專利名稱：引線框基板及其制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝半導(dǎo)體元件的優(yōu)選的半導(dǎo)體封裝基板的技術(shù)，特別是涉及引線框基板與該引線框基板的制造方法以及利用這些的半導(dǎo)體裝置。本申請(qǐng)基于2008年9月四日在日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2008-250799號(hào)主張優(yōu)先權(quán)， 并將其內(nèi)容引用于此。
背景技術(shù)：
在利用以QFP(Quad Flat lockage 四面扁平封裝)為代表的引線框的半導(dǎo)體封裝件(semiconductor packages)中，用于與印刷引線基板連接的外部引線(outer leads) 配置于半導(dǎo)體封裝件的側(cè)面。引線框在金屬板的兩面生成所希望的光致抗蝕膜，并從兩面蝕刻，由此能夠得到半導(dǎo)體元件搭載部、半導(dǎo)體元件電極的連接部的內(nèi)部引線、外部引線以及固定這些的外框部。此外，除了蝕刻加工法，也能夠由基于沖壓的穿孔加工得到。作為半導(dǎo)體封裝件的組裝工序，在半導(dǎo)體元件搭載部管芯焊接(die-bonded) 了半導(dǎo)體元件后，利用金絲等電連接半導(dǎo)體元件的電極與內(nèi)部引線。然后，用樹脂封裝包括內(nèi)部引線部的半導(dǎo)體元件的附近，并剪斷外框部，根據(jù)需要對(duì)外部引線實(shí)施彎曲加工。就這樣的設(shè)置在側(cè)面的外部引線而言，從精密加工能力的角度來看，針對(duì)約30mm 見方的封裝尺寸所能夠設(shè)置的管腳數(shù)上限為200至300個(gè)。近年來，隨著半導(dǎo)體元件的電極數(shù)的增加，側(cè)面具有外部引線的引線框型半導(dǎo)體封裝件已無法滿足對(duì)端子數(shù)的要求，所以一部分半導(dǎo)體封裝件被置換成特定的半導(dǎo)體封裝件，該特定的半導(dǎo)體封裝件的如BGA(Ball Grid Array 球陣列封裝)或LGA(Land Grid Array 觸電陣列封裝)型等用于與印刷布線基板連接的外部連接端子在封裝件基板底面配置為陣列狀。用于這些封裝的基板，通常是用鉆孔器在兩面覆銅環(huán)氧玻璃基板上打孔，并電鍍孔內(nèi)部而使其導(dǎo)電，在一個(gè)面上生成用于連接半導(dǎo)體元件的電極的端子，在另一個(gè)面上生成排列成陣列狀的外部連接端子。然而，這些基板的制造工序復(fù)雜、成本高，并且，因?yàn)閷㈦婂冇糜诨鍍?nèi)的布線連接，所以與引線框型的封裝件相比，存在可靠性低劣的問題。因此，已公開利用稱為從兩面蝕刻引線框的工序，使用引線框的BGA型的半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)。(例如專利文獻(xiàn)1)這是這樣的方式改變表里的光致抗蝕圖案來同時(shí)蝕刻，或者，蝕刻一側(cè)后，在蝕刻面表層生成電沉積聚酰亞胺樹脂膜或是涂敷預(yù)成型樹脂之后，從另一面加以蝕刻，由此在一個(gè)面上生成半導(dǎo)體元件電極的連接端子，在另一面上生成陣列狀的外部連接端子。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利第3642911號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題圖4A及圖4B是示出了以往技術(shù)的引線框基板的代表例子的模式的剖面圖。引線框基板包括半導(dǎo)體元件搭載部8、半導(dǎo)體元件電極連接端子9、布線10、外部連接端子11以及外框部12。在BGA型的引線框中，如增加外部連接端子11的數(shù)量，則半導(dǎo)體元件電極連接端子9側(cè)的布線10的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。因?yàn)樵摬季€10是對(duì)金屬板進(jìn)行半蝕刻 (half etching)而制造的，所以其寬度和厚度都小，由此在蝕刻以后的工序中存在發(fā)生折斷及彎曲而導(dǎo)致生產(chǎn)率非常差的問題。