專利名稱：電子元件以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明從根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的電子元件出發(fā)。另外本發(fā)明還涉及用 于制造電子元件的方法。
背景技術(shù)：
在電子元件中通常在襯底上施加由導(dǎo)電材料制成的結(jié)構(gòu)化層。該結(jié)構(gòu)化層在此通 常用作印制導(dǎo)線或印制導(dǎo)線連接，通過其可以實現(xiàn)不同的功能或者在該結(jié)構(gòu)化層上把多個 功能元件相互連接。尤其在應(yīng)用于高溫領(lǐng)域的電子元件中，該結(jié)構(gòu)化層通常由鋁、金和/或 鉬來制造。由此避免了該結(jié)構(gòu)化層的氧化。在由諸如氮化鎵或碳化硅的半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的襯底中，通常把鈦、硅化鉭、鎳鉻 合金或其他合適的材料、尤其是其相應(yīng)的氧化物用作附著劑，以改善由貴金屬所制造的結(jié) 構(gòu)化層在該半導(dǎo)體材料上的附著。但是，在高溫下，在氧化性氣氛中、比如在空氣的存在下，作為附著劑而采用的較 賤材料經(jīng)常出現(xiàn)氧化，使得該結(jié)構(gòu)化層并且從而由該結(jié)構(gòu)化層所體現(xiàn)的印制導(dǎo)線和金屬引 線可能失去其電氣功能。為了防腐蝕保護(hù)，已知的是比如在該電子元件上施加由介電材料構(gòu)成的保護(hù)層或 鈍化物。但是保護(hù)層通常不能氣密地制造。尤其在高溫負(fù)荷下，在不同保護(hù)層材料與結(jié)構(gòu)化 層的金屬或者襯底材料之間不同的熱膨脹系數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生熱應(yīng)力，這可能造成裂紋或故障。 由此尤其在高溫下氧氣可能前進(jìn)直至引線或該結(jié)構(gòu)化層，并相應(yīng)于電化學(xué)勢把賤金屬氧化 為相應(yīng)的氧化合物。由DE-A 10 2005 034 667比如公開了一種半導(dǎo)體器件的制造。在此在結(jié)構(gòu)化的 磁堆疊上施加有掩模層。該掩模層優(yōu)選地具有介電材料。在施加掩模材料之后可以實施蝕 刻步驟。接著記載了施加另一絕緣層。但是所述的由介電材料構(gòu)成的保護(hù)層在隨后的制造 步驟中不能保護(hù)該半導(dǎo)體元件防止不期望的氧化。也沒有提高在腐蝕環(huán)境下以及在高溫下 工作的半導(dǎo)體器件的長時穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明而構(gòu)造的電子元件在襯底上包含有由一種導(dǎo)電材料所構(gòu)成的至少一 個結(jié)構(gòu)化層。在由該導(dǎo)電材料構(gòu)成的該層上施加有由一種第二材料所構(gòu)成的另一層，其中 該第二材料比該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料賤。施加到該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料之上的較賤的第二材料用作犧牲陽極，并在存在氧 氣的情況下反應(yīng)為相應(yīng)的氧化物。該氧化物構(gòu)成了一個有效的保護(hù)層，并鈍化在其之下的 材料以及材料復(fù)合物，并從而保護(hù)它防止進(jìn)一步的氧氣侵蝕。這樣就尤其可以保護(hù)易于氧 化的附著劑，其中該附著劑被用于改善該結(jié)構(gòu)化層在該襯底上的附著。但是也可以省略氧 化劑來進(jìn)行該結(jié)構(gòu)化層的保護(hù)。在這種情況下比如也可以由少量的貴重材料來制造該結(jié)構(gòu) 化層。所施加的保護(hù)層的還更賤的材料氧化并從而形成該半導(dǎo)體材料的保護(hù)層。所形成的氧化層通常是氣密的，并防止氧氣進(jìn)一步侵入至之下的結(jié)構(gòu)化層。