專(zhuān)利名稱(chēng):顯示面板用基板、顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及顯示面板用基板、顯示面板,尤其涉及在周緣部設(shè)有用于與TCP(Tape Carrier lockage 卷帶式封裝)等進(jìn)行電連接的端子(具體地說(shuō),例如帶板狀焊盤(pán))的顯示面板用基板、具備該顯示面板用基板的顯示面板。
背景技術(shù):
一般的液晶顯示面板具備2個(gè)基板。例如有源矩陣類(lèi)型的液晶顯示面板具備TFT 陣列基板和相對(duì)基板(作為相對(duì)基板,例如可以適用彩色濾光片)。并且,隔開(kāi)規(guī)定的微小間隔相對(duì)地貼合這些基板,在這些基板之間填充有液晶。在TFT陣列基板的表面設(shè)有顯示區(qū)域(也稱(chēng)為有源區(qū)域)和圍繞該顯示區(qū)域的面板邊框區(qū)域。在顯示區(qū)域,矩陣狀地排列多個(gè)像素電極,并且排列分別驅(qū)動(dòng)各像素電極的開(kāi)關(guān)元件(例如,薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor) 0而且,在顯示區(qū)域,形成向各開(kāi)關(guān)元件傳送規(guī)定的信號(hào)的掃描線(xiàn)(也稱(chēng)為柵極總線(xiàn))、數(shù)據(jù)線(xiàn)(也稱(chēng)為源極總線(xiàn))。另一方面,在面板邊框區(qū)域,形成用于連接安裝了驅(qū)動(dòng)器IC(例如,源極驅(qū)動(dòng)器或者柵極驅(qū)動(dòng)器) 的TCP(Tape Carrier lockage 卷帶式封裝)等的配線(xiàn)電極端子(具體地說(shuō),例如焊盤(pán))。 而且,在面板邊框區(qū)域,形成將該端子和形成在顯示區(qū)域的規(guī)定的掃描線(xiàn)或者規(guī)定的數(shù)據(jù)線(xiàn)連接起來(lái)的配線(xiàn)。這樣構(gòu)成的話(huà),安裝于TCP的驅(qū)動(dòng)器IC所生成的信號(hào)通過(guò)設(shè)于面板邊框區(qū)域的配線(xiàn)電極端子和配線(xiàn),向形成在顯示區(qū)域的掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)傳送。并且通過(guò)掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)分配到各開(kāi)關(guān)元件。在形成在面板邊框區(qū)域的端子和配線(xiàn)中,具有如下的構(gòu)造。在顯示面板用基板的表面,利用相同的材料在相同的層(例如包括玻璃等的透明基板的正上方的層)形成配線(xiàn)電極端子和配線(xiàn)。端子例如形成為細(xì)長(zhǎng)的帶板狀。并且在面板邊框區(qū)域的周緣部,多個(gè)配線(xiàn)電極端子隔開(kāi)規(guī)定的間隔大致平行地排列而形成。另外,在除去面板邊框區(qū)域中的形成有配線(xiàn)電極端子的區(qū)域,形成有層間絕緣膜。因此,配線(xiàn)被層間絕緣膜覆蓋,配線(xiàn)電極端子不被層間絕緣膜覆蓋而露出。在配線(xiàn)電極端子的表面形成導(dǎo)電性材料的膜(例如包括銦錫氧化物的膜)。另外, 在配線(xiàn)上也以隔著層間絕緣膜重疊的方式形成導(dǎo)電性材料的膜。在層間絕緣膜的規(guī)定的位置形成接觸孔,配線(xiàn)與導(dǎo)電性材料的膜通過(guò)該接觸孔電連接。這樣構(gòu)成的話(huà),配線(xiàn)電極端子和配線(xiàn)成為多層構(gòu)造,因此可以降低配線(xiàn)電極端子和配線(xiàn)的電阻。并且,其結(jié)果是可以減少傳送信號(hào)的損失。在上述這種導(dǎo)電性材料的膜的形成方法中,可以適用光刻法。簡(jiǎn)單說(shuō)明的話(huà),如下所示。首先,在形成有配線(xiàn)電極端子、配線(xiàn)的圖案和層間絕緣膜的顯示面板用基板的表面, 遍及大致整個(gè)面形成導(dǎo)電性材料的膜。接著,覆蓋所形成的導(dǎo)電性材料的膜而形成光致抗蝕材料的膜。接著,通過(guò)形成有規(guī)定的遮光圖案、透光圖案的光掩模,對(duì)光致抗蝕劑材料的膜照射光能。例如,如果光致抗蝕劑材料是正型,則遮擋形成在配線(xiàn)電極端子的表面和配線(xiàn)的表面的光致抗蝕劑材料的膜,對(duì)形成在配線(xiàn)電極端子彼此之間和配線(xiàn)彼此之間的光致抗蝕劑材料的膜照射光能。接著,通過(guò)顯影除去曝光了的光致抗蝕劑材料的規(guī)定部分。如果光致抗蝕劑材料是正型,則除去光能所照射的部分,殘留被遮擋的部分。因此,在配線(xiàn)電極端子的表面和配線(xiàn)的表面殘留光致抗蝕劑材料的膜,除去形成在配線(xiàn)電極端子彼此之間和配線(xiàn)彼此之間的光致抗蝕劑材料的膜。其結(jié)果是導(dǎo)電性材料的膜中的、形成在配線(xiàn)電極端子彼此之間和配線(xiàn)彼此之間的部分露出。接著,將形成為規(guī)定的圖案的光致抗蝕劑材料的膜用作掩模,通過(guò)蝕刻圖案化導(dǎo)電性材料的膜。由此,除去露出的導(dǎo)電性材料的膜。具體地說(shuō),殘留導(dǎo)電性材料的膜中的、 隔著配線(xiàn)電極端子的表面和層間絕緣膜與配線(xiàn)重疊的部分,除去形成在配線(xiàn)電極端子彼此之間和配線(xiàn)彼此之間的部分。其結(jié)果是配線(xiàn)電極端子和配線(xiàn)成為多層構(gòu)造。但是,最近出現(xiàn)為了降低成本而希望削減驅(qū)動(dòng)器IC的數(shù)量的要求。為了削減驅(qū)動(dòng)器IC的數(shù)量,需要使用單位輸出端子數(shù)較多的驅(qū)動(dòng)器IC。當(dāng)安裝于TCP的驅(qū)動(dòng)器IC的輸出端子數(shù)變多時(shí),在TCP和顯示面板用基板之間所連接的端子的數(shù)量有所增加。因此,需要縮小形成于顯示面板用基板的配線(xiàn)電極端子彼此之間的間隔、配線(xiàn)彼此之間的間隔。當(dāng)縮小配線(xiàn)電極端子彼此之間的間隔、配線(xiàn)彼此之間的間隔時(shí),在配線(xiàn)電極端子彼此之間、配線(xiàn)彼此之間發(fā)生短路的可能性變大。特別是通過(guò)與配線(xiàn)電極端子、配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜發(fā)生短路的可能性變大。其理由如下所示。如上所述,通過(guò)光刻法形成導(dǎo)電性材料的膜。即,首先,形成導(dǎo)電性材料的膜,在其表面形成光致抗蝕劑材料的膜。并且,圖案化光致抗蝕劑材料的膜,將進(jìn)行了圖案化的光致抗蝕劑材料的膜用作掩模來(lái)圖案化導(dǎo)電性材料的膜。光致抗蝕劑材料的膜還在層間絕緣膜的周緣部的臺(tái)階面形成。在層間絕緣膜的周緣部的臺(tái)階面所形成的光致抗蝕劑材料的膜的厚度依賴(lài)于層間絕緣膜的厚度。即,光致抗蝕劑材料的膜的厚度與層間絕緣膜的周緣部的臺(tái)階面的高度大致相等。因此,形成在層間絕緣膜的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜的厚度與其它部分相比變厚。當(dāng)光致抗蝕劑材料的膜的厚度變厚時(shí),在曝光工序中有時(shí)會(huì)曝光不足。如果光致抗蝕劑材料的膜是正型,則當(dāng)顯影時(shí),有時(shí)不會(huì)完全地除去成為曝光不足的部分。在導(dǎo)電性材料的膜的圖案化中,殘留的光致抗蝕劑材料的膜成為蝕刻的掩模, 因此當(dāng)殘留光致抗蝕劑材料的膜時(shí),會(huì)殘留被該光致抗蝕劑材料覆蓋的導(dǎo)電性材料的膜。 其結(jié)果是在層間絕緣膜的周緣部,在配線(xiàn)電極端子彼此之間或者配線(xiàn)彼此之間殘留導(dǎo)電性材料的膜,因?yàn)樗鶜埩舻膶?dǎo)電性材料的膜,在相鄰的端子彼此之間、配線(xiàn)彼此之間發(fā)生短路。作為防止起因于導(dǎo)電性材料的膜的端子彼此的短路、配線(xiàn)彼此的短路的結(jié)構(gòu),提出例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1、專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述的結(jié)構(gòu)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述的結(jié)構(gòu)是通過(guò)在端子彼此之間形成層間絕緣膜的壁來(lái)防止端子彼此之間的短路。另外,專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述的結(jié)構(gòu)是通過(guò)使層間絕緣膜的表面變得平滑來(lái)控制在其表面所形成的導(dǎo)電性材料的膜的蝕刻狀態(tài),防止端子彼此之間的短路。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),可以使導(dǎo)電性材料的膜不在端子彼此之間形成,可以防止端子彼此之間的短路。但是,在該專(zhuān)利文獻(xiàn)1、專(zhuān)利文獻(xiàn)2中,不能防止在層間絕緣膜的周緣部殘留光致抗蝕劑材料的膜。