在專利文獻(xiàn)1中已公開這樣的技術(shù)首先只對(duì)外部連接端子11側(cè)進(jìn)行半蝕刻，然后在蝕刻面生成電沉積聚酰亞胺層17之后，再通過蝕刻來生成半導(dǎo)體元件電極連接端子9 側(cè)。由此，微細(xì)的布線10雖然是薄膜，但由電沉積聚酰亞胺層17支撐，因此可以避免制造引線框時(shí)的引線的折斷或彎曲。然而，在本結(jié)構(gòu)的引線框基板的半導(dǎo)體元件搭載部8搭載半導(dǎo)體元件，并通過引線接合來連接半導(dǎo)體元件電極與半導(dǎo)體元件電極連接端子9時(shí)，由于半導(dǎo)體元件電極連接端子9的下部為中空，所以會(huì)有這樣的問題因引線連接力不足而導(dǎo)致連接不良，明顯地降低組裝生產(chǎn)率。此外，作為(專利文獻(xiàn)1中沒有公開)其他的一種對(duì)策，也考慮用預(yù)成型樹脂灌注 (potting)電沉積聚酰亞胺層，以此加厚樹脂層的方式。根據(jù)該對(duì)策，可以推測(cè)能夠在一定程度避免焊接(bonding)不良的問題，但不能夠完全避免中空狀態(tài)。據(jù)此，調(diào)整預(yù)成型樹脂的涂敷量非常難，所以如果生成電沉積聚酰亞胺層的孔部面積變大，則中心變薄，由此有可能出現(xiàn)不能夠由電沉積聚酰亞胺層17支撐微細(xì)的布線10 的問題。此外，基于中心變薄的問題，有可能因情況而在以后的工序出現(xiàn)中開孔的問題。本發(fā)明是為了解決上述問題而做出的，其目的在于，提供一種能夠應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體元件的電極數(shù)的增加，可靠性高，能夠穩(wěn)定地制造及組裝半導(dǎo)體封裝件的引線框基板與該引線框基板的制造方法以及半導(dǎo)體裝置。用于解決問題的手段本發(fā)明的第一方式是一種引線框基板，具有金屬板，其具有第一面與第二面，半導(dǎo)體元件搭載部及半導(dǎo)體元件電極連接端子，形成在所述第一面上；外部連接端子，其形成在所述第二面上，并且與所述半導(dǎo)體元件電極連接端子電連接，布線，其連接所述半導(dǎo)體元件電極連接端子與所述外部連接端子，樹脂層，其形成在所述金屬板上，孔部，其局部地形成在所述金屬板的所述第二面上，且不貫通所述金屬板，多個(gè)突起物，個(gè)個(gè)分散地形成在所述孔部的底面上，是朝向遠(yuǎn)離所述金屬板的方向而呈凸?fàn)畹亩鄠€(gè)突起物，所述多個(gè)突起物的高度低于所述第二面的位置，且不與布線導(dǎo)電。本發(fā)明的第二方式是一種一種引線框基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟形成第一光致抗蝕膜，用于在金屬板的第一面上形成半導(dǎo)體元件搭載部、半導(dǎo)體元件電極連接端子以及外框部，并且用于在所述金屬板的第二面上形成外部連接端子以及外框部，形成第二光致抗蝕膜，用于在所述第二面上的除了所述外部連接端子與所述外框部以外的區(qū)域形成不貫通所述金屬板的孔部，并且用于在所述孔部的底面上形成個(gè)個(gè)分散的多個(gè)突起物，所述多個(gè)突起物朝向遠(yuǎn)離所述金屬板方向而呈凸?fàn)睿龆鄠€(gè)突起物的高度低于所述第二面的位置，且不與布線導(dǎo)電，對(duì)所述第二面露出的金屬板露出部進(jìn)行蝕刻，由此形成所述孔部和凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)物，所述凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)物是所述突起物的未完成狀態(tài)，在所述孔部涂敷液態(tài)預(yù)成型樹脂，并進(jìn)行加熱固化，由此形成樹脂層，然后，通過對(duì)所述第一面進(jìn)行蝕刻， 來形成所述半導(dǎo)體元件搭載部、與所述外部連接端子導(dǎo)電的所述半導(dǎo)體元件電極連接端子、所述外框部，并且，使所述凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)物成為所述突起物。