通常該第二材料的氧化 與體積和重量增加相關(guān)聯(lián)，由此由于更厚的氧化層而增加了鈍化效應(yīng)。這導(dǎo)致氧化變慢或 甚至導(dǎo)致停止。如此所產(chǎn)生的電子元件也可以應(yīng)用在高溫下，并在該溫度下具有氧化穩(wěn)定 的結(jié)構(gòu)化層。高溫在本發(fā)明意義上理解為高于300°C的溫度。該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料優(yōu)選地從由鋁、金、鉬、銠以及這些金屬的合金所組成的集 合中來選擇。尤其在該電子元件在高溫領(lǐng)域的應(yīng)用中，作為該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料采用了 金或鉬。通過采用金或鉬，避免了該結(jié)構(gòu)化層在氧氣影響下的氧化以及從而失去其電氣功 能。采用鋁的優(yōu)點是其與金或鉬相比更好的導(dǎo)電性。但是鋁通常在表面上形成一個氧化層， 該氧化層可能降低導(dǎo)電性并難以或阻礙與元件的合適接通。比該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料賤的保護(hù)層的材料優(yōu)選地從鎂、鋅、鋁、鈦和其混合物以 及其氧化物的集合中來選擇。通常首先由金屬構(gòu)成的該保護(hù)層被施加到該結(jié)構(gòu)化層上。在 元件工作期間，該保護(hù)層的金屬通常氧化為其氧化物。但代替地也可以早就在施加之后就 尤其對該金屬有目的地進(jìn)行氧化。該金屬的氧化物通常導(dǎo)致體積和重量增加，通過其而利 用更厚的氧化層而增加了鈍化效應(yīng)。如果作為該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料比如選擇了鋁，那么作為該保護(hù)層的材料通常選 擇比鋁賤的材料。為了改善由導(dǎo)電材料構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層在該襯底上的附著，優(yōu)選地采用了一種附 著劑，其中該附著劑包含于由導(dǎo)電材料構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層與該襯底之間。適合作為附著劑 的比如是鈦、氮化鈦、硅化鉭、鎳鉻合金或?qū)I(yè)人員已知的其他材料，其中這些材料能夠改 善該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料在該襯底上的附著。該附著劑的材料通常比該結(jié)構(gòu)化層的材料 賤。這導(dǎo)致在氧氣中該附著劑此外趨向于氧化。但是該附著劑的氧化通常導(dǎo)致其變成電絕 緣的。但是，尤其在其中在由導(dǎo)電材料構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層與該襯底之間期望有電氣連接的 電子元件中，這導(dǎo)致不期望的效應(yīng)。通過由比該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料賤的第二材料所構(gòu)成 的該保護(hù)層，避免了該附著劑氧化。由此能夠通過該附著劑的氧化來阻止該元件電氣功能 的損失。其上施加有該結(jié)構(gòu)化層的該襯底優(yōu)選地是一種半導(dǎo)體材料。合適的半導(dǎo)體材料比 如是氮化鎵或碳化硅。其中襯底是一種半導(dǎo)體材料的該電子元件尤其還是微電子元件。其 比如是半導(dǎo)體芯片。這種電子元件比如是高溫場效應(yīng)晶體管，其比如作為氣體傳感器來應(yīng)用。由導(dǎo)電材料構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層通常具有從0. 1至5 μ m范圍內(nèi)的層厚度。這種層厚 度通常足夠保證該電子元件的功能。此外還能夠在一個微小的空間上來定位相應(yīng)的元件。由該第二材料構(gòu)成的該保護(hù)層優(yōu)選地具有從IOnm至100 μ m范圍內(nèi)的層厚度。優(yōu) 選地該保護(hù)層的層厚度位于從IOOnm至10 μ m的范圍中。