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 特開(kāi)2000-180890號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 特開(kāi)2000-155335號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題鑒于上述實(shí)際情況,本發(fā)明要解決的問(wèn)題是提供可以防止配線(xiàn)電極端子彼此之間的短路的顯示面板用基板、顯示面板,或者提供可以防止起因于與配線(xiàn)電極端子、配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜的端子彼此之間的短路的顯示面板用基板、顯示面板,或者提供可以防止起因于在層間絕緣膜的周緣部殘留光致抗蝕劑材料的膜的配線(xiàn)電極端子彼此之間的短路的顯示面板用基板、顯示面板。用于解決問(wèn)題的方案為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明的要點(diǎn)在于,具備用于連接外部的配線(xiàn)基板的配線(xiàn)電極端子;與該配線(xiàn)電極端子電導(dǎo)通的引出配線(xiàn);覆蓋該引出配線(xiàn)的層間絕緣膜;與上述配線(xiàn)電極端子重疊而形成并且與上述配線(xiàn)電極端子電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜;以及隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成并且與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜,與上述配線(xiàn)電極端子重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜和隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜,在上述層間絕緣膜的周緣部是分離的。優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)隔著上述層間絕緣膜與上述弓I出配線(xiàn)重疊而形成并且與上述弓I出配線(xiàn)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜通過(guò)形成于上述層間絕緣膜的開(kāi)口部與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)
ο優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜形成為其接近上述層間絕緣膜的周緣部的部分與其它的部分相比,寬度較窄。本發(fā)明的要點(diǎn)在于,具備用于連接外部的配線(xiàn)基板的多個(gè)配線(xiàn)電極端子;對(duì)各該多個(gè)配線(xiàn)電極端子電導(dǎo)通的多個(gè)引出配線(xiàn);覆蓋該多個(gè)引出配線(xiàn)的層間絕緣膜;與上述多個(gè)配線(xiàn)電極端子分別重疊而形成并且與上述多個(gè)配線(xiàn)電極端子分別電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜;以及隔著上述層間絕緣膜與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成并且與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜,上述多個(gè)引出配線(xiàn)并列而形成,與上述多個(gè)配線(xiàn)電極端子分別重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜和隔著上述層間絕緣膜與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜,在上述層間絕緣膜的周緣部是分離的,并且相鄰的隔著上述層間絕緣膜與多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜是分離的。優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)隔著上述層間絕緣膜與上述弓I出配線(xiàn)重疊而形成并且與上述弓I出配線(xiàn)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜通過(guò)形成于上述層間絕緣膜的開(kāi)口部與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)通。優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜形成為其接近上述層間絕緣膜的周緣部的部分與其它的部分相比,寬度較窄。優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜形成為其接近上述層間絕緣膜的周緣部的部分與其它的部分相比,寬度較窄,并且在該寬度較窄地形成的部分,相鄰的隔著上述層間絕緣膜與引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜的間隔與其它的部分相比較寬。優(yōu)選上述層間絕緣膜的周緣部中的形成在上述多個(gè)引出配線(xiàn)彼此之間的部分形成為其和與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成的部分相比,厚度較薄。本發(fā)明的要點(diǎn)在于具備上述任一顯示面板用基板、以及相對(duì)基板,上述任一顯示面板用基板和上述相對(duì)基板隔開(kāi)規(guī)定的間隔相對(duì)配設(shè),上述任一顯示面板用基板和上述相對(duì)基板之間填充有液晶。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明,與配線(xiàn)電極端子重疊而形成的導(dǎo)線(xiàn)性材料的膜和隔著層間絕緣膜與引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜,在層間絕緣膜的周緣部是分離的。即,在層間絕緣膜的周緣部,未形成導(dǎo)電性材料的膜。因此,可以防止或者抑制在層間絕緣膜的周緣部,因?yàn)榕c配線(xiàn)電極端子重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜,相鄰的配線(xiàn)電極端子發(fā)生短路;因?yàn)楦糁鴮娱g絕緣膜與引出配線(xiàn)重疊的導(dǎo)電性材料的膜,相鄰的引出配線(xiàn)發(fā)生短路。另外,隔著上述層間絕緣膜與引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜形成為其接近層間絕緣膜的周緣部的部分與其它的部分相比,寬度較窄。因此,相鄰的導(dǎo)電性材料的膜的間隔在層間絕緣膜的周緣部變寬。因此,可以防止或者抑制在層間絕緣膜的周緣部, 因?yàn)楦糁鴮娱g絕緣膜與引出配線(xiàn)重疊的導(dǎo)電性材料的膜,相鄰的引出配線(xiàn)發(fā)生短路。另外,在上述層間絕緣膜的周緣部中的上述多個(gè)引出配線(xiàn)彼此之間所形成的部分形成為其和與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成的部分相比,厚度較薄。根據(jù)這種結(jié)構(gòu), 當(dāng)用光刻法在層間絕緣膜的表面形成導(dǎo)電性材料的膜時(shí),可以使形成在層間絕緣膜的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜的厚度較薄。即,在層間絕緣膜的表面形成光致抗蝕劑材料的膜的工序中,在層間絕緣膜的周緣部的臺(tái)階面也形成光致抗蝕劑材料的膜。形成在層間絕緣膜的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜的厚度依賴(lài)于層間絕緣膜的厚度。因此,當(dāng)形成在引出配線(xiàn)彼此之間的層間絕緣膜與其它部分相比較薄地形成時(shí),形成在引出配線(xiàn)彼此之間的光致抗蝕劑材料的膜的厚度變薄。并且使光致抗蝕劑材料的膜的厚度變薄,由此在曝光工序中,可以防止光致抗蝕劑材料的膜曝光不足。因此,如果光致抗蝕劑材料的膜是正型,則在顯影工序中,可以防止在引出配線(xiàn)彼此之間殘留光致抗蝕劑材料的膜。 因此,在將該光致抗蝕劑材料的膜作為掩模來(lái)圖案化導(dǎo)電性材料的膜的工序中,可以防止在引出配線(xiàn)彼此之間殘留導(dǎo)電性材料的膜。因此,可以防止或者抑制因?yàn)閷?dǎo)電性材料的膜, 相鄰的引出配線(xiàn)發(fā)生短路。
圖1是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的概要結(jié)構(gòu)的外觀(guān)立體圖。圖2是示意地示出設(shè)于顯示區(qū)域的像素、配線(xiàn)等的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3是抽取本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的端子區(qū)域的一部分并放大示出的平面示意圖。圖4的(a)是圖3的A_A線(xiàn)截面圖,(b)是圖3的B-B線(xiàn)截面圖,(c)是圖3的C-C 線(xiàn)截面圖。
