱機構(gòu)33緩沖室用加熱機構(gòu)35 MgO 蒸鍍源61、62、71、72脫氣室用真空排氣裝置63緩沖室用真空排氣裝置
具體實施例方式參照圖1，附圖標(biāo)記10表示本發(fā)明的一例的真空處理裝置。該真空處理裝置10具有運入室15、第一脫氣室11、第二脫氣室12、緩沖室13、處 理室14、冷卻室17、運出室16。各室15、11 14、17、16以該順序配置，利用閘閥51 56 直列地連接。第一、第二脫氣室11、12分別與第一、第二脫氣室用真空排氣裝置61、62連接，緩 沖室13與緩沖室用真空排氣裝置63連接，處理室14與處理室用真空排氣裝置64連接。冷 卻室17與冷卻室用真空排氣裝置67連接。關(guān)閉各閘閥51 56而令真空排氣裝置61 64、67動作，將第一、第二脫氣室11、 12和緩沖室13和處理室14和冷卻室17的內(nèi)部預(yù)先真空排氣，開始真空處理作業(yè)。開始后，令各真空排氣裝置61 64、67動作，第一、第二脫氣室11、12和緩沖室13 和處理室14和冷卻室17繼續(xù)進行真空排氣。如圖2所示，利用框體19將玻璃基板等的處理對象物18設(shè)置在托架7上而構(gòu)成 運送單元5，打開運入室15與大氣環(huán)境之間的門57，將運送單元運入至運入室15內(nèi)。若將既定張數(shù)的運送單元5運入到運入室15內(nèi)部，則門57關(guān)閉，利用運入室用真 空排氣裝置65將運入室15的內(nèi)部真空排氣。運入室15的內(nèi)部到達大約IOOPa的既定壓力時，打開閘閥51而將一張運送單元 5從運入室15移動到第一脫氣室11的內(nèi)部。在第一、第二脫氣室11、12的內(nèi)部，分別設(shè)置有第一、第二的加熱機構(gòu)31、32，預(yù)先 對第一加熱機構(gòu)31通電而使其發(fā)熱，令運送單元5與第一加熱機構(gòu)31對置，若關(guān)閉與運入 室15之間的閘閥51而對運送單元5加熱，則令吸附于運送單元5的吸附氣體從升溫后的 運送單元5放出到第一脫氣室11的內(nèi)部。從運送單元5放出的吸附氣體利用第一真空排氣裝置61被真空排氣。將第一脫 氣室11的內(nèi)部利用第一真空排氣裝置61繼續(xù)真空排氣，若脫氣處理經(jīng)過一定時間從而放 出氣體量A降低，則第一脫氣室11的內(nèi)部壓力也降低。第一真空排氣裝置61的有效排氣速度S1為，若僅在預(yù)先設(shè)定的第一脫氣處理時 間之間進行脫氣處理，則第一脫氣室11內(nèi)的壓力P1能夠到達1 IOOPa的范圍的壓力的 程度的大小，通過經(jīng)過第一脫氣處理時間，間閥52打開，運送單元5從第一脫氣室11被移 動到第二脫氣室12。運送單元5與第二加熱機構(gòu)32對置。一邊關(guān)閉閘閥52而利用第二真空排氣裝置 62對第二脫氣室12的內(nèi)部進行真空排氣，一邊加熱運送單元5。在此，在預(yù)先設(shè)定的第二脫氣處理時間之間，在第二脫氣室12的內(nèi)部對運送單元 5進行脫氣處理。第二真空排氣裝置62的有效排氣速度&與第一真空排氣裝置61的有效排氣速 度S1相同，為若僅在預(yù)先設(shè)定的第二脫氣處理時間之間進行脫氣處理，則第二脫氣室12內(nèi) 的壓力P2能夠到達1 IOOPa的范圍的壓力的程度的大小。