這種層厚度已經(jīng)足夠?qū)崿F(xiàn)該結(jié)構(gòu) 化層的鈍化以及必要時該附著劑的鈍化，以保證該電子元件的功能。如果由于在腐蝕環(huán)境中、尤其在高溫下應(yīng)用電子元件可能使得襯底的半導(dǎo)體材料 損傷，那么優(yōu)選的是在該半導(dǎo)體材料上施加一個鈍化層。但是，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所公開的方 法中示出，所沉積的鈍化層尤其僅僅不充分地附著在含鋁、金和/或鉬的印制導(dǎo)線上。尤其 在半導(dǎo)體襯底、印制導(dǎo)線和氣相之間的邊緣上，鈍化層可能由于其差的附著而脫落，使得電 子元件的廣大區(qū)域不受保護(hù)地暴露于周圍氣體氣氛中。該缺點可通過根據(jù)本發(fā)明的、由比結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料賤的第二材料構(gòu)成的保護(hù)層而避免。為了進(jìn)行鈍化，該電子元件的表 面在施加該保護(hù)層之后被覆蓋了一個鈍化層。由較賤(imedleren)材料構(gòu)成的該保護(hù)層同 時針對該鈍化層而具有附著劑的功能。由此對尤其在由該導(dǎo)電材料所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)化層區(qū)域 中鈍化層的脫落進(jìn)行補救。用于制造根據(jù)本發(fā)明的電子元件的該方法包含由以下的步驟
(a)在襯底上施加由一種導(dǎo)電材料構(gòu)成的第一層，
(b)在該第一層上施加由一種第二材料構(gòu)成的第二層，其中該第二材料比該第一層的 導(dǎo)電材料賤?？梢酝ㄟ^專業(yè)人員已知的每種任意方法來進(jìn)行步驟(a)中第一層的施加。從而 比如可以通過濺射或汽相滲鍍在該襯底上施加該結(jié)構(gòu)化層。但是，代替地也可以比如通過 一種電化學(xué)處理、比如無電流或有電流沉積來在該襯底上施加由該導(dǎo)電材料構(gòu)成的該第一 層。為了生成該結(jié)構(gòu)化層，比如可以首先施加一種光刻膠，其對應(yīng)于要生成的結(jié)構(gòu)而被曝 光。未曝光的區(qū)域通常被去除。在下一步驟中，在必要時施加一種附著劑。在該附著劑上 沉積該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料。最后進(jìn)行該保護(hù)層的施加，其中該保護(hù)層由比該第一層的導(dǎo) 電材料賤的第二材料構(gòu)成。最后該附著劑材料、該結(jié)構(gòu)化層和該保護(hù)層已被沉積到該光刻 膠上的區(qū)域包括光刻膠一起被去除。在該襯底上剩下一個結(jié)構(gòu)化層，其中在該結(jié)構(gòu)化層與 該襯底之間包含有附著劑，并且在該結(jié)構(gòu)化層上具有該保護(hù)層。該保護(hù)層的施加比如同樣可以通過汽相滲鍍、濺射或通過電化學(xué)沉積來進(jìn)行。但是代替地也可以在步驟(b)中施加該保護(hù)層之前就已結(jié)構(gòu)化該第一層。這比如 可以如下來進(jìn)行，即在施加由該導(dǎo)電材料所構(gòu)成的第一層之后在使用光刻膠的情況下去除 不屬于該結(jié)構(gòu)化層期望結(jié)構(gòu)的區(qū)域、也即比如在使用光刻膠時其中該第一層的材料已被施 加到該光刻膠上的區(qū)域。除了使用光刻膠來進(jìn)行結(jié)構(gòu)化之外，但是其他每種任意的、專業(yè)人 員已知的方法也可以是適合的，以便在該襯底上施加一個結(jié)構(gòu)化層。在施加該保護(hù)層之后，優(yōu)選地在另一步驟中對該保護(hù)層的材料進(jìn)行氧化。通過材 料的氧化生成了一個氣密層，該氣密層防止氧氣能夠到達(dá)該附著劑或者由該導(dǎo)電材料所構(gòu) 成的第一層。該保護(hù)層的氧化比如通過在氧化性氣氛中加熱該電子元件來進(jìn)行。作為氧化 性氣氛優(yōu)選地采用空氣。該電子元件被加熱的溫度通常在100和600°C之間的范圍中。該 溫度上限在此通過該襯底、該附著劑和該結(jié)構(gòu)化層所采用的材料來確定。