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圖5是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖6是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖7是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖8是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖9是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖10是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖11是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖12是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖13是示意地示出配線(xiàn)電極端子、引出配線(xiàn)、層間絕緣膜等的形成方法的規(guī)定工序的截面圖,(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的 (c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。圖14是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的制造方法的規(guī)定的工序的截面圖。圖15是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的制造方法的規(guī)定的工序的截面圖。圖16是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的制造方法的規(guī)定的工序的截面圖。圖17是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的制造方法的規(guī)定的工序的截面圖。圖18是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的制造方法的規(guī)定的工序的截面圖。圖19是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的制造方法的規(guī)定的工序的截面圖。
圖20是示意地示出彩色濾光片的結(jié)構(gòu)的圖,(a)是示意地示出彩色濾光片的整體構(gòu)造的立體圖,(b)是抽取并示出形成于彩色濾光片的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖,(C)是 (b)的F-F線(xiàn)截面圖,是示出像素的截面構(gòu)造的圖。圖21是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板的一部分的截面構(gòu)造的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面,參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的各種實(shí)施方式。本發(fā)明的各實(shí)施方式的顯示面板用基板是適用于有源矩陣類(lèi)型的液晶顯示面板的TFT陣列基板。圖1是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的概要結(jié)構(gòu)的外觀(guān)立體圖。如圖1所示,在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1中,設(shè)有顯示區(qū)域(也稱(chēng)為有源區(qū)域)11。在顯示區(qū)域11的外側(cè),圍繞該顯示區(qū)域11而設(shè)有面板邊框區(qū)域12。圖2是示意地示出設(shè)于顯示區(qū)域11的像素、配線(xiàn)等的結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖2所示,在顯示區(qū)域11中矩陣狀地排列有多個(gè)像素。各像素具備像素電極109和驅(qū)動(dòng)像素電極 109的開(kāi)關(guān)元件105(具體地說(shuō),例如薄膜晶體管(TFT =Thin Film Transistor)) 0像素電極109和開(kāi)關(guān)元件105的漏極電極108通過(guò)漏極線(xiàn)104電導(dǎo)通。此外,在像素電極109中, 有時(shí)為了控制液晶的取向而形成狹縫,但是在圖2中省略。另外,在顯示區(qū)域11中,相互大致平行地形成有多個(gè)掃描線(xiàn)101(也稱(chēng)為柵極總線(xiàn))。并且在掃描線(xiàn)101彼此之間,與掃描線(xiàn)101大致平行地形成輔助電容線(xiàn)103(也稱(chēng)為存儲(chǔ)電容線(xiàn))。而且相互平行地且與掃描線(xiàn)101和輔助電容線(xiàn)103大致正交地形成多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)102(也稱(chēng)為源極總線(xiàn))。并且,在掃描線(xiàn)101和數(shù)據(jù)線(xiàn)102的交叉點(diǎn)附近,設(shè)有驅(qū)動(dòng)像素電極109的開(kāi)關(guān)元件105。開(kāi)關(guān)元件105具有柵極電極106、源極電極107以及漏極電極108。柵極電極106 與掃描線(xiàn)101電導(dǎo)通。源極電極107與數(shù)據(jù)線(xiàn)102電導(dǎo)通。漏極電極108通過(guò)漏極線(xiàn)104 與像素電極109電導(dǎo)通。輔助電容線(xiàn)103在與規(guī)定的像素電極109之間形成輔助電容(也稱(chēng)為存儲(chǔ)電容)。這樣構(gòu)成的話(huà),掃描線(xiàn)101可以向規(guī)定的開(kāi)關(guān)元件105的柵極電極106傳送規(guī)定的柵極信號(hào)(也稱(chēng)為選擇脈沖)。另外,數(shù)據(jù)線(xiàn)102可以向規(guī)定的開(kāi)關(guān)元件105的源極電極107傳送數(shù)據(jù)信號(hào)?;氐綀D1進(jìn)行說(shuō)明。在顯示區(qū)域11的周?chē)?,圍繞該顯示區(qū)域11而設(shè)有面板邊框區(qū)域12。在面板邊框區(qū)域12的外周緣設(shè)有端子區(qū)域13。該端子區(qū)域13是用于連接安裝驅(qū)動(dòng)器IC(或者驅(qū)動(dòng)器LSI)的TCP(Tape Carrier lockage 卷帶式封裝)的區(qū)域,是貼附各向異性導(dǎo)電膜(ACF Anisotropic Conductive Film)的區(qū)域。在端子區(qū)域13中形成配線(xiàn)電極端子121。配線(xiàn)電極端子121是與形成于安裝驅(qū)動(dòng)器IC(或者驅(qū)動(dòng)器LSI)的TCP(Tape Carrier lockage 卷帶式封裝)的配線(xiàn)或者端子電連接的端子。配線(xiàn)電極端子121是例如包括電導(dǎo)體的細(xì)長(zhǎng)的帶板狀焊盤(pán)。并且多個(gè)配線(xiàn)電極端子121隔開(kāi)規(guī)定的間隔大致平行地排列而形成。在面板邊框區(qū)域12的端子區(qū)域13以外的部分,形成規(guī)定的配線(xiàn)電極端子121、 用于電導(dǎo)通形成于顯示區(qū)域11的規(guī)定的掃描線(xiàn)101、數(shù)據(jù)線(xiàn)102或者輔助電容線(xiàn)103的配線(xiàn)122(為了便于說(shuō)明,將該配線(xiàn)稱(chēng)為“引出配線(xiàn)122”)。
在端子區(qū)域13中貼附各向異性導(dǎo)電膜,通過(guò)所貼附的各向異性導(dǎo)電膜,安裝有驅(qū)動(dòng)器IC等的TCP被固定到端子區(qū)域13。當(dāng)TCP通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜被固定到端子區(qū)域時(shí), 形成于TCP的規(guī)定的配線(xiàn)或者端子與形成于端子區(qū)域13的規(guī)定的配線(xiàn)電極端子121電導(dǎo)通。這樣構(gòu)成的話(huà),安裝于TCP的驅(qū)動(dòng)器IC等所生成的規(guī)定的信號(hào)通過(guò)設(shè)于面板邊框區(qū)域 12的配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn),傳送到設(shè)于顯示區(qū)域11的規(guī)定的配線(xiàn)(即,規(guī)定的掃描線(xiàn)101、輔助電容線(xiàn)103或者數(shù)據(jù)線(xiàn)102)。圖3是抽取本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的端子區(qū)域13的一部分并放大示出的平面示意圖。圖4的(a)是圖3的A-A線(xiàn)截面圖,圖4的(b)是圖3的B-B線(xiàn)截面圖,圖4的(c)是圖3的C-C線(xiàn)截面圖。如圖3所示,在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的面板邊框區(qū)域12,多個(gè)帶板狀的配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122隔開(kāi)規(guī)定的間隔大致平行地排列而形成。配線(xiàn)電極端子121不被層間絕緣膜209覆蓋,但是引出配線(xiàn)122被層間絕緣膜209覆蓋。在配線(xiàn)電極端子121的表面形成導(dǎo)電性材料的膜210。另外,在層間絕緣膜209的表面,在隔著該層間絕緣膜209與引出配線(xiàn)122重疊的位置形成導(dǎo)電性材料的膜211。