在此，第二真空排氣裝置62的有效排氣速度&與第一真空排氣裝置61的有效排 氣速度S1為相同大小，但運送單元5的第二脫氣室12的內(nèi)部中的吸附氣體的放出量％比 第一脫氣室11中的放出氣體量兌少，若在第二脫氣室12內(nèi)部中進行脫氣處理，則第二脫氣室12的內(nèi)部壓力P2變?yōu)楸鹊谝幻摎馐?1的內(nèi)部壓力P1還低的壓力。在經(jīng)過設(shè)定的第二脫氣處理時間后，閘閥53打開，令運送單元5向緩沖室13內(nèi)移動。緩沖室用真空排氣裝置63是高真空排氣泵，其排氣速度&比第一、第二真空排氣 裝置61、62的真空排氣速度SpS2大，若關(guān)閉閘閥53而利用緩沖室用真空排氣裝置63進行 真空排氣，則緩沖室13內(nèi)的壓力快速地下降。在此，在緩沖室13中設(shè)置有緩沖室用加熱機構(gòu)33，令運送單元5與緩沖室用加熱 機構(gòu)33對置，令溫度上升為與第一、第二脫氣室11、12內(nèi)的溫度相同程度的溫度，一邊進行 脫氣一邊令緩沖室13的壓力降低。處理室14的內(nèi)部預(yù)先被真空排氣為高真空環(huán)境，在緩沖室13的內(nèi)部壓力降低到 與處理室14的內(nèi)部壓力相同程度之后，打開閘閥M，令運送單元5向處理室14的內(nèi)部移 動，關(guān)閉閘閥討。處理室用真空排氣裝置64為高真空排氣泵，其真空排氣速度、為緩沖室用真空 排氣裝置63的排氣速度&以上，處理室14的內(nèi)部能夠為比緩沖室13的壓力還低的低壓。在該處理室14的內(nèi)部配置有MgO蒸鍍源35。運送單元5將處理對象物18的表面 配置為朝向MgO蒸鍍源35，從MgO蒸鍍源35放出MgO蒸汽，則MgO蒸汽到達處理對象物18 的表面，成長為MgO薄膜。在形成既定膜厚的MgO薄膜后，打開閘閥55而令運送單元5向冷卻室17移動，冷 卻后，令其移動到運出室16。若向處理室14內(nèi)順次運入未處理的運送單元，則能夠?qū)Χ鄠€處理對象物連續(xù)地 進行真空處理(MgO薄膜的形成)。當(dāng)在運出室16內(nèi)配置了既定張數(shù)的真處理后的運送單元5后，在關(guān)閉閘閥56的 狀態(tài)下打開與大氣之間的門58，將運送單元5取出到大氣中。圖4是表示真空處理裝置10內(nèi)的經(jīng)過時間與運送單元5的周圍環(huán)境的壓力的關(guān) 系的圖表，橫軸表示經(jīng)過時間，縱軸表示壓力(任意單位)。橫軸的原點0表示在第一脫氣室11內(nèi)開始脫氣處理的時刻，符號、表示令運送 單元5從第一脫氣室11向第二脫氣室12移動的時刻，符號t2表示從第二脫氣室12向緩 沖室13移動的時刻，符號t3表示從緩沖室13向處理室14移動的時刻。符號A所表示的曲線組表示應(yīng)用本發(fā)明時的壓力變化，符號B表示的曲線組表示 現(xiàn)有技術(shù)的情況下的壓力變化。在脫氣時將運送單元5加熱到相同溫度時，吸附壓力的放出速度依賴于脫氣時 間，放出速度相同時的真空環(huán)境的壓力依賴于真空排氣系統(tǒng)的有效排氣速度的大小，所以 在高壓力下進行脫氣的本發(fā)明的情況下，在高真空環(huán)境下進行脫氣的現(xiàn)有技術(shù)的情況下， 緩沖室13內(nèi)的壓力相同。在上述真空處理裝置10中，分別設(shè)置真空排氣裝置61 67，但也可以例如共用一 個乃至多個。例如，能夠?qū)⑦\入室15和運出室16的真空排氣裝置65、66共用。以上，說明了令脫氣室內(nèi)的壓力為IPa以上100 以下的壓力環(huán)境、令緩沖室內(nèi)的 壓力不滿IPa的實施例，但本發(fā)明也可以應(yīng)用于令脫氣室內(nèi)的壓力為0. IPa以上IOOPa以 下的壓力環(huán)境、令緩沖室內(nèi)的壓力為不滿0. IPa的真空處理裝置。