該電子元件被加 熱以氧化的溫度優(yōu)選地低于相應(yīng)材料的熔化溫度或分解溫度，以避免電子元件的損壞。如果在該電子元件上施加一個鈍化層，那么就在步驟(b)中在該結(jié)構(gòu)化層上施加 該保護(hù)層之后在全部電子元件的表面上施加該鈍化層。鈍化層的施加比如通過CVD (化學(xué) 汽相沉積)方法、比如LPCVD (低壓CVD)、PECVD (等離子增強(qiáng)CVD)、ALD (原子層沉積)、熱氧 化、等離子方法或濺射及汽相滲鍍方法來進(jìn)行。在一個優(yōu)選的實施方案中，在施加該鈍化層之前該保護(hù)層首先在一種保護(hù)氣體氣 氛中被加熱到在從50°C至650°C范圍中、尤其在從250°C至450°C范圍中的一個溫度。接著 在空氣的存在下將該電子元件加熱到在從50°C至650°C范圍中、尤其在從250°C至450°C范 圍中的溫度。由此進(jìn)一步提高了該保護(hù)層作為鈍化層的附著劑層的效果。作為氣氛而采用的該保護(hù)氣體比如是氬或氮或氬和氮的混合。


在附圖中示出了本發(fā)明的實施方案，并在下文說明中來更詳細(xì)解釋。其中
圖1. 1至1.4示出了用于制造本發(fā)明的元件的一種方法的四個步驟， 圖2. 1和2. 2示出了用于制造本發(fā)明的元件的一種可選方法的兩個步驟， 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的具有鈍化層的元件。
具體實施例方式圖1. 1示出了根據(jù)本發(fā)明的用于制造一種電子元件的一種方法的第一步驟。為了制造電子元件1，在襯底3上涂覆了一種光刻膠5。接著進(jìn)行該光刻膠5的負(fù) 性曝光(Negativbelichtimg)，使得應(yīng)該形成由導(dǎo)電材料所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)化層的區(qū)域不被曝 光，并且應(yīng)該保持不被覆層的區(qū)域是曝光的。未曝光的光刻膠5接著被去除。產(chǎn)生了要生 成的結(jié)構(gòu)化層的結(jié)構(gòu)化負(fù)性層。在去除未曝光的光刻膠之后，在其上施加有光刻膠5的襯底3上整面地首先涂覆 一種附著劑7。該附著劑7的涂覆按照專業(yè)人員所已知的任意一種方法來進(jìn)行。從而比如 可以通過汽相滲鍍或濺射或者還通過專業(yè)人員所已知的其他薄層技術(shù)來施加該附著劑7。 如前已述，作為附著劑適合的比如是鈦、硅化鉭或鎳鉻合金。在另一步驟中，同樣在該襯底 3的整個表面上整面地施加一種導(dǎo)電材料。該導(dǎo)電材料附著在該附著劑7上。在圖1. 2中 示出了在襯底3上整面地涂覆有附著劑7和導(dǎo)電材料9的該電子元件1。如果該導(dǎo)電材料9良好地附著在該襯底3上，那么就可以省略該附著劑7。在圖1.3所示的另一步驟中，在該導(dǎo)電材料9上施加一種較賤材料11以形成保護(hù) 層。同樣全平面地比如通過合適的薄層技術(shù)、諸如汽相滲鍍或濺射或者通過電化學(xué)沉積來 進(jìn)行該賤材料11的施加。在該襯底上所施加的導(dǎo)電材料9的層厚度優(yōu)選地處于0. 1至5μπι的范圍內(nèi)。其 上所施加的由較賤材料11所構(gòu)成的層優(yōu)選地處于IOnm至100 μ m的范圍中，優(yōu)選在IOOnm 至ΙΟμπι的范圍中。通過施加較賤材料11，該結(jié)構(gòu)化層的導(dǎo)電材料變成陰極，該賤金屬11 變成陽極。由導(dǎo)電材料9所構(gòu)成的陰極和由較賤材料11所構(gòu)成的陰極在此形成了一個腐 蝕元件。在氧氣侵蝕時，構(gòu)成陽極的該較賤材料11通過氧化而被犧牲。如前所述，適合作 為較賤材料11的比如是鎂、鋅、鋁、鈦或這些金屬的混合物。在基于薄層的沉積處理中，該導(dǎo)電材料9和該較賤材料11的施加可以在同一處理 步驟中來進(jìn)行。由此能夠避免額外的處理成本。在該導(dǎo)電材料9上施加較賤材料11之后，其中在襯底上具有光刻膠5的層區(qū)域被 去除。剩下了導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該附著劑7直接施加到該襯底3上，并且在該附著劑7上該導(dǎo) 電材料9和該較賤材料11形成了一種層復(fù)合。