此外，本發(fā)明的第三方式是具有引線框基板和搭載在所述引線框基板上的半導(dǎo)體元件，所述引線框基板與所述半導(dǎo)體元件通過引線接合而電連接；所述引線框基板具有 金屬板，其具有第一面與第二面，半導(dǎo)體元件搭載部及半導(dǎo)體元件電極連接端子，形成在所述第一面上，外部連接端子，其形成在所述第二面上，并且與所述半導(dǎo)體元件電極連接端子電連接，布線，其連接所述半導(dǎo)體元件電極連接端子與所述外部連接端子，樹脂層，其形成在所述金屬板上，孔部，其局部地形成在所述金屬板的所述第二面上，且不貫通所述金屬板，多個(gè)突起物，個(gè)個(gè)分散地形成在所述孔部的底面上，是朝向遠(yuǎn)離所述金屬板的方向而呈凸?fàn)畹亩鄠€(gè)突起物，所述多個(gè)突起物的高度低于所述第二面的位置，且不與布線導(dǎo)電。發(fā)明效果若采用本發(fā)明，則可以在引線框基板的整個(gè)內(nèi)面以陣列狀配置用于連接印刷引線基板的外部連接端子，并能夠?qū)?yīng)半導(dǎo)體元件的多端子化。此外，因?yàn)榛逡砸€框?yàn)榛A(chǔ)，而不使用電鍍引線，所以能夠確保對(duì)于熱應(yīng)力的
可靠性。另一方面，在制造引線框基板時(shí)，不發(fā)生布線的折斷或彎曲等不良現(xiàn)象，在半導(dǎo)體封裝件組裝工序中進(jìn)行引線接合時(shí)，對(duì)于在引線接合連接端子的下部，預(yù)成型樹脂填充至與外部連接端子表面相等的程度，由此能夠穩(wěn)定地連接。


圖IA是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖IB是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖IC是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖ID是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖IE是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖IF是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖2A是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的俯視圖。圖2B是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的俯視圖。圖3A是示意地示出了在本發(fā)明的引線框基板的一個(gè)例子中搭載并引線接合半導(dǎo)體元件的狀態(tài)的剖面圖。圖IBB是示意地示出了在本發(fā)明的引線框基板的一個(gè)例子中，搭載并引線接合半導(dǎo)體元件，并用傳遞模塑法進(jìn)行封固的狀態(tài)的剖面圖。圖4A是示意地示出了以往技術(shù)的引線框基板的代表例子的剖面圖。圖4B是示意地示出了以往技術(shù)的引線框基板的代表例子的剖面圖。
具體實(shí)施例方式圖IA 圖IF是示意地示出了本發(fā)明的引線框基板的制造方法的一個(gè)例子的剖面圖。圖IA示出用于引線框的金屬板1。在用于引線框的金屬板1的兩面生成第一光致抗蝕圖案2(圖1B)。利用第一光致抗蝕圖案2在金屬板1的第一面(在圖IB中為上表面)上分別生成半導(dǎo)體元件搭載部8、與半導(dǎo)體元件電極的端子連接的半導(dǎo)體元件電極連接端子9、布線 10以及外框部12。此外，利用第一光致抗蝕圖案2在金屬板1的第二面(在圖IB中為下表面)生成外部連接端子11及外框部12。在金屬板1的第二面上生成第二光致抗蝕圖案3。利用第二光致抗蝕圖案3在金屬板1的第二面上生成1個(gè)以上的適當(dāng)個(gè)數(shù)突起物5。為了巧妙地生成所述突起物5，如下設(shè)計(jì)第二光致抗蝕圖案3。即，在半蝕刻結(jié)束前，剝離與突起物5接觸的第二抗蝕圖案3，其結(jié)果，進(jìn)行半蝕刻，在生成突起物5結(jié)束時(shí)，突起物5的高度至少比外部連接端子11的高度低。作為金屬板1，只要具有作為引線框的蝕刻加工性、機(jī)械強(qiáng)度、傳熱性、膨脹系數(shù)等即可，可以利用任何材料，但是普遍使用以42合金為代表的鐵-鎳系合金或?yàn)樘岣邫C(jī)械強(qiáng)度添加了各種金屬元素的銅系合金等。利用氯化鐵溶液等用于溶解金屬板的蝕刻溶液從下表面進(jìn)行蝕刻，由此生成孔部 4(圖1C)。由于金屬板的殘留部最終成為布線，所以為了能夠從上表面?zhèn)冗M(jìn)行第二次蝕刻時(shí)在金屬板生成微細(xì)布線，優(yōu)選地使孔部4的深度保證金屬板殘留10 μ m至50 μ m厚度左