接著，說明本發(fā)明方法的其他例子。圖3的符號110是能夠使用于本發(fā)明方法的真空處理裝置，具有真空槽114。在真空槽114的內(nèi)部配置有基板加熱機構(gòu)117，處理對象物118與基板加熱機構(gòu) 117對置地配置。真空槽114經(jīng)由閥而連接真空排氣裝置C、164。符號c的真空排氣裝置為粗吸用， 符號164的真空排氣裝置為高真空用。利用粗吸用的真空排氣裝置c將真空槽114的內(nèi)部 真空排氣，同時利用基板加熱機構(gòu)117對處理對象物118進行加熱，令處理對象物118的吸 附氣體放出，進行脫氣處理。放出的吸附氣體被粗吸用真空排氣裝置c排出的大氣環(huán)境中。在高真空用的真空排氣裝置164中設(shè)置有低溫泵，在脫氣處理時，關(guān)閉高真空用 的真空排氣裝置164與真空槽114之間的閥a，脫氣處理由粗吸用的真空排氣裝置c進行。 低溫泵與真空槽114的內(nèi)部環(huán)境沒有連接，所以氣體不會吸附于低溫泵。在脫氣時在不使用低溫泵的狀態(tài)下將真空槽114的內(nèi)部維持為IPa以上100 以 下的壓力。在該力范圍內(nèi)進行既定時間的處理對象物118的脫氣處理后，將低溫泵與真空 槽114的內(nèi)部環(huán)境連接，利用低溫泵所具有的較大的有效排氣速度&將真空槽114的內(nèi)部 真空排氣，則真空槽114的內(nèi)部降低到由脫氣后的放出氣體量％和低溫泵的有效排氣速度 S5決定的壓力P5 ( = Q5/S5) 0在真空槽114的下部配置有MgO蒸鍍源135，在到達該低壓力P5后，從MgO蒸鍍源 135放出MgO蒸汽，則在處理對象物118的表面形成高品質(zhì)的MgO薄膜。由于脫氣中的放出氣體沒有吸附于低溫泵，所以與使用低溫泵令脫氣處理中也為 高真空的現(xiàn)有技術(shù)相比，處理時間不會變長，能夠延長低溫泵的再生間隔。實施例說明上述實施例的真空處理裝置10中使用的具體的真空泵。圖1的真空處理裝置10的各真空排氣裝置61 63、65的構(gòu)成、這些真空排氣裝 置61 63、65的排氣速度、運送單元5向下一個真空槽移動時的真空槽內(nèi)部的壓力如下述 表1所示。[表1]本發(fā)明的真空處理裝置的排氣系統(tǒng)
運入室用真空排氣第一真空排氣裝笫二真空排氣裝緩沖室用真空排氣裝置65置61置62系統(tǒng)63構(gòu)成無油真空泵 機械增壓泵渦輪分子泵渦輪分子泵渦輪分子泵 冷槽合計排氣速度(m3/ 秒)0. 51. 01. 080壓力(Pa)“IO-IO2Pa 臺1~IOPa 臺1 ~IOPa 臺KT3Pa 臺*1 令運送單元向下一個真空槽移動時的壓力(Pa)
運入室15之外的各室11 14、16、17被預(yù)先真空排氣。在處理室14中進行處理 對象物18的真空處理時的壓力為KT2I3a臺。運入室用真空排氣裝置65由無油真空泵和機械增壓泵構(gòu)成，合計排氣速度S1為 0. 5m3/sec ο令該運入室用真空排氣裝置65動作，將運入了運送單元5的運入室15的壓力從 大氣壓真空排氣到10 102 臺，在10 102 臺的壓力下與第一脫氣室11連接，令運送 單元5向第一脫氣室11移動。