通過專業(yè)人員已知的剝離處理來連同其上 的附著劑7、導(dǎo)電材料9和較賤材料11 一起來去除光刻膠5。在此比如可以通過采用一種 合適的溶劑來溶解掉該光刻膠，由此還一同去除了位于光刻膠5之上的材料。但是，在按照該方法所制造的結(jié)構(gòu)化層中，該結(jié)構(gòu)化層15的側(cè)面13是未保護(hù)的。 由較賤材料11所構(gòu)成的保護(hù)層17僅位于該結(jié)構(gòu)化層15的上側(cè)。然而，根據(jù)必要時事后實 施的鈍化或者根據(jù)該電子元件1的應(yīng)用，僅僅設(shè)置在該結(jié)構(gòu)化層15的上側(cè)的保護(hù)層17可以已經(jīng)足夠了。在圖2. 1中示出了用于施加保護(hù)層17的一種可選方法。為此首先在該襯底3上涂覆由該導(dǎo)電材料9所構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層15。在此按照 專業(yè)人員已知的每種任意方法來進(jìn)行該結(jié)構(gòu)化層15的施加。從而比如為了施加該結(jié)構(gòu) 化層15也可以采用一種剝離方法，其中首先利用一種光刻膠在該襯底3上涂覆負(fù)性結(jié)構(gòu) (Negativstruktur)，并其上涂覆該導(dǎo)電材料9。在施加該導(dǎo)電材料9之后，該光刻膠連同位 于光刻膠上的導(dǎo)電材料一起從該襯底3上被去除，由此在該襯底3上保留了該結(jié)構(gòu)化層15。 但也可以采用專業(yè)人員已知的其他每種方法來生成該結(jié)構(gòu)化層15。在此也可以通過在該結(jié) 構(gòu)化層15與該襯底3之間施加一種附著劑7來改善該結(jié)構(gòu)化層15在該襯底3上的附著。在制造該結(jié)構(gòu)化層15之后施加該保護(hù)層17。比如如圖2. 1所示通過一種電化學(xué) 方法來進(jìn)行該保護(hù)層17的施加。在此它不僅可以是一種無電流的、而且還可以是一種有電 流的沉積。在此示意性示出了該保護(hù)層17的有電流的沉積。為了在該結(jié)構(gòu)化層15上施加該保護(hù)層17，該電子元件1被放置在一種電解質(zhì)槽 21中。該電解質(zhì)槽21通常包含有金屬的鹽的溶液，其中該金屬應(yīng)當(dāng)作為保護(hù)層17被沉積 到該結(jié)構(gòu)化層15上。為了在該結(jié)構(gòu)化層15上沉積該保護(hù)層17，該結(jié)構(gòu)化層15被陰極連 接。該結(jié)構(gòu)化層15的未相互連接的部分優(yōu)選地通過輔助接觸部23而被相互連接。該輔助 接觸部23在此比如可以同樣以該結(jié)構(gòu)化層15的形式來構(gòu)造，但是能夠把該結(jié)構(gòu)化層15的 單個區(qū)域相連接的其他所有連接也是可以的。從而該結(jié)構(gòu)化層15的單個區(qū)域比如也可以 借助引線或其他接觸單元而被相互連接。為了能夠在該結(jié)構(gòu)化層15上沉積該保護(hù)層17，附 加地在該電解質(zhì)槽21中還容納了一個陽極25。該陽極25在此可以由一種金屬來制造，其 中該金屬是不溶解的，但或者代替地也可以作為犧牲陽極來構(gòu)造。如果該陽極25作為犧牲 陽極來構(gòu)造，那么其優(yōu)選地包含有作為保護(hù)層17而被沉積到該結(jié)構(gòu)化層15上的材料。在 此金屬離子從該陽極25溶解進(jìn)入電解質(zhì)槽21中，并然后被沉積到該結(jié)構(gòu)化層15上。該金屬鹽比如可以溶解在一種水介質(zhì)中，或者溶解在一種有機(jī)和/或離子液體 中。但通常該金屬鹽被溶解在一種水介質(zhì)中。為了比如在該結(jié)構(gòu)化層15上施加保護(hù)層17，比如可以在一種有機(jī)溶劑或一種離 子液體中溶解一種鋁鹽、比如無水氯化鋁。作為有機(jī)溶劑適合的比如是乙醚或甲苯。一種合 適的離子液體比如是氯乙基吡啶(Ethylpyridiniumchlorid)。在保護(hù)氣體氣氛中在約0. 