右ο此外，同時(shí)在孔部4中至少生成1個(gè)突起物5。如圖IC所示，突起物5只要設(shè)定為比孔部4的高度低的高度，就可以按照?qǐng)A柱形或山脈型等，蝕刻的形狀來調(diào)整突起物5的形狀。于是，引線框基板的特征在于，突起物5不和其他的布線連接，電性露出獨(dú)立的金屬面。翻轉(zhuǎn)蝕刻加工出的金屬板的上下表面，在金屬板的上表面注入液態(tài)的預(yù)成型樹脂 6。(圖 1D)孔部4至少被突起物5分隔為兩個(gè)部分，因此，預(yù)成型樹脂面能夠成為均勻的一個(gè)進(jìn)而，蝕刻相反的面(圖1E)，生成半導(dǎo)體元件搭載部8、半導(dǎo)體元件電極連接端子 9、布線10，從而制造出引線框基板7(圖1F)。圖2A示出了引線框基板7的半導(dǎo)體元件搭載部8側(cè)的俯視圖，圖2B示出了引線框基板7的外部連接端子11側(cè)的俯視圖。能夠以陣列狀配置外部連接端子11，從而可以應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體元件的多管腳化。圖3A是示出了在引線框基板7上搭載并引線接合半導(dǎo)體元件14的剖面圖。用芯片固定材料(die attach material) 13在引線框基板7上粘貼半導(dǎo)體元件 14，并用金絲(線)15連接半導(dǎo)體元件14與半導(dǎo)體元件電極連接端子9。也可以按需要對(duì)半導(dǎo)體元件電極連接端子9實(shí)施適當(dāng)?shù)逆?金電鍍、錫電鍍、銀電鍍或鎳-鈀-金電鍍等中的任一種電鍍。進(jìn)行引線接合時(shí)，將引線框基板7放在微量恒溫儀(heat block)上，一邊加熱一
6邊進(jìn)行接合，但由于在半導(dǎo)體元件電極連接端子9的下部存在與其處于同一個(gè)面的預(yù)成型樹脂6，不會(huì)構(gòu)成中空結(jié)構(gòu)，所以能夠在不引起接合不良狀態(tài)下組裝半導(dǎo)體封裝件。最后，灌注引線框基板7的半導(dǎo)體元件側(cè)進(jìn)行封固，并用金剛石刀片(diamond blade)等來分離外框部12來進(jìn)行小塊化(圖。灌注時(shí)可以使用例如傳遞模塑成型樹脂16。若是BGA型，則在外部連接端子11上搭載焊料球，由此得到利用引線框基板7的半導(dǎo)體封裝件。實(shí)施例下面，作為基于本發(fā)明的引線框基板的制造方法的例子，取LGA(Land Grid Array 觸電陣列封裝)型的引線框基板為例子，利用圖IA 圖IF進(jìn)行說明。制造的LGA的封裝件是邊長(zhǎng)為IOmm見方的形狀，封裝件下表面具有168個(gè)腳的陣列狀的外部連接端子。首先，準(zhǔn)備寬度為150mm、厚度為200 μπι的長(zhǎng)條帶狀的銅合金製金屬板 (EFTEC64T，古河電工(FURUKAWAELECTRICCO.，LTD)制造)，作為圖IA所示的金屬板1。接著，用輥涂機(jī)(roll coater)在該金屬板1的兩面上將光致抗蝕劑(0FPR4000， 東京應(yīng)化株式會(huì)社(T0KY0U0HKAK0GY0C0.，LTD)制造)涂敷至5 μ m的厚度之后，以90°C進(jìn)