第一真空排氣裝置61與第二真空排氣裝置62是使用各自的排氣速度S2、S3為大 約1.0m7sec的中、高真空排氣用廣域型的渦輪分子泵(以及背壓泵)的真空排氣系統(tǒng)，利 用第一真空排氣裝置61將第一脫氣室11內(nèi)真空排氣，同時加熱運送單元5而令吸附氣體 放出，進行既定時間的脫氣，在第一脫氣室11的壓力被真空排氣到1 10 臺的狀態(tài)下， 將第一脫氣室11與第二脫氣室12連接，令運送單元5向第二脫氣室12移動。第二脫氣室12內(nèi)，利用第二真空排氣裝置62進行真空排氣而維持1 10 臺的 壓力，同時加熱運送單元5而令吸附氣體放出，進行既定時間脫氣后，在1 10 臺的壓力 下與緩沖室13連接，令運送單元5向緩沖室13移動。緩沖室用真空排氣裝置63是使用合計排氣速度&為大約80m7seC的渦輪分子泵 和冷槽(以及背壓泵)的高真空排氣系統(tǒng)，利用緩沖室用真空排氣裝置63將緩沖室13內(nèi)真 空排氣，同時加熱運送單元5而令吸附氣體放出，進行既定時間的脫氣，在緩沖室13的壓力 降低到10_3Pa臺后，將緩沖室13與處理室14連接，令運送單元5向處理室14內(nèi)移動。另 外，在向處理室內(nèi)導(dǎo)入工藝氣體而進行處理時，可以在緩沖室的壓力下降后，將工藝氣體導(dǎo) 入緩沖室而與處理室連接。處理室用真空排氣裝置64可以與緩沖室用真空排氣裝置63同樣使用真空泵，在 高真空排氣后的狀態(tài)下進行MgO的薄膜的成膜。說明使用與上述實施例相比真空排氣裝置不同的其他相同構(gòu)成的比較例的真空 處理裝置時的順序。在第一、第二脫氣室11、12和緩沖室13中，進行基于加熱的運送單元5的脫氣這 一點與上述實施例相同。與各室從11到13、15連接的真空排氣裝置的構(gòu)成、向下一個真空 槽移動時的壓力如下述表2所示。[表2]比較例的真空處理裝置的排氣系統(tǒng)
權(quán)利要求
1.一種真空處理裝置，具有具有基板加熱機構(gòu)的脫氣室、進行基板的真空處理的處理室，上述脫氣室和上述處理室處于真空環(huán)境，在上述脫氣室內(nèi)被加熱而被脫氣處理后的處 理對象物被運入上述處理室內(nèi)，在上述處理室內(nèi)被進行真空處理，其中，與上述脫氣室連接的脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度比與上述處理室連接的處理 室用真空排氣裝置的排氣速度小。
2.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，上述脫氣室用真空排氣裝置中使用到達壓力為比上述處理室用真空排氣裝置的到達 壓力高的壓力的真空泵。
3.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，在上述處理室中配置MgO蒸鍍源，從上述MgO蒸鍍源放出MgO蒸汽而在上述處理對象 物的表面上形成MgO薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，具有多個上述脫氣室，上述各脫氣室直列地連接，上述處理對象物在上述各脫氣室中 被脫氣處理后被移動到上述處理室。
5.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，上述脫氣室用真空排氣裝置具有令上述脫氣室內(nèi)的壓力變?yōu)? 以上100 以下的壓 力環(huán)境的排氣速度，上述處理室用真空排氣裝置具有令上述處理室內(nèi)的壓力變?yōu)椴蛔鉏Pa的排氣速度。