5 至2. 5A/dm2的直流下來進(jìn)行有電流的沉積。在此在該結(jié)構(gòu)化層15上沉積了鋁層來作為保 護(hù)層17。為了僅在該結(jié)構(gòu)化層15上進(jìn)行沉積，在圖2. 1所示的變型方法中該保護(hù)層17還 被沉積在該結(jié)構(gòu)化層15的側(cè)面。這在圖2. 2中示出。通過在該結(jié)構(gòu)化層15的側(cè)面也沉積該保護(hù)層17，該附著劑7也被該保護(hù)層17包 圍，使得避免了氧氣能夠到達(dá)該附著劑7。通過該保護(hù)層17的材料的氧化來實現(xiàn)保護(hù)的改 善。在此一方面可以在該電子元件工作期間來進(jìn)行該氧化，但另一方面也可以有針對地氧 化該保護(hù)層17的較賤材料11。在這種情況下該保護(hù)層17的材料變成如下一種狀態(tài)在該 狀態(tài)中不再繼續(xù)進(jìn)行氧化。該保護(hù)層17材料有針對的氧化比如通過如下方式來進(jìn)行即把 該電子元件在氧化性氣氛中加熱到在100和600°C之間范圍中的一個溫度。作為氧化性氣 氛適合的比如是每種含氧氣的氣體，尤其空氣。如此所生成的氧化層導(dǎo)致該保護(hù)層17的改善的鈍化效應(yīng)。這歸因于該保護(hù)層17的層厚度通過氧化而增加。該附著劑7以及該結(jié)構(gòu) 化層15的氧化這樣就能夠變慢，或者完全到達(dá)靜止?fàn)顟B(tài)。在圖3中示出了具有鈍化層的電子元件。如果一個電子元件1在腐蝕環(huán)境中被應(yīng)用，其中該電子元件尤其具有由一種半導(dǎo) 體材料所構(gòu)成的襯底3，那么就優(yōu)選地在該電子元件1的表面27上施加一個鈍化層四。該 鈍化層四在此還覆蓋了該結(jié)構(gòu)化層15。通過施加由較賤材料11所構(gòu)成的保護(hù)層17，尤其 在由該導(dǎo)電材料9所構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層15的區(qū)域中實現(xiàn)了該鈍化層四的附著的改善。如 果施加了鈍化層四，那么通常不需要首先對該保護(hù)層17進(jìn)行氧化。但是，如果該保護(hù)層17 在施加之后首先在保護(hù)氣體氣氛中被加熱到從50°C至650°C范圍中的一個溫度，并接著在 空氣的存在下被加熱到從50°C至650°C范圍中的一個溫度，那么就能夠?qū)崿F(xiàn)對該鈍化層四 的附著的改善。作為保護(hù)氣體優(yōu)選地采用氬、氮或氬和氮的混合物。即使該保護(hù)層17尤其用作該鈍化層四的附著劑層，那么用于形成該保護(hù)層17的 較賤材料優(yōu)選地從鎂、鋅、鋁、鈦以及其混合物的集合中來選擇。
權(quán)利要求
1.電子元件，包含有在襯底(3)上的、由導(dǎo)電材料(9)構(gòu)成的至少一個結(jié)構(gòu)化層(15)， 其特征在于，在由該導(dǎo)電材料(9)所構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層(15)上施加有由第二材料(11)所構(gòu) 成的保護(hù)層(17)，其中該第二材料(11)比該結(jié)構(gòu)化層(15)的導(dǎo)電材料(9)賤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于，該導(dǎo)電材料(9)從鋁、金和鉬的集合 中來選擇。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元件，其特征在于，比該結(jié)構(gòu)化層(15)的導(dǎo)電材料 (9)賤的材料(11)從鎂、鋅、鋁、鈦和其混合物以及其氧化物的集合中來選擇。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的電子元件，其特征在于，在由該導(dǎo)電材料(9)所構(gòu)成 的該結(jié)構(gòu)化層(15)與該襯底(3)之間包含有一種附著劑(5)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的電子元件，其特征在于，該襯底(3)包含有半導(dǎo)體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的電子元件，其特征在于，由該導(dǎo)電材料(9)所構(gòu)成的 該結(jié)構(gòu)化層(15)具有在從0. 