如圖4的(a)、(c)所示,在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的表面,配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122由相同的材料一體地形成。并且配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn) 122被第一絕緣膜203覆蓋。在第一絕緣膜203的表面,隔著第一絕緣膜203與配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122重疊地形成副配線(xiàn)123。在第一絕緣膜203和副配線(xiàn)123中的、與配線(xiàn)電極端子121重疊的部分形成開(kāi)口部(接觸孔)。并且配線(xiàn)電極端子121的表面通過(guò)該開(kāi)口部露出。而且,與配線(xiàn)電極端子 121重疊地形成導(dǎo)電性材料的膜210。具體地說(shuō),該導(dǎo)電性材料的膜210跨越通過(guò)形成于第一絕緣膜203和副配線(xiàn)123的開(kāi)口部而露出的配線(xiàn)電極端子121的表面、和該開(kāi)口部的周緣部而形成。因此,配線(xiàn)電極端子121和副配線(xiàn)123通過(guò)導(dǎo)電性材料的膜210電導(dǎo)通。另外,在與引出配線(xiàn)122重疊的第一絕緣膜203、副配線(xiàn)123以及層間絕緣膜209 中,形成將它們整個(gè)貫通的開(kāi)口部(接觸孔)。因此,引出配線(xiàn)122的一部分通過(guò)該開(kāi)口部露出。在層間絕緣膜209的表面,以隔著第一絕緣膜203、副配線(xiàn)123以及層間絕緣膜209 與引出配線(xiàn)122重疊的方式形成導(dǎo)電性材料的膜211。并且導(dǎo)電性材料的膜211還在貫通第一絕緣膜203、副配線(xiàn)123以及層間絕緣膜209的開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)形成。因此,引出配線(xiàn)122 和副配線(xiàn)123通過(guò)導(dǎo)電性材料的膜211電導(dǎo)通。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),規(guī)定的電信號(hào)除了可以在配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122中傳導(dǎo)以外,還可以在副配線(xiàn)123和導(dǎo)電性材料的膜210、211中傳導(dǎo)。因此,作為結(jié)果可以起到與增大配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122的截面面積來(lái)降低電阻相同的作用效果。因此, 可以減少在配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122中進(jìn)行傳導(dǎo)的電信號(hào)的損失。此外,如圖3或者圖4的(a)所示,導(dǎo)電性材料的膜210不在層間絕緣膜209的周緣部形成。因此,與配線(xiàn)電極端子121重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜210和形成在層間絕緣膜209的表面的導(dǎo)電性材料的膜211在物理上是分離的。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),在層間絕緣膜 209的周緣部,可以防止因?yàn)閷?dǎo)電性材料的膜210,相鄰的配線(xiàn)電極端子121發(fā)生短路。同樣地,可以防止因?yàn)閷?dǎo)電性材料的膜211,相鄰的引出配線(xiàn)122發(fā)生短路。如圖4的(b)、(c)所示,層間絕緣膜209的周緣部中的、在引出配線(xiàn)122彼此之間所形成的部分(即,不與引出配線(xiàn)122重疊的部分)與在引出配線(xiàn)122的表面所形成的部分(即,與引出配線(xiàn)122重疊的部分)相比,厚度形成得較薄。因此,在層間絕緣膜209的周緣部,厚度臺(tái)階狀變薄。并且,如圖3所示,形成于層間絕緣膜209的導(dǎo)電性材料的膜211中的、接近層間絕緣膜209的厚度較薄部分的部分與除此以外的部分相比,寬度形成得較窄。S卩,在靠近顯示區(qū)域11的一側(cè),導(dǎo)電性材料的膜211的寬度形成為與引出配線(xiàn)122的寬度大致相同的尺寸,與此相對(duì)地,在靠近配線(xiàn)電極端子121的一側(cè)(接近層間絕緣膜209的厚度較薄部分的部分),導(dǎo)電性材料的膜211的寬度形成為比引出配線(xiàn)122的寬度窄的寬度。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),在層間絕緣膜209的周緣部,相鄰的導(dǎo)電性材料的膜211彼此的間隔變寬。因此,可以防止因?yàn)閷?dǎo)電性材料的膜211,相鄰的引出配線(xiàn)122發(fā)生短路。具有這種結(jié)構(gòu)的配線(xiàn)電極端子121、引出配線(xiàn)122、層間絕緣膜209等的形成方法如下所示。圖5至圖13是示意地示出配線(xiàn)電極端子121、引出配線(xiàn)122、層間絕緣膜209等的形成方法的各工序的截面圖,圖5至圖13的各圖的(a)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的B-B線(xiàn)截面,各圖的(c)相當(dāng)于圖3的C-C線(xiàn)截面。如圖5的(a)、(b)所示,在包括玻璃等的透明基板201的表面,形成配線(xiàn)電極端子 121和引出配線(xiàn)122。具體地說(shuō),如下所示。首先,在透明基板201的表面,形成包括鉻、鉭、 鉬、鋁等的單層或者多層的第一導(dǎo)體膜。在第一導(dǎo)體膜的形成方法中,可以適用公知的各種濺射法。不特別限定該第一導(dǎo)體膜的厚度,例如可以適用300nm左右的膜厚。并且,所形成的第一導(dǎo)體膜通過(guò)光刻法圖案化為配線(xiàn)電極端子121的圖案和引出配線(xiàn)122的圖案。在第一導(dǎo)體膜的圖案化中,可以適用公知的各種蝕刻法。此外,如圖5的(b)所示,在配線(xiàn)電極端子121彼此之間和引出配線(xiàn)122彼此之間不形成第一導(dǎo)體膜。下面,如圖6的(a)、(b)、(c)所示,在形成有配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122的透明基板201的表面,形成第一絕緣膜203。在第一絕緣膜203中,可以適用氮化硅(SiNx) 等。在第一絕緣膜203的形成方法中,可以適用等離子體CVD法。當(dāng)形成第一絕緣膜203 時(shí),配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122被第一絕緣膜203覆蓋。下面,如圖7的(a)、(c)所示,形成副配線(xiàn)123。副配線(xiàn)123是隔著第一絕緣膜203 與配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122重疊的配線(xiàn)圖案。并且,在與配線(xiàn)電極端子121重疊的部分形成開(kāi)口部(接觸孔),配線(xiàn)電極端子121通過(guò)該開(kāi)口部露出。此外,如圖7的(b) 所示,在配線(xiàn)電極端子121彼此之間以及引出配線(xiàn)122彼此之間不形成副配線(xiàn)123。具體地說(shuō),首先,在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的表面,形成成為副配線(xiàn)123的材料的導(dǎo)體膜(將該導(dǎo)體膜稱(chēng)為“第二導(dǎo)體膜”)。并且將所形成的第二導(dǎo)體膜圖案化為副配線(xiàn)123的圖案。在第二導(dǎo)體膜中,可以適用利用鉭、鋁、鉻、鉬等而具有二層以上的層疊構(gòu)造的膜。在第二導(dǎo)體膜的形成方法中,可以適用公知的各種濺射法。在第二導(dǎo)體膜的圖案化中,可以適用使用了 Cl2和BCl3氣體的干式蝕刻以及使用了磷酸、醋酸、硝酸的濕式蝕亥IJ。接著,如圖8的(a)、(b)、(c)所示,在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的表面,形成第二絕緣膜208,在第二絕緣膜208的表面,形成層間絕緣膜209。由此,配線(xiàn)電極端子121 和引出配線(xiàn)122被第二絕緣膜208和層間絕緣膜209覆蓋。在第二絕緣膜208中,可以適用氮化硅(SiNx)等。在第二絕緣膜208的形成方法中,可以適用等離子體CVD法。在層間絕緣膜209中,可以適用丙烯酸類(lèi)感光性樹(shù)脂材料。在層間絕緣膜209的形成方法中,可以