行預(yù)烤。接著，經(jīng)由具有所希望的圖案的光掩模來從兩面曝光圖案，然后用的碳酸鈉水溶液進(jìn)行顯影處理后，進(jìn)行水洗及二次烘烤(post-baked)，從而得到圖IB示出的第一光致抗蝕圖案2及第二光致抗蝕圖案3。作為第一光致抗蝕圖案2，在第一面上生成光致抗蝕的圖案來，其用于生成半導(dǎo)體元件搭載部8、半導(dǎo)體元件電極連接端子9、布線10、外框部12，此外，在第二面上生成了用于生成外部連接端子11、外框部12的光致抗蝕的圖案。此外，作為用于生成突起物5的第二光致抗蝕圖案3，在非布線部以0. 5mm間隔將 30 μ m直徑的光致抗蝕的圖案配置為矩陣狀。接著，用背板罩住金屬板1的第一面?zhèn)葋磉M(jìn)行保護(hù)后(未圖示)，利用氯化鐵溶液從金屬板1的第二面進(jìn)行第一次蝕刻處理，將在金屬板1的第二面?zhèn)葟牡谝还庵驴刮g圖案2 露出的金屬板部位蝕刻至厚度薄到30 μπι(圖1C)。氯化鐵溶液的比重為1. 38，液溫為50°C。將蝕刻了第二面的金屬板1在30°C、50g/L的過硫酸銨水溶液中浸泡5分鐘，對(duì)在第一次蝕刻中生成的蝕刻面的表面進(jìn)行粗糙化(未圖示)。再將其浸泡于規(guī)定的氫氧化鈉水溶液類剝離液中，剝離金屬板1的第二面的光致抗蝕膜(未圖示)。接著，對(duì)由第一次蝕刻生成的金屬板1的第二面，注入對(duì)應(yīng)于預(yù)成型樹脂6的液態(tài)的熱固性樹脂(SMC-376KF1，信越化學(xué)工業(yè)(Shin-EtsuChemicalCo.，Ltd)制造)，在180°C 溫度環(huán)境中進(jìn)行3小時(shí)的固化處理，生成預(yù)成型層。由于熱固化樹脂的埋置性良好，所以沒有觀察到孔隙等的不良。在沒有被蝕刻的外部連接端子11、外框部12的面上，幾乎沒有殘留熱固化樹脂，但仍然兼作為表面洗凈處理，在60°C的高錳酸鉀堿性水溶液G0g/L高錳酸鉀+20g/L氫氧化鈉)進(jìn)行了 3分鐘左右的處理。接著，除去金屬板1的第一面?zhèn)鹊谋嘲?，然后用氯化鐵溶液從金屬板1的第一面?zhèn)葘?shí)施第二次蝕刻處理，由此溶解并除去從第一光致抗蝕圖案2露出的金屬板部位，從而生成了半導(dǎo)體元件搭載部8、半導(dǎo)體元件電極連接端子9、布線10、外框部12 (圖1E)。外部連接端子11從半導(dǎo)體元件電極連接端子9延伸出來。此外，雖未圖示，為了不在下表面?zhèn)冗M(jìn)行不需要的蝕刻，第二次蝕刻處理時(shí)優(yōu)選在第二面?zhèn)日迟N背板等。接著，剝離金屬板1的第一面的第一光致抗蝕圖案2，得到所希望的LGA型的引線框基板7(圖1F)。接著，剝離抗蝕膜后，對(duì)露出的金屬面實(shí)施電解鎳-金電鍍。鎳的厚度為5 μ m，金的厚度為0. 1μπι(未圖示)。接著，用芯片固定材料13在引線框基板7上搭載半導(dǎo)體元件14，然后在150°C的環(huán)境中放置1小時(shí)，由此使芯片固定材料13固化。再用直徑為30 μ m的金絲15對(duì)半導(dǎo)體元件14的電極與半導(dǎo)體元件電極連接端子9進(jìn)行引線接合(圖3A)。引線接合的加熱溫度為200°C，如果測(cè)定半導(dǎo)體元件電極連接端子9側(cè)的金絲15的拉拔強(qiáng)度的結(jié)果，則其拉拔強(qiáng)度為9g以上，得到了良好的連接效果。然后，如圖:3B所示，用傳遞模塑法封固包括半導(dǎo)體元件14及半導(dǎo)體元件電極連接端子9的區(qū)域，并剪斷成小塊而得到利用LGA型的引線框基板7的半導(dǎo)體封裝件。產(chǎn)業(yè)上的可利用性通過利用本發(fā)明的引線框基板的制造方法，可以降低制造時(shí)的不良及半導(dǎo)體封裝件組裝時(shí)的不良，且可以得到提高對(duì)于熱應(yīng)力的可靠性的引線框基板。本發(fā)明，特別能夠應(yīng)用于無法在引線框型的半導(dǎo)體封裝件中對(duì)應(yīng)的多管腳封裝基板。附圖標(biāo)記的說明1金屬板2第一光致抗蝕圖案3第二光致抗蝕圖案(用于生成突起物)4 孔部5突起物6預(yù)成型樹脂7引線框基板8半導(dǎo)體元件搭載部9半導(dǎo)體元件電極連接端子10 布線11外部連接端子12外框部13芯片固定材料14半導(dǎo)體元件15 金絲16傳遞模塑成型樹脂17電沉積聚酰亞胺層
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權(quán)利要求