1至5 μ m范圍內(nèi)的層厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的電子元件，其特征在于，由該第二材料(11)所構(gòu)成 的該保護(hù)層(17)具有在從IOnm至100 μ m范圍內(nèi)的層厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的電子元件，其特征在于，該電子元件的表面覆蓋有鈍 化層。
9.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的電子元件(1)的方法，包含有以下的步驟(a)將由導(dǎo)電材料(9)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)化層(15 )施加到襯底(3 )上，(b)將由第二材料(11)構(gòu)成的保護(hù)層(17)施加到該結(jié)構(gòu)化層(15)上，其中該第二材 料比該結(jié)構(gòu)化層(15)的導(dǎo)電材料(9)賤。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該保護(hù)層(17)通過汽相滲鍍、濺射或者 電化學(xué)沉積而被施加到該結(jié)構(gòu)化層(15)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，該保護(hù)層(17)的材料(11)在步驟 (b)中進(jìn)行施加之后被氧化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，通過把該電子元件(1)在氧化性氣氛中 加熱到在從100至600°C范圍中的溫度來進(jìn)行該保護(hù)層(17)的材料(11)的氧化。
13.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，在步驟(b)中在該結(jié)構(gòu)化層(15) 上施加該保護(hù)層之后，在整個電子元件的表面上施加鈍化層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在施加該鈍化層之前，把該電子元件首 先在保護(hù)氣體氣氛中加熱到在從50°C至650°C范圍中的溫度，并接著在空氣的存在下加熱 到從500C至650°C范圍中的溫度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該保護(hù)氣體是氬或氮或氬和氮的混合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子元件(1)，其包含有在襯底(3)上的、由一種導(dǎo)電材料(9)構(gòu)成的至少一個結(jié)構(gòu)化層(15)，其中在由該導(dǎo)電材料(9)所構(gòu)成的該結(jié)構(gòu)化層(15)上施加有由一種第二材料(11)所構(gòu)成的一個保護(hù)層(17)。該第二材料比該結(jié)構(gòu)化層(15)的導(dǎo)電材料(9)賤。另外本發(fā)明還涉及用于制造電子元件(1)的一種方法，其中在一個第一步驟中在襯底(3)上施加由一種導(dǎo)電材料(9)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)化層(15)，并在一個第二步驟中在該結(jié)構(gòu)化層(15)上施加由一種第二材料(11)構(gòu)成的保護(hù)層(17)。
文檔編號H01L21/316GK102150264SQ200980135673
公開日2011年8月10日 申請日期2009年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月15日
發(fā)明者A·克勞斯, A·馬丁, D·孔茨, R·菲克斯 申請人:羅伯特·博世有限公司