11適用利用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)、狹縫式涂敷機(jī)等涂敷層間絕緣膜209的材料的方法。接著,如圖9的(a)、(b)、(c)所示,對(duì)于所形成的層間絕緣膜209,使用光掩模如來(lái)實(shí)施曝光處理。在光掩模如中,形成規(guī)定圖案的透光區(qū)域42a、遮光區(qū)域41a以及中間色調(diào)區(qū)域 43。具體地說(shuō),如果層間絕緣膜209包括正型的光致抗蝕劑材料,則在光掩模如中,在與形成配線(xiàn)電極端子121的區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成透光區(qū)域42a,在與形成引出配線(xiàn)122的區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成遮光區(qū)域41a,在與引出配線(xiàn)122彼此之間對(duì)應(yīng)的位置形成中間色調(diào)區(qū)域43。因此,當(dāng)使用這種光掩模如時(shí),對(duì)所形成的層間絕緣膜209中的、與配線(xiàn)電極端子 121重疊而形成的部分,通過(guò)透光區(qū)域4 照射光能,對(duì)與引出配線(xiàn)122重疊而形成的部分不照射光能。并且,對(duì)形成在引出配線(xiàn)122彼此之間的部分,通過(guò)中間色調(diào)區(qū)域43照射光能。通過(guò)中間色調(diào)區(qū)域43所照射的光能比通過(guò)透光區(qū)域4 所照射的光能弱。接著,如圖10的(a)、(b)、(c)所示,對(duì)進(jìn)行了曝光的光致抗蝕劑材料的膜實(shí)施顯影處理。圖10的(a)、(b)、(c)分別示出進(jìn)行了顯影處理的層間絕緣膜209的形狀。當(dāng)實(shí)施顯影處理時(shí),除去光致抗蝕劑材料的膜中的、通過(guò)光掩模如的透光區(qū)域4 照射光能的部分。其結(jié)果是除去形成的層間絕緣膜209中的、對(duì)形成配線(xiàn)電極端子121的區(qū)域進(jìn)行覆蓋而形成的部分,配線(xiàn)電極端子121露出。另外,在通過(guò)光掩模如的中間色調(diào)區(qū)域43照射光能的部分,層間絕緣膜209的厚度變薄。其結(jié)果是引出配線(xiàn)122彼此之間與其它的部分 (被遮擋的部分)相比,厚度變薄(參照?qǐng)D10的(b)、(c))。因此,在引出配線(xiàn)122彼此之間形成厚度較薄的臺(tái)階面。接著,如圖11所示,將圖案化的層間絕緣膜209用作掩模,圖案化第二絕緣膜208。 在該圖案化中,也一并圖案化第一絕緣膜203。在第一絕緣膜203和第二絕緣膜208的圖案化中,可以適用使用了 cf4+&氣體或者SF6+A氣體的干式蝕刻。通過(guò)該圖案化,除去第二絕緣膜208中的、在形成配線(xiàn)電極端子121的區(qū)域所形成的部分以及通過(guò)層間絕緣膜209的開(kāi)口部(接觸孔)露出的部分。而且,除去第一絕緣膜 203中的、從形成于副配線(xiàn)123的開(kāi)口部露出的部分。由此,形成開(kāi)口部,其貫通層間絕緣膜 209、第二絕緣膜208、副配線(xiàn)123、第一絕緣膜203,引出配線(xiàn)122的規(guī)定的一部分通過(guò)該開(kāi)口部露出。另外,配線(xiàn)電極端子121通過(guò)形成于副配線(xiàn)123的開(kāi)口部露出。接著,形成第三導(dǎo)體膜212。在第三導(dǎo)體膜212中,可以適用厚度為IOOnm左右的 ITOdndium Tin Oxide 銦錫氧化物)。第三導(dǎo)體膜212的形成方法如下所示。首先,在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的表面,使用濺射法等沉積第三導(dǎo)體膜212。在所形成的第三導(dǎo)體膜212的表面,形成光致抗蝕劑材料的膜213。在光致抗蝕劑材料的膜213的形成中,例如可以使用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)、狹縫式涂敷機(jī)。對(duì)于所形成的光致抗蝕劑材料的膜213,用形成規(guī)定的圖案的透光區(qū)域42b和遮光區(qū)域41b的光掩模4b實(shí)施曝光處理。圖12的(a)、(b)、(c)是示意地示出對(duì)光致抗蝕劑材料的膜213實(shí)施曝光處理的工序的圖。圖中的箭頭示意地示出所照射的光能。如果光致抗蝕劑材料的膜213是正型,則在配線(xiàn)電極端子121彼此之間、引出配線(xiàn) 122彼此之間以及層間絕緣膜209的周緣部,通過(guò)形成于光掩模4b的透光區(qū)域42b照射光能。由光掩模4b的遮光區(qū)域41b遮擋與配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122重疊的部分。但是,如圖12所示,光致抗蝕劑材料的膜213還在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面(例如,圖12中的A部、B部)形成。形成在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜213的厚度依賴(lài)于層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面的高度。根據(jù)本實(shí)施方式,層間絕緣膜209的周緣部中的、形成在引出配線(xiàn)122彼此之間的部分與其它的部分相比,厚度較薄(參照?qǐng)D12的(b))。因此,可以使形成在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜213的厚度較薄。因此,可以防止該部分(特別是A部)曝光不足。然后,對(duì)實(shí)施了曝光處理的光致抗蝕劑材料的膜213實(shí)施顯影處理。當(dāng)對(duì)光致抗蝕劑材料的膜213實(shí)施顯影處理時(shí),除去光能所照射的部分。具體地說(shuō),除去配線(xiàn)電極端子 121彼此之間、引出配線(xiàn)122彼此之間以及覆蓋層間絕緣膜209的周緣部的部分。如上所述,可以防止形成在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜213曝光不足。因此,當(dāng)實(shí)施顯影處理時(shí),完全除去形成在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜213,不會(huì)發(fā)生膜殘留。接著,將進(jìn)行了顯影處理的光致抗蝕劑材料的膜213用作掩模,圖案化第三導(dǎo)體膜212。圖13的(a)、(b)、(c)是示出第三導(dǎo)體膜212被圖案化后的狀態(tài)的圖。在第三導(dǎo)體膜212的圖案化中,可以適用公知的各種蝕刻法。通過(guò)該圖案化,在第三導(dǎo)體膜212中, 殘留被光致抗蝕劑材料的膜213覆蓋的部分,除去除此以外的部分。具體地說(shuō),第三導(dǎo)體膜 212在與配線(xiàn)電極端子121的表面和引出配線(xiàn)122重疊的部分殘留,除此以外的部分(即、 配線(xiàn)電極端子121彼此之間、引出配線(xiàn)122彼此之間、層間絕緣膜209的周緣部)被除去。如上所述,完全除去形成在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面的光致抗蝕劑材料的膜213,因此,還可以完全除去形成在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面的導(dǎo)電性材料的膜。因此,在層間絕緣膜209的周緣部的臺(tái)階面不會(huì)殘留導(dǎo)電性材料的膜,因此,可以防止發(fā)生因?yàn)閷?dǎo)電性材料的膜,相鄰的引出配線(xiàn)122彼此短路、相鄰的配線(xiàn)電極端子121彼此短路。之后,除去光致抗蝕劑材料的膜213。當(dāng)除去光致抗蝕劑材料的膜213時(shí),本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的端子區(qū)域13成為圖4示出的結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)上述工序,在配線(xiàn)電極端子121的表面形成導(dǎo)電性材料的膜210,并且在隔著層間絕緣膜209與引出配線(xiàn)122重疊的部分形成導(dǎo)電性材料的膜211。下面,說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的制造方法的整體流程。圖14至圖19是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板的制造方法的各工序的截面圖。圖14至圖19的(a)是示出形成在顯示區(qū)域11的像素、總線(xiàn)的制造工序的圖。圖14至圖19的(b)、(c)是示出形成在面板邊框區(qū)域12的配線(xiàn)電極端子121、引出配線(xiàn)122等的形成工序的圖,各圖的(b)相當(dāng)于圖3的A-A線(xiàn)截面圖,(c)相當(dāng)于B-B線(xiàn)截面圖。此外,圖14至圖19的(a)是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的顯示區(qū)域11的截面構(gòu)造的圖,不是沿著特定的截面線(xiàn)切斷的圖。首先,如圖14的(a)所示,在包括玻璃等的透明基板201的顯示區(qū)域11,形成掃描線(xiàn)101、輔助電容線(xiàn)103以及開(kāi)關(guān)元件105的柵極電極106。如圖14的(b)所示,在該工序中,在面板邊框區(qū)域12形成配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122。此外,如圖14的(c)所示,在該工序中,在配線(xiàn)電極端子121彼此之間以及引出配線(xiàn)122彼此之間,什么都不會(huì)形成。