1.一種引線框基板，其特征在于，具有金屬板，具有第一面與第二面，半導(dǎo)體元件搭載部及半導(dǎo)體元件電極連接端子，形成在所述第一面上； 外部連接端子，形成在所述第二面上，并且與所述半導(dǎo)體元件電極連接端子電連接， 布線，連接所述半導(dǎo)體元件電極連接端子與所述外部連接端子， 樹脂層，形成在所述金屬板上，孔部，局部地形成在所述金屬板的所述第二面上，并且不貫通所述金屬板， 多個(gè)突起物，個(gè)個(gè)分散形成在所述孔部的底面上，該突起物朝向遠(yuǎn)離所述金屬板的方向呈凸?fàn)睿龆鄠€(gè)突起物的高度低于所述第二面的位置，而且不與布線導(dǎo)電。
2.一種引線框基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟形成第一光致抗蝕膜，用于在金屬板的第一面上形成半導(dǎo)體元件搭載部、半導(dǎo)體元件電極連接端子以及外框部，并在所述金屬板的第二面上形成外部連接端子以及外框部，形成第二光致抗蝕膜，用于在所述第二面上的除了所述外部連接端子及所述外框部以外的區(qū)域形成不貫通所述金屬板的孔部，并在所述孔部的底面上形成個(gè)個(gè)分散的多個(gè)突起物，所述多個(gè)突起物朝向遠(yuǎn)離所述金屬板方向而呈凸?fàn)?，所述多個(gè)突起物的高度低于所述第二面的位置，而且不與布線導(dǎo)電，對(duì)所述第二面露出的金屬板露出部進(jìn)行蝕刻，由此形成所述孔部和凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)物，所述凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)物是所述突起物的未完成狀態(tài)，在所述孔部涂敷液態(tài)預(yù)成型樹脂，并進(jìn)行加熱固化，由此形成樹脂層， 然后，通過對(duì)所述第一面進(jìn)行蝕刻，來形成所述半導(dǎo)體元件搭載部、與所述外部連接端子導(dǎo)電的所述半導(dǎo)體元件電極連接端子、所述外框部，并將所述凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)物加工成所述突起物。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有引線框基板和搭載在所述引線框基板上的半導(dǎo)體元件，所述弓I線框基板與所述半導(dǎo)體元件通過弓I線接合而電連接，所述引線框基板具有金屬板，具有第一面與第二面，半導(dǎo)體元件搭載部及半導(dǎo)體元件電極連接端子，形成在所述第一面上； 外部連接端子，形成在所述第二面上，并且與所述半導(dǎo)體元件電極連接端子電連接， 布線，連接所述半導(dǎo)體元件電極連接端子與所述外部連接端子， 樹脂層，形成在所述金屬板上，孔部，局部地形成在所述金屬板的所述第二面上，并且不貫通所述金屬板， 多個(gè)突起物，個(gè)個(gè)分散形成在所述孔部的底面上，該突起物朝向遠(yuǎn)離所述金屬板的方向呈凸?fàn)睿龆鄠€(gè)突起物的高度低于所述第二面的位置，而且不與布線導(dǎo)電。
全文摘要
本發(fā)明提供引線框基板與該引線框基板的制造方法以及半導(dǎo)體裝置，該引線框基板能夠使布線不發(fā)生折斷或彎曲等不良現(xiàn)象來制造，而且，可以確保對(duì)熱應(yīng)力的可靠性，其特征在于在金屬板的第一面上形成半導(dǎo)體元件搭載部與半導(dǎo)體元件電極連接端子，在第二面上形成外部連接端子；具有連接半導(dǎo)體元件電極連接端子與外部連接端子的布線以及樹脂層；在部分形成于金屬板的第二面的不貫通金屬板的孔部的底面，朝向遠(yuǎn)離金屬板的方向而形成凸?fàn)畹膫€(gè)個(gè)分散的多個(gè)突起物，所述多個(gè)突起物的高度低于第二面的位置，且不與引線導(dǎo)電，且一個(gè)一個(gè)地散在。
文檔編號(hào)H01L23/50GK102165582SQ20098013814
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2009年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月29日
發(fā)明者塚本健人, 境泰宏, 戶田順子, 馬庭進(jìn) 申請(qǐng)人:凸版印刷株式會(huì)社