6.一種真空處理裝置，具有具有基板加熱機構(gòu)的脫氣室、與上述脫氣室連接的緩沖 室、與上述緩沖室連接的處理室，上述脫氣室、上述緩沖室、上述處理室處于真空環(huán)境，在上 述脫氣室內(nèi)被加熱而被脫氣處理的處理對象物通過上述緩沖室而被運入上述處理室內(nèi)，在 上述處理室內(nèi)被真空處理，其中，與上述脫氣室連接的脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度比與上述緩沖室連接的緩沖 室用真空排氣裝置的排氣速度小。
7.如權(quán)利要求6所述的真空處理裝置，其特征在于，上述脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度比與上述處理室連接的處理室用真空排氣裝 置的排氣速度小。
8.如權(quán)利要求6所述的真空處理裝置，其特征在于，上述脫氣室用真空排氣裝置中，使用到達壓力為比上述緩沖室用真空排氣裝置的到達 壓力高的壓力的真空泵。
9.如權(quán)利要求6所述的真空處理裝置，其特征在于，在上述處理室中配置MgO蒸鍍源，從上述MgO蒸鍍源放出MgO蒸汽而在上述處理對象 物的表面上形成MgO薄膜。
10.如權(quán)利要求6所述的真空處理裝置，其特征在于，具有多個上述脫氣室，上述各脫氣室直列地連接，上述處理對象物在上述各脫氣室中 被脫氣處理后，被移動到上述緩沖室。
11.如權(quán)利要求6所述的真空處理裝置，其特征在于，上述脫氣室用真空排氣裝置具有令上述脫氣室內(nèi)的壓力變?yōu)镮Pa以上100 以下的壓力環(huán)境的排氣速度，上述緩沖室用真空排氣裝置具有令上述緩沖室內(nèi)的壓力不足IPa的排氣速度。
12.—種真空處理方法，將處理對象物安裝在托架上而成為運送單元，將上述運送單元 從大氣環(huán)境中運入真空環(huán)境中，將上述運送單元在脫氣室內(nèi)加熱而進行脫氣處理，之后運 入緩沖室內(nèi)，在令緩沖室內(nèi)的壓力降低后，連接上述緩沖室與處理室，將上述運送單元運入 上述處理室內(nèi)，對上述運送單元內(nèi)的上述處理對象物進行真空處理，其中，令上述脫氣室內(nèi)的壓力為IPa以上IOOPa以下的壓力環(huán)境，令上述處理室內(nèi)的壓力為 不足lPa。
13.如權(quán)利要求12所述的真空處理方法，其特征在于，在上述處理室內(nèi)產(chǎn)生MgO蒸汽而在上述處理對象物的表面上形成MgO薄膜。
全文摘要
提供一種具有不需要大型的真空排氣裝置的脫氣室的真空處理裝置。在脫氣室內(nèi)對處理對象物進行加熱脫氣，經(jīng)由緩沖室運入處理室內(nèi)并進行真空處理時，脫氣室與排氣速度小的真空排氣系統(tǒng)連接，在1～100Pa的真空環(huán)境下進行脫氣處理(時刻0～t2)，接著令處理對象物向緩沖室移動，令緩沖室內(nèi)的壓力降低到與處理室內(nèi)的壓力相同程度(時刻t2～t3)，將緩沖室與處理室連接，將處理對象物運入處理室內(nèi)。若比較壓力變化的推移，將利用排氣速度大的真空排氣裝置將脫氣室形成為高真空環(huán)境的現(xiàn)有技術(shù)的情況(曲線組B)和本發(fā)明的情況(曲線組A)相比，處理時間沒有差別。
文檔編號H01L21/677GK102112646SQ20098013082
公開日2011年6月29日 申請日期2009年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月5日
發(fā)明者池田裕人, 箱守宗人, 飯島榮一 申請人:株式會社愛發(fā)科