具體地說(shuō),在透明基板201的單側(cè)表面,形成包括鉻、鉭、鉬、鋁等的單層或者多層的導(dǎo)體膜(即,第一導(dǎo)體膜)。在該第一導(dǎo)體膜的形成方法中,可以適用公知的各種濺射法等。另外,不特別限定該第一導(dǎo)體膜的厚度,例如可以適用300nm左右的膜厚。所形成的第一導(dǎo)體膜在顯示區(qū)域11中,如圖14的(a)所示,被圖案化為掃描線(xiàn) 101、輔助電容線(xiàn)103、開(kāi)關(guān)元件105的柵極電極106的形狀。在面板邊框區(qū)域12中,如圖 14的(b)所示,被圖案化為配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122的形狀。在第一導(dǎo)體膜的圖案化中,可以適用公知的各種濕式蝕刻。在第一導(dǎo)體膜包括鉻的結(jié)構(gòu)中,可以適用使用了 (NH4) 2〔 Ce (NH3) 6〕+ΗΝ03+Η20 液的濕式蝕刻。下面,如圖15的(a)、(b)、(c)所示,在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的表面,形成第一絕緣膜203。在第一絕緣膜203中,可以適用例如厚度為300nm左右的SiNx (氮化硅)。 作為第一絕緣膜203的形成方法可以適用等離子體CVD法。當(dāng)形成第一絕緣膜時(shí),在顯示區(qū)域中如圖15的(a)所示,掃描線(xiàn)101、輔助電容線(xiàn)103以及開(kāi)關(guān)元件105的柵極電極106 被第一絕緣膜203覆蓋。并且在顯示區(qū)域11中,第一絕緣膜203成為柵極絕緣膜。另外, 在面板絕緣區(qū)域12中,如圖15的(b)所示,配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122被第一絕緣膜203覆蓋。下面,如圖16的(a)所示,在顯示區(qū)域11中,在第一絕緣膜203的表面的規(guī)定位置,形成規(guī)定形狀的半導(dǎo)體膜204。具體地說(shuō),該半導(dǎo)體膜204在隔著第一絕緣膜203與柵極電極106重疊的位置以及隔著第一絕緣膜203與輔助電容線(xiàn)103重疊的位置形成。該半導(dǎo)體膜204具有第一副半導(dǎo)體膜205與第二副半導(dǎo)體膜206的二層構(gòu)造。在第一副半導(dǎo)體膜205中,可以適用厚度約為IOOnm左右的非晶硅等。在第二副半導(dǎo)體膜206中,可以適用厚度約為20nm左右的η+型非晶硅等。第一副半導(dǎo)體膜205在通過(guò)蝕刻來(lái)圖案化數(shù)據(jù)線(xiàn)、漏極線(xiàn)等的工序中,發(fā)揮蝕刻阻擋層的功能。第二副半導(dǎo)體膜206用于使在后面的工序中所形成的源極電極107、漏極電極108的歐姆接觸良好。該半導(dǎo)體膜204 (第一副半導(dǎo)體膜205和第二副半導(dǎo)體膜206)可以通過(guò)等離子體 CVD法和光刻法來(lái)形成。即,首先使用等離子體CVD法,使半導(dǎo)體膜204 (第一副半導(dǎo)體膜205和第二副半導(dǎo)體膜206)的材料沉積到經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的單側(cè)表面。并且,所形成的半導(dǎo)體膜204 (第一副半導(dǎo)體膜205和第二副半導(dǎo)體膜206)通過(guò)光刻法等被圖案化為規(guī)定的形狀。具體地說(shuō),在半導(dǎo)體膜204的表面形成光致抗蝕劑材料的層。在光致抗蝕劑材料的層的形成中,可以適用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)等。并且,對(duì)于所形成的光致抗蝕劑材料的層,使用光掩模來(lái)實(shí)施曝光處理,之后實(shí)施顯影處理。這樣,在顯示區(qū)域11的半導(dǎo)體膜204的表面殘留規(guī)定圖案的光致抗蝕劑材料的層。并且,將進(jìn)行了圖案化的光致抗蝕劑材料的層用作掩模,進(jìn)行半導(dǎo)體膜204的圖案化。在該圖案化中,可以適用例如使用了冊(cè)+顯03溶液的濕式蝕刻、使用了(12和5&氣體的干式蝕刻。由此,半導(dǎo)體膜204(第一副半導(dǎo)體膜205和第二副半導(dǎo)體膜206)隔著第一絕緣膜203與柵極電極206重疊地形成,并且與輔助電容線(xiàn)103重疊地形成。此外,在該工序中,如圖16的(b)、(c)所示,在面板邊框區(qū)域12中,不形成半導(dǎo)體膜。
下面,如圖17的(a)所示,在顯示區(qū)域11中,形成數(shù)據(jù)線(xiàn)102、漏極線(xiàn)104、開(kāi)關(guān)元件105的源極電極107和漏極電極108。在該工序中,如圖17的(b)所示,在面板邊框區(qū)域 12中,在與第一絕緣膜203的表面的配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122重疊的位置一并形成副配線(xiàn)123。此外,如圖17的(c)所示,在配線(xiàn)電極端子121彼此之間以及引出配線(xiàn)122 彼此之間形成副配線(xiàn)123。具體地說(shuō),首先,在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的單側(cè)表面,形成成為數(shù)據(jù)線(xiàn) 102、漏極線(xiàn)104、開(kāi)關(guān)元件105的源極電極107和漏極電極108以及副配線(xiàn)123的材料的導(dǎo)體膜(將該導(dǎo)體膜稱(chēng)為“第二導(dǎo)體膜”)。作為第二導(dǎo)體膜的形成方法,可以適用濺射法等。 之后,所形成的第二導(dǎo)體膜被圖案化為規(guī)定的形狀。在第二導(dǎo)體膜的圖案化中,可以適用使用了 Cl2和BCl3氣體的干式蝕刻以及使用了磷酸、醋酸、硝酸的濕式蝕刻。通過(guò)該圖案化,在顯示區(qū)域11中,形成包括第二導(dǎo)體膜的數(shù)據(jù)線(xiàn)102、漏極線(xiàn)104、 開(kāi)關(guān)元件105的源極電極107和漏極電極108。在面板邊框區(qū)域12中,形成包括第二導(dǎo)體膜的副配線(xiàn)123。在該圖案化中,將第一副半導(dǎo)體膜205作為蝕刻阻擋層,還蝕刻第二副半導(dǎo)體膜206。第二導(dǎo)體膜利用鉭、鋁、鉻、鉬等而具有二層以上的層疊構(gòu)造。在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1中,第二導(dǎo)體膜具有二層構(gòu)造。即,第二導(dǎo)體膜具有包括接近透明基板201側(cè)的第一副導(dǎo)體膜和接近像素電極側(cè)的第二副導(dǎo)體膜的二層構(gòu)造。在第一副導(dǎo)體膜中,可以適用鉭等。在第二副導(dǎo)體膜中,可以適用鋁等。經(jīng)過(guò)上面的工序,如圖17的(a)所示,在顯示區(qū)域11中,形成開(kāi)關(guān)元件105 (即柵極電極106、源極電極107以及漏極電極108)、數(shù)據(jù)線(xiàn)102、掃描線(xiàn)101、漏極線(xiàn)104、輔助電容線(xiàn)103。另外,如圖17的(b)所示,在面板邊框區(qū)域12中,形成配線(xiàn)電極端子121、引出配線(xiàn)122以及副配線(xiàn)123。接著,如圖18的(a)、(b)、(c)所示,在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的表面,形成第二絕緣膜208和層間絕緣膜209。在第二絕緣膜208中,可以適用厚度為300nm左右的 SiNx(氮化硅)。在層間絕緣膜209中,可以適用丙烯酸類(lèi)感光性樹(shù)脂材料。第二絕緣膜208和層間絕緣膜209的形成方法如下所示。首先在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的表面形成第二絕緣膜208。在第二絕緣膜208的形成方法中,可以適用等離子體CVD法。并且在所形成的第二絕緣膜208的表面,形成層間絕緣膜209。在層間絕緣膜 209的形成中,可以適用如下方法使用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)等在透明基板201的表面形成光致抗蝕劑材料的膜。所形成的層間絕緣膜209通過(guò)光刻法被圖案化為規(guī)定的圖案。通過(guò)該圖案化,在顯示區(qū)域11中,形成用于使像素電極109和漏極線(xiàn)104電導(dǎo)通的開(kāi)口部(接觸孔)。另外, 在面板邊框區(qū)域12中,除去層間絕緣膜209中的、與形成有配線(xiàn)電極端子121的區(qū)域重疊的部分。另外,形成用于使引出配線(xiàn)122和副配線(xiàn)123電導(dǎo)通的開(kāi)口部(接觸孔)。而且, 形成于面板邊框區(qū)域12的層間絕緣膜209中的、形成在引出配線(xiàn)122彼此之間的部分的厚度與其它的部分相比變薄。如果光致抗蝕劑材料是正型,則在曝光工序中,對(duì)形成開(kāi)口部的位置照射光能,遮擋殘留層間絕緣膜209的位置即可。在面板邊框區(qū)域12中,對(duì)層間絕緣膜209中的、在形成配線(xiàn)電極端子121的區(qū)域形成的部分照射光能,遮擋在形成引出配線(xiàn)122的區(qū)域形成的部分。另外,在引出配線(xiàn)122彼此之間,通過(guò)形成于光掩模的中間色調(diào)區(qū)域照射光能。艮口, 對(duì)形成在引出配線(xiàn)122彼此之間的層間絕緣膜209照射與在形成配線(xiàn)電極端子121的區(qū)域形成的層間絕緣膜209相比較弱的光能。當(dāng)對(duì)實(shí)施了曝光處理的層間絕緣膜209進(jìn)行顯影處理時(shí),除去光能所照射的部分,殘留被遮擋的部分。另外,在通過(guò)中間色調(diào)區(qū)域進(jìn)行了曝光的部分中,層間絕緣膜209 殘留,與被遮擋的部分相比,厚度變薄。因此,在顯示區(qū)域11中,形成用于使像素電極109 和漏極線(xiàn)104電導(dǎo)通的開(kāi)口部。在面板邊框區(qū)域12中,除去與配線(xiàn)電極端子121重疊的層間絕緣膜209。另外,形成在引出配線(xiàn)122之間的層間絕緣膜209與其它的部分相比,厚度變薄。當(dāng)圖案化層間絕緣膜209且除去規(guī)定的部分時(shí),第二絕緣膜208通過(guò)除去的部分露出。接著,將進(jìn)行了圖案化的層間絕緣膜209用作掩模,圖案化第二絕緣膜208。通過(guò)該圖案化,除去第二絕緣膜208中的、從層間絕緣膜209露出的部分(不被層間絕緣膜209覆蓋的部分)。另外,在該圖案化中,也一并圖案化第一絕緣膜203。具體地說(shuō),在面板邊框區(qū)域12中,除去從形成在副配線(xiàn)123的開(kāi)口部露出的第一絕緣膜203。由此,配線(xiàn)電極端子 121通過(guò)形成在第一絕緣膜203和副配線(xiàn)123的開(kāi)口部露出。另外,引出配線(xiàn)122的規(guī)定部分從形成在層間絕緣膜209的開(kāi)口部、形成在副配線(xiàn)123的開(kāi)口部以及形成在第一絕緣膜 203的開(kāi)口部露出。在層間絕緣膜209和第一絕緣膜203的圖案化中,可以適用使用了 CF4+&氣體或者SF6+A氣體的干式蝕刻。下面,如圖19的(a)所示,在顯示區(qū)域11中,形成像素電極109。如圖19的(b) 所示,在該工序中,在面板邊框區(qū)域12中,形成與配線(xiàn)電極端子121重疊的導(dǎo)電性材料的膜 210以及與引出配線(xiàn)122重疊的導(dǎo)電性材料的膜211。具體地說(shuō),首先,在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板201的表面,使用濺射法形成像素電極109和導(dǎo)電性材料的膜210、211的材料(將像素電極109和導(dǎo)電性材料的膜210、211的材料稱(chēng)為第三導(dǎo)體膜)。在第三導(dǎo)體膜中,可以適用厚度為IOOnm左右的ITOandium Tin Oxide 銦錫氧化物)。接著,在所形成的第三導(dǎo)體膜的表面形成光致抗蝕劑材料的膜。對(duì)所形成的光致抗蝕劑材料的膜,通過(guò)形成了規(guī)定的遮光圖案和透光圖案的光掩模來(lái)照射光能。如果光致抗蝕劑材料是正型,則在顯示區(qū)域11中,遮擋成為像素電極109的部分, 對(duì)除此以外的部分照射光能。在面板邊框區(qū)域12中,對(duì)配線(xiàn)電極端子121彼此之間、引出配線(xiàn)122彼此之間以及層間絕緣膜209的周緣部照射光能,遮擋與配線(xiàn)電極端子121和引出配線(xiàn)122重疊的部分。并且,對(duì)光能所照射的光致抗蝕劑材料進(jìn)行顯影。當(dāng)對(duì)光致抗蝕劑材料進(jìn)行顯影處理時(shí),除去光能所照射的部分。在顯示區(qū)域11中,殘留與像素電極109對(duì)應(yīng)的部分,除去與像素電極109之間對(duì)應(yīng)的部分。在面板邊框區(qū)域12中,除去配線(xiàn)電極端子121彼此之間、 引出配線(xiàn)122彼此之間以及覆蓋層間絕緣膜209的周緣部的部分。接著,將進(jìn)行了顯影處理的光致抗蝕劑材料用作掩模,圖案化第三導(dǎo)體膜。在第三導(dǎo)體膜的圖案化中,可以適用使用了三氯化鐵的濕式蝕刻。通過(guò)該圖案化,在第三導(dǎo)體膜中,殘留被光致抗蝕劑材料覆蓋的部分,除去除此以外的部分。因此,在顯示區(qū)域11中,殘
16留像素電極109,除去像素電極109之間的部分。在面板邊框區(qū)域12中,在配線(xiàn)電極端子 121的表面以及與引出配線(xiàn)122重疊的部分殘留第三導(dǎo)體膜,除去除此以外的部分。由此, 在配線(xiàn)電極端子121的表面,形成包括第三導(dǎo)體膜的導(dǎo)電性材料的膜210。另外,還在隔著層間絕緣膜209與引出配線(xiàn)122重疊的位置形成導(dǎo)電性材料的膜211。在配線(xiàn)電極端子121 的表面形成的導(dǎo)電性材料的膜210和與引出配線(xiàn)122重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜211在物理上是分離的。經(jīng)過(guò)上述工序,制造本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1。下面,說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板的制造方法。本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板的制造方法包括TFT陣列基板制造工序、彩色濾光片制造工序以及面板制造工序(也稱(chēng)為單元制造工序)。此外,TFT陣列基板制造工序如上所述。彩色濾光片5的結(jié)構(gòu)和彩色濾光片制造工序如下所示。圖20是示意地示出彩色濾光片5的結(jié)構(gòu)的圖,具體地說(shuō),圖20的(a)是示意地示出彩色濾光片5的整體構(gòu)造的立體圖,圖20的(b)是抽取并示出形成于彩色濾光片5的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖,圖20的 (c)是圖20的(b)的F-F線(xiàn)截面圖,是示出像素的截面構(gòu)造的圖。如圖20的(a)、(b)、(c)所示,彩色濾光片5在包括玻璃等的透明基板51的單側(cè)表面形成黑矩陣52。在黑矩陣52的各格子的內(nèi)側(cè),形成包括紅色、綠色、藍(lán)色的各種顏色的著色感光材料的著色層53。并且,按規(guī)定的順序排列形成該各色的著色層53的格子。在黑矩陣52和各色的著色層53的表面,形成保護(hù)膜M。在保護(hù)膜M的表面,形成共用電極 55。在共用電極55的表面,形成控制液晶的取向的取向限制構(gòu)造物56。在彩色濾光片制造工序中,包括黑矩陣形成工序、著色層形成工序、保護(hù)膜形成工序以及共用電極形成工序。如果黑矩陣形成工序的內(nèi)容例如是樹(shù)脂BM法,則如下所示。首先,對(duì)透明基板的表面涂敷BM抗蝕劑(即含有黑色著色劑的感光性樹(shù)脂組合物)等。接著,使用光刻法等將涂敷的BM蝕刻劑形成為規(guī)定的圖案。由此,得到規(guī)定圖案的黑矩陣52。在著色層形成工序中,形成彩色顯示用紅色、綠色、藍(lán)色的各色的著色層53。如果例如是著色感光材料法,則如下所示。首先,對(duì)形成了黑矩陣52的透明基板的表面涂敷著色感光材料(即在感光性材料中分散了規(guī)定顏色的顏料的溶液)。接著,使用光刻法等將所涂敷的著色感光材料形成為規(guī)定的圖案。并且對(duì)于紅色、綠色、藍(lán)色各色進(jìn)行該工序。由此得到各色的著色層53。此外,也可以是使用噴墨印刷機(jī),對(duì)黑矩陣52的各格子的內(nèi)側(cè)滴下著色層的材料(例如,含有規(guī)定顏色的著色劑的樹(shù)脂組合物)的方法。在黑矩陣形成工序中所用的方法不限定于樹(shù)脂BM法。例如可以適用鉻BM法、聚合法等公知的各種方法。在著色層形成工序中所用的方法也不限定于著色感光材料法??梢赃m用例如印刷法、染色法、電鍍法、轉(zhuǎn)印法、蝕刻法等公知的各種方法。另外,也可以使用先形成著色層53,之后形成黑矩陣52的背面曝光法。通過(guò)保護(hù)膜形成工序,在黑矩陣52和著色層53的表面形成保護(hù)膜M??梢赃m用例如對(duì)經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板51的表面,用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)涂敷保護(hù)膜材料的方法(整面涂敷法)、使用印刷或者光刻法等來(lái)形成規(guī)定圖案的保護(hù)膜M的方法(圖案化法)等。在保護(hù)膜材料中,可以適用例如丙烯酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等。在共用電極形成工序中,在保護(hù)膜M的表面形成共用電極55。如果例如是掩模法,則在經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板51的表面配置掩模,通過(guò)濺射等蒸鍍銦錫氧化物(ΙΤ0 Indium Tin Oxide)等來(lái)形成共用電極55。接著,形成取向限制構(gòu)造物56。該取向限制構(gòu)造物56包括例如感光性的樹(shù)脂材料等,使用光刻法等形成。對(duì)經(jīng)過(guò)上述工序的透明基板51的表面涂敷感光性材料,通過(guò)光掩模曝光為規(guī)定的圖案。并且,在之后的顯影工序中,除去不要的部分。由此,得到規(guī)定圖案的取向限制構(gòu)造物56。經(jīng)過(guò)該工序,制造彩色濾光片5。接著,說(shuō)明面板制造工序。圖21是示意地示出本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板6的一部分的截面構(gòu)造的截面圖。首先,在經(jīng)過(guò)上述工序得到的TFT陣列基板(即本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1)和彩色濾光片5的各自的表面形成取向膜61、62。并且對(duì)所形成的取向膜61、62實(shí)施取向處理(此外,也可以是不實(shí)施取向處理的結(jié)構(gòu))。之后,貼合本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1和彩色濾光片5。而且,在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1和彩色濾光片5之間注入液晶。在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1和彩色濾光片5的各自的表面形成取向膜61、62的方法如下所示。首先,使用取向材料涂敷裝置等,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1和彩色濾光片5各自的顯示區(qū)域的表面涂敷取向材料。取向材料是指包括成為取向膜的原料的物質(zhì)的溶液。在取向材料涂敷裝置中,可以適用噴墨方式的印刷裝置(分注器)。使用取向膜焙燒裝置等來(lái)加熱、焙燒所涂敷的取向材料。接著,對(duì)進(jìn)行了焙燒的取向膜61、62實(shí)施取向處理。作為該取向處理,可以使用用摩擦輥等對(duì)取向膜的表面造成微小損傷的方法、對(duì)取向膜的表面照射紫外線(xiàn)等光能來(lái)調(diào)整取向膜的表面性狀的光取向處理等公知的各種處理方法。此外,也可以如上所述不實(shí)施取向處理。接著,用密封圖案化裝置等以圍繞本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的顯示區(qū)域11的方式來(lái)涂敷密封材料63。并且,使用間隔物散布裝置等,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1的表面散布用于將單元間距均勻地保持為規(guī)定的值的間隔物。此外,也可以是在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1或者彩色濾光片5的表面,形成柱狀的間隔物的結(jié)構(gòu)。在這種情況下,不需要散布間隔物。并且,使用液晶滴下裝置等對(duì)本發(fā)明的任一實(shí)施方式的顯示面板用基板1的表面的被密封材料63包圍的區(qū)域滴下液晶。并且,在減壓氣氛下貼合本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1和彩色濾光片5。 并且對(duì)密封材料63照射紫外線(xiàn),使密封材料63固化。此外,也可以是如下方法在使密封材料63固化后,在本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板用基板1和彩色濾光片5之間注入液晶。經(jīng)過(guò)這種工序,得到本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板6。上面參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式,但是本發(fā)明不限定于上述各實(shí)施方式,當(dāng)然可以在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板用基板,其特征在于 具備用于連接外部的配線(xiàn)基板的配線(xiàn)電極端子; 與該配線(xiàn)電極端子電導(dǎo)通的引出配線(xiàn); 覆蓋該引出配線(xiàn)的層間絕緣膜;與上述配線(xiàn)電極端子重疊而形成并且與上述配線(xiàn)電極端子電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜;以及隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成并且與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜,與上述配線(xiàn)電極端子重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜和隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜,在上述層間絕緣膜的周緣部是分離的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板用基板,其特征在于 隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成并且與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜通過(guò)形成于上述層間絕緣膜的開(kāi)口部與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所述的顯示面板用基板,其特征在于隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜形成為其接近上述層間絕緣膜的周緣部的部分與其它的部分相比,寬度較窄。
4.一種顯示面板用基板,其特征在于 具備用于連接外部的配線(xiàn)基板的多個(gè)配線(xiàn)電極端子; 對(duì)各該多個(gè)配線(xiàn)電極端子電導(dǎo)通的多個(gè)引出配線(xiàn); 覆蓋該多個(gè)引出配線(xiàn)的層間絕緣膜;與上述多個(gè)配線(xiàn)電極端子分別重疊而形成并且與上述多個(gè)配線(xiàn)電極端子分別電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜;以及隔著上述層間絕緣膜與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成并且與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜, 上述多個(gè)引出配線(xiàn)并列而形成,與上述多個(gè)配線(xiàn)電極端子分別重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜和隔著上述層間絕緣膜與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜,在上述層間絕緣膜的周緣部是分離的,并且相鄰的隔著上述層間絕緣膜與多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜是分離的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板用基板,其特征在于隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成并且與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜通過(guò)形成于上述層間絕緣膜的開(kāi)口部與上述引出配線(xiàn)電導(dǎo)通。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或者權(quán)利要求5所述的顯示面板用基板,其特征在于隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜形成為其接近上述層間絕緣膜的周緣部的部分與其它的部分相比,寬度較窄。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或者權(quán)利要求5所述的顯示面板用基板,其特征在于隔著上述層間絕緣膜與上述引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜形成為其接近上述層間絕緣膜的周緣部的部分與其它的部分相比,寬度較窄,并且在該寬度較窄地形成的部分,相鄰的隔著上述層間絕緣膜與引出配線(xiàn)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜的間隔與其它的部分相比較寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求4至權(quán)利要求7中的任一項(xiàng)所述的顯示面板用基板,其特征在于上述層間絕緣膜的周緣部中的形成在上述多個(gè)引出配線(xiàn)彼此之間的部分形成為其和與上述多個(gè)引出配線(xiàn)分別重疊而形成的部分相比,厚度較薄。
9.一種顯示面板,其特征在于具備權(quán)利要求1至權(quán)利要求8中所述的任一顯示面板用基板、以及相對(duì)基板,上述顯示面板用基板和上述相對(duì)基板隔開(kāi)規(guī)定的間隔相對(duì)配設(shè),在上述顯示面板用基板和上述相對(duì)基板之間填充有液晶。
全文摘要
提供可以防止配線(xiàn)電極端子彼此的短路的顯示面板用基板、顯示面板。具備用于連接外部的配線(xiàn)基板的配線(xiàn)電極端子(121);與配線(xiàn)電極端子(121)電導(dǎo)通的引出配線(xiàn)(122);覆蓋引出配線(xiàn)(122)的層間絕緣膜(209);與配線(xiàn)電極端子(121)重疊而形成并且與配線(xiàn)電極端子(121)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜(210);以及隔著層間絕緣膜(209)與引出配線(xiàn)(122)重疊而形成并且與引出配線(xiàn)(122)電導(dǎo)通的導(dǎo)電性材料的膜(211),與配線(xiàn)電極端子(121)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜(210)和隔著層間絕緣膜(209)與引出配線(xiàn)(122)重疊而形成的導(dǎo)電性材料的膜(211)在層間絕緣膜(209)的周緣部是分離的。
文檔編號(hào)H01L23/522GK102224536SQ20098014649
公開(kāi)日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者梅澤貴裕 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社